光電裝置、光電裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了光電裝置、光電裝置的制造方法以及電子設(shè)備。在光電裝置中，形成于元件基板的反射鏡等被密封部件密封。密封部件具備框部和蓋部。并且，通過元件基板和密封部件包圍反射鏡，密封部件設(shè)置在元件基板的一面，以便反射鏡位于蓋部的一部分和元件基板之間。密封部件由將框部和蓋部一體形成的透光性部件構(gòu)成，在框部和蓋部(252)之間不存在界面。
【專利說明】
光電裝置、光電裝置的制造方法以及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具備反射鏡的光電裝置的制造方法、光電裝置以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，周知存在例如如下的投射式顯示裝置等:將從光源射出的光通過被稱為DMD(數(shù)字微鏡元件)的光電裝置的多個反射鏡(微反射鏡)調(diào)制之后，將調(diào)制光通過投射光學(xué)系統(tǒng)放大投射，從而在屏幕上顯示圖像。如圖12所示，上述投射式顯示裝置等中使用的光電裝置具有在一面Is側(cè)具備多個反射鏡50的元件基板I，反射鏡50被粘結(jié)于元件基板I的一面Is側(cè)以便包圍反射鏡50的墊片61(密封部件)以及粘結(jié)于墊片61的與元件基板I相反側(cè)的端部的透光性蓋71 (密封部件)密封。
[0003]作為制造上述光電裝置的方法，提出有如下的方法(參照專利文件I):對在一面1s側(cè)具備反射鏡50的第一晶圓(wafer)，將形成了貫通孔的墊片用晶圓和透光性晶圓重疊粘結(jié)而成的第二晶圓進行粘結(jié)后，分割第一晶圓和第二晶圓。根據(jù)上述方法，通過分割后的墊片用晶圓形成墊片61，并通過分割后的透光性晶圓形成透光性蓋71。
[0004]【先行技術(shù)文獻(xiàn)】
[0005]【專利文獻(xiàn)】
[0006]專利文獻(xiàn)1:美國專利US6856014 BI
[0007 ]但是，根據(jù)專利文獻(xiàn)I記載的制造方法，由于成為粘結(jié)墊片61和透光性蓋71的構(gòu)造，所以存在無法避免從墊片61和透光性蓋71之間的界面侵入水分這樣的問題。上述水分的侵入引起導(dǎo)致在反射鏡50傾斜的情況下周圍的部件由于水滴而吸附。上述吸附引起無法移動等原因，所以不優(yōu)選。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于上述問題點，本發(fā)明的課題是提供了可以防止水分通過密封部件侵入配置有反射鏡的空間的光電裝置、光電裝置的制造方法以及電子設(shè)備。
[0009]為解決上述課題，本發(fā)明涉及的光電裝置的一方面具有:元件基板;反射鏡，設(shè)置于所述元件基板的第一面?zhèn)?驅(qū)動元件，設(shè)置于所述元件基板的所述第一面?zhèn)?，所述?qū)動元件驅(qū)動所述反射鏡；以及密封部件，具有透光性，且所述密封部件具備框部以及與所述框部一體形成的蓋部，所述密封部件設(shè)置于所述第一面?zhèn)?，以使通過所述密封部件和所述元件基板包圍所述反射鏡，且所述反射鏡位于所述蓋部的第一部分和所述元件基板之間。
[0010]在本發(fā)明中，設(shè)置有反射鏡以及驅(qū)動元件的元件基板的第一面?zhèn)缺痪哂型腹庑缘拿芊獠考芊?，在上述密封部件，包圍反射鏡的框部以及與反射鏡相對的蓋部成為一體。因此，可以防止水分從作為墊片發(fā)揮作用的框部以及作為透光性蓋發(fā)揮作用的蓋部之間侵入。因此，在驅(qū)動反射鏡時，難以發(fā)生反射鏡在傾斜的狀態(tài)下由于水滴被周圍的部件吸附而無法移動等不良情況。
[0011]在本發(fā)明中，例如，可以采用所述蓋部的厚度比所述框部的厚度厚的方式。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以提高光電裝置的機械的強度。
[0012]本發(fā)明涉及的光電裝置的制造方法的一方面包括:第一晶圓準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備第一晶圓，在所述第一晶圓，在第一面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域設(shè)置第一反射鏡以及驅(qū)動所述第一反射鏡的第一驅(qū)動元件，在第一面?zhèn)仍谂c第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域設(shè)置第二反射鏡以及驅(qū)動所述第二反射鏡的第二驅(qū)動元件;第二晶圓形成工序，形成具有透光性的第二晶圓，所述第二晶圓具備第一凹部以及第二凹部開口的第二面;粘結(jié)工序，粘結(jié)所述第一晶圓的所述第一面和所述第二晶圓的所述第二面，以便俯視時第一反射鏡以及第一驅(qū)動元件與所述第一凹部重疊，且俯視時所述第二反射鏡以及所述第二驅(qū)動元件與所述第二凹部重疊；以及分割工序，沿俯視時與被所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域夾著的區(qū)域重疊的區(qū)域，分割所述第一晶圓以及所述第二晶圓。
[0013]在本發(fā)明涉及的光電裝置的制造方法中，優(yōu)選在所述第二晶圓形成工序，在所述第二晶圓的所述第二面，在被所述第一凹部和所述第二凹部夾著的區(qū)域形成深度比所述第一凹部以及所述第二凹部深的第一槽，在所述分割工序，進行第二晶圓薄板化工序，其中，從由所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面構(gòu)成的第三面直至所述第一槽為止對所述第二晶圓進行薄板化并分割所述第二晶圓。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與通過切割片分割第二晶圓的方法相比，可以通過一次的第二晶圓薄板化工序就將第二晶圓分割為多個。
[0014]在本發(fā)明涉及的光電裝置的制造方法中，也可以采用在所述第二晶圓形成工序，在所述第二晶圓的所述第二面，在被所述第一凹部和所述第二凹部夾著的區(qū)域，與所述第一凹部以及所述第二凹部同時形成第一槽，在所述分割工序，進行第二晶圓切割工序，其中，從由所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面構(gòu)成的第三面?zhèn)仁顾龅诙A用切割片進入直至所述第一槽為止并分割所述第二晶圓的方式。
[0015]在這種情況下，優(yōu)選所述第二晶圓用切割片的厚度比所述第一槽的寬度厚，在所述第二晶圓切割工序，使所述第二晶圓用切割片的刀尖進入直至進行所述第二晶圓切割工序之前的所述第二槽的深度方向的中途位置。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使在第二槽的底部成為圓弧狀的凹部的情況下，在密封部件的側(cè)面也難以產(chǎn)生引起缺口的凸部。
[0016]在本發(fā)明涉及的光電裝置的制造方法中，優(yōu)選在所述分割工序之前，在所述第一晶圓的所述第一面被所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域夾著的區(qū)域形成第二槽，在所述分割工序，進行第一晶圓薄板化，其中，從由所述第一晶圓的所述第一面的相反側(cè)的面構(gòu)成的第四面?zhèn)戎敝了龅诙蹫橹箤λ龅谝痪A進行薄板化并分割所述第一晶圓。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在通過切割片分割第一晶圓時，可以降低在第一晶圓的里面(第四面)發(fā)生缺口的擔(dān)憂。
[0017]適用了本發(fā)明的光電裝置可以用于各種電子設(shè)備，在這種情況下，在電子設(shè)備設(shè)置有向所述反射鏡照射光源光的光源部。并且，在構(gòu)成投射式顯示裝置構(gòu)成為電子設(shè)備的情況下，在電子設(shè)備還設(shè)置有投射通過所述反射鏡調(diào)制后的光的投射光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說明】
[0018]圖1是適用了本發(fā)明的作為電子設(shè)備的投射式顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的模式圖。
[0019]圖2的(a)、(b)是模式地示出了適用了本發(fā)明的光電裝置的基本結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0020]圖3的(a)、(b)是模式地示出了適用了本發(fā)明的光電裝置的主要部分的A-A’截面的說明圖。
[0021]圖4是適用了本發(fā)明的光電裝置的截面圖。
[0022]圖5的(a)?(d)是表示適用了本發(fā)明的光電裝置的制造方法的工序截面圖。
[0023]圖6的(a)?(d)是表示適用了本發(fā)明的光電裝置的制造使用的第二晶圓等的制造方法的工序圖。
[0024]圖7的(a)?(d)是表示在適用了本發(fā)明的光電裝置的制造使用的第二晶圓20形成凹部、槽的方法的工序截面圖。
[0025]圖8的(a)?(C)是在適用了本發(fā)明的光電裝置100的制造工序中通過基板及密封樹脂密封元件基板的工序的工序截面圖。
[0026]圖9的(a)?(d)是表示適用了本發(fā)明的光電裝置的其他制造方法的工序截面圖。
[0027]圖10的(a)、(b)是適用了本發(fā)明的光電裝置的其他制造方法中的第二晶圓工序的說明圖。
[0028]圖11的(a)、(b)是適用了本發(fā)明的光電裝置的另一個其他方法中的第一晶圓分割工序的說明圖。
[0029]圖12是本發(fā)明參考例涉及的光電裝置的截面圖。
[0030]符號說明
[0031]I元件基板Is—面(第一面)
[0032]10第一晶圓1s—面(第一面)
[0033]1t另一面(第四面)17端子
[0034]20第二晶圓20s第二面
[0035]20t第三面21凹部
[0036]21a第一凹部21b第二凹部
[0037]22槽(第一槽)25密封部件
[0038]30驅(qū)動元件30a第一驅(qū)動元件
[0039]30b第二驅(qū)動元件50反射鏡
[0040]50a第一反射鏡50b第二反射鏡[0041 ]81第一晶圓用切割片 82第二晶圓用切割片
[0042]83切割片90基板
[0043]98密封樹脂100光電裝置
[0044]10s層疊體101第一區(qū)域
[0045]102第二區(qū)域110槽(第二槽)
[0046]170金屬層180、280研磨機
[0047]251框部252蓋部
[0048]259凸部1000投射式顯示裝置(電子設(shè)備)
[0049]1002光源部1004投射光學(xué)系統(tǒng)
[0050]1030濾色器t蓋部的厚度[0051 ]hi框部的厚度 W22槽的寬度
[0052]W82第二晶圓切割片的厚度。
【具體實施方式】
[0053]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。此外，在下面的說明中，作為適用了本發(fā)明的電子設(shè)備，對投射式顯示裝置進行說明。并且，在下面的說明中參照的附圖中，將各層、各部件設(shè)定為在附圖上可識別程度的大小，所以對應(yīng)各層、各部件縮尺不同。并且，圖示的反射鏡等的數(shù)量設(shè)定為在附圖上可識別程度的大小，也可以設(shè)定比該圖示的數(shù)量多的反射鏡等。此外，在下面的方式中，例如在記載為“配置在第一面?zhèn)取钡那闆r可以包括:被配置為與第一面相接的情況或通過其他構(gòu)成物配置在第一面的情況、或者配置為其一部分與第一面相接且一部分通過其他構(gòu)成物配置的情況。
[0054][作為電子設(shè)備的投射式顯示裝置]
[0055]圖1是表示適用了本發(fā)明的作為電子設(shè)備的投射式顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的模式圖。如圖1所示的投射式顯示裝置1000具有光源部1002、對應(yīng)圖像信息對從光源部1002射出的光進行調(diào)制的光電裝置100、以及將被光電裝置100調(diào)制后的光作為投射圖像投射到屏幕等被投射物1100上的投射光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具備光源1020和濾色器1030。光源1020射出白色光，濾色器1030隨著旋轉(zhuǎn)出射各種顏色的光，光電裝置100在與濾色器1030的旋轉(zhuǎn)同步的定時(timing)對入射的光進行調(diào)制。此外，也可以將濾色器1030取而代之地使用將從光源1020出射的光轉(zhuǎn)換成各種顏色的光的熒光體基板。并且，也可以對應(yīng)各種顏色的光設(shè)置光源部1002以及光電裝置100。
[0056][光電裝置100的基板結(jié)構(gòu)]
[0057]圖2是模式地示出適用了本發(fā)明的光電裝置100的基本結(jié)構(gòu)的說明圖，圖2的(a)、(b)分別是表示光電裝置100的主要部分的說明圖以及光電裝置100的主要部分的分解立體圖。圖3是模式地示出了適用了本發(fā)明的光電裝置100的主要部分的A-A’截面的說明圖，圖3的(a)、(b)分別是模式地示出反射鏡向一側(cè)傾斜狀態(tài)的說明圖以及模式地示出反射鏡向另一側(cè)傾斜狀態(tài)的說明圖。
[0058]如圖2及圖3所示，光電裝置100在元件基板I的一面Is(第一面)將多個反射鏡50配置為矩陣狀，反射鏡50與元件基板I分離。元件基板I例如是硅基板。反射鏡50例如是其一邊的長度具有例如ΙΟμπι?30μπι的平面尺寸的微反射鏡。反射鏡50具有例如從800 X 600到1028X 1024的排列而配置，一個反射鏡50對應(yīng)于圖像的一個像素。
[0059]反射鏡50的表面成為由鋁等反射金屬膜構(gòu)成的反射面。光電裝置100具備:一階部分100a，包括形成于元件基板I的一面Is的基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)地址(address)電極12、13等;二階部分100b，包括高架地址電極32、33以及鉸鏈(hinge)35;三階部分100c，包括反射鏡50。在第一階部分100a，在元件基板I形成有地址指定電路14。地址指定電路14具備用于選擇性地控制各反射鏡50的動作的存儲器單元、字線、位線的配線15等，且具有類似于具備CMOS電路16的RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)的電路結(jié)構(gòu)。
[0060]二階部分10b包括高架地址電極32、33、鉸鏈35以及反射鏡筒(post)51。高架地址電極32、33通過電極筒321、331與基板側(cè)地址電極12、13導(dǎo)通，同時被基板側(cè)地址電極12、13支撐。鉸鏈臂36、37從鉸鏈35的兩端延伸。鉸鏈臂36、37通過臂筒39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，同時被基板側(cè)偏壓電極11支撐。反射鏡50通過反射鏡筒51與鉸鏈35導(dǎo)通，同時被鉸鏈35支撐。因此，反射鏡通過反射鏡筒51、鉸鏈35、鉸鏈臂36、37、臂筒39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，且從基板側(cè)偏壓電極11被施加偏壓。此外，在鉸鏈臂36、37的前端，形成有擋塊361、362、371、372，其在反射鏡50已傾斜時抵接，以防止反射鏡50與高架地址電極32、33之間的接觸。
[0061]高架地址電極32、33構(gòu)成驅(qū)動使在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力并傾斜反射鏡50的驅(qū)動元件30。并且，基板側(cè)地址電極12、13有時也構(gòu)成驅(qū)動使在與反射鏡50之間產(chǎn)生靜電力并傾斜反射鏡50，在這種情況下，驅(qū)動元件30由高架地址電極32、33以及基板側(cè)地址電極12、13構(gòu)成。鉸鏈35對高架地址電極32、33施加驅(qū)動電壓，如圖3所示，在反射鏡50被向高架地址電極32或高架地址電極33拉近而傾斜時彎曲，對高架地址電極32、33的驅(qū)動電壓的施加停止，對反射鏡50的吸引力消失時，發(fā)揮將反射鏡50恢復(fù)為與元件基板I平行姿勢的力。
[0062]在光電裝置100中，例如，如圖3的(a)所示，如果反射鏡50向一側(cè)的高架地址電極32側(cè)傾斜，則成為從光源部1002出射的光通過反射鏡50向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射的連通(ON)狀態(tài)。與此相對，如圖3的(b)所示，如果反射鏡50向另一側(cè)的高架地址電極33側(cè)傾斜，則成為從光源部1002出射的光通過反射鏡50向光吸收裝置1005反射的遮斷(OFF)狀態(tài)，在上述遮斷狀態(tài)下，光不向投射光學(xué)系統(tǒng)1004反射。通過多個反射鏡50中的每個反射鏡進行上述驅(qū)動，其結(jié)果是，從光源部1002出射的光通過多個反射鏡50被調(diào)制為圖像光，從投射光學(xué)系統(tǒng)1004被投射，顯示圖像。
[0063]此外，將與基板側(cè)地址電極12、13相對的平板狀的軛鐵與鉸鏈35設(shè)置為一體，除在高架地址電極32、33和反射鏡50之間產(chǎn)生的靜電力以外，在基板側(cè)地址電極12、13和軛鐵之間作用的靜電力也有時驅(qū)動反射鏡50。
[0064][光電裝置100的構(gòu)造]
[0065](光電裝置100的密封構(gòu)造)
[0066]圖4是適用了本發(fā)明的光電裝置100的截面圖。如圖4所示，本實施方式的光電裝置100中，參照圖2及圖3說明的形成有多個反射鏡50的元件基板I在一面Is被具有透光性的密封部件25密封后被固定于基板90的基板安裝部93，然后，被密封樹脂98密封。在基板90，基板安裝部93成為被側(cè)板部92包圍的有底的凹部，元件基板I在基板90的底板部91，通過銀膏等組成的粘結(jié)劑97被固定。
[0067]在元件基板I的一面ls，在俯視時與反射鏡50不重疊的端部(框部251的外側(cè))形成有多個端子17。在本方式中，端部17以夾著反射鏡50的方式被配置為兩列。多個端子17的一部分通過參照圖2及圖3說明的地址指定電路14、基板側(cè)地址電極12、13，與高架地址電極32、33(驅(qū)動元件30)電連接。多個端子17的另一部分通過參照圖2及圖3說明的地址指定電路14、基板側(cè)偏壓電極11及鉸鏈35，與反射鏡50電連接。多個端子17的其他部分與參照圖2及圖3說明的地址指定電路14的前段設(shè)置的驅(qū)動電路等電連接。
[0068]端子17通過無引線接合用的電線99與基板90的底板部91的元件基板I側(cè)的內(nèi)面91s形成的內(nèi)部電極94電連接。基板90的底板部91成為多層配線基板，內(nèi)部電極94通過形成于底板部91的通孔、配線構(gòu)成的多層配線部95，與底板部91的元件基板I的相反側(cè)的外面911形成的外部電極96導(dǎo)通。
[0069]在上述基板90的側(cè)板部92的內(nèi)側(cè)(凹部)設(shè)置有密封樹脂98。密封樹脂98覆蓋電線99、電線99和端子17的接合部、電線99和內(nèi)部電極94的接合部、元件基板I的周圍、元件基板I和密封部件25(框部251)的接合部、以及密封部件25的側(cè)面直至厚度方向的中途。
[0070](密封部件25的結(jié)構(gòu))
[0071]在本方式中，密封部件25具備:包圍反射鏡50以及驅(qū)動元件(參照圖2及圖3)的周圍的框部251(墊片)；以及在反射鏡50而與元件基板I的相反側(cè)相對的平板狀的蓋部252，框部251的元件基板I側(cè)的端部與元件基板I粘結(jié)。在該狀態(tài)下，蓋部252在與元件基板I的相反側(cè)相對于反射鏡50隔開規(guī)定的距離的位置，與反射鏡50的表面相對。此外，框部251俯視時(詳細(xì)地說是從一面Is側(cè)觀察元件基板I的俯視時)，包圍反射鏡50和驅(qū)動元件即可。并且，這樣，通過設(shè)置密封部件25，從而通過密封部件25和元件基板I包圍反射鏡50，反射鏡50位于蓋部252的一部分(第一部分)和元件基板I之間。
[0072]在本方式中，密封部件25由一體形成框部251和蓋部252的透光性部件構(gòu)成。例如，密封部件25由一體形成框部251和蓋部252的玻璃制的部件構(gòu)成。因此，框部251和蓋部252連續(xù)連接，在框部251和蓋部252之間不存在界面。
[0073]在這樣的構(gòu)成的光電裝置100，光透過蓋部252入射反射鏡50之后，被反射鏡50反射后的光透過蓋部252出射。在本方式中，密封部件25的內(nèi)側(cè)采用空氣存在的結(jié)構(gòu)、取代空氣而填充惰性氣體等的結(jié)構(gòu)、或成為真空的結(jié)構(gòu)。
[0074]在如圖4所示的結(jié)構(gòu)中，雖然蓋部252的厚度t與框部251的厚度hi相同，但優(yōu)選蓋部252的厚度t比框部251的厚度hi厚?；蛘?，優(yōu)選蓋部252的厚度t比距離h2大，該距離h2是從蓋部252的與元件基板1(或反射鏡50)相對的面至框部251的與元件基板I粘結(jié)的面為止的距離。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在被基板90密封后的光電裝置100中，由于可以提高露出的蓋部252的機械強度，所以可以提高光電裝置100的整體的機械強度。上述結(jié)構(gòu)可以通過合理化后述的第二晶圓20的厚度、凹部21及槽22的深度等而實現(xiàn)。
[0075][光電裝置100的制造方法]
[0076]參照圖5、圖6、圖7以及圖8，對適用了本發(fā)明的光電裝置100的制造方法進行說明。圖5是表示適用了本發(fā)明的光電裝置100的制造方法的工序截面圖。圖6是表示適用了本發(fā)明的光電裝置100制造所使用的第二晶圓20等的制造方法的工序圖，在圖6中示出了各工序中的晶圓的俯視圖，同時在俯視圖的下段示出了切斷端面圖。圖7是表示在適用了本發(fā)明的光電裝置100的制造所使用的第二晶圓20形成凹部、槽的方法的工序截面圖。圖8是表示在適用了本發(fā)明的光電裝置100的制造方法中通過基板90和密封樹脂98密封元件基板I的工序的工序截面圖。在圖6的(b)中省略了反射鏡等的圖示，在圖5等中，省略了驅(qū)動元件30等的圖示，同時與圖4相比減少了反射鏡50的數(shù)量，將兩個反射鏡50形成于一塊元件基板I。
[0077]在本方式中，從晶圓取多個元件基板I等。因此，在下面的說明中，第一晶圓10的可以獲得多個元件基板I的區(qū)域中，將形成于第一區(qū)域101的反射鏡50以及驅(qū)動元件30分別作為第一反射鏡50a以及第一驅(qū)動元件30a進行說明。此外，在第一晶圓10，將與形成有第一反射鏡50a以及第一驅(qū)動元件30a的第一區(qū)域101相鄰的第二區(qū)域102上形成的反射鏡50以及驅(qū)動元件30分別作為第二反射鏡50b以及第二驅(qū)動元件30b進行說明。但是，在無需指定是哪一個元件基板I的情況下，不標(biāo)注上述a、b而進行說明。
[0078]對于制造本實施方式的光電裝置100，如圖5的(a)以及圖的6(b)所示，在第一晶圓準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備第一晶圓10，其中，對可以取多個元件基板I的大型的第一晶圓10的一面1s(第一面)，對應(yīng)元件基板I被分割的每個區(qū)域，形成反射鏡50，同時在俯視時與反射鏡50重疊的位置形成驅(qū)動反射鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2及圖3)。在第一晶圓10的一面10s，在第一區(qū)域101形成有第一反射鏡50a，同時在俯視時與第一反射鏡50a重疊的位置形成有第一驅(qū)動元件30a(參照圖2及圖3)。并且，在第一晶圓10的一面10s，在第二區(qū)域102形成有第二反射鏡50b，同時在俯視時與第二反射鏡50b重疊的位置形成有第二驅(qū)動元件30b(參照圖2及圖3)。此外，在本實施方式中，以跨越第一區(qū)域101和第二區(qū)域102的方式形成用于形成端子17的金屬層170。例如，如圖5的(a)以及圖6的(a)、(b)所示，也可以對可以取多個元件基板I的大型的第一晶圓10的一面10s，對應(yīng)元件基板I被分割的每個區(qū)域，形成反射鏡50，同時在俯視時與反射鏡50重疊的位置形成驅(qū)動反射鏡50的驅(qū)動元件30(參照圖2及圖3)，從而準(zhǔn)備第一晶圓10。
[0079]如圖5的(a)以及圖6的(c)、(d)所示，在第二晶圓形成工序，準(zhǔn)備可以取多個密封部件25的大型的具有透光性的第二晶圓20。在本實施方式中，第二晶圓20是玻璃制的。在第二晶圓20的由一面構(gòu)成的第二面20s，對應(yīng)密封部件25被分割的每個區(qū)域形成有凹部21，凹部21在第二面20s開口。多個凹部21中的一個是第一凹部21a，與第一凹部21a相鄰的凹部21是第二凹部21b。此外，凹部21(凹部21a以及凹部21b)的深度dl也可以小于形成有凹部21的地方的第二晶圓20的厚度t2。
[0080]并且，在本實施方式中，在第二晶圓20的第二面20s，形成有相互沿直角交叉的兩個方向延伸且包圍多個凹部21的每個凹部的有底的槽22。因此，槽22的一部分沿第一凹部21a以及第二凹部21b之間延伸。在本實施方式中，將槽22形成得比凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)深。也就是說，槽22的深度d2形成為比凹部21的深度dl大(參照圖6的(d))。[0081 ]在形成上述第二晶圓20時，例如如圖7的(a)所示，首先，在第二晶圓20的第二面20s形成了抗蝕掩模270的狀態(tài)下，在如圖7的(b)的蝕刻工序中，通過干蝕刻、或使用氫氧化鉀溶液的濕蝕刻在第二晶圓20的第二面20s形成凹部21 (第一凹部21a以及第二凹部21b)。接下來，如圖7的(c)所示，在除去了蝕刻掩模270之后，如圖7的(d)所示，通過第二晶圓用切割片(dicing blade)82形成槽22。此外，也可以在形成了槽22之后形成凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。并且，也可以通過兩次的蝕刻掩模形成工序以及兩次的蝕刻形成槽22以及凹部21 (第一凹部21a以及第二凹部21b)。并且，也可以通過使用激光的隱形切割(stealth dicing)形成槽22以及凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。
[0082]接下來，在如圖5的(b)所示的粘結(jié)工序中，俯視(例如，從一面1s側(cè)觀察第一晶圓10時的俯視)時凹部21與反射鏡50重疊，且以第一區(qū)域101和第二區(qū)域102之間槽22俯視時重疊的方式粘結(jié)第一晶圓10的一面1s和第二晶圓20的第二面20s。其結(jié)果是，俯視時第一凹部21a重疊在第一反射鏡50a以及第一驅(qū)動元件30a，俯視時第二凹部21b重疊在第二反射鏡50b以及第二驅(qū)動元件30b，槽22俯視時與形成于第一凹部21a以及第二凹部21b之間的金屬層170重疊。因此，金屬層170不會粘結(jié)于第二晶圓20。
[0083]接著，在圖5的(c)、(d)所示的分割工序中，分割第一晶圓10和第二晶圓20的層疊體130，獲得在具備反射鏡50的元件基板I重疊密封部件25而固定的單品尺寸的層疊體10s0
[0084]在上述分割工序中，首先，在如圖5的(c)所示的第二晶圓薄板化工序中，從由第二晶圓20的第二面20s相反側(cè)的面構(gòu)成的第三面20t直至到達(dá)槽22為止將第二晶圓20薄板化并分割第二晶圓20。更為具體地說，通過研磨機280研磨第二晶圓20的第三面20t，從而將第二晶圓20薄板化，分割第二晶圓20。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，與通過切割片對第二晶圓20進行切割的方法相比，可以通過一次的第二晶圓薄板化工序就將第二晶圓20分割為多個。
[0085]接著，在如圖5的(d)所示的第一晶圓切割工序中，通過第一晶圓用切割片81，在第一晶圓10沿元件基板I被分割的區(qū)域(夾著第一區(qū)域101和第二區(qū)域102的區(qū)域)，對第一晶圓10進行切割。其結(jié)果是，第一晶圓10被分割。此時，電極層170被切斷而成為端子17。在本實施方式中，第一晶圓用切割片81的厚度比槽22的寬度薄。因此，在第一晶圓切割工序中，使第一晶圓用切割片81相對于第一晶圓10從第二晶圓20側(cè)進入槽22的內(nèi)部并對第一晶圓1進行切割。
[0086]其結(jié)果是，可以制造多個形成有多個反射鏡50的元件基板I的一面Is被密封部件25密封的光電裝置100。如圖4所示，上述光電裝置100在通過基板90以及密封樹脂98密封的情況下，還進行如圖8所示的工序。
[0087]首先，如圖8的(a)所示，在準(zhǔn)備了在基板安裝部93被側(cè)板部92包圍的成為凹部的基板90之后，如圖8的(b)所示，在基板安裝部93的底部通過粘結(jié)劑97固定元件基板I。然后，如圖8的(c)所示，通過引線接合用的電線99電連接元件基板I的端子17和基板90的內(nèi)部電極94。接著，如圖4所示，在基板90的側(cè)板部92的內(nèi)部注入密封樹脂98之后，使密封樹脂98固化，通過密封樹脂98密封元件基板I。其結(jié)果是，可以獲得通過密封部件25(框部251以及蓋部252)、基板90以及密封部件98密封的光電裝置100。
[0088]此外，在本實施方式中，雖然使圓形形狀的晶圓，但其俯視平行也可以是矩形等。
[0089](本實施方式的主要效果)
[0090]如上所述，在本實施方式的光電裝置100中，設(shè)置有反射鏡50以及驅(qū)動元件30的元件基板I的一面IS側(cè)被具有透光性的密封部件25密封，在上述密封部件25，包圍反射鏡50以及驅(qū)動元件30的周圍的框部251、以及與反射鏡50相對的平板狀的蓋部252成為一體。因此，可以防止水分從作為墊片發(fā)揮作用的框部251以及作為透光性蓋發(fā)揮作用的蓋部252之間。因此，在驅(qū)動反射鏡50時，難以發(fā)生反射鏡50由于水滴在傾斜的狀態(tài)下被周圍的部件吸附而無法移動等不良情況。
[0091][光電裝置100的另一制造方法]
[0092]圖9是表示適用了本發(fā)明的光電裝置100的另一制造方法的工序截面圖。圖10是適用了本發(fā)明的光電裝置100的另一制造方法中的第二晶圓切割工序的說明圖。
[0093]在上述實施方式中雖然將槽22形成得比凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)深，但如圖9的(a)所示，也可以將槽22與凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)形成為相同的深度。如圖7的(a)?(c)所示，上述凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)以及槽22可以通過在形成了蝕刻掩模270的狀態(tài)下的蝕刻同時形成。
[0094]在這種情況下，如圖9的(b)所示的粘結(jié)工序中，俯視時凹部21與反射鏡50重疊，以在第一區(qū)域101和第二區(qū)域102之間俯視時槽22重疊的方式粘結(jié)第一晶圓10的一面1s以及第二晶圓20的第二面20s。其結(jié)果是，俯視時第一凹部21a在第一反射鏡50a重疊，俯視時第二凹部21b在第二反射鏡50b重疊，俯視時槽22在形成于第一凹部21a和第二凹部21b之間的金屬層170重疊。因此，金屬層170不會粘結(jié)于第二晶圓20。
[0095]接著，在如圖9的(c)、( d)所示的分割工序中，分割第一晶圓1和第二晶圓20的層疊體130，獲得在具備反射鏡50的元件基板I重疊密封部件25而固定的單品尺寸的層疊體10s0
[0096]在上述分割工序中，首先，在如圖9的(c)所示的第二晶圓切割工序中，使第二晶圓用切割片82進入從第二晶圓20的第三面20t直至到達(dá)槽22為止并分割第二晶圓20。
[0097]接著，在分割工序中，在如圖9的(d)所示的第一晶圓切割工序中，使第一晶圓用切割片81相對于第一晶圓10從第二晶圓20側(cè)進入槽22的內(nèi)部并對第一晶圓10進行切割。其結(jié)果是，制造多個形成有多個反射鏡50的元件基板I的一面Is被密封部件25密封的光電裝置100。
[0098]在上述這樣的制造方法中，優(yōu)選如圖9的(C)所示的第二晶圓用切割片82的厚度W82比槽22的寬度W22厚且使第二晶圓用切割片82的刀頭進入直至進行第二晶圓切割工序前的槽22的深度方向的中途位置。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，如圖10的(a)所示，即使在槽22的底部220成為圓弧狀的凹部的情況下，在密封部件25的側(cè)面也難以發(fā)生由于缺口等原因引起的凸部。也就是說，在槽22的底部220成為圓弧狀的凹部的情況下，如圖10的(b)所示，如果第二晶圓用切割片82的厚度W82比槽22的寬度W22薄，則導(dǎo)致在密封部件25的側(cè)面會產(chǎn)生凸部259ο上述凸部259容易缺口。并且，如果在凸部259產(chǎn)生缺口，則缺口有時會遍及至框部251、蓋部252，在這種情況下，會使密封部件25的性能降低。但是，根據(jù)如圖10的(a)所示的方式，由于難以產(chǎn)生引起缺口等的凸部259，所以難以發(fā)生密封部件25的性能降低等。
[0099][光電裝置100的其他制造方法]
[0100]圖11是適用了本發(fā)明的光電裝置100的另一其他制造方法中的第一晶圓分割工序的說明圖。
[0101]在參照圖5以及圖9說明的實施方式中，雖然在如圖5的(d)以及圖9的(d)所示的分割工序中通過第一晶圓用切割片81分割第一晶圓10，但也可以通過DBG(Dicing BeforeGrinding，晶圓背磨)法分割第一晶圓10。更為具體地說，如圖11的(a)所示，在進行第一晶圓10的分割工序之前在第一晶圓10的一面1s形成沿被各區(qū)域(第一區(qū)域101以及第二區(qū)域102)夾著的區(qū)域延伸的槽110。在圖11的(a)中雖然示出了在分割了第二晶圓20之后形成槽110的實施方式，但也可以在其之前的工序中形成槽110。
[0102]并且，在分割工序中，如圖11的(b)所示，進行第一晶圓薄板化工序，其中，從由第一晶圓10的一面1s相反側(cè)的面構(gòu)成的另一面1t (第四面)側(cè)直至槽110為止對第一晶圓10進行薄板化并分割第一晶圓10。更為具體地說，通過研磨機180研磨第一晶圓10的另一面lot，從而對第一晶圓10進行薄板化并分割第一晶圓10。根據(jù)上述構(gòu)成，在通過研磨機分割第一晶圓10時，可以降低在第一晶圓的另一面1t產(chǎn)生缺口的擔(dān)心。
【主權(quán)項】
1.一種光電裝置，其特征在于，具有: 元件基板； 反射鏡，設(shè)置于所述元件基板的第一面?zhèn)龋?驅(qū)動元件，設(shè)置于所述元件基板的所述第一面?zhèn)?，所述?qū)動元件驅(qū)動所述反射鏡；以及密封部件，具有透光性，且所述密封部件具備框部以及與所述框部一體形成的蓋部，所述密封部件設(shè)置于所述第一面?zhèn)?，以使通過所述密封部件和所述元件基板包圍所述反射鏡，且所述反射鏡位于所述蓋部的第一部分和所述元件基板之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置，其特征在于， 所述蓋部的厚度比所述框部的厚度厚。3.一種光電裝置的制造方法，其特征在于，包括: 第一晶圓準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備第一晶圓，在所述第一晶圓，在第一面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域設(shè)置第一反射鏡以及驅(qū)動所述第一反射鏡的第一驅(qū)動元件，在第一面?zhèn)仍谂c第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域設(shè)置第二反射鏡以及驅(qū)動所述第二反射鏡的第二驅(qū)動元件； 第二晶圓形成工序，形成具有透光性的第二晶圓，所述第二晶圓具備第一凹部以及第二凹部開口的第二面； 粘結(jié)工序，粘結(jié)所述第一晶圓的所述第一面和所述第二晶圓的所述第二面，以便俯視時第一反射鏡以及第一驅(qū)動元件與所述第一凹部重疊，且俯視時所述第二反射鏡以及所述第二驅(qū)動元件與所述第二凹部重疊；以及 分割工序，沿俯視時與被所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域夾著的區(qū)域重疊的區(qū)域，分割所述第一晶圓以及所述第二晶圓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序，在所述第二晶圓的所述第二面，在被所述第一凹部和所述第二凹部夾著的區(qū)域形成深度比所述第一凹部以及所述第二凹部深的第一槽， 在所述分割工序，進行第二晶圓薄板化工序，其中，從由所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面構(gòu)成的第三面直至所述第一槽為止對所述第二晶圓進行薄板化并分割所述第二晶圓O5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二晶圓形成工序，在所述第二晶圓的所述第二面，在被所述第一凹部和所述第二凹部夾著的區(qū)域，與所述第一凹部以及所述第二凹部同時形成第一槽， 在所述分割工序，進行第二晶圓切割工序，其中，從由所述第二晶圓的所述第二面相反側(cè)的面構(gòu)成的第三面?zhèn)仁顾龅诙A用切割片進入直至所述第一槽為止并分割所述第二晶圓O6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二晶圓用切割片的厚度比所述第一槽的寬度厚， 在所述第二晶圓切割工序，使所述第二晶圓用切割片的刀尖進入直至進行所述第二晶圓切割工序之前的所述第一槽的深度方向的中途位置。7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于， 在所述分割工序之前，在所述第一晶圓的所述第一面被所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域夾著的區(qū)域形成第二槽， 在所述分割工序，進行第一晶圓薄板化，其中，從由所述第一晶圓的所述第一面的相反側(cè)的面構(gòu)成的第四面?zhèn)戎敝了龅诙蹫橹箤λ龅谝痪A進行薄板化并分割所述第一晶圓O8.一種電子設(shè)備，其特征在于， 所述電子設(shè)備具備權(quán)利要求1或2所述的光電裝置 且所述電子設(shè)備具有出射部，所述出射部對所述反射鏡照射光源光。
【文檔編號】G02B26/08GK106019576SQ201610161968
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】內(nèi)山杰, 花岡輝直
【申請人】精工愛普生株式會社