一種綁定方法及綁定裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開一種綁定方法及綁定裝置，綁定方法包括：控制位于通過結(jié)合劑貼附于陣列基板的驅(qū)動(dòng)芯片上方的熱壓頭向下運(yùn)動(dòng)，直至與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片施壓；控制設(shè)置于陣列基板下方的加熱載臺(tái)向上運(yùn)動(dòng)，直至與陣列基板相接觸；加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，且加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)加熱載臺(tái)的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度，以使得驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同的熱膨脹量，又由于加熱載臺(tái)和陣列基板的接觸不晚于熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸避免了對(duì)陣列基板造成損傷，且在綁定之前，加熱載臺(tái)未一直與陣列基板接觸，避免了結(jié)合劑提前固化，提高產(chǎn)品良率。
【專利說明】
一種綁定方法及綁定裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種綁定方法及綁定裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域，COG是指通過結(jié)合劑ACF(異方性導(dǎo)電膠膜)將IC(驅(qū)動(dòng)芯片)綁定到LCD(液晶面板)的陣列基板上，而COG因其能夠大大減小LCD模塊的體積，且易于批量生產(chǎn)，現(xiàn)已成為IC和IXD的主要連接方式。
[0003]如圖1所示，目前實(shí)現(xiàn)COG的綁定裝置包括相對(duì)設(shè)置的加熱底座07和熱壓頭02，加熱底座07固定設(shè)置，熱壓頭采用氣缸01驅(qū)動(dòng)，而為了減小對(duì)IC04的沖擊，在熱壓頭02上設(shè)有緩沖材料05，在綁定過程開始之前，陣列基板06預(yù)先移至加熱底座07上，等待熱壓頭02下壓，在此時(shí)間內(nèi)，ACF03—直處于受熱狀態(tài)，為避免ACF03提前固化，此時(shí)加熱底座07的溫度不能設(shè)定過高(>100°C)，在綁定過程中，氣缸01驅(qū)動(dòng)熱壓頭02下移并對(duì)IC04施壓，通過位于加熱底座07和熱壓頭02的配合作用將IC04綁定到陣列基板06上，而由于在綁定過程中，如圖2所示，在滿足ACF03170°C的反應(yīng)溫度下，IC04的實(shí)際溫度為210°C，陣列基板06的實(shí)際溫度為IlOtC，溫度差異100°C，導(dǎo)致IC04的膨脹長(zhǎng)度大于陣列基板06的膨脹長(zhǎng)度，進(jìn)而冷卻后IC04收縮大于陣列基板06收縮，產(chǎn)生彎曲變形，造成COG Mura(色調(diào)不均)，影響液晶面板內(nèi)部液晶偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而影響液晶屏的品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種綁定方法及綁定裝置，該綁定方法通過移動(dòng)加熱載臺(tái)且控制加熱載臺(tái)與陣列基板接觸時(shí)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度以減小液晶面板的彎曲變形，減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0006]—種綁定方法，包括:
[0007]控制位于通過結(jié)合劑貼附于陣列基板的驅(qū)動(dòng)芯片上方的熱壓頭向下運(yùn)動(dòng)，直至與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片施壓；
[0008]控制設(shè)置于所述陣列基板下方的加熱載臺(tái)向上運(yùn)動(dòng)，直至與陣列基板相接觸;所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，且加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)加熱載臺(tái)的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度。
[0009]在上述綁定方法中，移動(dòng)加熱載臺(tái)且控制加熱載臺(tái)與陣列基板接觸時(shí)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度以減小液晶面板的彎曲變形，減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，具體過程包括:將通過結(jié)合劑貼附有驅(qū)動(dòng)芯片的陣列基板移動(dòng)至熱壓頭和加熱載臺(tái)之間，此時(shí)，結(jié)合劑的溫度未達(dá)到固化溫度;控制熱壓頭向下運(yùn)動(dòng)至熱壓頭與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片施壓，開始驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板之間的綁定;控制加熱載臺(tái)向上運(yùn)動(dòng)至加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸，在陣列基板與加熱載臺(tái)的配合作用下驅(qū)動(dòng)芯片綁定在陣列基板上，由于加熱載臺(tái)和陣列基板的接觸不晚于熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸避免了在綁定開始時(shí)加熱載臺(tái)未與陣列基板相接觸進(jìn)而在熱壓頭對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片施壓時(shí)損傷陣列基板，又由于在綁定開始之前，加熱載臺(tái)未一直與陣列基板相接觸，避免了因加熱載臺(tái)的溫度過高而導(dǎo)致結(jié)合劑提前固化，又由于加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)加熱載臺(tái)的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度，使得在綁定過程中驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同的熱膨脹量，當(dāng)綁定結(jié)束恢復(fù)室溫后，驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板的收縮量一致，減小液晶面板的彎曲變形，進(jìn)而減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0010]因此，上述綁定方法，通過移動(dòng)加熱載臺(tái)且控制加熱載臺(tái)與陣列基板接觸時(shí)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度以減小液晶面板的彎曲變形，減少COGMura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0011]優(yōu)選地，所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，具體包括:在加熱載臺(tái)運(yùn)動(dòng)至與陣列基板相接觸時(shí)，熱壓頭同時(shí)運(yùn)動(dòng)至與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸。
[0012]優(yōu)選地，所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，具體包括:加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸早于熱壓頭與驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸。
[0013]優(yōu)選地，綁定方法還包括:預(yù)先加熱所述加熱載臺(tái)至預(yù)設(shè)溫度，所述預(yù)設(shè)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度。
[0014]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溫度根據(jù)下述公式確認(rèn)為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度:
[0015]CTEi (T1-To)Li = CTE2 (T2-To) L2
[0016]其中，CTE1JTE:^別為驅(qū)動(dòng)芯片、陣列基板的熱膨脹系數(shù)；
[0017]T1、To為熱壓頭、室溫的溫度；
[0018]T2為預(yù)設(shè)溫度；
[0019]1^上分別為驅(qū)動(dòng)芯片、陣列基板的綁定長(zhǎng)度。
[0020]優(yōu)選地，還包括控制加熱載臺(tái)和熱壓頭同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)。
[0021]—種綁定裝置，用于將驅(qū)動(dòng)芯片綁定到陣列基板上，包括機(jī)架、熱壓頭以及第一氣缸，所述機(jī)架朝向所述熱壓頭的一面形成陣列基板承載面，所述第一氣缸安裝在所述機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)所述熱壓頭沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，還包括加熱載臺(tái)、驅(qū)動(dòng)器以及控制器，其中:
[0022]所述加熱載臺(tái)與所述驅(qū)動(dòng)器相連接，所述加熱載臺(tái)朝向所述熱壓頭的側(cè)面與所述陣列基板承載面平行；
[0023]所述驅(qū)動(dòng)器安裝在所述機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)；
[0024]所述控制器安裝在所述機(jī)架上，用于控制所述第一氣缸以及所述驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)作，控制所述加熱載臺(tái)與所述陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，且所述加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)所述加熱載臺(tái)的溫度為所述驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)所述陣列基板的溫度。
[0025]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)器包括第二氣缸和行程開關(guān)，所述第二氣缸與所述加熱載臺(tái)相連接，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，所述行程開關(guān)設(shè)置在所述陣列基板承載面上，用于控制所述第二氣缸的動(dòng)作量。
[0026]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)器為驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。
[0027]優(yōu)選地，所述控制器具體用于在綁定結(jié)束時(shí)控制所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)、所述第一氣缸驅(qū)動(dòng)所述熱壓頭沿垂直于所述陣列基板承載面的方向同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明【背景技術(shù)】提供的一種綁定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明【背景技術(shù)】提供的綁定裝置在綁定驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板時(shí)所產(chǎn)生的COG Mura的示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明提供的一種綁定方法的流程圖；
[0031 ]圖4為本發(fā)明提供的一種綁定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]如圖3所示，一種綁定方法，包括:
[0034]步驟SlOl，控制位于通過結(jié)合劑4貼附于陣列基板6的驅(qū)動(dòng)芯片3上方的熱壓頭2向下運(yùn)動(dòng)，直至與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓；
[0035]步驟S102，控制設(shè)置于陣列基板6下方的加熱載臺(tái)7向上運(yùn)動(dòng)，直至與陣列基板6相接觸;加熱載臺(tái)7與陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，且加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度。
[0036]在上述綁定方法中，移動(dòng)加熱載臺(tái)7且控制加熱載臺(tái)7與陣列基板6接觸時(shí)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度以減小液晶面板的彎曲變形，減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，具體過程包括:將通過結(jié)合劑4貼附有驅(qū)動(dòng)芯片3的陣列基板6移動(dòng)至熱壓頭2和加熱載臺(tái)7之間，此時(shí)，結(jié)合劑4的溫度未達(dá)到固化溫度;在步驟SlOl中，控制熱壓頭2向下運(yùn)動(dòng)至熱壓頭2與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓，開始驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6之間的綁定;在步驟S102中，控制加熱載臺(tái)7向上運(yùn)動(dòng)至加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸，在陣列基板6與加熱載臺(tái)7的配合作用下驅(qū)動(dòng)芯片3綁定在陣列基板6上，由于加熱載臺(tái)7和陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸避免了在綁定開始時(shí)加熱載臺(tái)7未與陣列基板6相接觸進(jìn)而在熱壓頭2對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓時(shí)損傷陣列基板6，又由于在綁定開始之前，加熱載臺(tái)7未一直與陣列基板6相接觸，避免了因加熱載臺(tái)7的溫度過高而導(dǎo)致結(jié)合劑4提前固化，又由于加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度，使得在綁定過程中驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同的熱膨脹量，當(dāng)綁定結(jié)束恢復(fù)室溫后，驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6的收縮量一致，減小液晶面板的彎曲變形，進(jìn)而減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0037]因此，上述綁定方法，通過移動(dòng)加熱載臺(tái)7且控制加熱載臺(tái)7與陣列基板6接觸時(shí)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度以減小液晶面板的彎曲變形，減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提高產(chǎn)品良率。
[0038]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，加熱載臺(tái)7與陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，具體包括:在加熱載臺(tái)7運(yùn)動(dòng)至與陣列基板6相接觸時(shí)，熱壓頭2同時(shí)運(yùn)動(dòng)至與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸，熱壓頭2向下運(yùn)動(dòng)至與與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸時(shí)綁定反應(yīng)開始，而由于熱壓頭2與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7向上運(yùn)動(dòng)至加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸，避免了加熱底座在綁定反應(yīng)開始之前加熱結(jié)合劑4而導(dǎo)致結(jié)合劑4提前固化以及在綁定開始時(shí)加熱載臺(tái)7未與陣列基板6相接觸進(jìn)而在熱壓頭2對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓時(shí)損傷陣列基板6。
[0039]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，加熱載臺(tái)7與陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，具體包括:加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸早于熱壓頭2與驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，上述早于為I秒鐘之內(nèi)，熱壓頭2向下運(yùn)動(dòng)至熱壓頭2與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸時(shí)，開始驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6之間的綁定，而由于加熱載臺(tái)7已與陣列基板6相接觸，避免了在綁定開始時(shí)加熱載臺(tái)7未與陣列基板6相接觸進(jìn)而在熱壓頭2對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓時(shí)損傷陣列基板6以及加熱底座在綁定反應(yīng)開始之前一直加熱結(jié)合劑4而導(dǎo)致結(jié)合劑4提前固化。
[0040]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，綁定方法還包括:預(yù)先加熱加熱載臺(tái)7至預(yù)設(shè)溫度，預(yù)設(shè)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度。具體地，預(yù)設(shè)溫度根據(jù)下述公式確認(rèn)為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度:
[0041 ] CTEi (T1-To) Li = CTE2 (T2-To) L2
[0042]其中，CTE1JTE:^別為驅(qū)動(dòng)芯片3、陣列基板6的熱膨脹系數(shù)；
[0043]T1Jo為熱壓頭2、室溫的溫度；
[0044]T2為預(yù)先設(shè)定溫度；
[0045]L1丄2分別為驅(qū)動(dòng)芯片3、陣列基板6的綁定長(zhǎng)度。
[0046]公式的左邊為熱壓頭2的溫度!^時(shí)，也就是驅(qū)動(dòng)芯片3在綁定反應(yīng)中溫度為T1時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片3的熱膨脹量，而公式的右邊為加熱載臺(tái)7的溫度!^時(shí)，也就是陣列基板6在綁定反應(yīng)中溫度ST2時(shí)陣列基板6的熱膨脹量，通過上述公式計(jì)算出驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度，將此溫度作為設(shè)定溫度預(yù)先加熱加熱載臺(tái)7，以保證加熱載臺(tái)7運(yùn)動(dòng)至與陣列基板6相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度，使得在綁定反應(yīng)的過程中，驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量。
[0047]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，綁定方法還包括控制加熱載臺(tái)7和熱壓頭2同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)，在綁定過程結(jié)束以后，同時(shí)移開加熱載臺(tái)7和熱壓頭2，使得在恢復(fù)室溫后驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6的收縮量相同，從而使驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同的熱脹冷縮量，消除液晶面板的彎曲變形，進(jìn)而減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0048]如圖4所示，一種綁定裝置，用于將驅(qū)動(dòng)芯片3綁定到陣列基板6上，包括機(jī)架、熱壓頭2以及第一氣缸I，機(jī)架朝向熱壓頭2的一面形成陣列基板承載面，第一氣缸I安裝在機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)熱壓頭2沿垂直于陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，還包括加熱載臺(tái)7、驅(qū)動(dòng)器8以及控制器5，其中:
[0049]加熱載臺(tái)7與驅(qū)動(dòng)器8相連接，加熱載臺(tái)7朝向熱壓頭2的側(cè)面與陣列基板承載面平行；
[0050]驅(qū)動(dòng)器8安裝在機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)7沿垂直于陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)；
[0051 ]控制器5安裝在機(jī)架上，用于控制第一氣缸I以及驅(qū)動(dòng)器8的動(dòng)作，控制加熱載臺(tái)7與陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，且加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度。
[0052]在上述綁定裝置中，在綁定開始之前，將通過結(jié)合劑4貼附有驅(qū)動(dòng)芯片3的陣列基板6移動(dòng)至機(jī)架的陣列基板承載面上，此時(shí)，位于陣列基板6上的結(jié)合劑4的溫度未達(dá)到固化溫度，在綁定過程中，控制器5控制第一氣缸I以及所述驅(qū)動(dòng)器8動(dòng)作，第一氣缸I驅(qū)動(dòng)熱壓頭
2、驅(qū)動(dòng)器8驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)7沿垂直于陣列基板承載面的方向相向運(yùn)動(dòng)，熱壓頭2向下運(yùn)動(dòng)至熱壓頭2與驅(qū)動(dòng)芯片3相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓，開始驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6之間的綁定，加熱載臺(tái)7向上運(yùn)動(dòng)至與陣列基板6相接觸，在陣列基板6與加熱載臺(tái)7的配合作用下驅(qū)動(dòng)芯片3綁定在陣列基板6上，而由于加熱載臺(tái)7與陣列基板6的接觸不晚于熱壓頭2和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的接觸，避免了在綁定開始時(shí)加熱載臺(tái)7未與陣列基板6相接觸進(jìn)而在熱壓頭2對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片3施壓時(shí)損傷陣列基板6，又由于在綁定開始之前，加熱載臺(tái)7未一直與陣列基板6相接觸，避免了結(jié)合劑4提前固化，而加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸時(shí)加熱載臺(tái)7的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板6的溫度保證了驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同的熱脹冷縮量，接著在完成綁定后，驅(qū)動(dòng)器8驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)7、第一氣缸I驅(qū)動(dòng)熱壓頭2沿垂直于陣列基板承載面的方向反向運(yùn)動(dòng)，綁定結(jié)束恢復(fù)室溫后，驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6的收縮量一致，減小液晶面板的彎曲變形，進(jìn)而減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提高產(chǎn)品良率。
[0053]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器8包括第二氣缸和行程開關(guān)，第二氣缸I與加熱載臺(tái)7相連接，用于驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)7沿垂直于陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，行程開關(guān)設(shè)置在陣列基板承載面上，用于控制第二氣缸的動(dòng)作量。
[0054]控制器5控制第二氣缸動(dòng)作，第二氣缸驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)7沿垂直于陣列基板承載面的方向向著陣列基板6運(yùn)動(dòng)，當(dāng)加熱載臺(tái)7運(yùn)動(dòng)至陣列基板承載面的位置行程開關(guān)動(dòng)作并控制第二氣缸停止動(dòng)作，此時(shí)，加熱載臺(tái)7與陣列基板6相接觸且加熱載臺(tái)7的動(dòng)作停止，實(shí)現(xiàn)加熱載臺(tái)7的精確定位。
[0055]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器8為驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)速度可控且位置精度非常準(zhǔn)確，可以用于實(shí)現(xiàn)加熱載臺(tái)7的精確定位。
[0056]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，控制器5具體用于在綁定結(jié)束時(shí)控制驅(qū)動(dòng)器8驅(qū)動(dòng)加熱載臺(tái)
7、第一氣缸I驅(qū)動(dòng)熱壓頭2沿垂直于陣列基板承載面的方向同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)，使得在恢復(fù)室溫后驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6的收縮量相同，從而使驅(qū)動(dòng)芯片3和陣列基板6具有相同的熱脹冷縮量，消除液晶面板的彎曲變形，進(jìn)而減少COG Mura現(xiàn)象的發(fā)生，提尚廣品良率。
[0057]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種綁定方法，其特征在于，包括: 控制位于通過結(jié)合劑貼附于陣列基板的驅(qū)動(dòng)芯片上方的熱壓頭向下運(yùn)動(dòng)，直至與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸并對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片施壓； 控制設(shè)置于所述陣列基板下方的加熱載臺(tái)向上運(yùn)動(dòng)，直至與陣列基板相接觸;所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，且加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)加熱載臺(tái)的溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的綁定方法，其特征在于，所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，具體包括:在加熱載臺(tái)運(yùn)動(dòng)至與陣列基板相接觸時(shí)，熱壓頭同時(shí)運(yùn)動(dòng)至與驅(qū)動(dòng)芯片相接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的綁定方法，其特征在于，所述加熱載臺(tái)與陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，具體包括:加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸早于熱壓頭與驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的綁定方法，其特征在于，還包括:預(yù)先加熱所述加熱載臺(tái)至預(yù)設(shè)溫度，所述預(yù)設(shè)溫度為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的綁定方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度根據(jù)下述公式確認(rèn)為驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)陣列基板的溫度:CTEi (T1-To)Li = CTE2 (T2-To) L2 其中，CTE1、CTE2分別為驅(qū)動(dòng)芯片、陣列基板的熱膨脹系數(shù)； T^To為熱壓頭、室溫的溫度； T2為預(yù)設(shè)溫度； L1丄2分別為驅(qū)動(dòng)芯片、陣列基板的綁定長(zhǎng)度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的綁定方法，其特征在于，還包括控制加熱載臺(tái)和熱壓頭同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)。7.—種綁定裝置，用于將驅(qū)動(dòng)芯片綁定到陣列基板上，包括機(jī)架、熱壓頭以及第一氣缸，所述機(jī)架朝向所述熱壓頭的一面形成陣列基板承載面，所述第一氣缸安裝在所述機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)所述熱壓頭沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，其特征在于，還包括加熱載臺(tái)、驅(qū)動(dòng)器以及控制器，其中: 所述加熱載臺(tái)與所述驅(qū)動(dòng)器相連接，所述加熱載臺(tái)朝向所述熱壓頭的側(cè)面與所述陣列基板承載面平行； 所述驅(qū)動(dòng)器安裝在所述機(jī)架上，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)； 所述控制器安裝在所述機(jī)架上，用于控制所述第一氣缸以及所述驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)作，控制所述加熱載臺(tái)與所述陣列基板的接觸不晚于所述熱壓頭和驅(qū)動(dòng)芯片之間的接觸，且所述加熱載臺(tái)與陣列基板相接觸時(shí)所述加熱載臺(tái)的溫度為所述驅(qū)動(dòng)芯片和陣列基板具有相同熱膨脹量時(shí)所述陣列基板的溫度。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的綁定裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器包括第二氣缸和行程開關(guān)，所述第二氣缸與所述加熱載臺(tái)相連接，用于驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)沿垂直于所述陣列基板承載面的方向運(yùn)動(dòng)，所述行程開關(guān)設(shè)置在所述陣列基板承載面上，用于控制所述第二氣缸的動(dòng)作量。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的綁定裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器為驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的綁定裝置，其特征在于，所述控制器具體用于在綁定結(jié)束時(shí)控制所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述加熱載臺(tái)、所述第一氣缸驅(qū)動(dòng)所述熱壓頭沿垂直于所述陣列基板承載面的方向同時(shí)反向運(yùn)動(dòng)。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK106019657SQ201610603311
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月27日
【發(fā)明人】蔡立文, 金致榮, 郭寶, 唐先珍, 陸曉明, 張碧瑩
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司