一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示設(shè)備，屬于顯示設(shè)備領(lǐng)域。該陣列基板包括：陣列基板襯底和在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成的開關(guān)器件，還包括：形成在陣列基板襯底的入光側(cè)上的光學(xué)膜層，該光學(xué)膜層用于改變光的特性。本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，取消了與該光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
【專利說(shuō)明】
一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示設(shè)備是一種平面顯示設(shè)備，其包括背光源和液晶顯示面板，背光源包括光源、導(dǎo)光板和光學(xué)膜片，光學(xué)膜片均包括光學(xué)膜片襯底和光學(xué)膜層，其中，光學(xué)膜層形成在光學(xué)膜片襯底上。在使用直下式背光源的液晶顯示設(shè)備中，導(dǎo)光板位于光源和液晶顯示面板之間，在使用側(cè)入式背光源的液晶顯示設(shè)備中，光源形成在導(dǎo)光板入光側(cè)的側(cè)壁上，光學(xué)膜片貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)，光學(xué)膜片用于改變光的特性，如提高光的亮度和均勻度，光源發(fā)出的光經(jīng)導(dǎo)光板和光學(xué)膜片后投射到液晶顯示面板上。
[0003]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0004]光學(xué)膜片包括光學(xué)膜片襯底和光學(xué)膜層，其厚度較大，使得顯示設(shè)備的厚度較大，不能滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光學(xué)膜片的厚度較大，使得顯示設(shè)備的厚度較大，不能滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示設(shè)備。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板，包括陣列基板襯底和在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上形成的開關(guān)器件，還包括:形成在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上的光學(xué)膜層，所述光學(xué)膜層用于改變光的特性。
[0007]進(jìn)一步地，所述陣列基板包括N層光學(xué)膜層和N-1層光學(xué)膜片襯底，N為大于或等于I的整數(shù)；
[0008]所述N層光學(xué)膜層疊加設(shè)置，且第一層光學(xué)膜層形成在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上，剩下的N-1層光學(xué)膜層中的每層光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)一層光學(xué)膜片襯底；
[0009]第i層光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底形成在所述第i層光學(xué)膜層與第1-Ι層光學(xué)膜層乙間，i = 2、3......N。
[0010]具體地，所述N層光學(xué)膜層包括至少一層擴(kuò)散層。
[0011]具體地，所述N層光學(xué)膜層還包括至少一層增光層。
[0012]具體地，所述第一層光學(xué)膜層為擴(kuò)散層或增光層，第N層光學(xué)膜層為擴(kuò)散層。
[0013]進(jìn)一步地，所述N層光學(xué)膜層中的每層光學(xué)膜層均包括至少兩個(gè)光能單元，第一層光學(xué)膜層包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上；
[0014]第i層光學(xué)模層包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在與其對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上，i = 2、3……No
[0015]具體地，所述至少一層增光層中的每層增光層包括的光能單元均為三棱柱或四棱柱；
[0016]所述三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，所述等腰三角形的底邊位于所述陣列基板襯底或與所述每層增光層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底上；
[0017]所述四棱柱的縱截面形狀為等腰梯形，所述等腰梯形的長(zhǎng)底邊位于所述陣列基板襯底或與所述每層增光層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底上。
[0018]具體地，所述至少一層擴(kuò)散層中的每層擴(kuò)散層包括的光能單元均為球狀或墩狀。
[0019]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括形成在所述陣列基板和所述開關(guān)器件之間的偏光層；
[0020]所述偏光層包括至少兩個(gè)偏光單元，所述至少兩個(gè)偏光單元均勻分布在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上，且所述至少兩個(gè)偏光單元形成線柵結(jié)構(gòu)；
[0021]所述開關(guān)器件形成在所述偏光層的出光側(cè)上。
[0022]第二方面，提供了一種陣列基板的制備方法，包括在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成開關(guān)器件，所述方法還包括如下步驟:
[0023]在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，所述光學(xué)膜層用于改變光的特性。
[0024]具體地，所述在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，包括:
[0025]通過(guò)光刻或納米壓印工藝在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成第一層光學(xué)膜層；
[0026]在第一層光學(xué)膜層的入光側(cè)進(jìn)行第一層光學(xué)膜片襯底沉積；
[0027]通過(guò)光刻或納米壓印工藝在所述第一層光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上形成第二層光學(xué)膜層。
[0028]具體地，所述在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成開關(guān)器件，包括:
[0029]在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上形成偏光層；
[0030]在所述偏光層的出光側(cè)上形成所述開關(guān)器件。
[0031]第三方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括所述陣列基板。
[0032]第四方面，提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括所述顯示面板和背光源，所述背光源包括光源和導(dǎo)光板。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0034]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，取消了與該光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
【附圖說(shuō)明】
[0035]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0036]圖1至圖5是本發(fā)明一實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖6至圖7是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的光學(xué)膜片襯底與增光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的光學(xué)膜片襯底與擴(kuò)散層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖9是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖10至圖11是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的流程框圖；
[0041]圖12是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的通過(guò)光刻或納米壓印工藝在陣列基板襯底上形成擴(kuò)散層的流程框圖；
[0042]圖13是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的通過(guò)光刻或納米壓印工藝在第一層光學(xué)膜片襯底上形成擴(kuò)散層的流程框圖；
[0043]圖14是本發(fā)明又一實(shí)施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]其中:
[0045]I陣列基板襯底，
[0046]2開關(guān)器件，
[0047]3光學(xué)膜層，31增光層，32擴(kuò)散層，
[0048]4光學(xué)膜片襯底，
[0049]5偏光層，
[0050]6彩膜基板，
[0051]7液晶層，
[0052]A入光側(cè)，
[0053]B出光側(cè)，
[0054]H增光層包括的光能單元的縱截面形狀的底邊的高，
[0055]K增光層包括的光能單元的線寬周期步幅，
[0056]α增光層包括的光能單元的縱截面形狀的頂角，
[0057]LI擴(kuò)散層包括的光能單元的上端橫截面直徑，
[0058]L2擴(kuò)散層包括的光能單元的下端橫截面直徑，
[0059]L3擴(kuò)散層包括的光能單元的高。
【具體實(shí)施方式】
[0060]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0061]本文中所述某一部件的入光側(cè)，除導(dǎo)光板的入光側(cè)是指其設(shè)置光源的一側(cè)外，其余部件的入光側(cè)均是指該部件朝向背光源的一側(cè)，出光側(cè)均是指該部件背離背光源的一側(cè)，如圖1所示，A為入光側(cè)，B為出光側(cè)。
[0062]實(shí)施例一
[0063]如圖1所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括陣列基板襯底I和在陣列基板襯底I的出光側(cè)上形成的開關(guān)器件2，還包括:形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上的光學(xué)膜層3，該光學(xué)膜層3用于改變光的特性。
[0064]在本發(fā)明實(shí)施例中，在陣列基板襯底I的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層3，通過(guò)光學(xué)膜層3實(shí)現(xiàn)光學(xué)膜片的改變光的特性的功能，使用本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板時(shí)，取消貼合在導(dǎo)光板上的光學(xué)膜片，省去一層與該光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4。
[0065]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底I的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層3，取消了與該光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0066]本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，顯示設(shè)備中一般包括多塊光學(xué)膜片，在本發(fā)明實(shí)施例中，多塊光學(xué)膜片中可以只將其中一塊光學(xué)膜片的光學(xué)膜層3形成在陣列基板襯底I上，其他的光學(xué)膜片依然貼合在導(dǎo)光板上，也可將其中一塊光學(xué)膜片的光學(xué)膜層3形成在陣列基板襯底I上后，將其他的光學(xué)膜片依次形成在該光學(xué)膜層3的入光側(cè)上。此時(shí)，如圖1所示，陣列基板包括N層光學(xué)膜層3和N-1層光學(xué)膜片襯底4，N為大于或等于I的整數(shù)；
[0067]N層光學(xué)膜層3疊加設(shè)置，且第一層光學(xué)膜層3形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，剩下的N-1層光學(xué)膜層3中的每層光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)一層光學(xué)膜片襯底4;
[0068]第i層光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4形成在第i層光學(xué)膜層3與第1-Ι層光學(xué)膜層3之間，i = 2、3……No
[0069]本發(fā)明通過(guò)第一層光學(xué)膜層3形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，剩下的光學(xué)膜層3中的每層光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)一層光學(xué)膜片襯底4，每層光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)形成在與之對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4上，避免將第一層光學(xué)膜層3設(shè)置在光學(xué)膜片襯底4上，省去一層光學(xué)膜片襯底4，減小光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)上的光學(xué)膜片，減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0070]如圖1所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，N層光學(xué)膜層3可包括至少一層擴(kuò)散層32，還可包括至少一層增光層31，通過(guò)擴(kuò)散層32提高光線的均勻度，通過(guò)增光層31提高光的亮度。
[0071]在本發(fā)明實(shí)施例中，N的大小與顯示設(shè)備的顯示屏尺寸有關(guān)，當(dāng)顯示設(shè)備的顯示屏尺寸較大時(shí)，N較大，當(dāng)顯示設(shè)備的顯示屏尺寸較小時(shí)，N較小。優(yōu)選地，N為大于或等于2且小于或等于4的整數(shù)，N層光學(xué)膜層3中即包括擴(kuò)散層32，也包括增光層31。在設(shè)置N層光學(xué)膜層3時(shí)，優(yōu)選地，第N層光學(xué)膜層3為擴(kuò)散層32，相鄰兩層擴(kuò)散層32之間至少設(shè)有一層增光層31，通過(guò)第N層為擴(kuò)散層32，先對(duì)光線進(jìn)行擴(kuò)散后再提高其亮度，效果較好，且相鄰的兩層擴(kuò)散層32之間至少設(shè)有一層增光層31，保證相鄰兩層擴(kuò)散層32對(duì)光線的擴(kuò)散效果均較好。
[0072]如圖1所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)N等于4，N層光學(xué)膜層3包括兩層擴(kuò)散層32和兩層增光層31時(shí)，N層光學(xué)膜層3可以按如下方式設(shè)置:
[0073]四層光學(xué)膜層3中，第一層為增光層31，該增光層31形成在陣列基板襯底I上，第二層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在第一層光學(xué)膜片襯底4上，且該第一層光學(xué)膜片襯底4位于第一層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上，第三層為增光層31，該增光層31形成在第二層光學(xué)膜片襯底4上，且該第二層光學(xué)膜片襯底4形成在第二層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上，第四層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在第三層光學(xué)膜片襯底4上，且該第三層光學(xué)膜片襯底4形成在第三層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上。
[0074]如圖2所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)N等于4，N層光學(xué)膜層3包括兩層擴(kuò)散層32和兩層增光層31時(shí)，N層光學(xué)膜層3也可以按如下方式設(shè)置:
[0075]四層光學(xué)膜層3中，第一層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，第二層和第三層均為增光層31，第二層和第三層疊加設(shè)置在第一層光學(xué)膜層3的入光偵U，且第二層光學(xué)膜層3和第三層光學(xué)膜層3分別設(shè)置在與之對(duì)應(yīng)的第一層光學(xué)膜片襯底4和第二層光學(xué)膜片襯底4上，第四層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在第三層光學(xué)膜片襯底4上，且第三層光學(xué)膜片襯底4位于第三層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上。
[0076]如圖3所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)N等于3，N層光學(xué)膜層3包括兩層擴(kuò)散層32和一層增光層31時(shí)，N層光學(xué)膜層3可按如下方式設(shè)置:
[0077]三層光學(xué)膜層3中，第一層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，第二層為增光層31，其設(shè)置在第一層光學(xué)膜片襯底4上，且第一層光學(xué)膜片襯底4形成在第一層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上，第三層為擴(kuò)散層32，其設(shè)置在第二層光學(xué)膜片襯底4上，且第二層光學(xué)膜片襯底4位于第二層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上。
[0078]如圖4所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)N等于3，N層光學(xué)膜層3包括兩層增光層31和一層擴(kuò)散層32時(shí)，N層光學(xué)膜層3可按如下方式設(shè)置:
[0079]三層光學(xué)膜層3中，第一層和第二層均為增光層31，第一層光學(xué)膜層3形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，第二層光學(xué)膜層3形成在第一層光學(xué)膜片襯底4上，第三層為擴(kuò)散層32，其形成在第二層光學(xué)膜片襯底4上，且第二層光學(xué)膜片襯底4位于第二層光學(xué)膜層3的入光側(cè)上。
[0080]如圖5所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)N等于2，N層光學(xué)膜層3包括一層擴(kuò)散層32和一層增光層31時(shí)，N層光學(xué)膜層3可按如下方式設(shè)置:
[0081]兩層光學(xué)膜層3中，第一層為增光層31，該增光層31形成在陣列基板襯底I的入光側(cè)上，第二層為擴(kuò)散層32，該擴(kuò)散層32形成在第一層光學(xué)膜片襯底4的入光側(cè)上，且該第一層光學(xué)膜片襯底4位于增光層31的入光側(cè)上。
[0082]如圖1所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，N層光學(xué)膜層3中的每層光學(xué)膜層3均包括至少兩個(gè)光能單元，第一層光學(xué)膜層3包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在陣列基板襯底I的入光側(cè)上;
[0083]第i層光學(xué)模層包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在與其對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4的入光側(cè)上，i = 2、3……No
[0084]通過(guò)每層光學(xué)膜層3包括的光能單元實(shí)現(xiàn)其改變光的特性的功能，提高顯示面板與背光源之間的光線的均勻度和亮度。
[0085]如圖6所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，至少一層增光層31中的每層增光層31包括的光能單元均為三棱柱(參見圖7)或四棱柱(圖中未示出)；
[0086]三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，等腰三角形的底邊位于陣列基板襯底I或與每層增光層31對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4的入光側(cè)上；
[0087]四棱柱的縱截面形狀為等腰梯形，等腰梯形的長(zhǎng)底邊位于陣列基板襯底I或與每層增光層31對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4的入光側(cè)上。
[0088]在本發(fā)明實(shí)施例中，增光層31為全反射型的增光結(jié)構(gòu)，通過(guò)形狀為三棱柱或四棱柱的光能單元對(duì)來(lái)自于顯示設(shè)備的背光源的光線進(jìn)行全反射或近似全反射，使光線沿陣列基板的法線方向射出，減小光線的反射損失和吸收損失，提高光線的亮度。
[0089]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，每層增光層31包括的光能單元均為三棱柱，該三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，該等腰三角形的頂角α的大小在60度到70度之間，優(yōu)選地，等腰三角形的頂角α的大小為68度，底邊的高度H在50?188微米之間，線寬周期步幅K為18?48微米，增光層31由丙烯酸塑料制成。其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，為了配合不同的導(dǎo)光板，每層增光層31包括的光能單元的尺寸也可不同。
[0090]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，增光層31也可為折射型的增光結(jié)構(gòu)，此時(shí)，N層光學(xué)膜層3包括兩層增光層31，每層增光層31形成在光學(xué)膜片襯底4的出光側(cè)上，且每層增光層31包括的光能單元均為縱截面形狀為等腰三角形的三棱柱或縱截面形狀為等腰梯形的四棱柱，兩層增光層31的光能單元的設(shè)置方向垂直。
[0091]如圖8所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，至少一層擴(kuò)散層32中的每層擴(kuò)散層32包括的光能單元均為球狀(參見圖1)或墩狀。
[0092]其中，當(dāng)擴(kuò)散層32為形成在陣列基板襯底I上的第一層光學(xué)膜層3時(shí)，擴(kuò)散層32包括的光能單元均為墩狀，其中，該墩狀的光能單元上端的橫截面直徑LI為5?12微米，下端的橫截面直徑L2為50微米，高度L3為100?200微米。其中，上端是指擴(kuò)散層32包括的光能單元的出光側(cè)，下端是指擴(kuò)散層32包括的光能單元的入光側(cè)。當(dāng)擴(kuò)散層32為形成在光學(xué)膜片襯底4上的光學(xué)膜層3時(shí)，擴(kuò)散層32包括的光能單元均為球狀，擴(kuò)散層32由丙烯酸酯或環(huán)氧樹脂等黏度較大的圖形化樹脂材料制成，通過(guò)光刻或納米壓印工藝形成在陣列基板襯底I或光學(xué)膜片襯底4的入光側(cè)上。
[0093]如圖9所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，陣列基板還包括形成在陣列基板和開關(guān)器件2之間的偏光層5;
[0094]偏光層5包括至少兩個(gè)偏光單元，至少兩個(gè)偏光單元均勻分布在陣列基板襯底I的出光側(cè)上，且至少兩個(gè)偏光單元形成線柵結(jié)構(gòu)；
[0095]開關(guān)器件2形成在偏光層5的出光側(cè)上。
[0096]其中，偏光層5用于使擴(kuò)散光變成偏振光，在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，開關(guān)器件2為薄膜晶體管，通過(guò)偏光層5形成在陣列基板襯底I的出光側(cè)上，薄膜晶體管可直接形成在偏光片上，取消偏光片襯底，減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0097]實(shí)施例二
[0098]如圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，用于制備實(shí)施例一中所述的陣列基板，該方法包括:
[0099]在步驟101中，在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成開關(guān)器件。
[0100]在本發(fā)明實(shí)施例中，形成在陣列基板襯底的出光側(cè)上的開關(guān)器件用于在陣列基板與彩膜基板對(duì)盒后控制位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子。
[0101]在步驟102中，在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，該光學(xué)膜層用于改變光的特性。
[0102]其中，光學(xué)膜層可以通過(guò)刻蝕和納米壓印工藝形成在陣列基板襯底的入光側(cè)上，且當(dāng)通過(guò)納米壓印工藝在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層時(shí)，使用微米級(jí)納米壓印模板。
[0103]當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，步驟101和步驟201的先后順序可以調(diào)換。
[0104]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，取消了與該光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0105]實(shí)施例三
[0106]如圖11所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，用于制備實(shí)施例一中所述的陣列基板，在本發(fā)明實(shí)施例中，以用于制備光學(xué)膜層包括一層擴(kuò)散層和一層增光層的陣列基板為例進(jìn)行說(shuō)明，光學(xué)膜層包括多層擴(kuò)散層和/或增光層的情況可依此類推，該方法包括如下步驟:
[0107]在步驟201中，在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成偏光層。
[0108]在本發(fā)明實(shí)施例中，偏光層用于使擴(kuò)散光變成偏振光，其包括至少兩個(gè)偏光單元，至少兩個(gè)偏光單元均勻分布在陣列基板襯底的出光側(cè)上，且至少兩個(gè)偏光單元形成線柵結(jié)構(gòu)。
[0109]在步驟202中，在偏光層的出光側(cè)上形成開關(guān)器件。
[0110]在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，開關(guān)器件為薄膜晶體管，由于偏光層形成在陣列基板襯底的出光側(cè)，薄膜晶體管可直接形成在偏光片上，故可取消偏光片襯底，減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0111]在步驟203中，通過(guò)光刻或納米壓印工藝在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成一層增光層，增光層用于對(duì)光線進(jìn)行全反射或近似全反射以減小光線的反射損失和吸收損失，增強(qiáng)光的亮度。
[0112]如圖12所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，步驟203，通過(guò)光刻或納米壓印工藝在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成一層增光層包括如下步驟:
[0113]在步驟301中，在陣列基板襯底的入光側(cè)上進(jìn)行增光層沉積。
[0114]其中，沉積的增光層的高度在50?188微米之間，用于沉積增光層的材料包括丙烯酸塑料。
[0115]在步驟302中，對(duì)沉積出的增光層進(jìn)行刻蝕或壓印，形成增光層的光能單元。
[0116]在本發(fā)明實(shí)施例中，增光層包括至少兩個(gè)光能單元，通過(guò)對(duì)沉積出的增光層進(jìn)行刻蝕或納米壓印形成，其中，增光層包括的光能單元均為三棱柱或四棱柱，其中，三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，等腰三角形的底邊位于陣列基板襯底或?qū)?yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上；四棱柱的縱截面形狀為等腰梯形，等腰梯形的長(zhǎng)底邊位于陣列基板襯底或?qū)?yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上。
[0117]其中，優(yōu)選地，增光層包括的光能單元均為三棱柱，該三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，該等腰三角形的頂角的大小在60度到70度之間，優(yōu)選地，等腰三角形的頂角的大小為68度，底邊的高度在50?188微米之間，線寬周期步幅為18?48微米。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，為了配合不同的導(dǎo)光板，每層增光層包括的光能單元的尺寸也可不同。
[0118]在步驟204中，在該增光層的入光側(cè)進(jìn)行第一層光學(xué)膜片襯底沉積，第一層光學(xué)膜片襯底用于承載第二層光學(xué)膜層。
[0119]在步驟205中，通過(guò)光刻或納米壓印工藝在第一層光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上形成擴(kuò)散層，擴(kuò)散層用于對(duì)光線進(jìn)行擴(kuò)散，以增強(qiáng)光線的均勻度。
[0120]如圖13所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，步驟205，通過(guò)光刻或納米壓印工藝在第一層光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上形成擴(kuò)散層，包括如下步驟:
[0121]在步驟401中，在第一層光學(xué)膜片襯底上進(jìn)行擴(kuò)散層沉積。
[0122]其中，用于沉積擴(kuò)散層的材料包括丙烯酸酯或環(huán)氧樹脂等粘度較大的圖形化材料。
[0123]在步驟402中，對(duì)沉積出的擴(kuò)散層進(jìn)行刻蝕或壓印，形成擴(kuò)散層的光能單元。
[0124]其中，擴(kuò)散層包括的光能單元均為球狀，通過(guò)光刻或納米壓印工藝對(duì)沉積出的擴(kuò)散層進(jìn)行刻蝕或壓印而形成。
[0125]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，取消了與該光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0126]實(shí)施例四
[0127]如圖14所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，該顯示面板包括實(shí)施例一中所述的陣列基板或通過(guò)實(shí)施例二或?qū)嵤├峁┑年嚵谢宓闹苽浞椒ㄖ苽涞年嚵谢濉?br>[0128]其中，顯示面板包括陣列基板、彩膜基板6和液晶層7，液晶層7設(shè)置在陣列基板和彩膜基板6之間，且陣列基板位于液晶層7的入光側(cè)，彩膜基板6位于液晶層7的出光側(cè)，通過(guò)陣列基板上的開關(guān)器件2控制液晶層7中的液晶分子。
[0129]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底I的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層3，取消了與該光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0130]實(shí)施例五
[0131]參見圖14，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括實(shí)施例四中所述的顯示面板和背光源，背光源包括光源和導(dǎo)光板。
[0132]其中，在使用直下式背光源的液晶顯示設(shè)備中，導(dǎo)光板位于光源和液晶顯示面板之間，在使用側(cè)入式背光源的液晶顯示設(shè)備中，光源形成在導(dǎo)光板入光側(cè)的側(cè)壁上，取消光學(xué)膜片，而通過(guò)形成在顯示面板的陣列基板的入光側(cè)的光學(xué)膜層3來(lái)改變光的特性。
[0133]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板襯底I的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層3，取消了與該光學(xué)膜層3對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底4，減小了光學(xué)膜片的厚度，使用本發(fā)明提供的陣列基板時(shí)，可取消貼合在導(dǎo)光板的出光側(cè)的光學(xué)膜片，進(jìn)而減小顯示設(shè)備的厚度，滿足當(dāng)前顯示設(shè)備輕薄化的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。
[0134]上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0135]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括陣列基板襯底和在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上形成的開關(guān)器件，其特征在于，還包括:形成在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上的光學(xué)膜層，所述光學(xué)膜層用于改變光的特性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括N層光學(xué)膜層和N-1層光學(xué)膜片襯底，N為大于或等于I的整數(shù)； 所述N層光學(xué)膜層疊加設(shè)置，且第一層光學(xué)膜層形成在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上，剩下的N-1層光學(xué)膜層中的每層光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)一層光學(xué)膜片襯底； 第i層光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底形成在所述第i層光學(xué)膜層與第1-Ι層光學(xué)膜層之間，i = 2、3……No3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述N層光學(xué)膜層包括至少一層擴(kuò)散層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述N層光學(xué)膜層還包括至少一層增光層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述N層光學(xué)膜層中的每層光學(xué)膜層均包括至少兩個(gè)光能單元，第一層光學(xué)膜層包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上； 第i層光學(xué)模層包括的至少兩個(gè)光能單元均勻分布在與其對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上，i = 2、3……No6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一層增光層中的每層增光層包括的光能單元均為三棱柱或四棱柱； 所述三棱柱的縱截面形狀為等腰三角形，所述等腰三角形的底邊位于所述陣列基板襯底或與所述每層增光層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上； 所述四棱柱的縱截面形狀為等腰梯形，所述等腰梯形的長(zhǎng)底邊位于所述陣列基板襯底或與所述每層增光層對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一層擴(kuò)散層中的每層擴(kuò)散層包括的光能單元均為球狀或墩狀。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括形成在所述陣列基板和所述開關(guān)器件之間的偏光層； 所述偏光層包括至少兩個(gè)偏光單元，所述至少兩個(gè)偏光單元均勻分布在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上，且所述至少兩個(gè)偏光單元形成線柵結(jié)構(gòu)； 所述開關(guān)器件形成在所述偏光層的出光側(cè)上。9.一種陣列基板的制備方法，包括在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成開關(guān)器件，其特征在于，所述方法還包括如下步驟: 在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，所述光學(xué)膜層用于改變光的特性。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成光學(xué)膜層，包括: 通過(guò)光刻或納米壓印工藝在所述陣列基板襯底的入光側(cè)上形成第一層光學(xué)膜層； 在第一層光學(xué)膜層的入光側(cè)進(jìn)行第一層光學(xué)膜片襯底沉積； 通過(guò)光刻或納米壓印工藝在所述第一層光學(xué)膜片襯底的入光側(cè)上形成第二層光學(xué)膜 層。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在陣列基板襯底的出光側(cè)上形成開關(guān)器件，包括: 在所述陣列基板襯底的出光側(cè)上形成偏光層； 在所述偏光層的出光側(cè)上形成所述開關(guān)器件。12.—種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的陣列基板。13.—種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備包括權(quán)利要求12所述的顯示面板和背光源，所述背光源包括光源和導(dǎo)光板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK106019740SQ201610363538
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月26日
【發(fā)明人】王燦, 徐曉玲, 周珊珊
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司