一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，與現(xiàn)有技術(shù)相比解決了尚無多波長半導(dǎo)體激光器的缺陷。本發(fā)明包括殼體，所述的殼體內(nèi)安裝有上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列，殼體的側(cè)部設(shè)有一號光纖輸出端口和二號光纖輸出端口，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列分別位于一號光纖輸出端口的兩側(cè)。本發(fā)明將不同波段半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)出的光通過非球面耦合透鏡收進光纖，再對不同波段的光纖進行一定比例的搭配捆綁，達到同一輸出光纖束具有不同波長的目的，同時滿足激光器的高功率。
【專利說明】一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及激光直寫曝光機技術(shù)領(lǐng)域，具體來說是一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器。
[0003]
【背景技術(shù)】
[0004]激光直寫裝備在電路板PCB制造中占有重要位置，不同的曝光干膜或者油墨所對應(yīng)的最佳曝光波長不同，對一種干膜或者油墨曝光時使用合適的多波長能夠增加產(chǎn)能。目前單顆375nm或者405nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管最大只有1.1W，如果需要大于1W的半導(dǎo)體激光器，就需要將多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)出的光通過耦合透鏡耦合進光纖，再將光纖進行捆綁?；谶@方面原理考慮，如何提供375nm和405nm混合波長的高功率紫外半導(dǎo)體激光器已經(jīng)成為急需解決的技術(shù)問題。
[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中尚無多波長半導(dǎo)體激光器的缺陷，提供一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器來解決上述問題。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，包括殼體，所述的殼體內(nèi)安裝有上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列，殼體的側(cè)部設(shè)有一號光纖輸出端口和二號光纖輸出端口，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列分別位于一號光纖輸出端口的兩側(cè)；
上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列包括16個上光纖耦合模塊，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列包括16個下光纖耦合模塊，上光纖耦合模塊的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為405nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，下光纖耦合模塊的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為375nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，16個上光纖耦合模塊和16個下光纖耦合模塊上均接有光纖;8個上光纖耦合模塊所接的光纖與8個下光纖耦合模塊所接的光纖捆綁成一號光纖束，一號光纖束接入一號光纖輸出端口，另8個上光纖耦合模塊所接的光纖與另8個下光纖耦合模塊所接的光纖捆綁成二號光纖束，二號光纖束接入二號光纖輸出端口。
[0008]所述的上光纖耦合模塊包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和耦合透鏡，半導(dǎo)體發(fā)光二極管和耦合透鏡均安裝在中間件上，中間件橫向安裝有連接件，連接件上安裝有光纖陶瓷插頭，光纖陶瓷插頭上連接有光纖，所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管、耦合透鏡和光纖陶瓷插頭三者依次排列且三者的中間點位于同一條直線上。
[0009]還包括安裝在殼體內(nèi)的循環(huán)水冷卻裝置，所述的循環(huán)水冷卻裝置包括進水管、出水管、上導(dǎo)熱銅塊和下導(dǎo)熱銅塊，所述的進水管和出水管均安裝在殼體的同一側(cè)部，進水管通過上直通快速接頭安裝在上導(dǎo)熱銅塊的進水口上，上導(dǎo)熱銅塊的出水口安裝有上直角快速接頭，上直角快速接頭安裝在串聯(lián)冷卻水管的一端，串聯(lián)冷卻水管的另一端安裝有下直角快速接頭，下直角快速接頭安裝在下導(dǎo)熱銅塊的進水口上，下導(dǎo)熱銅塊的出水口通過下直通快速接頭與出水管相接;所述的上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列安裝在上導(dǎo)熱銅塊上，所述的下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列安裝在下導(dǎo)熱銅塊上。
[0010]所述的光纖均為石英光纖，光纖內(nèi)徑均為123um。
[0011]所述的耦合透鏡的兩個表面均為非球面結(jié)構(gòu)，耦合透鏡與半導(dǎo)體發(fā)光二極管相對的一面的數(shù)值孔徑為0.5，耦合透鏡與光纖陶瓷插頭相對的一面的數(shù)值孔徑為0.2。
[0012]所述的上導(dǎo)熱銅塊包括底座和上蓋，底座內(nèi)部橫向設(shè)有通水管，上直通快速接頭安裝在通水管的進水口上，上直角快速接頭安裝在通水管的出水口上;底座上設(shè)有16個下凹口，上蓋底部設(shè)有16個上凹口，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列的16個上光纖耦合模塊分別安裝在16個下凹口上，上蓋安裝在底座上且16個上凹口分別安裝在上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列的16個上光纖耦合模塊上。
[0013]所述的耦合透鏡的兩個表面均鍍有405nm高透膜或者375nm高透膜。
[0014]所述的下凹口位于通水管的上方。
[0015]所述通水管的兩側(cè)均為密封圓錐管螺紋結(jié)構(gòu)。
[0016]所述上光纖耦合模塊的半導(dǎo)體發(fā)光二極管安裝在下凹口上。
[0017]
有益效果
本發(fā)明的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，與現(xiàn)有技術(shù)相比將不同波段半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)出的光通過非球面耦合透鏡收進光纖，再對不同波段的光纖進行一定比例的搭配捆綁，達到同一輸出光纖束具有不同波長的目的，同時滿足激光器的高功率。本發(fā)明中二個光纖束具有相同輸出功率，而且每個輸出光纖束同時具有375nm和405nm波長，二個光纖束輸出能夠滿足激光直寫裝備多光路的需求。
[0018]
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)俯視圖；
圖2為本發(fā)明中上光纖耦合模塊的結(jié)構(gòu)剖面圖；
圖3為本發(fā)明中上導(dǎo)熱銅塊的立體結(jié)構(gòu)圖；
圖4為圖3的縱向剖面圖；
圖5為圖3的結(jié)構(gòu)爆炸圖；
其中，1-半導(dǎo)體發(fā)光二極管、2-耦合透鏡、3-光纖陶瓷插頭、4-光纖、5-下光纖耦合模塊、6-上光纖耦合模塊、7-—號光纖輸出端口、8-二號光纖輸出端口、11-殼體、12-上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列、13-下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列、14-連接件、15-—號光纖束、16-二號光纖束、17-中間件、20-下導(dǎo)熱銅塊、21-進水管、22-出水管、23-上導(dǎo)熱銅塊、24-上直通快速接頭、25-上直角快速接頭、26-串聯(lián)冷卻水管、27-下直角快速接頭、28-下直通快速接頭、31-上蓋、32-底座、33-通水管、34-下凹口、35_上凹口。
[0019]
【具體實施方式】
[0020]為使對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達成的功效有更進一步的了解與認識，用以較佳的實施例及附圖配合詳細的說明，說明如下:
如圖1所示，本發(fā)明所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，包括殼體11，殼體11用于各組件的安裝固定。殼體11內(nèi)安裝有上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12用于產(chǎn)生405nm波長，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13用于產(chǎn)生375nm波長，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13在殼體11的布置可以呈鏡像對應(yīng)，只要方便光纖4的引出和纏繞即可。其中，光纖4可以均為石英光纖，光纖4內(nèi)徑均為123um，光學(xué)利用率在75%—90%之間，對375nm和405nm波段具有高透過率。殼體11的側(cè)部設(shè)有一號光纖輸出端口 7和二號光纖輸出端口 8，一號光纖輸出端口 7和二號光纖輸出端口 8為現(xiàn)有技術(shù)中的光纖輸出端口，其安裝在殼體11的側(cè)部。為了方便上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13上光纖4的引出，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13分別位于一號光纖輸出端口 7 (二號光纖輸出端口 8 )的兩側(cè)，一號光纖輸出端口 7和二號光纖輸出端口 8只要靠近上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375]11]1半導(dǎo)體發(fā)光陣列13即可。
[0021]由于單顆375nm或者405nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管最大只有1.1W，如果需要大于1W的半導(dǎo)體激光器，就需要將多個半導(dǎo)體發(fā)光二極管發(fā)出的光通過耦合透鏡耦合進光纖，再將光纖進行捆綁。因此，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12包括16個上光纖耦合模塊6，同樣，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13包括16個下光纖耦合模塊5。上光纖耦合模塊6與下光纖耦合模塊5兩者結(jié)構(gòu)相同，所不同的是上光纖耦合模塊6的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為405nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，下光纖耦合模塊5的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為375nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，因此上光纖耦合模塊6發(fā)出405nm波長，下光纖親合模塊5發(fā)出375nm波長。16個上光纖親合模塊6和16個下光纖耦合模塊5上均接有光纖4，同理，上光纖耦合模塊6中接出的光纖4為405nm波長，下光纖耦合模塊5接出的光纖4為375nm波長。
[0022]為了實現(xiàn)多波長的設(shè)計要求，8個上光纖耦合模塊6所接的光纖4與8個下光纖耦合模塊5所接的光纖4捆綁成一號光纖束15，貝Ij 一號光纖束15分別由16根光纖4捆綁而成，其中405nm波長和375nm波長各占8根。一號光纖束15接入一號光纖輸出端口 7，則從一號光纖輸出端口 7輸出405nm波長和375nm波長的多波長激光信號。同理，另8個上光纖耦合模塊6所接的光纖4與另8個下光纖耦合模塊5所接的光纖4捆綁成二號光纖束16，二號光纖束16接入二號光纖輸出端口 8，則從二號光纖輸出端口 8也輸出405nm波長和375nm波長的多波長激光信號。
[0023]如圖2所示，上光纖耦合模塊6包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管I和耦合透鏡2，半導(dǎo)體發(fā)光二極管I和耦合透鏡2均安裝在中間件17上，半導(dǎo)體發(fā)光二極管I發(fā)出的光照射在耦合透鏡2上。耦合透鏡2的兩個表面均為非球面結(jié)構(gòu)，耦合透鏡2與半導(dǎo)體發(fā)光二極管I相對的一面的數(shù)值孔徑為0.5，耦合透鏡2與光纖陶瓷插頭3相對的一面的數(shù)值孔徑為0.2。耦合透鏡2設(shè)計采用非球面，能最大程度降低球差的影響，提高光學(xué)耦合利用率。其材質(zhì)可選用熱壓材料。耦合透鏡2的兩個表面均鍍有405nm或者375nm高透膜，耦合透鏡2對405nmLD或者375nm的耦合效率在75%-90%。單不局限在405nm或者375nm。
[0024]中間件17和連接件14均為現(xiàn)有技術(shù)中的安裝固定部件，中間件17橫向安裝有連接件14，其也可以利用現(xiàn)有技術(shù)中的光闌設(shè)計。連接件14上安裝有光纖陶瓷插頭3，光纖陶瓷插頭3用于接收耦合透鏡2耦合后的光信號，光纖陶瓷插頭3上連接有光纖4，光纖4將光信號輸出。半導(dǎo)體發(fā)光二極管1、耦合透鏡2和光纖陶瓷插頭3三者依次排列且三者的中間點位于同一條直線上，半導(dǎo)體發(fā)光二極管I發(fā)出的光束經(jīng)過耦合透鏡2耦合后集中到光纖陶瓷插頭3上，并通過光纖4對外傳輸。
[0025]由于半導(dǎo)體發(fā)光二極管I工作時熱量較大，穩(wěn)定工作溫度在20°030°C之間，溫度波動越大光功率越不穩(wěn)定，溫度過高甚至?xí)龎陌雽?dǎo)體發(fā)光二極管I，因此散熱就是擺在激光器設(shè)計制造中的重要問題。如圖1和圖3所示，在箱體11中可以設(shè)計循環(huán)水冷卻裝置。循環(huán)水冷卻裝置包括進水管21、出水管22、上導(dǎo)熱銅塊23和下導(dǎo)熱銅塊20，上導(dǎo)熱銅塊23和下導(dǎo)熱銅塊20分別用于上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13的散熱，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12安裝在上導(dǎo)熱銅塊23上，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13安裝在下導(dǎo)熱銅塊20上。
[0026]進水管21和出水管22均安裝在殼體11的同一個方向的側(cè)部，進水管21用于冷水的進入，出水管22用于循環(huán)冷水的送出。進水管21通過上直通快速接頭24安裝在上導(dǎo)熱銅塊23的進水口上，上導(dǎo)熱銅塊23的出水口安裝有上直角快速接頭25，在此上直通快速接頭24和上直角快速接頭25的設(shè)計可以方便上導(dǎo)熱銅塊23的拆卸，當(dāng)上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12出現(xiàn)故障時，通過上直通快速接頭24和上直角快速接頭25可以方便地將上導(dǎo)熱銅塊23聯(lián)同上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12—塊取出。同樣，為了方便上直通快速接頭24和上直角快速接頭25在上導(dǎo)熱銅塊23的通水管33上的安裝，通水管33的兩側(cè)均為密封圓錐管螺紋結(jié)構(gòu)，使得密封更好、安裝更方便。
[0027]串聯(lián)冷卻水管26用于循環(huán)冷水過渡使用，上直角快速接頭25安裝在串聯(lián)冷卻水管26的一端，串聯(lián)冷卻水管26的另一端安裝有下直角快速接頭27。同理，下直角快速接頭27安裝在下導(dǎo)熱銅塊20的進水口上，下導(dǎo)熱銅塊20的出水口通過下直通快速接頭28與出水管22相接，這樣從進水管21進入的冷卻水經(jīng)過上直通快速接頭24再進入上導(dǎo)熱銅塊23，對上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12進行降溫，再通過上直角快速接頭25進入串聯(lián)冷卻水管26，經(jīng)過上直角快速接頭25進入下導(dǎo)熱銅塊20，對下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13進行降溫后，通過下直通快速接頭28從出水管22輸出。
[0028]上導(dǎo)熱銅塊23與下導(dǎo)熱銅塊20兩者內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本相同，只是水流方向略有差異。在此針對上導(dǎo)熱銅塊23為例，闡述其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如圖4和圖5所示，上導(dǎo)熱銅塊23包括底座32和上蓋31，底座32用于安裝上光纖耦合模塊6。底座32內(nèi)部橫向設(shè)有通水管33，通水管33橫向貫穿底座32，使得安裝在底座32上的光纖耦合模塊6均能受到良好的散熱。上直通快速接頭24安裝在通水管33的進水口上，S卩上直通快速接頭24安裝在上導(dǎo)熱銅塊23的進水口上，上直角快速接頭25安裝在通水管33的出水口上，即上直角快速接頭25安裝在上導(dǎo)熱銅塊23的出水口上。
[0029]底座32上設(shè)有16個下凹口34，下凹口 34為上光纖耦合模塊6的安裝座。為了得到更好的降溫效果，下凹口 34可以位于通水管33的上方。上蓋31底部設(shè)有16個上凹口 35，上凹口35用于和下凹口 34配合對上光纖耦合模塊6進行固定限位。上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12的16個上光纖耦合模塊6分別安裝在16個下凹口 34上，其可以采用現(xiàn)有技術(shù)中多種安裝方式進行安裝，但為了最優(yōu)的降溫效果，可以將上光纖耦合模塊6的半導(dǎo)體發(fā)光二極管I安裝在下凹口 34上，直接對半導(dǎo)體發(fā)光二極管I進行降溫。上蓋31安裝在底座32上，16個上凹口 35分別安裝在上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12的16個上光纖耦合模塊6上，通過上凹口 35和下凹口 34將上光纖耦合模塊6進行安裝固定。
[0030]在實際使用時，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12產(chǎn)生405nm波長，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13產(chǎn)生375nm波長，并分別從一號光纖輸出端口 7和二號光纖輸出端口 8輸出405nm波長和375nm波長的多波長激光信號。冷卻水從進水管21中進入，對上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列12進行降溫后再對下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列13進行降溫，最后從出水管22中排出。
[0031]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項】
1.一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，包括殼體(11)，其特征在于:所述的殼體(11)內(nèi)安裝有上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(12)和下排375]11]1半導(dǎo)體發(fā)光陣列(13)，殼體(11)的側(cè)部設(shè)有一號光纖輸出端口(7)和二號光纖輸出端口(8)，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(I2)和下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(I3)分別位于一號光纖輸出端口(7)的兩側(cè)； 上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(12)包括16個上光纖耦合模塊(6)，下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(13)包括16個下光纖耦合模塊(5)，上光纖耦合模塊(6)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為405nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，下光纖耦合模塊(5)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管為375nm半導(dǎo)體發(fā)光二極管，16個上光纖耦合模塊(6)和16個下光纖耦合模塊(5)上均接有光纖(4); 8個上光纖耦合模塊(6)所接的光纖(4)與8個下光纖耦合模塊(5)所接的光纖(4)捆綁成一號光纖束(15)，一號光纖束(15)接入一號光纖輸出端口(7)，另8個上光纖耦合模塊(6)所接的光纖(4)與另8個下光纖耦合模塊(5)所接的光纖(4)捆綁成二號光纖束(16)，二號光纖束(16)接入二號光纖輸出端口(8)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的上光纖耦合模塊(6)包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(I)和耦合透鏡(2)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管(I)和耦合透鏡(2)均安裝在中間件(17)上，中間件(17)橫向安裝有連接件(14)，連接件(14)上安裝有光纖陶瓷插頭(3)，光纖陶瓷插頭(3)上連接有光纖(4)，所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(1)、耦合透鏡(2)和光纖陶瓷插頭(3)三者依次排列且三者的中間點位于同一條直線上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:還包括安裝在殼體(11)內(nèi)的循環(huán)水冷卻裝置，所述的循環(huán)水冷卻裝置包括進水管(21)、出水管(22)、上導(dǎo)熱銅塊(23)和下導(dǎo)熱銅塊(20)，所述的進水管(21)和出水管(22)均安裝在殼體(11)的同一側(cè)部，進水管(21)通過上直通快速接頭(24)安裝在上導(dǎo)熱銅塊(23)的進水口上，上導(dǎo)熱銅塊(23)的出水口安裝有上直角快速接頭(25)，上直角快速接頭(25)安裝在串聯(lián)冷卻水管(26)的一端，串聯(lián)冷卻水管(26)的另一端安裝有下直角快速接頭(27)，下直角快速接頭(27)安裝在下導(dǎo)熱銅塊(20)的進水口上，下導(dǎo)熱銅塊(20)的出水口通過下直通快速接頭(28)與出水管(22)相接;所述的上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(12)安裝在上導(dǎo)熱銅塊(23)上，所述的下排375nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(13)安裝在下導(dǎo)熱銅塊(20)上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的光纖(4)均為石英光纖，光纖(4)內(nèi)徑均為123um。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的耦合透鏡(2)的兩個表面均為非球面結(jié)構(gòu)，耦合透鏡(2)與半導(dǎo)體發(fā)光二極管(I)相對的一面的數(shù)值孔徑為0.5，耦合透鏡(2)與光纖陶瓷插頭(3)相對的一面的數(shù)值孔徑為0.2。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的上導(dǎo)熱銅塊(23)包括底座(32)和上蓋(31)，底座(32)內(nèi)部橫向設(shè)有通水管(33)，上直通快速接頭(24)安裝在通水管(33)的進水口上，上直角快速接頭(25)安裝在通水管(33)的出水口上；底座(32)上設(shè)有16個下凹口(34)，上蓋(31)底部設(shè)有16個上凹口(35)，上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(12)的16個上光纖親合模塊(6)分別安裝在16個下凹口(34)上，上蓋(31)安裝在底座(32)上且16個上凹口(35)分別安裝在上排405nm半導(dǎo)體發(fā)光陣列(12)的16個上光纖耦合模塊(6)上。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的耦合透鏡(2)的兩個表面均鍍有405nm高透膜或者375nm高透膜。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述的下凹口(34)位于通水管(33)的上方。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述通水管(33)的兩側(cè)均為密封圓錐管螺紋結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于激光直寫曝光機的多波長紫外半導(dǎo)體激光器，其特征在于:所述上光纖耦合模塊(6)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(I)安裝在下凹口(34)上。
【文檔編號】G03F7/20GK106019856SQ201610586043
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月22日
【發(fā)明人】張寬
【申請人】合肥芯碁微電子裝備有限公司