陣列基板與其配向方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板與其配向方法，該陣列基板包含基板、像素電路、走線、配向膜以及平坦層?；灏@示區(qū)以及周邊區(qū)。像素電路設(shè)置于顯示區(qū)。走線設(shè)置于周邊區(qū)，并與像素電路連接。配向膜設(shè)置于顯示區(qū)與周邊區(qū)。平坦層設(shè)置于周邊區(qū)，借此平坦化周邊區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的陣列基板，通過設(shè)置平坦層，在陣列基板進(jìn)行配向步驟時(shí)，配向工藝不會被走線的間距所影響。
【專利說明】
陣列基板與其配向方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技進(jìn)步，液晶顯示器的使用也越來越普及。在液晶液晶顯示器的工作原理中，由于液晶具有旋光性，因此通過對液晶層施加電場，即可控制穿過液晶層的光線的極化方向。此外，液晶的排列方向需由配向膜限定，也即配向膜提供位于邊界的液晶初始排列方向。因此，液晶顯示器的顯示品質(zhì)與其配向膜具有一定的關(guān)系。
[0003]在配向膜的工藝中，通常先形成聚酰亞胺(polyimide，PI)。接著，再利用配向布毛的尖端與聚酰亞胺進(jìn)行配向，使得聚酰亞胺沿配向方向產(chǎn)生延伸排列的凹槽，其中凹槽提供位于邊界的液晶預(yù)傾角。進(jìn)一步而言，配向工藝的品質(zhì)與液晶顯示器的顯示品質(zhì)也有一定關(guān)聯(lián)性。因此，如何能有效提升配向工藝的品質(zhì)，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，也成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域研究的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種陣列基板與其配向方法，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷。
[0005]在配向工藝中，為適應(yīng)液晶顯示器所設(shè)計(jì)的視角方向，配向布毛進(jìn)入配向膜的角度可能為45度、90度或135度。因此，當(dāng)配向布毛與位于周邊區(qū)的配向膜接觸后，配向布毛將會受到位于周邊區(qū)的走線影響，使得配向布毛尖端發(fā)生分叉或改變方向，并造成配向不均進(jìn)而影響顯示品質(zhì)的問題。
[0006]鑒于此，本發(fā)明下列實(shí)施方式的陣列基板設(shè)置有平坦層，其中平坦層設(shè)置于走線上，使得走線之間的間隙被平坦層填平。因此，當(dāng)通過配向布毛進(jìn)行配向時(shí)，配向布毛將不會受到位于周邊區(qū)的走線影響，進(jìn)而改善配向不均的問題。因此，陣列基板的配向工藝品質(zhì)以及良率能受到提升，并也連帶提升后續(xù)完成的液晶顯不器的顯不品質(zhì)。
[0007]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一個(gè)方面在于提供一種陣列基板，包含基板、像素電路、走線、配向膜以及平坦層?；灏@示區(qū)以及周邊區(qū)。像素電路設(shè)置于顯示區(qū)。走線設(shè)置于周邊區(qū)，并與像素電路連接。配向膜設(shè)置于顯示區(qū)以及周邊區(qū)。平坦層設(shè)置于周邊區(qū)，借此平坦化周邊區(qū)。
[0008]在部分實(shí)施方式中，平坦層位于配向膜與基板之間。
[0009]在部分實(shí)施方式中，配向膜位于平坦層與基板之間。
[0010]在部分實(shí)施方式中，平坦層厚度介于0.5微米至5微米之間。
[0011]在部分實(shí)施方式中，配向膜厚度介于80納米至135納米之間。
[0012]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一個(gè)方面在于提供一種陣列基板的配向方法，包含下列步驟。在基板的顯示區(qū)以及周邊區(qū)上分別形成互相連接的像素電路以及走線。在顯示區(qū)以及周邊區(qū)上形成配向膜。在周邊區(qū)的配向膜上形成平坦層，借此平坦化周邊區(qū)。通過配向布毛進(jìn)行配向膜的配向。
[0013]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一個(gè)方面在于提供一種陣列基板的配向方法，包含下列步驟。在基板的顯示區(qū)以及周邊區(qū)上分別形成互相連接的像素電路以及走線。在周邊區(qū)上形成平坦層，借此平坦化周邊區(qū)。在顯示區(qū)以及周邊區(qū)上形成配向膜。通過配向布毛進(jìn)行配向膜的配向。
[0014]在部分實(shí)施方式中，平坦層厚度介于0.5微米至5微米之間，配向膜厚度介于80納米至135納米之間。
[0015]在部分實(shí)施方式中，通過配向布毛進(jìn)行配向膜的配向的步驟還包含以下步驟。配向布毛從周邊區(qū)進(jìn)入顯示區(qū)。
[0016]綜上所述，本發(fā)明的陣列基板設(shè)置有平坦層，其中平坦層位于周邊區(qū)上。具體而言，平坦層設(shè)置于配向布毛進(jìn)入顯示區(qū)的路徑上。因此，當(dāng)通過配向布毛進(jìn)行配向膜的配向時(shí)，配向布毛不會受到位于周邊區(qū)的走線影響。更進(jìn)一步來說，配向布毛不會因走線間的間隙而使得其尖端產(chǎn)生分叉或改變方向，并進(jìn)而改善配向不均的問題。也因此，借由設(shè)置平坦層，陣列基板的配向工藝品質(zhì)以及良率能受到提升。
【附圖說明】
[0017]圖1A為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板的俯視示意圖。
[0018]圖1B為沿圖1A的線段BB’的剖面示意圖。
[0019]圖1C為圖1A的陣列基板的側(cè)視示意圖。
[0020]圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板進(jìn)行配向的俯視示意圖。
[0021]圖3A為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板的剖面示意圖。
[0022]圖3B為圖3A的陣列基板的側(cè)視示意圖。
[0023]圖4為圖1A?IC的陣列基板的配向方法流程圖。
[0024]圖5為圖3A?3B的陣列基板的配向方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]圖1A為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板100的俯視示意圖。圖1B為沿圖1A的線段BB’的剖面示意圖。陣列基板100包含基板110、像素電路120、走線122、端子124、配向膜130與平坦層140?；?10包含顯示區(qū)112以及周邊區(qū)114。像素電路120設(shè)置于顯示區(qū)112。走線122設(shè)置于周邊區(qū)114，并連接像素電路120與端子124。配向膜130設(shè)置于顯示區(qū)112與周邊區(qū)114。平坦層140設(shè)置于周邊區(qū)114，借此平坦化周邊區(qū)114。
[0026]在周邊區(qū)114內(nèi)，配向膜130覆蓋基板110與走線122。平坦層140覆蓋配向膜130，使得陣列基板100對應(yīng)周邊區(qū)114的表面為平坦表面142。
[0027]具體而言，由于位于周邊區(qū)114的走線122之間具有間隙，因此基板110與走線122之間會存在有段差，此段差將形成具有起伏的表面113。通過平坦層140與配向膜130的配置，基板110與走線122之間的段差會被此配置所填補(bǔ)。
[0028]請?jiān)倏吹綀D1B以及圖1C，其中圖1C為圖1A的陣列基板100的側(cè)視示意圖。在本實(shí)施方式中，配向膜130位于平坦層140與基板110之間。此外，配向膜130從周邊區(qū)114延伸至顯示區(qū)112，并覆蓋像素電路120，其中周邊區(qū)114與顯示區(qū)112的配向膜130為同一層配向膜130。在本實(shí)施方式中，平坦層140僅覆蓋位于周邊區(qū)114的配向膜130，因此當(dāng)進(jìn)行后續(xù)配向工藝時(shí)，位于顯示區(qū)112的配向膜130仍然能夠被配向布毛摩擦配向。
[0029]圖2為對本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板100進(jìn)行配向的俯視示意圖。當(dāng)要利用配向布毛150對陣列基板100進(jìn)行配向時(shí)，配向布毛150將沿箭頭方向進(jìn)入周邊區(qū)114，接著再進(jìn)入顯示區(qū)112，并對顯示區(qū)112內(nèi)的配向膜130進(jìn)行配向。
[0030]在配向時(shí)，配向布毛150會先接觸周邊區(qū)114。當(dāng)配向布毛150接觸周邊區(qū)114時(shí)，由于平坦層140的存在，配向布毛150所接觸的將會是平坦表面142，因此配向布毛150的尖端將不會因?yàn)榻佑|到段差而有分叉或改變方向的情況發(fā)生。也因此，配向布毛150對配向膜130所進(jìn)行的配向工藝也將不會有顯著的不均勻現(xiàn)象產(chǎn)生。
[0031]也就是說，通過平坦層140與配向膜130的配置，配向布毛150對配向膜130所進(jìn)行的配向?qū)鶆?，使得利用此陣列基?00所制造的液晶顯示器的顯示品質(zhì)能夠獲得提升。
[0032]回到圖1B，在本實(shí)施方式中，走線122的厚度為0.6微米，也即走線122與基板110之間的段差深度為0.6微米。此外，在本實(shí)施方式中，配向膜130的厚度介于80納米至135納米之間，而平坦層140的厚度介于0.5微米至5微米之間。
[0033]在本實(shí)施方式中，平坦層140與配向膜130的總體厚度為1.5微米，因此能填補(bǔ)深度為0.6微米的段差。然而，應(yīng)了解到，以上所舉的走線122的厚度，以及走線122與基板110之間的段差深度僅為示例，并非用于限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬本領(lǐng)域技術(shù)人員，可按實(shí)際需要，彈性選擇平坦層140與配向膜130的厚度，只要能填補(bǔ)走線122與基板110之間的段差即可。
[0034]如圖1C所示，由于平坦層140僅覆蓋位于周邊區(qū)114的配向膜130，因此顯示區(qū)112與周邊區(qū)114之間會有段差。然而，相較于走線122與基板110之間的段差，顯示區(qū)112與周邊區(qū)114之間的段差為單一段差，且此單一段差橫跨整個(gè)陣列基板100，因此并不會有均勻性的問題。
[0035]請?jiān)倩氐綀D1A。本實(shí)施方式的平坦層140可不必覆蓋端子124，以利端子124與外部電路電性連接。此外，完成配向后的配向膜130上可設(shè)置有框膠區(qū)116，此框膠區(qū)116可用來設(shè)置框膠以進(jìn)行后續(xù)的貼合工藝。
[0036]圖3A為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的陣列基板100的剖面示意圖，其剖面位置與圖1B相同。圖3B為圖3A的陣列基板100的側(cè)視示意圖。本實(shí)施方式與前一個(gè)實(shí)施方式的差異在于:本實(shí)施方式的平坦層140位于配向膜130與基板110之間。
[0037]更具體地說，在周邊區(qū)114內(nèi)，平坦層140覆蓋基板110與走線122。配向膜130覆蓋平坦層140。由于平坦層140能夠平坦化周邊區(qū)114，因此當(dāng)配向膜130覆蓋于平坦層140上時(shí)，配向膜130所在的位置是由平坦層140所提供的平坦表面142。因此，配向膜130的表面132也將是平坦的表面，而不會有過大的段差。
[0038]同樣地，當(dāng)對配向膜130進(jìn)行配向工藝時(shí)，由于配向布毛在周邊區(qū)114內(nèi)所接觸到的將會是平坦表面。因此，配向布毛的尖端將不會因?yàn)榻佑|到段差而有分叉或改變方向的情況產(chǎn)生。也因此，配向布毛對配向膜130所進(jìn)行的配向工藝也不會有顯著的不均勻現(xiàn)象產(chǎn)生。
[0039]圖4為圖1A?IC的陣列基板100的配向方法流程圖。圖1A?IC的陣列基板100的配向方法包含以下步驟。步驟P10，分別在基板110的顯示區(qū)112以及周邊區(qū)114上形成互相連接的像素電路120以及走線122。步驟P20，在顯示區(qū)112以及周邊區(qū)114上形成配向膜130。步驟P30，在周邊區(qū)114的配向膜130上形成平坦層140，借此平坦化周邊區(qū)114。步驟P40，通過配向布毛進(jìn)行配向膜130的配向。
[0040]圖5為圖3A?3B的陣列基板100的配向方法流程圖。圖3A?3B的陣列基板100的配向方法包含以下步驟。步驟S10，分別在基板110的顯示區(qū)112以及周邊區(qū)114上形成互相連接的像素電路120以及走線122。步驟S20，在周邊區(qū)114上形成平坦層140，借此平坦化周邊區(qū)114。步驟S30，在顯示區(qū)112以及周邊區(qū)114上形成配向膜130。步驟S40，通過配向布毛進(jìn)行配向膜130的配向。
[0041]綜上所述，本發(fā)明上述實(shí)施方式的陣列基板設(shè)置有位于周邊區(qū)的平坦層。因此，當(dāng)通過配向布毛進(jìn)行陣列基板的配向時(shí)，配向布毛將不會受到位于周邊區(qū)的走線影響，使得配向布毛尖端有分叉或改變方向的情況發(fā)生。
[0042]雖然本發(fā)明已以多種實(shí)施方式公開如上，然其并非用于限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種不同的選擇和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書及其等同形式所限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包含: 基板，其包含顯示區(qū)以及周邊區(qū)； 像素電路，其設(shè)置于所述顯示區(qū)； 多條走線，其設(shè)置于所述周邊區(qū)，并與所述像素電路連接； 配向膜，其設(shè)置于所述顯示區(qū)與所述周邊區(qū)；以及 平坦層，其設(shè)置于所述周邊區(qū)，借此平坦化所述周邊區(qū)。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層位于所述配向膜與所述基板之間。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述配向膜位于所述平坦層與所述基板之間。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層厚度介于0.5微米至5微米之間。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述配向膜厚度介于80納米至135納米之間。6.一種陣列基板的配向方法，其特征在于，所述配向方法包含下列步驟: 在基板的顯示區(qū)以及周邊區(qū)上分別形成互相連接的像素電路以及多條走線； 在所述顯示區(qū)與以及周邊區(qū)上形成配向膜；以及 在所述周邊區(qū)的所述配向膜上形成平坦層，借此平坦化所述周邊區(qū)； 通過配向布毛進(jìn)行所述配向膜的配向。7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的配向方法，其特征在于，所述平坦層厚度介于0.5微米至5微米之間，所述配向膜厚度介于80納米至135納米之間。8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的配向方法，其特征在于，通過所述配向布毛進(jìn)行所述配向膜的配向的步驟，還包含下列步驟: 所述配向布毛從所述周邊區(qū)進(jìn)入所述顯示區(qū)。9.一種陣列基板的配向方法，其特征在于，所述配向方法包含下列步驟: 在基板的顯示區(qū)以及周邊區(qū)上分別形成互相連接的像素電路以及多條走線； 在所述周邊區(qū)上形成平坦層，借此平坦化所述周邊區(qū)； 在所述顯示區(qū)以及所述周邊區(qū)上形成配向膜；以及 通過配向布毛進(jìn)行所述配向膜的配向。10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的配向方法，其特征在于，所述平坦層厚度介于0.5微米至5微米之間，所述配向膜厚度介于80納米至135納米之間。
【文檔編號】G02F1/1337GK106033162SQ201510112982
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月16日
【發(fā)明人】鄭博文, 張敏宏
【申請人】中華映管股份有限公司