陣列基板及制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。陣列基板，包括：一基板，設(shè)置有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線；復(fù)數(shù)條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間；主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域；像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一第一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接；透明電極，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。本發(fā)明同時(shí)還公開(kāi)了該陣列基板的制造方法。
【專利說(shuō)明】
陣列基板及制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有高透光率的陣列基板及制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]垂直電場(chǎng)型液晶顯示模式是最基本的液晶顯示模式，包括TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)、VA(Vertical Alignment，垂直配向)等液晶顯示模式。目前市場(chǎng)上的TN面板多是改良型的TN+film，film即補(bǔ)償膜，用于彌補(bǔ)TN面板可視角度的不足，目前改良的TN面板的可視角度都達(dá)到160° JA類面板是現(xiàn)在高端液晶應(yīng)用較多的面板類型，屬于廣視角面板。VA類面板又分為MVA(Multi_domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技術(shù))面板、PVA(Patterned Vertical Alignment)面板、PSVA(Polymer Stabilizat1n VerticalAlignment，聚合物穩(wěn)定垂直配向)面板、UV2A(UV Vertical Alignment，UV光垂直配向)面板j等等。
[0003]垂直電場(chǎng)型液晶顯示模式的像素結(jié)構(gòu)分為TFT側(cè)的像素結(jié)構(gòu)和CF側(cè)的像素結(jié)構(gòu)兩部分。TFT側(cè)的像素結(jié)構(gòu)主要實(shí)現(xiàn)TFT-LCD的電學(xué)功能，是決定像素電容效應(yīng)、配向延遲效應(yīng)、灰階電壓寫(xiě)入特性和保持特性的主要方面。CF側(cè)的像素結(jié)構(gòu)主要實(shí)現(xiàn)TFT-LCD的光學(xué)功能，是決定TFT-1XD對(duì)比度和色度域的主要方面。
[0004]TFT側(cè)的像素結(jié)構(gòu)一般采用Cs on COM結(jié)構(gòu)。Cs on COM結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是，像素電極覆蓋在金屬公共電極線上形成存儲(chǔ)電容。公共電極線的位置可以在像素的上下兩側(cè)，也可以在像素的中央。公共電極線延伸到數(shù)據(jù)線兩側(cè)的結(jié)構(gòu)起到遮光的作用。像素電極與公共電極線重疊的區(qū)域就是像素的存儲(chǔ)電容面積。
[0005]CF側(cè)的像素一般包括黑色矩陣BM、RGB色阻、間隙子、公共電極等結(jié)構(gòu)。CF側(cè)像素的結(jié)構(gòu)主要由濾光和遮光兩部分組成:濾光結(jié)構(gòu)由RGB色層構(gòu)成，遮光結(jié)構(gòu)由黑色矩陣構(gòu)成。CF側(cè)像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)關(guān)鍵是把握黑色矩陣的遮光尺寸，以及RGB色層與黑色矩陣遮光層的重疊量。黑色矩陣遮光結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，目的是要防止CF基板和TFT基板貼合偏移后出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。如果CF和TFT基板的貼合精度為6um，那么公共電極線的遮光線段靠近數(shù)據(jù)線一側(cè)的邊與黑色矩陣挨著色層一側(cè)的邊之間的距離至少要保證在6um以上。這個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則的存在，使得像素的實(shí)際開(kāi)口率很低，降低了像素的光利用效率。
[0006]為了提高像素的光利用效率，一種做法是像FFS(Fringe Field Switching，邊緣電場(chǎng)開(kāi)關(guān))那樣把金屬公共電極線更換為透明電極。FFS在掃描線層的下方需要通過(guò)一道ITO-PR工藝，在每個(gè)像素的底層形成面狀分布的COM電極。FFS像素的掃描線、數(shù)據(jù)線和TFT開(kāi)關(guān)的功能與其他顯示模式共通，與掃描線同層的細(xì)條狀金屬COM線的主要功能是向底層面狀COM電極提供穩(wěn)定的COM電壓，像素電極在四周連接成環(huán)狀，由TFT開(kāi)關(guān)進(jìn)行供電。頂層連接像素電壓的ITO圖案和底層連接COM電壓的ITO圖案重疊形成像素的存儲(chǔ)電容Cs。
[0007]借鑒FFS的透明底層面狀COM電極的設(shè)計(jì)方法，可以在TN、VA等垂直配向型液晶顯示模式中導(dǎo)入透明底層面狀COM電極，提升像素的光利用效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明專利所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種高透光率的透明液晶顯示器及其陣列基板的制作方法。
[0009]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括:一基板，設(shè)置有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線;復(fù)數(shù)條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間；主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域;像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一第一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接;透明電極，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0010]進(jìn)一步地，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上具有部分重疊區(qū)域，該重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
[0011]進(jìn)一步地，該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離。
[0012]進(jìn)一步地，兩相鄰的數(shù)據(jù)線和兩相鄰的掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成一透明電極單元，該一透明電極單元的四周邊界與該兩相鄰的數(shù)據(jù)線和該兩相鄰的掃描線間隔一定的距離。
[0013]進(jìn)一步地，該透明電極直接分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方。
[0014]進(jìn)一步地，該透明電極隔著絕緣介質(zhì)分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方，通過(guò)一第二接觸孔與該公共電極線電連接。
[0015]進(jìn)一步地，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。
[0016]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明又一方面提出了一種液晶顯示裝置，包括:上述陣列基板;對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置;液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間；還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上;其中，該公共電極與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。
[0017]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明另一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括以下步驟:提供一陣列基板，形成透明電極;形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線、公共電極線，該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間，且該公共電極線覆蓋在該透明電極的表面上方;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案;在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的漏極;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接;其中，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0018]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明再一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括以下步驟:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線、公共電極線，該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間；形成透明電極，且該透明電極覆蓋在該公共電極線的表面上方;形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案;在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的漏極;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行模纬蓮?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接;其中，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0019]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于:使用的金屬線面積小，金屬對(duì)光線的干擾影響降低;像素的開(kāi)口率提尚，光線的利用效率尚。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0021]圖2為示意性示出本發(fā)明圖1中陣列基板側(cè)平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3A為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0023]圖3B為示意性示出本發(fā)明圖3A中像素結(jié)構(gòu)沿AA’方向上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為示意性示出圖3B中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置在工作狀態(tài)下剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖8A?SE為示意性示出本發(fā)明陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0030]圖1為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖1所示，本發(fā)明提供了一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)，包括:掃描線101、公共電極線102、透明電極103、半導(dǎo)體層104、數(shù)據(jù)線105、源極(數(shù)據(jù)線)、漏極106、第一接觸孔107、像素電極108。
[0031]如圖1所示，掃描線101與數(shù)據(jù)線105在像素中央呈十字型交叉布置，一該公共電極線102布置在兩相鄰的掃描線101之間，在數(shù)據(jù)線105與掃描線101的十字型交叉區(qū)域處設(shè)有薄膜晶體管。薄膜晶體管的柵極為掃描線101在該十字型交叉區(qū)域處圖案，薄膜晶體管的源極為數(shù)據(jù)線105在該十字型交叉區(qū)域處圖案，以及薄膜晶體管的漏極106，薄膜晶體管的溝道104。薄膜晶體管漏極106的上方設(shè)有接觸孔107，像素電極108覆蓋接觸孔107與像素電極108實(shí)現(xiàn)等電位連接。透明電極103，在該數(shù)據(jù)線105和該掃描線101限定的區(qū)域內(nèi)。像素電極108與透明電極103在與該陣列基板垂直的方向上部分重疊，形成存儲(chǔ)電容器。該透明電極103與對(duì)應(yīng)地一該公共電極線102電性連接。透明電極103的電壓通過(guò)公共電極線102從顯示屏外側(cè)導(dǎo)入。
[0032]圖2為示意性示出本發(fā)明圖1中陣列基板側(cè)平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括復(fù)數(shù)個(gè)圖3中所述的像素結(jié)構(gòu)，像素電極108，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一第一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接;透明電極103，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線105和該復(fù)數(shù)條掃描線101限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線102電性連接。
[0033]相鄰像素的像素電極單元之間存在左右間隙SI，上下間隙S2。間隙SI和S2越小，像素的光利用效率越高。限制SI與S2大小的因素包括:曝光機(jī)的曝光精度;相鄰像素電極電壓之間的干擾強(qiáng)度ο 一般，間隙SI和S2在5um左右。
[0034]透明電極103分布在由掃描線101與數(shù)據(jù)線105包圍的區(qū)域內(nèi)。透明電極103在左側(cè)與數(shù)據(jù)線105保持間隔LI，在右側(cè)與數(shù)據(jù)線105保持間隔L3;透明電極103在上側(cè)與掃描線保持間隔L2，在下側(cè)與掃描線101保持間隔L4。透明電極103的電位通過(guò)公共電極線102從顯示器外面輸入。在圖2中，像素電極108與透明電極103部分重疊，形成像素的存儲(chǔ)電容器Cs。
[0035]本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)中，透明電極103為透明導(dǎo)電薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復(fù)合膜系等。具體地有ITO(錫摻雜三氧化銦)、ΑΖ0(鋁摻雜氧化鋅)、納米銀線、石墨烯等。優(yōu)選地，采用ITO材料。
[0036]在圖1所示的像素結(jié)構(gòu)中，透明電極103可以分布在掃描線層的上方，即公共電極線102的上方;也可以分布在掃描線層的下方，即公共電極線102的下方。該透明電極可以通過(guò)直接覆蓋該公共電極線，實(shí)現(xiàn)電性連接?？蛇x擇地，該透明電極隔著透明的絕緣介質(zhì)分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方，通過(guò)一第二接觸孔穿過(guò)該絕緣介質(zhì)與該公共電極線電連接。
[0037]圖3A為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；圖3B為示意性示出本發(fā)明圖3A中像素結(jié)構(gòu)沿AA’方向上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖3A、3B，在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為:在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布透明電極103，在該透明電極103的上方分布掃描線101和公共電極線102，在掃描線101和公共電極線102的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層104，在半導(dǎo)體層104的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)105和漏極106，在數(shù)據(jù)線105的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極108，像素電極108通過(guò)貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔107與漏極106實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。
[0038]結(jié)合圖2，圖3A、3B所示的斷面結(jié)構(gòu)中，公共電極線102直接覆蓋與該方塊透明電極103實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，該掃描線1I與該透明電極103保持一定的距離L2/L4。
[0039]結(jié)合圖1和圖3A、3B，圖4，像素電極與方塊透明電極在重疊區(qū)域形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。
[0040]本發(fā)明上述實(shí)施例采用的是方塊透明電極位于公共電極線上方的分布方式，本發(fā)明又一實(shí)施例又提出一種陣列基板，與上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)大致相同，區(qū)別僅在于透明電極位于公共電極線上方。
[0041]圖5為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括:上述各實(shí)施方式以及對(duì)應(yīng)各實(shí)施例的陣列基板100，對(duì)置基板200，以及夾設(shè)于該陣列基板100與該對(duì)置基板200之間的液晶功能層300。
[0042]圖6為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，該液晶顯示器件采用的對(duì)置基板200，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據(jù)需要，可以省略遮光圖案202。在圖7中，在對(duì)置基板200與陣列基板100之間為液晶功能層300，包括對(duì)置基板側(cè)配向膜303、液晶301、陣列基板側(cè)配向膜302。
[0043]該液晶顯示器件采用的對(duì)置基板200的結(jié)構(gòu)如圖6所示，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據(jù)需要，可以省略遮光圖案202。根據(jù)需要，可以使用紅色、綠色、藍(lán)色等色阻層。
[0044]如圖5所示，透明電極103與對(duì)置基板上的公共電極201，電位固定，不隨像素電壓的變化而變化。優(yōu)選地，透明電極103與對(duì)置基板上的公共電極201的電位相等。在間隙SI和S2區(qū)域，由于透明電極103與公共電極201之間的電位差為O，位于該區(qū)域的液晶分子排列狀態(tài)固定，不隨像素電壓的變化而變化，液晶分子的狀態(tài)可控。如圖7所示，即使在像素電極108與公共電極201之間施加各種不同的電位，在間隙SI和S2區(qū)域的液晶分子，排列狀態(tài)都是固定的。
[0045]對(duì)于使用UV2A技術(shù)的液晶顯示模式，為了遮擋間隙SI和S2區(qū)域的透過(guò)光線，在常黑模式下陣列基板上的方塊透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為0，在常白模式下陣列基板上的方塊透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間設(shè)置一個(gè)高電壓，一般大于5V。
[0046]本發(fā)明提供了陣列基板的制作方法，以圖3所示的斷面結(jié)構(gòu)為例，給出圖2所示的像素結(jié)構(gòu)的不同層的制作流程:
[0047]首先，如圖8A所示，在透明基板上首先形成方塊透明電極103圖案.
[0048]接著，如圖8B所示，直接在方塊透明電極103的上方形成掃描線11、公共電極線102。公共電極線102直接覆蓋于方塊透明電極103的上方。方塊透明電極103與上側(cè)的掃描線保持間隔L2，與下側(cè)的掃描線保持間隔L4。
[0049]接著，如圖SC所示，在掃描線上方形成柵極絕緣層，在柵極絕緣層上方形成半導(dǎo)體溝道104圖案。
[0050]接著，如圖8D所示，在半導(dǎo)體溝道104的上方形成數(shù)據(jù)線(源極)105圖案與漏極106圖案。方塊透明電極103與左側(cè)的數(shù)據(jù)線保持間隔LI，與右側(cè)的數(shù)據(jù)線保持間隔L2。
[0051]接著，如圖SE所示，在數(shù)據(jù)線上方先后覆蓋保護(hù)絕緣層與厚膜絕緣層，在漏極106的上方通過(guò)刻蝕形成接觸孔106圖案，然后再形成像素電極108圖案，最后形成像素的基本結(jié)構(gòu)，如圖1所示。
[0052]本發(fā)明再一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括以下步驟:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線、公共電極線，該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間；形成透明電極，且該透明電極覆蓋在該公共電極線的表面上方;形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案;在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的漏極;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接;其中，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0053]本發(fā)明專利提出的像素結(jié)構(gòu)，有如下特點(diǎn):
[0054](I)金屬線又少又細(xì):只有掃描線、公共電極線與數(shù)據(jù)線三條金屬線。金屬線少，金屬遮光與反光的影響就小。在掃描線、公共電極線、數(shù)據(jù)線與像素電極之間隔著保護(hù)層與厚膜層，像素之間的耦合電容小，金屬線可以做的很細(xì)。金屬線細(xì)，金屬遮光與反光的影響就小。
[0055](2)液晶顯示屏為了降低閃爍，一把采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式，即相鄰像素的電壓正負(fù)極性相反。本發(fā)明專利的面狀公共電極分布在相鄰四個(gè)像素的下方，起到了屏蔽相鄰像素電極之間的電力線干擾，保證了像素電極之間的液晶不受干擾。
[0056](3)對(duì)于使用UV2A技術(shù)的液晶顯示模式，掃描線與數(shù)據(jù)線就是液晶顯示疇與相鄰液晶顯示疇之間的分界線，顯示疇之間的黑紋直接分布在金屬線上方，不額外占用不透光的區(qū)域，像素的光利用效率高。
[0057](4)對(duì)于使用常黑模式的VA顯示技術(shù)，在陣列基板上的透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為O，在間隙SI和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙SI和S2正上方的對(duì)置基板上的黑色矩陣。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙SI和S 2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo)致的間隙SI和S 2的漏光問(wèn)題。
[0058](5)對(duì)于使用常白模式的VA顯示技術(shù)，在陣列基板上的透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為6V，在間隙SI和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙SI和S2正上方的對(duì)置基板上的黑色矩陣。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙SI和S 2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo)致的間隙SI和S 2的漏光問(wèn)題。
[0059]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0060]另外需要說(shuō)明的是，在上述【具體實(shí)施方式】中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過(guò)任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對(duì)各種可能的組合方式不再另行說(shuō)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括: 一基板，設(shè)置有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線； 復(fù)數(shù)條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間； 主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域； 像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一第一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接； 透明電極，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上具有部分重疊區(qū)域，該重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:兩相鄰的數(shù)據(jù)線和兩相鄰的掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成一透明電極單元，該一透明電極單元的四周邊界與該兩相鄰的數(shù)據(jù)線和該兩相鄰的掃描線間隔一定的距離。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極直接分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極隔著絕緣介質(zhì)分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方，通過(guò)一第二接觸孔與該公共電極線電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。8.一種液晶顯示裝置，包括: 如權(quán)利要求1-7所述的陣列基板； 對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置； 液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間； 還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上； 其中，該公共電極與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。9.一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括以下步驟: 提供一陣列基板，形成透明電極； 形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線、公共電極線，該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間，且該公共電極線覆蓋在該透明電極的表面上方；在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接； 其中，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。10.—種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括以下步驟: 提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線、公共電極線，該公共電極線布置在兩相鄰的掃描線之間； 形成透明電極，且該透明電極覆蓋在該公共電極線的表面上方； 形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案； 在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行模纬蓮?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接； 其中，在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線限定的區(qū)域內(nèi)，形成復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK106054476SQ201610454741
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】上海紀(jì)顯電子科技有限公司