充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。提供一種充電構(gòu)件，其具有高的充電能力并且防止異常放電發(fā)生。所述充電構(gòu)件包括支承體和表面層。表面層包含具有特定結(jié)構(gòu)的多金屬氧烷。
【專利說明】
充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及充電構(gòu)件、和包括所述充電構(gòu)件的處理盒與電子照相圖像形成設(shè)備 (以下，稱為"電子照相設(shè)備"）。
【背景技術(shù)】
[0002] 使電子照相感光構(gòu)件（以下，稱為"感光構(gòu)件"）的表面帶電的方法之一為接觸充電 法。在接觸充電法中，將電壓施加至與感光構(gòu)件接觸配置的充電構(gòu)件并且在充電構(gòu)件與感 光構(gòu)件之間的接觸部附近產(chǎn)生非常少的放電以使感光構(gòu)件的表面帶電。
[0003] 用于接觸充電法的充電構(gòu)件的一般的構(gòu)造包括導(dǎo)電性彈性層從而獲得期望的電 阻。日本專利申請?zhí)亻_No.H04-77766提出了在導(dǎo)電性彈性層上設(shè)置包含羥基苯乙烯樹脂的 樹脂層以根據(jù)使用環(huán)境降低導(dǎo)電性彈性層的電阻的變動。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 近幾年，隨著電子照相圖像形成過程的高速化，使感光構(gòu)件帶電的時間相對縮短， 其導(dǎo)致對于穩(wěn)定且確實的感光構(gòu)件的帶電的缺點。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明人的研究，發(fā)現(xiàn)如果日本專利申請?zhí)亻_No. H04-77766中記載的導(dǎo)電性 輥用作充電構(gòu)件，則因為過程的高速化使得特別是在低溫低濕下可能發(fā)生強的局部放電 (異常放電）。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，由于異常放電使得可能產(chǎn)生幾十微米至幾毫米的程度的圖 像不均勻。
[0006] 本發(fā)明的目的是提供具有高充電能力的充電構(gòu)件。
[0007] 本發(fā)明的另一目的是提供適于形成具有高品質(zhì)的電子照相圖像的處理盒和電子 照相設(shè)備。
[0008] 本發(fā)明的一方面，提供包括支承體和表面層的充電構(gòu)件，
[0009] 其中表面層包含
[0010] 具有由結(jié)構(gòu)式(al)表示的結(jié)構(gòu)的多金屬氧燒(polymetalloxane);和
[0011] 多金屬氧烷中的Ml和由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子用由結(jié)構(gòu)式(a3) 表示的連接基團結(jié)合：
[0012] 結(jié)構(gòu)式(al)
[0013] M10(k-(s+i))/2(L1)s [0014]結(jié)構(gòu)式(a2)
[0016]結(jié)構(gòu)式(a3)
[0017] *2-0-Z_*l
[0018] 其中，在式(al)中，
[0019] Ml表示選自由!^、2廣^\￥、恥、了3、1^1、63、111和66組成的組的金屬原子；8表示0 以上且(k-2)以下的整數(shù)；
[0020] 在Ml為Al、Ga或In的情況下，k = 3;
[0021]在 Ml 為 Ti、Zr、Hf 或 Ge 的情況下，k = 4;
[0022] 在Ml為Nb、Ta或W的情況下，k = 5;
[0023] 在Ml為V的情況下，k = 3或5;和
[0024] L1表示具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體：
[0026] 其中，在式(b)中，
[0027] XI表示由式（1)_(4)之一表示的結(jié)構(gòu)；
[0028] Y1表示具有與Ml配位的部位的基團；
[0029] A1表示與Ml、X1和Y1形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團；和
[0030] 符號"**"表示與Ml結(jié)合或配位的部位：
[0032] 其中，在式（1)_(4)中，符號"**"表不與Ml結(jié)合的部位;和符號"***"表不與A1結(jié)合 的部位；
[0034] 其中，在式（c)中，R11-R15各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三 甲基甲硅烷基;和符號表示與Ml配位的部位；
[0035] 其中，在式(a2)中，R1-R3各自獨立地表示氫原子或具有1-3個碳原子的烷基;和符 號"*1"表示與式(a3)中的Z結(jié)合的部位;和
[0036] 其中，在式(a3)中，
[0037] Z表示取代或未取代的亞苯基，條件是，取代的亞苯基中的取代基為鹵素原子或具 有1-3個碳原子的烷基；
[0038]符號"*1"表示與式(a2)中的符號"*1"結(jié)合的位置;和 [0039] 符號"*2"表示與式(al)中的Ml結(jié)合的位置。
[0040] 本發(fā)明的另一方面，提供包括支承體和表面層的充電構(gòu)件，
[0041] 其中，表面層包含以下物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物：
[0042] 具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，和
[0043] 具有由式(d)表示的結(jié)構(gòu)的金屬醇鹽，
[0044] 以及
[0045] 所述反應(yīng)產(chǎn)物為非晶形狀態(tài)：
[0046] M2(0R2)q-p(L2)P (d)
[0047] 其中，在式(d)中，
[0048] M2表示選自由打、2廣^\￥、他、了3、1、六1、63、111和66組成的組的金屬原子；
[0049] p表示0以上的整數(shù)，條件是(q_p)為2以上；
[0050] 在M2為Al、Ga或In的情況下，q = 3;
[0051 ]在 M2 為 Ti、Zr、Hf 或 Ge 的情況下，q = 4;
[0052] 在M2為Nb、Ta或W的情況下，q = 5;
[0053] 在M2為V的情況下，q = 3或5;
[0054] R2表示具有1-10個碳原子的烴基;和
[0055] L2表示具有由式(e)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(f)表示的結(jié)構(gòu)的配體：
[0057] 其中，在式(e)中，
[0058] X2表不由式（10)-(13)之一表不的結(jié)構(gòu)；
[0059] Y2表示具有與M2配位的部位的基團；
[0060] A2表示與M2、X2和Y2形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團；和 [0061 ] 符號"**"表示與M2結(jié)合或配位的部位：
[0063] 其中，在式（10)-(13)中，符號"**"表不與M2結(jié)合的部位;和符號"***"表不與A2結(jié) 合的部位；
[0065]其中，在式(f)中，R21-R25各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三 甲基甲硅烷基;和符號表示與M2配位的部位。
[0066]本發(fā)明的又一方面，提供可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體的處理盒，所述處 理盒一體化地支承電子照相感光構(gòu)件和用于使電子照相感光構(gòu)件的表面帶電的充電構(gòu)件， 其中充電構(gòu)件為上述充電構(gòu)件。
[0067] 本發(fā)明的又一方面，提供一種電子照相設(shè)備，其包括電子照相感光構(gòu)件和用于使 電子照相感光構(gòu)件的表面帶電的充電構(gòu)件，其中充電構(gòu)件為上述充電構(gòu)件。
[0068] 參考附圖從以下示例性實施方案的描述中，本發(fā)明的進一步特征將變得明顯。
【附圖說明】
[0069] 圖1為根據(jù)本發(fā)明的充電構(gòu)件的實例的截面圖。
[0070] 圖2為根據(jù)本發(fā)明的電子照相設(shè)備的實例的截面圖。
[0071] 圖3為根據(jù)本發(fā)明的處理盒的實例的截面圖。
[0072] 圖4為根據(jù)本發(fā)明的示例性表面層(實施例2)和比較例（比較例4)的固體匪R分析 的結(jié)果。
[0073] 圖5A為其中檢測金紅石型氧化鈦的峰(比較例4)的晶體結(jié)構(gòu)的分析結(jié)果。
[0074]圖5B為根據(jù)本發(fā)明的示例性表面層(實施例2)的晶體結(jié)構(gòu)的分析結(jié)果。
【具體實施方式】
[0075] 現(xiàn)在將參考附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。
[0076] 本發(fā)明人反復(fù)研究以獲得具有高充電能力以防止上述異常放電的發(fā)生的充電構(gòu) 件。結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，包括包含具有特定結(jié)構(gòu)的多金屬氧烷的表面層的充電構(gòu)件可以顯 著有效地防止異常放電的發(fā)生。
[0077]根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的充電構(gòu)件包括支承體和設(shè)置在支承體上的表面層。 [0078]表面層包含具有由結(jié)構(gòu)式(al)表不的結(jié)構(gòu)的多金屬氧燒。多金屬氧燒中的Ml經(jīng)由 結(jié)構(gòu)式(a3)表示的連接基團結(jié)合至由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子：
[0079] 結(jié)構(gòu)式(al)
[0080] M10(k-(s+i))/2(L1)s
[0081] 結(jié)構(gòu)式(a2)
[0083] 結(jié)構(gòu)式(a3)
[0084] *2-0-Z_*l [0085] 其中，在式(al)中，
[0086] Ml表示選自由!^、2廣^\￥、恥、了3、1^1、63、111和66組成的組的金屬原子；8表示0 以上且(k-2)以下的整數(shù)；
[0087] 在Ml為Al、Ga或In的情況下，k = 3;
[0088]在 Ml 為 Ti、Zr、Hf 或 Ge 的情況下，k = 4;
[0089] 在Ml為Nb、Ta或W的情況下，k = 5;
[0090] 在Ml為V的情況下，k = 3或5;和
[0091] L1表示具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體：
[0093] 其中，在式(b)中，XI表示由式（1)_(4)之一表示的結(jié)構(gòu);Y1表示具有與Ml配位的部 位的基團;A1表示與Ml、X1和Y1形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團；和符號"**"表示與Ml 結(jié)合或配位的部位：
[0095] 其中，在式（1)-(4)中，符號"**"表不與Ml結(jié)合的部位;和符號"***"表不與A1結(jié)合 的部位；
[0097]其中，在式（c)中，R11-R15各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三 甲基甲硅烷基;和符號表示與Ml配位的部位；
[0098]其中，在式(a2)中，R1-R3各自獨立地表示氫原子或具有1-3個碳原子的烷基;和符 號"*1"表示與式(a3)中的Z結(jié)合的部位;和 [0099] 其中，在式(a3)中，
[0100] Z表示取代或未取代的亞苯基，條件是，取代的亞苯基中的取代基為鹵素原子或具 有1-3個碳原子的烷基；
[0101] 符號"*1"表示與式(a2)中的符號"*1"結(jié)合的位置;和
[0102] 符號"*2"表示與式(al)中的Ml結(jié)合的位置。
[0103] 根據(jù)本發(fā)明的充電構(gòu)件具有此類構(gòu)造，因此，即使在低溫低濕下也可以防止強的 局部放電（異常放電）的產(chǎn)生。本發(fā)明人認為，根據(jù)本發(fā)明的充電構(gòu)件由于以下原因而可以 防止異常放電的發(fā)生。
[0104] 空氣中的接近放電現(xiàn)象根據(jù)帕邢定律(Paschen's law)而產(chǎn)生。該現(xiàn)象表明通過 在電場中加速的自由電子與電極之間存在的分子和電極的重復(fù)碰撞以生成電子、陽離子和 陰離子而產(chǎn)生的電子雪崩的擴散。該電子雪崩根據(jù)電場來擴散，并且擴散決定最終的放電 量。當產(chǎn)生與遵照帕邢定律的條件相比更過剩的電場時，將容易產(chǎn)生強的局部放電，即，異 常放電。
[0105] 特別是，與在常溫常濕下相比，在低溫低濕下在電極之間存在較少量的分子。由于 該原因，在低溫低濕下的放電開始電壓傾向于高于由帕邢定律得到的放電開始電壓。因此， 放電開始電壓的提高容易產(chǎn)生比遵照帕邢定律的條件更過剩的電場，從而特別是在低溫低 濕下異常放電容易發(fā)生。
[0106] 認為在根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷中，金屬原子Ml與具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的 聚合物的酚羥基反應(yīng)以形成由結(jié)構(gòu)式(a2)和(a3)表示的鍵"-Z-0-M1"。與不具有此類鍵的 多金屬氧烷相比，具有此類鍵的多金屬氧烷具有較淺的最高占有分子軌道(HOMO)。本發(fā)明 人推測，多金屬氧烷的該較淺的最高占有分子軌道使電子容易從根據(jù)本發(fā)明的充電構(gòu)件的 表面層中放出。由于該原因，充電構(gòu)件可以具有較低的放電開始電壓以減少放電量。因此， 本發(fā)明人認為，充電構(gòu)件可以有效防止異常放電的發(fā)生。
[0107]〈充電構(gòu)件〉
[0108]以下，將通過作為充電構(gòu)件的具體實例的輥狀的充電構(gòu)件（以下，在一些情況下稱 為"充電輯"）的方式詳細描述本發(fā)明。充電構(gòu)件可以具有任意形狀，并且可以具有如輥狀或 板狀等形狀。
[0109]圖1中的充電輥包括支承體1，和在支承體1上形成的彈性層2和表面層3。
[0110]充電構(gòu)件配置為能夠使電子照相感光構(gòu)件（以下，也稱為"感光構(gòu)件"）的表面帶 電。此類充電構(gòu)件可以具有包括彈性層的構(gòu)造以充分確保與感光構(gòu)件的接觸輥隙。包括彈 性層的充電構(gòu)件的最簡單的構(gòu)造包括兩層，即，設(shè)置在支承體上的彈性層和表面層?？梢栽?支承體與彈性層之間或彈性層與表面層之間設(shè)置一層或兩層以上的其它層。
[表面層]
[0112] 表面層包含具有由結(jié)構(gòu)式(al)表不的結(jié)構(gòu)的多金屬氧燒。
[0113] 在多金屬氧燒中，多金屬氧燒中的金屬原子Ml經(jīng)由結(jié)構(gòu)式(a3)表不的連接基團與 由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子結(jié)合：
[0114] 結(jié)構(gòu)式(al)
[0115] M10(k-(s+i))/2(L1)s
[0116] 結(jié)構(gòu)式(a2)
[0118] 結(jié)構(gòu)式(a3)
[0119] *2-0-Z_*l
[0120] 其中，在式(al)中，
[0121] Ml表示選自由!^、2廣^\￥、恥、了3、1^1、63、111和66組成的組的金屬原子;8表示0 以上且(k-2)以下的整數(shù)；
[0122] 在Ml為Al、Ga或In的情況下，k = 3;
[0123] 在 Ml 為 Ti、Zr、Hf 或 Ge 的情況下，k = 4;
[0124] 在Ml為Nb、Ta或W的情況下，k = 5;
[0125] 在Ml為V的情況下，k = 3或5;和
[0126] L1表示具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體；
[0127] 其中，在式(a2)中，R1-R3各自獨立地表示氫原子或具有1-3個碳原子的烷基;和符 號"*1"表示與式(a3)中的Z結(jié)合的部位;和
[0128] 其中，在式(a3)中，
[0129] Z表示取代或未取代的亞苯基，條件是，取代的亞苯基中的取代基為鹵素原子或具 有1-3個碳原子的烷基；
[0130] 符號"*1"表示與式(a2)中的符號"*1"結(jié)合的位置;和
[0131] 符號"*2"表示與式(al)中的Ml結(jié)合的位置。
[0132] 根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷具有其中金屬原子Ml與氧原子結(jié)合的金屬氧烷結(jié)構(gòu)。在 多金屬氧烷中，Ml為選自由鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋁(A1)、 鎵(Ga)、銦（In)和鍺(Ge)組成的組的任意一種金屬。
[0133] 例如，在結(jié)構(gòu)式(al)中Ml為Ti且s = 0的情況下，多金屬氧烷中存在由Ti03/2表示的 金屬氧燒結(jié)構(gòu)。金屬氧燒結(jié)構(gòu)中的T i經(jīng)由結(jié)構(gòu)式(a 3)表不的連接基團與由結(jié)構(gòu)式(a 2)表不 的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子結(jié)合。在S = 1時，多金屬氧燒中存在由Ti〇2/2 (L1 )1表示的金屬氧燒 結(jié)構(gòu)。金屬氧烷結(jié)構(gòu)中的Ti與后述由式(b)表示的配體配位或與后述由式(c)表示的配體配 位，并且經(jīng)由結(jié)構(gòu)式(a3)表示的連接基團與由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子結(jié) 合。
[0134] 結(jié)構(gòu)式(a 1)中的表示與Ml結(jié)合或配位的配體的個數(shù)的符號"s"優(yōu)選為1以上且(k- 2)以下的整數(shù)，特別優(yōu)選1或2。當s為1以上時，多金屬氧烷中存在與具有由隨后將詳細描述 的式(b)或(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體結(jié)合或配位的Ml。包括包含此類多金屬氧烷的表面層的充 電構(gòu)件可以更有效地防止異常放電的發(fā)生。這可能是因為包含與配體結(jié)合且配位的Ml的多 金屬氧烷具有足夠淺的HOMO。
[0135] 根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷可以進一步具有由結(jié)構(gòu)式(a4)表示的結(jié)構(gòu)。具有此類結(jié) 構(gòu)的多金屬氧烷可以控制表面層的性質(zhì)。表面層的可控制的性質(zhì)的實例包括平滑性和強 度。
[0136] 結(jié)構(gòu)式(a4)
[0137] M10(k-t)/2(Ll)t
[0138] 其中，在結(jié)構(gòu)式(a4)中，Ml、k和L1與結(jié)構(gòu)式(al)中的Ml、k和L1相同；和t表示0以上 且(k-1)以下的整數(shù)。
[0139] 例如，在結(jié)構(gòu)式(a4)中Ml為Ti且t = 0的情況下，多金屬氧烷進一步包含Ti〇4/2。 [0140] 在t = l時，多金屬氧烷進一步包含TiOvKLlh。
[0141] 例如，在多金屬氧烷中金屬原子Ml的存在可以用能量分散型X射線光譜儀(EDAX) 來確認。金屬氧燒結(jié)構(gòu)的存在可以通過各種核磁共振(NMR)分析來確認。經(jīng)由結(jié)構(gòu)式(a3)表 示的連接基團與由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子結(jié)合的結(jié)構(gòu)式(a 1)中的M1可以 例如，由固體NMR分析中向歸因于與聚（乙烯基苯酚）的亞苯基中的羥基結(jié)合的碳原子的峰 的較低磁場側(cè)的化學(xué)位移來確認。后述實施例中將描述該方法的細節(jié)和分析條件。
[0142] 接著，將描述結(jié)構(gòu)式(al)中的L1的具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體和具有由式(c) 表示的結(jié)構(gòu)的配體。
[0143] 〈具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體〉
[0145]其中，在式(b)中，符號"**"表示與多金屬氧烷中的金屬原子Ml結(jié)合或配位的部 位;和XI表不由式（1)-(4)表不的結(jié)構(gòu)中的一種：
[0147] 其中，在式（1)_(4)中，符號"**"表示與多金屬氧烷中的金屬原子Ml結(jié)合的部位； 和符號"***"表示與A1結(jié)合的部位。
[0148] 在式(2)中，氮原子可以為如吡咯骨架、吲哚骨架、吡咯烷骨架、咔唑骨架、咪唑骨 架、苯并咪唑骨架、吡唑骨架、吲唑骨架、三唑骨架、苯并三唑骨架、四唑骨架、吡咯烷酮骨 架、哌啶骨架、嗎啉骨架和哌嗪骨架等雜環(huán)骨架中的氮原子。這些骨架可以具有取代基。取 代基的實例包括具有1-10個碳原子的直鏈或支鏈烷基或烷氧基。具有1-4個碳原子的這些 是更優(yōu)選的（隨后說明書中的取代基相同，除非另有說明）。如果氮原子不是雜環(huán)骨架中的 氮原子，則經(jīng)由除了 A1和Ml以外的部位與氮原子結(jié)合的原子或基團表示氫原子、取代或未 取代的芳基或具有1-10個碳原子的烷基。具體地，其實例包括如苯基和萘基等芳基；如甲 基、乙基、正丙基、正丁基、正己基、正辛基、正壬基和正癸基等直鏈烷基;如異丙基和叔丁基 等支鏈烷基;和如環(huán)戊基和環(huán)己基等環(huán)狀烷基。特別是，由式(2)表示的基團可以為除去與 氮原子結(jié)合的一個氫原子的未取代的氨基、具有1-4個碳原子的單烷基氨基、或者具有吡咯 骨架的二價基團。
[0149] 式(b)中的Y1表示具有與式(a)中的Ml配位的部位并且包含具有非共有電子對的 原子的基團。具體地，其實例包括羥基、烷氧基、芳氧基、羰基、硫代基(thio group)、燒硫 基、芳硫基、硫代羰基、取代或未取代的氨基和取代或未取代的亞氨基。
[0150]烷氧基的實例包括具有1-10個碳原子的直鏈或支鏈烷氧基。具體地，其實例包括 甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基和叔丁氧基。優(yōu)選的烷氧基為具有1-4個碳 原子的烷氧基。
[0151] 芳氧基的實例包括苯氧基和萘氧基。這些基團可以具有取代基。
[0152] 烷硫基的實例包括其中用硫原子取代氧原子的烷氧基。
[0153] 芳硫基的實例包括其中由用硫原子取代氧原子的芳氧基。
[0154] 羰基的實例包括甲?；?、羧基、烷基羰基、烷氧基羰基、芳基羰基、酰胺基(R-C0-NR-或R-NR-C0-)、脈基（ureido group) (NH2-C0-NH-)和尿素基（urea group) (R-NH-C0-NH-)。優(yōu)選的是，烷基羰基和烷氧基羰基中的烷基、以及酰胺基和尿素基中的R各自獨立地 表示氫原子或者具有1-10個碳原子的直鏈或支鏈烷基。具體地，其實例包括如甲基、乙基、 正丙基、正丁基、正己基、正辛基、正壬基和正癸基等直鏈烷基;和如異丙基和叔丁基等支鏈 烷基。具有1-4個碳原子的那些是更優(yōu)選的。
[0155] 芳基羰基的實例包括具有與羰基結(jié)合的取代或未取代的芳香烴的基團、或具有與 羰基結(jié)合的取代或未取代的芳香族雜環(huán)的基團，具體地，其實例包括取代或未取代的苯基 羰基和萘基羰基。
[0156] 硫代羰基的實例包括其中用硫原子取代羰基的氧原子的基團。
[0157] 取代的氨基的實例包括烷基氨基、二烷基氨基和取代或未取代的芳基氨基。具體 地，其實例包括如單甲基氨基和單乙基氨基等具有1-10個碳原子的單烷基氨基;如二甲基 氨基、二乙基氨基和甲基乙基氨基等具有1-10個碳原子的二烷基氨基;和如單苯基氨基、甲 基苯基氨基、二苯基氨基和萘基氨基等具有1-10個碳原子的取代或未取代的芳基氨基。
[0158] 未取代的亞氨基為由〉C = NH或N=CH2表示的基團。未取代的亞氨基的氫原子可以 由具有1-10個碳原子的烷基或者取代或未取代的芳基(苯基、萘基)取代。
[0159] Y1可以為具有脂肪族或芳香族雜環(huán)骨架的基團。芳香族雜環(huán)骨架的實例包括噻吩 骨架、呋喃骨架、吡啶骨架、吡喃骨架、苯并噻吩骨架、苯并呋喃骨架、喹啉骨架、異喹啉骨 架、噁唑骨架、苯并噁唑骨架、噻唑骨架、苯并噻唑骨架、噻二唑（thiadiazole)骨架、苯并噻 二唑骨架、噠嗪骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吩嗪骨架、吖啶骨架、咕噸骨架、咪唑骨架、苯并 咪唑骨架、吡唑骨架、吲唑骨架、三唑骨架、苯并三唑骨架和四唑骨架。這些骨架可以具有取 代基。脂肪族雜環(huán)骨架的實例包括取代或未取代的嗎啉骨架。
[0160] 對于Y1的這些基團中，優(yōu)選的基團為羥基、具有1-4個碳原子烷氧基、取代或未取 代的苯氧基、取代或未取代的萘氧基、甲?；⒕哂杏?-4個碳原子的烷基的烷基羰基、具有 有1-4個碳原子的烷氧基的烷氧基羰基、硫代羰基、二甲基酰胺基、二乙基酰胺基、乙基甲基 酰胺基、未取代的氨基、單甲基氨基、單乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、單苯基氨基、甲 基乙基氨基、甲基苯基氨基、二苯基氨基、萘基氨基、未取代的亞氨基、甲基亞氨基 (methanimino group)、乙基亞氨基、具有吡啶骨架的基團、具有喹啉骨架的基團或具有異 喹啉骨架的基團。
[0161 ] 在式(b)中，A1為與Ml、X1和Y1形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團。如果A1為與 M1、X1和Y1形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的原子團，則原子團的實例包括以下：如亞甲基、亞乙基、 二亞甲基和四亞甲基等亞烷基；如亞乙烯基、亞丙烯基、亞丁烯基和亞戊烯基等亞烯基；以 及具有取代或未取代的芳香環(huán)(苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、苯并 噻吩環(huán)、苯并呋喃環(huán)、喹啉環(huán)和異喹啉環(huán))的原子團。A1特別優(yōu)選為鍵、亞烷基或具有取代或 未取代的芳香環(huán)（苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、喹啉環(huán)和異喹啉環(huán)）的原子團。與對 于A1的亞烯基相比，對于A1的這些基團產(chǎn)生由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的較高的穩(wěn)定性和較高的 防止異常放電的效果。
[0162] 如果A1為具有芳香環(huán)的原子團，則A1可以與Y1的芳香族雜環(huán)和XI的芳香族雜環(huán)之 一或二者形成稠環(huán)。
[0163] 從配合物的形成容易性的觀點，由A1、M1、X1和Y1形成的環(huán)優(yōu)選為5元環(huán)或6元環(huán)。
[0164] 具體地，由式(b)表示的配體優(yōu)選為以下。
[0165] 如果XI為由式（1)表示的配體，由式(b)表示的配體優(yōu)選為由式(5)_(9)之一表示 的結(jié)構(gòu)：
[0167] 其中，在式(5)-(8)中，R101-R104各自獨立地為氫原子、甲氧基或乙氧基;Y11-Y14 各自獨立地表示甲氧基、乙氧基、甲酰基、甲基羰基、乙基羰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、二 甲基酰胺基、二乙基酰胺基、甲基乙基酰胺基、甲硫基、乙硫基、硫代羰基、二甲基氨基、二乙 基氨基、乙基甲基氨基、未取代的亞氨基、甲基亞氨基、乙基亞氨基、具有吡啶骨架的基團、 具有喹啉骨架的基團或具有異喹啉骨架的基團；和符號"**"表示與多金屬氧烷中的金屬原 子Ml結(jié)合的部位；
[0169] 其中，在式(9)中，R105為具有1-4個碳原子的烷基、苯基或芐基;R106為氫原子或 具有1-4個碳原子的烷基;R107為具有1-4個碳原子的烷基、具有1-4個碳原子的烷氧基、苯 基或芐基;和符號"**"表示與多金屬氧烷中的金屬原子Ml結(jié)合的部位。
[0170] 如果XI為由式(2)_(4)之一表示的配體，則X1、A1和Y1的優(yōu)選組合為以下。
[0171] A1為鍵、亞甲基、亞乙基或三亞甲基;XI為由式(2a)_(2c)、（3)和(4)之一表示的結(jié) 構(gòu)；和Y1為甲氧基、乙氧基、甲?；?、甲基羰基、乙基羰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、二甲基 酰胺基、二乙基酰胺基、甲基乙基酰胺基、甲硫基、乙硫基、硫代羰基、二甲基氨基、二乙基氨 基、乙基甲基氨基、未取代的亞氨基、甲基亞氨基、乙基亞氨基、具有吡啶骨架的基團、具有 喹啉骨架的基團或具有異喹啉骨架的基團。
[0173]其中，在式(2a)-(2c)、（3)和(4)中，符號表不與多金屬氧燒中的金屬原子Ml 結(jié)合的部位;和符號"***"表示與A1結(jié)合的部位。
[0174] 在式(b)中可以形成配體L1的化合物（以下，稱為"配體用化合物"）的具體實例示 于表1 -4。將選取其中的一些，并且具體說明。
[0175] 其中XI由式(4)表示的配體用化合物的實例包括由式（101)表示的鄰甲氧基苯甲 酸：
[0177] 鄰甲氧基苯甲酸如下形成配合物:除去羧基的氫原子從而使羧基的氧原子與金屬 原子結(jié)合，并且甲氧基的氧原子與金屬原子配位。殘部1，2_亞苯基相當于A1。
[0178] 如果鄰甲氧基苯甲酸與異丙氧基鈦以2:1的摩爾比混合以形成配合物，并且該配 合物與聚（乙烯基苯酚)混合，則認為例如形成由式（102)表示的結(jié)構(gòu)：
[0180]其中XI由式（1)表示的配體用化合物的實例包括由式（103)表示的4-羥基-5-氮雜 4F(4-hydroxy-5-azaphenanthrene)：
[0182] 4-羥基-5-氮雜菲如下形成配合物:除去羥基的氫原子從而使氧原子與金屬原子 結(jié)合，并且吡啶骨架中的氮原子與金屬原子配位。萘骨架相當于A1。吡啶骨架和萘骨架形成 稠環(huán)，獲得氮雜菲骨架。
[0183] 其中XI由式(2)表示的配體用化合物的實例包括由式（104)表示的2-乙?；量?br>[0185] 2-乙?；量┤缦滦纬膳浜衔?使吡咯骨架中的氮原子與金屬原子結(jié)合，并且乙 ?；难踉优c金屬原子配位。乙?；c吡咯基之間的鍵相當于A1。
[0186] 配體用化合物的其它實例包括由式(9)表示的配體用化合物。以下化合物沒有在 表1-4中示出。
[0187] 如乙酰丙酮、3-乙基-2，4-戊二酮、3，5-庚二酮、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮、2， 6-二甲基-3，5-庚二酮、6-甲基-2，4-庚二酮、1-苯基-1，3-丁二酮、3-苯基-2，4-戊二酮和1， 3-二苯基-1，3-丙二酮等二酮;和如乙酰乙酸甲酯、3-氧代戊酸甲酯、4-氧代己酸甲酯、異 丁酰乙酸甲酯、4,4_二甲基-3-氧代戊酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸叔丁酯、乙酰乙酸異 丙酯、乙酰乙酸丁酯和乙酰乙酸芐酯等酮酯。
[0188] 在這些化合物中，例如，在由式（105)表示的乙酰丙酮中，烯醇形式的羥基的氧原 子相當于XI，甲基羰基相當于Y1，和殘部相當于A1。
[0190] 如果乙酰丙酮與異丙氧基鈦以2:1的摩爾比混合以形成配合物，并且該配合物與 聚（乙烯基苯酚)混合，則認為形成由式（106)表示的結(jié)構(gòu)：




[0196]〈具有由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體〉
[0198]其中，在式(c)中，R11-R15各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三 甲基甲硅烷基。R11-R15優(yōu)選為給電子基團從而使根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷的最高占有分 子軌道(HOMO)較淺。即，Rl 1-R15優(yōu)選為甲基、叔丁基或三甲基甲硅烷基。
[0199] 在式(c)中，符號"****"表示與多金屬氧烷中的金屬原子Ml配位的部位。
[0200] 與金屬原子配位和結(jié)合以形成由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的化合物的具體實例示于表5 中。在表5所示的結(jié)構(gòu)中，"Me"表示甲基。
[0201] 表5
[0203] 在式(b)和式(c)中，與每個金屬原子配位的配體L1的個數(shù)不限于一個。不僅一種 配體而且兩種以上的配體可以與金屬原子Ml配位。
[0204][支承體]
[0205] 與感光構(gòu)件接觸的支承體應(yīng)當具有充分的剛性，并且可以由金屬材料形成。具體 地，金屬材料的實例包括鐵、銅、不銹鋼、鋁、鋁合金和鎳?？梢允褂糜捎锰盍涎a強的樹脂形 成的支承體。
[0206] [彈性層]
[0207] 彈性層可以由如橡膠或熱塑性彈性體等一般用于充電構(gòu)件的彈性層的彈性材料 形成。可以單獨或者組合使用使用這些材料。
[0208] 具體地，橡膠的實例包括聚氨酯橡膠、硅橡膠、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡 膠、丁苯橡膠、乙丙橡膠、聚降冰片烯橡膠、丙烯腈橡膠、表氯醇橡膠和烷基醚橡膠。熱塑性 彈性體的實例包括苯乙烯系彈性體和烯烴系彈性體。
[0209] 彈性層可以包含導(dǎo)電劑從而具有預(yù)定的導(dǎo)電性。彈性層的電阻適合在1.0X102Q 以上且1.0X108Q以下的范圍內(nèi)。
[0210] 可以用于導(dǎo)電性彈性層的導(dǎo)電劑的實例包括碳系材料、金屬氧化物、金屬、陽離子 性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、兩性表面活性劑、帶電防止劑和電解質(zhì)。
[0211] 具體地，碳系材料的實例包括導(dǎo)電性炭黑和石墨。具體地，金屬氧化物的實例包括 氧化錫、氧化鈦和氧化鋅。具體地，金屬的實例包括鎳、銅、銀和鍺。
[0212]具體地，陽離子性表面活性劑的實例包括季銨鹽（月桂基三甲基銨、硬脂基三甲基 銨、十八烷基三甲基銨、十二烷基三甲基銨、十六烷基三甲基銨和改性的脂肪酸/二甲基乙 基銨）、高氯酸鹽、氯酸鹽、氟硼酸鹽、乙基硫酸鹽和鹵代芐基鹽(芐基溴鹽和芐基氯鹽）。
[0213]具體地，陰離子性表面活性劑的實例包括脂肪族磺酸鹽、高級醇硫酸酯、高級醇環(huán) 氧乙烷加成硫酸酯、高級醇磷酸酯和高級醇環(huán)氧乙烷加成磷酸酯。
[0214]帶電防止劑的實例包括如高級醇環(huán)氧乙烷、聚乙二醇脂肪酸酯和多元醇脂肪酸酯 等非離子性帶電防止劑。
[0215]電解質(zhì)的實例包括周期表中第I族金屬的鹽。具體地，周期表中第I族金屬的鹽的 實例包括 LiCF3S〇3、NaCl〇4、LiAsF6、LiBF4、NaSCN、KSCr#PNaCl。
[0216]周期表中第II族金屬的鹽(Ca(C104)2)或由此衍生的帶電防止劑也可以用作導(dǎo)電 性彈性層用導(dǎo)電劑?？梢允褂萌邕@些鹽和多元醇（1，4-丁二醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、 聚丙二醇)或其衍生物的配合物，或者這些鹽和一元醇（乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚)的配 合物等離子導(dǎo)電性導(dǎo)電劑。
[0217]彈性層可以具有6〇°以上且85°以下的MD-1硬度，從而防止與被充電的感光構(gòu)件接 觸的充電構(gòu)件的變形。彈性層可以具有拱狀，即，沿軸向的方向中央部的厚度大于端部的厚 度從而使充電構(gòu)件沿橫方向與感光構(gòu)件均勻接觸。
[0218] 根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷通過
[0219] -具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，和
[0220] -具有由式(d)表示的結(jié)構(gòu)的化合物的反應(yīng)來制備。即，根據(jù)本發(fā)明的多金屬氧烷 可以定義為具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物與具有由式(d)表示的結(jié)構(gòu)的金屬醇鹽的 反應(yīng)產(chǎn)物。不像由含有其中觀察到顆粒狀氧化鈦作為晶體結(jié)構(gòu)的存在的顆粒狀氧化鈦的粘 結(jié)劑樹脂形成的表面層，在根據(jù)本發(fā)明的表面層中沒有觀察到任何晶體結(jié)構(gòu)。即，根據(jù)本發(fā) 明，具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物與具有由式(d)表示的結(jié)構(gòu)的化合物的反應(yīng)產(chǎn)物 為非晶形狀態(tài)。反應(yīng)產(chǎn)物的非晶性例如可以通過借助X射線衍射儀(XRD)的晶體結(jié)構(gòu)的分析 來確認。該方法的細節(jié)和分析條件將在實施例中描述。
[0221]具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物的實例包括如聚（乙烯基苯酚）（聚羥基苯乙 烯)等包含乙烯基苯酚作為結(jié)構(gòu)單元的聚合物，以及酚醛清漆型酚醛樹脂。
[0222] M2(0R2)q-p(L2)P (d)
[0223] 其中，在式(d)中，M2與式(al)中的Ml相同，并且表示選自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、 八1、63、1]1和66組成的組的一種金屬原子$表示0以上的整數(shù)，條件是(91)為2以上 ;關(guān)于口， 在M2為Al、Ga或In的情況下，q = 3;在M2為Ti、Zr、Hf或Ge的情況下，q = 4;在M2為Nb、Ta或W的 情況下，q = 5;在M2為V的情況下，q = 3或5;和R2表示具有1-10個碳原子的烴基。
[0224] 對于(q-p)為2以上的條件，p優(yōu)選為1以上的整數(shù)，且更優(yōu)選p為1或2。具有至少一 個由L2表示的配體的金屬醇鹽的使用生成其中結(jié)構(gòu)式(al)中的s為1以上的多金屬氧烷。 即，多金屬氧烷中存在與由式(b)表示的配體或由式(c)表示的配體結(jié)合和配位的金屬原子 Ml。包括包含此類多金屬氧烷的表面層的充電構(gòu)件可以更顯著地防止異常放電的發(fā)生。認 為這是因為多金屬氧烷具有較淺的HOMO。當p為2以上時，各L2可以不同。
[0225] R2優(yōu)選為具有1-4個碳原子的烴基。
[0226] L2表示具有由式(e)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(f)表示的結(jié)構(gòu)的配體。
[0228]其中，在式(e)中，符號"**"表示與最終為多金屬氧烷中的金屬原子Ml的金屬原子 M2結(jié)合或配位的部位。A2和Y2分別于上述A1和Y1相同。X2表示由式（10)-(13)表示的結(jié)構(gòu)之
[0230]其中，在式（10)-(13)中，符號"**"表不與金屬原子M2結(jié)合的部位;和符號"***"表 示與A2結(jié)合的部位。由式(10)-(13)表示的具體結(jié)構(gòu)各自與式(1)-(4)相同。
[0232] 其中，在式(f)中，符號"****"表示與金屬原子M2配位的部位;和R21-R25各自與上 述R11-R15相同。
[0233] 此處，通過在含有具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和具有由式(d)表示的結(jié) 構(gòu)的化合物的反應(yīng)體系中使由式(d'）表示的化合物共存可以獲得進一步具有由式(a4)表 示的結(jié)構(gòu)的多金屬氧烷，其中，式(a4)中的t為"k-1"，
[0234] M2(0R2)q_p'（L2)p' （d，）
[0235] 其中，在式(d'）中，p'表示(q_l)的整數(shù)。
[0236][表面層的形成]
[0237]根據(jù)本發(fā)明的表面層通過以下步驟(i)-(iii)來形成：
[0238] (i)制備表面層形成用涂布液的步驟，
[0239] (i i)形成涂布液的涂膜的步驟，和
[0240] (iii)干燥涂膜的步驟。
[0241] (i)制備涂布液的步驟
[0242] 涂布液可以通過以下步驟1和2來制備。
[0243] 〈步驟 1>
[0244] 步驟1為制備形成涂布液的原料的溶液的步驟。
[0245] 具體地，制備具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物的溶液（以下，稱為"聚合物溶 液"）。制備由式(d)表示的化合物的溶液(以下，稱為"金屬醇鹽溶液"）。
[0246] 如果其中p為1以上的化合物，即，具有與金屬原子M2配位的配體L2的化合物用作 由式(d)表示的化合物，則其中M2與配體L2配位的由式(d)表示的化合物的溶液可以如下制 備:例如，各自制備作為不具有配位的配體L2的原料的金屬醇鹽溶液和配體L2的原料的溶 液，并將其混合。在該情況下，配體用化合物優(yōu)選以〇.5mol以上、更優(yōu)選lmol以上的量添加 至lmol的作為原料金屬醇鹽。幾種化合物或金屬醇鹽可以以組合使用。在式(e)和式(f)中， 每個金屬原子配位的配體L2的個數(shù)不限于一個。金屬原子M2可以與一種配體配位或者與兩 種以上的配體配位。
[0247] 如果可行，則采購與配體用化合物配位的金屬醇鹽，并且可以原樣使用。
[0248] 如果其中p為0的化合物用作由式(d)表示的化合物，由式(d)表示的化合物對應(yīng)于 作為原料的金屬醇鹽。
[0249] 其中M2不與L2配位的可用作原料的金屬醇鹽的實例包括鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、 鋁、鎵、銦和鍺的醇鹽。
[0250] 醇鹽的實例包括如甲醇鹽、乙醇鹽、正丙醇鹽、異丙醇鹽、正丁醇鹽、2-丁醇鹽和叔 丁醇鹽等具有1-10個碳原子的醇鹽。優(yōu)選的醇鹽為具有1-4個碳原子的那些。
[0251 ]〈步驟 2>
[0252] 步驟2為將步驟1中制備的聚合物溶液與步驟1中制備的金屬醇鹽溶液混合以制備 涂布液的步驟。
[0253] 在步驟2中，在聚合物溶液與金屬醇鹽溶液混合時，優(yōu)選將O.Olmol以上、更優(yōu)選 0. lmo 1以上的由式(d)表示的化合物添加至具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物。
[0254] 例如，烷氧基硅烷可以添加至涂布液中，從而將由式(a4)表示的結(jié)構(gòu)引入至多金 屬氧燒以使表面層改性。烷氧基硅烷的實例包括四烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和^烷氧基 硅烷。
[0255] 四烷氧基硅烷的具體實例包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四（正丙基)硅烷、四 (異丙氧基)硅烷、四（正丁氧基)硅烷、四（2-丁氧基)硅烷和四（叔丁氧基)硅烷。
[0256] 三烷氧基硅烷的實例包括三甲氧基硅烷類和三乙氧基硅烷類。
[0257] 三甲氧基硅烷類的具體實例包括三甲氧基氫硅烷(trimethoxyhydrosi lane)、三 甲氧基甲基硅烷、三甲氧基乙基硅烷、三甲氧基（正丙基)硅烷、三甲氧基（異丙氧基)硅烷、 三甲氧基(正丁氧基)硅烷、三甲氧基(2-丁氧基)硅烷、三甲氧基(叔丁氧基)硅烷、三甲氧基 (正己基)硅烷、三甲氧基(正辛基)硅烷、三甲氧基(正癸基)硅烷、三甲氧基(正十二烷基)硅 烷、三甲氧基（正十四烷基）硅烷、三甲氧基（正十五烷基）硅烷、三甲氧基（正十六烷基）硅 烷、三甲氧基（正十八烷基)硅烷、三甲氧基環(huán)己基硅烷、三甲氧基苯基硅烷和三甲氧基（3-縮水甘油基丙基)硅烷。
[0258] 三乙氧基硅烷類的具體實例包括三乙氧基氫硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三乙氧基 乙基硅烷、二乙氧基(正丙基)硅烷、二乙氧基（異丙氧基)硅烷、二乙氧基(正丁氧基)硅烷、 三乙氧基（2-丁氧基）硅烷、三乙氧基（叔丁氧基）硅烷、三乙氧基（正己基）硅烷、三乙氧基 (正辛基)硅烷、三乙氧基（正癸基)硅烷、三乙氧基（正十二烷基)硅烷、三乙氧基（正十四烷 基）硅烷、二乙氧基（正十五烷基）硅烷、二乙氧基（正十八烷基）硅烷、二乙氧基（正十八燒 基)硅烷、三乙氧基環(huán)己基硅烷、三乙氧基苯基硅烷和三乙氧基(3-縮水甘油基丙基)硅烷。
[0259] 二烷氧基硅烷的實例包括二甲氧基硅烷類和二乙氧基硅烷類。
[0260] 二甲氧基硅烷類的具體實例包括二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二乙基硅烷、二 甲氧基甲基苯基硅烷、二甲氧基二苯基硅烷和二甲氧基(雙-3-縮水甘油基丙基)硅烷。 [0261] 二乙氧基硅烷類的具體實例包括二乙氧基二甲基硅烷、二乙氧基二乙基硅烷、二 乙氧基甲基苯基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷和二乙氧基(雙-3-縮水甘油基丙基)硅烷。
[0262] 可以使用可以溶解金屬醇鹽和以上列出的化合物的任何有機溶劑而沒有限定，并 且可以使用醇系溶劑、醚系溶劑、溶纖劑系溶劑、酮系溶劑和酯系溶劑。具體地，醇系溶劑的 實例包括甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、1-戊醇和環(huán)己醇。具體地，醚 系溶劑的實例包括二甲氧基乙烷。具體地，溶纖劑系溶劑的實例包括甲基溶纖劑和乙基溶 纖劑。具體地，酮系溶劑的實例包括丙酮、甲基乙基酮和甲基異丁基酮。具體地，酯系溶劑的 實例包括乙酸甲酯和乙酸乙酯?？梢詥为毣蛘咭云浠旌衔锏男问绞褂檬褂眠@些有機溶劑。
[0263] (i i)形成涂布液的涂膜的步驟
[0264] 步驟（i)中制備的涂布液的涂膜可以通過一般使用的形成涂膜的任意方法來形 成。具體地，其實例包括用輥涂機、浸漬涂布和環(huán)涂布等涂布。
[0265] (iii)干燥涂膜的步驟
[0266] 將涂布液的涂膜干燥以形成根據(jù)本發(fā)明的表面層。涂膜可以通過加熱來干燥。
[0267] 在步驟（i)_步驟（iii)的步驟2中，將涂布液中的由式(d)表示的化合物供給至以 下兩個反應(yīng)。
[0268] -其中由式(d)表示的化合物中的烷氧基通過水解轉(zhuǎn)化為羥基，并且生成的羥基彼 此縮合以生成金屬氧烷鍵的反應(yīng)。
[0269] -其中由式（d)表示的化合物的金屬原子M2與聚合物中的酚羥基反應(yīng)以經(jīng)由式 (a3)表示的連接基團與聚合物結(jié)合的反應(yīng)。
[0270] 結(jié)果，形成根據(jù)本發(fā)明的包含多金屬氧烷的表面層。
[0271] 通過用于涂布液的制備的有機溶劑中包含的微量水或者吸收入涂布液或涂膜中 的空氣中的水促進由式(d)表示的化合物的水解。水解程度和縮合程度可以通過向涂布液 中添加水來控制。
[0272] 可以處理在干燥步驟期間涂膜的表面或干燥之后表面層的表面以控制如表面層 表面的摩擦系數(shù)或表面自由能等表面物理性質(zhì)。此類處理的實例包括用活性能量射線照射 表面的方法?；钚阅芰可渚€的實例包括紫外光、紅外線和電子束。在這些方法中，優(yōu)選使用 紫外光。表面可以用紫外光照射使得累積光量為5000J/cm 2以上且lOOOOJ/cm2以下。
[0273] 表面層的厚度優(yōu)選為0 ? 005iim-30iim，更優(yōu)選0 ? 005iim-5iim。
[0274] 具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物與金屬醇鹽之間的相互作用可以通過固體 NMR分析來確認。
[0275] 〈電子照相設(shè)備和處理盒〉
[0276] 包括根據(jù)本發(fā)明的充電構(gòu)件的電子照相設(shè)備的實例示于圖2,和包括根據(jù)本發(fā)明 的充電構(gòu)件的處理盒的實例示于圖3。感光構(gòu)件4為旋轉(zhuǎn)鼓型的圖像承載構(gòu)件。感光構(gòu)件4沿 由圖中的箭頭所示的順時針旋轉(zhuǎn)，并且在預(yù)定的圓周速度下驅(qū)動。
[0277] 具有輥形狀的充電構(gòu)件5(以下，也稱為"充電輯"）在預(yù)定的壓力下與感光構(gòu)件4的 表面接觸。并且，充電輥5沿感光構(gòu)件4的旋轉(zhuǎn)的正方向旋轉(zhuǎn)。通過充電偏壓施加電源19將預(yù) 定的直流電壓施加至充電輥5(DC充電法）。需要注意的是，在后述實施例中，施加至充電輥 的直流電壓設(shè)定為-1050V。從而使感光構(gòu)件4的表面以預(yù)定的極性電位均勾地帶電。需要注 意的是，在后述實施例中，暗區(qū)電位設(shè)定為-500V。
[0278] 從曝光裝置(未示出）將對應(yīng)于目標圖像上的信息的圖像曝光光11照射至感光構(gòu) 件4的帶電表面。結(jié)果，感光構(gòu)件4的帶電表面的亮區(qū)電位選擇性降低(衰減），從而在感光構(gòu) 件4上形成靜電潛像。需要注意的是，在后述實施例中，亮區(qū)電位設(shè)定為-150V。已知的曝光 裝置如激光束掃描器可以用作未示出的曝光裝置。
[0279] 顯影輥6將具有與感光構(gòu)件4的帶電極性相同的極性的帶電調(diào)色劑（負調(diào)色劑)選 擇性地附著至感光構(gòu)件4表面上的靜電潛像的曝光亮區(qū)，從而使靜電潛像可視化為調(diào)色劑 圖像。在后述實施例中，顯影偏壓為-400V?？梢允褂萌魏物@影法，例如，跳躍顯影法、接觸顯 影法和磁刷法。對于輸出彩色圖像的電子照相設(shè)備，在能夠有效地抑制調(diào)色劑的飛散性方 面，接觸顯影法是特別優(yōu)選的。
[0280] 轉(zhuǎn)印輥8與感光構(gòu)件4在預(yù)定的壓力下接觸，并且沿感光構(gòu)件4的旋轉(zhuǎn)的正方向以 與感光構(gòu)件4的旋轉(zhuǎn)的圓周速度基本相同的圓周速度旋轉(zhuǎn)。由轉(zhuǎn)印偏壓施加電源施加具有 與調(diào)色劑的帶電極性相反的極性的轉(zhuǎn)印電壓。轉(zhuǎn)印介質(zhì)7從供紙機構(gòu)(未示出）在預(yù)定的時 刻供給至感光構(gòu)件4與轉(zhuǎn)印輥8之間的接觸部。通過施加有轉(zhuǎn)印電壓的轉(zhuǎn)印輥8以與調(diào)色劑 的帶電極性相反的極性使轉(zhuǎn)印介質(zhì)7的背面帶電。感光構(gòu)件表面上的調(diào)色劑圖像靜電轉(zhuǎn)印 至在感光構(gòu)件4與轉(zhuǎn)印輥8之間的接觸部的轉(zhuǎn)印介質(zhì)7的表面上。任何已知的單元可以用作 轉(zhuǎn)印輥8。具體地，其實例包括包含由金屬制成的且覆蓋有具有調(diào)節(jié)的中值電阻的彈性層的 導(dǎo)電性支承體的轉(zhuǎn)印輥。
[0281] 具有轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印介質(zhì)7與感光構(gòu)件的表面分離，并且引入至定影裝 置9。使調(diào)色劑圖像定影，并且輸出作為圖像形成物的轉(zhuǎn)印介質(zhì)。在雙面圖像形成模式或多 重圖像形成模式時，該圖像形成物引入至再循環(huán)輸送機構(gòu)(未示出）從而再引入至轉(zhuǎn)印部。 通過具有清潔刮板10的清潔裝置14從感光構(gòu)件4回收感光構(gòu)件4上的轉(zhuǎn)印殘余調(diào)色劑。如果 感光構(gòu)件4具有殘留電荷，則應(yīng)當在轉(zhuǎn)印之后且通過充電輥5的一次充電之前通過預(yù)曝光裝 置(未示出）來除去感光構(gòu)件4的殘留電荷。用于后述實施例中的圖像形成的設(shè)備不包括預(yù) 曝光裝置。
[0282] 根據(jù)本發(fā)明的處理盒構(gòu)造為可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體并且一體化地 支承至少充電構(gòu)件和感光構(gòu)件。用于后述實施例的處理盒一體化地支承充電輥5、感光構(gòu)件 4、顯影輯6和清潔裝置14。
[0283] 本發(fā)明的一方面可以提供一種充電構(gòu)件，其具有高充電能力，并且甚至在低溫低 濕下也可以防止強的局部放電（異常放電）的發(fā)生。本發(fā)明的另一方面可以提供處理盒和電 子照相設(shè)備，其在低溫低濕下可以防止強的局部放電（異常放電）的發(fā)生，并且可以形成具 有高品質(zhì)的電子照相圖像。
[0284] 實施例
[0285] 以下，將通過具體實例更詳細地描述本發(fā)明。在實施例中的化合物的說明中，"份" 表示"質(zhì)量份"，除非另有說明。
[0286] -系列的用于實施例的試劑示于表6。
[0288] (涂布液的制備和結(jié)構(gòu)分析）
[0289] [涂布液E1]
[0290](步驟 1)
[0291 ]〈具有酚羥基的化合物的溶液的制備〉
[0292] 將甲基異丁基酮(99.0g)和聚（乙烯基苯酚）（1.01g)放入200mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0293] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0294] 將乙醇（15.1g)和異丙醇鈦(0.39g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0295] 〈配體用化合物的溶液的制備〉
[0296] 將鄰甲氧基苯甲酸(0.42g)和乙醇（34.2g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從 而制備鄰甲氧基苯甲酸的乙醇溶液。
[0297] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0298]添加以上制備的異丙醇鈦的乙醇溶液和鄰甲氧基苯甲酸的乙醇溶液，并且在攪拌 下混合。認為在該步驟制備的溶液中由于異丙醇鈦的水解和縮合反應(yīng)而形成鈦氧烷鍵 (titanoxane bond)，并且鄰甲氧基苯甲酸與鈦原子配位，從而形成配合物。
[0299](步驟 2)
[0300]將步驟1中制備的聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(35.0g)和步驟1中制備的 金屬配合物的溶液(15.0g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E1。
[0301][涂布液 C1]
[0302] 將甲基異丁基酮(99.0g)和聚（乙烯基苯酚）（1.01g)放入200mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備涂布液C1。
[0303][涂布液 C2]
[0304]〈金屬醇鹽的溶液的制備〉
[0305] 將乙醇（15.1g)和異丙醇鈦(0.39g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0306]〈配體用化合物的溶液的制備〉
[0307] 將鄰甲氧基苯甲酸(0.42g)和乙醇（34.2g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從 而制備鄰甲氧基苯甲酸的乙醇溶液。
[0308]〈金屬配合物溶液的制備〉
[0309]將鄰甲氧基苯甲酸的乙醇溶液添加至以上制備的異丙醇鈦的乙醇溶液并且充分 攪拌，從而制備涂布液C2。
[0310][涂布液 E2]
[0311] (步驟 1)
[0312] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0313] 稱量聚（乙烯基苯酚）（〇.45g)和二甲氧基乙烷(44.6g)，放入100mL的玻璃容器中 并且攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的二甲氧基乙烷溶液。
[0314] 〈金屬醇鹽的溶液的制備〉
[0315] 稱量2-丁醇(48.3g)和異丙醇鈦（1.78g)，并且放入100mL的玻璃容器中并且攪拌， 從而制備異丙醇鈦的2-丁醇溶液。
[0316](步驟2)
[0317]將聚（乙烯基苯酚）的二甲氧基乙烷溶液(45.Og)和以上制備的異丙醇鈦的2-丁醇 溶液(5. Og)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E2。
[0318] [涂布液 C3]
[0319] 稱量2-丁醇(48.3g)和異丙醇鈦（1.78g)，放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而 制備涂布液C3。
[0320] [涂布液 C4]
[0321] 稱量聚（乙烯基苯酚）（0.45g)、二甲氧基乙烷(44.6g)和金紅石型氧化鈦CR-EL(由 Ishihara Sangyo Kaisha，Ltd.制造）（0.051 g)，放入100mL的玻璃容器中并且充分攪拌，從 而制備涂布液W。
[0322] [涂布液 E3-E6]
[0323] 步驟 1
[0324] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0325] 除了將聚（乙烯基苯酚)的量改變?yōu)?.00g以外，以與涂布液E1的制備的步驟1中具 有酚羥基的化合物溶液的制備相同的方式制備具有酚羥基的化合物溶液。
[0326] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0327] 稱量異丙醇(48.3g)和二異丙氧基雙（乙酰丙酮)鈦（1.78g)，放入100mL的玻璃容 器中并且攪拌，從而制備二異丙氧基雙（乙酰丙酮)鈦的異丙醇溶液。二異丙氧基雙（乙酰丙 酮)鈦為具有與乙酰丙酮配位的鈦原子的化合物。該步驟中制備的溶液為金屬醇鹽溶液和 金屬配合物溶液。
[0328] 步驟 2
[0329] 〈涂布液的制備〉
[0330]除了將二異丙氧基雙(乙酰丙酮)鈦的異丙醇溶液用作金屬配合物溶液，并且將與 具有酚羥基的化合物溶液的量關(guān)系改變?yōu)槿绫?中的"步驟2"所示以外，以與涂布液E1相同 的方式制備涂布液E3。
[0331 ]除了將步驟2中具有酚羥基的化合物溶液和金屬配合物溶液的混合量改變?yōu)槿绫?7中的"步驟2"所示以外，以與涂布液E3相同的方式制備涂布液E4-E6。
[0332][涂布液⑶]
[0333] 稱量異丙醇(48.3g)和二異丙氧基雙（乙酰丙酮)鈦（1.78g)，放入100mL的玻璃容 器中并且攪拌，從而制備涂布液C5。
[0334] [涂布液 E7_E9]
[0335] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0336] 除了將表6中的符號"P2"、"P3"和"P4"以表7中所示的量用作具有酚羥基的化合 物，并且涂布液E7的甲基異丁基酮的量由99.0g改變?yōu)?9. lg以外，以與根據(jù)涂布液E1的具 有酚羥基的化合物溶液相同的方式制備具有酚羥基的化合物溶液。
[0337] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0338]除了將乙醇的量由15.1 g改變?yōu)?5.0g以外，以與根據(jù)涂布液E1的金屬配合物溶液 的制備相同的方式制備金屬配合物溶液。
[0339] 〈涂布液的制備〉
[0340] 除了使用所得具有酚羥基的化合物的溶液，并且使用所得金屬配合物溶液以外， 以與涂布液E1相同的方式制備涂布液E7-E9。
[0341] [涂布液 C6_C8]
[0342] 除了將表6中的符號"P2"、"P3"和"P4"以表8所示的量用作具有酚羥基的化合物， 并且將涂布液C6的甲基異丁基酮的量由99.0g改變?yōu)?9. lg以外，以與涂布液C1相同的方式 制備涂布液C6-C8。
[0343] [涂布液 E10 和 E11]
[0344] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0345] 除了將表6中的符號"P5"和"P6"以表7所示的量用作具有酚羥基的化合物，并且將 涂布液E10的甲基異丁基酮的量由99.0g改變?yōu)?9.1 g以外，以與根據(jù)涂布液E1的具有酚羥 基的化合物溶液相同的方式制備具有酚羥基的化合物的甲基異丁基酮溶液。
[0346] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0347] 除了將金屬醇鹽溶液的制備時乙醇的量由15. lg改變?yōu)?5.0g，并且將配體用化合 物溶液的制備時乙醇的量由34.2g改變?yōu)?4.3g以外，以與根據(jù)涂布液E1的金屬配合物溶液 的制備相同的方式制備金屬配合物溶液。
[0348] 〈涂布液的制備〉
[0349] 除了使用所得具有酚羥基的化合物的甲基異丁基酮溶液和所得金屬配合物溶液， 并且將金屬配合物溶液和具有酚羥基的化合物溶液的量關(guān)系改變?yōu)槿绫?中的"步驟2"所 示以外，以與涂布液E1相同的方式制備涂布液E10和E11。
[0350] [涂布液 C9 和 C10]
[0351]除了將表6中的符號"P5"和"P6"以表8所示的量用作具有酚羥基的化合物，并且將 涂布液C10的甲基異丁基酮的量由99.0g改變?yōu)?9. lg以外，以與涂布液C1相同的方式制備 涂布液C9和C10。
[0352] [涂布液El 2]
[0353] (步驟 1)
[0354] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0355] 將聚（乙烯基苯酚）（0.45g)和2-丁醇(44.6g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌， 從而制備聚（乙烯基苯酚)的2-丁醇溶液。
[0356] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0357] 將四乙氧基乙酰丙酮化鉭(0.74g)和2-丁醇(49.3g)放入100mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備四乙氧基乙酰丙酮鉭的2-丁醇溶液。四乙氧基乙酰丙酮鉭為具有與乙酰丙 酮配位的鉭原子的化合物。因此，該步驟中制備的溶液為金屬醇鹽溶液和金屬配合物溶液。
[0358] (步驟2)
[0359] 〈涂布液的制備〉
[0360]將以上制備的聚（乙烯基苯酚）的2-丁醇溶液(35.0g)和四乙氧基乙酰丙酮鉭的2-丁醇溶液(15.0g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E12。
[0361] [涂布液E13]
[0362] (步驟 1)
[0363] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0364] 將聚（乙烯基苯酚）（0.44g)和2-丁醇(44.5g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌， 從而制備聚（乙烯基苯酚)的2-丁醇溶液。
[0365] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0366] 將二(仲丁氧基）乙基乙酰乙酸鋁（1.34g)和2-丁醇(48.6g)放入100mL的玻璃容器 中并且攪拌，從而制備二(仲丁氧基）乙基乙酰乙酸鋁的2-丁醇溶液。
[0367] 二（仲丁氧基）乙基乙酰乙酸鋁為具有與乙酰乙酸酯配位的鋁原子的化合物。因 此，該步驟中制備的溶液為金屬醇鹽溶液和金屬配合物溶液。
[0368] (步驟 2)
[0369] 〈涂布液的制備〉
[0370]將以上制備的聚（乙烯基苯酚）的2-丁醇溶液(35.0g)和二(仲丁氧基）乙基乙酰乙 酸鋁的2-丁醇溶液(15.0g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E13。
[0371] [涂布液 C11]
[0372] 將四乙氧基乙酰丙酮鉭(0.73g)和2-丁醇(49.3g)放入100mL的玻璃容器中并且攪 拌，從而制備涂布液C11。
[0373] [涂布液 C12]
[0374] 將二(仲丁氧基）乙基乙酰乙酸鋁（1.33g)和2-丁醇(48.6g)放入100mL的玻璃容器 中并且攪拌，從而制備涂布液C12。
[0375] [涂布液 E14-E16]
[0376] 步驟 1
[0377] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0378]除了將聚（乙烯基苯酚)的量改變?yōu)?.00g以外，以與涂布液E1的制備的步驟1中的 具有酚羥基的化合物溶液的制備相同的方式制備具有酚羥基的化合物溶液。
[0379]〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0380]將涂布液E1的制備的步驟1中的異丙醇鈦的乙醇溶液的制備中所使用的異丙醇鈦 和溶劑的量改變?yōu)槿绫?所示。除了這些以外，以與涂布液E1的制備中金屬醇鹽溶液的制備 相同的方式制備三種金屬醇鹽溶液。
[0381 ]〈配體用化合物的溶液的制備〉
[0382]將涂布液E1的制備的步驟1中的配體用化合物溶液的制備中所使用的配體用化合 物和溶劑的量改變?yōu)槿绫?所示。除了這些以外，以與涂布液E1的制備中配體用化合物溶液 的制備相同的方式制備配體用化合物溶液。
[0383]〈金屬配合物溶液的制備〉
[0384]除了使用三種金屬醇鹽溶液和配體用化合物溶液以外，以與涂布液E1的制備的步 驟1中的金屬配合物溶液的制備相同的方式制備三種金屬配合物溶液。
[0385] 步驟 2
[0386] 〈涂布液的制備〉
[0387] 除了將具有酚羥基的化合物溶液和以上制備的三種金屬配合物溶液以表7中的 "步驟2"所示的量混合以外，以與涂布液E1相同的方式制備涂布液E14-E16。
[0388] [涂布液 El7_E20]
[0389] 步驟 1
[0390] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0391] 除了將聚（乙烯基苯酚)的量改變?yōu)?. OOg以外，以與涂布液E1的制備的步驟1中的 具有酚羥基的化合物溶液的制備相同的方式制備具有酚羥基的化合物溶液。
[0392] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0393]將涂布液E1的制備的步驟1中的異丙醇鈦的乙醇溶液的制備中所使用的異丙醇鈦 和溶劑的量改變?yōu)槿绫?所示。除了這些以外，以與涂布液E1的制備中的金屬醇鹽溶液的制 備相同的方式制備金屬醇鹽溶液。
[0394] 〈配體用化合物溶液的制備〉
[0395] 將鄰甲氧基苯酚和乙醇以表7所示的量放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制 備鄰甲氧基苯酚的乙醇溶液。
[0396] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0397] 將金屬醇鹽溶液和配體用化合物溶液混合，從而制備金屬配合物溶液。
[0398] 步驟 2
[0399] 除了將以上制備的具有酚羥基的化合物溶液和金屬配合物溶液以表7中的"步驟 2"所示的量混合以外，以與涂布液E1相同的方式制備涂布液E17-E20。
[0400] [涂布液 C13]
[0401] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0402] 稱量乙醇（15.0g)和異丙醇鈦(0.46g)，放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制 備異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0403]〈配體用化合物溶液的制備〉
[0404] 將鄰甲氧基苯酚(0.41g)和乙醇（34.2g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而 制備鄰甲氧基苯酚的乙醇溶液。
[0405]〈金屬配合物溶液的制備〉
[0406]以上制備的異丙醇鈦的乙醇溶液和鄰甲氧基苯酚的乙醇溶液混合并且攪拌，從而 制備作為涂布液C13的金屬配合物溶液。
[0407][涂布液 E21]
[0408] (步驟 1)
[0409] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0410] 將甲基異丁基酮(99.0g)和聚（乙烯基苯酚）（1.00g)放入100mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0411] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0412] 將乙醇（15.1g)和異丙醇鈦(0.39g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0413] 〈配體用化合物水溶液的制備〉
[0414] 將鄰甲氧基苯甲酸(0.42g)、乙醇（34.1g)和離子交換水(0.049g)放入100mL的容 器中并且攪拌，從而制備鄰甲氧基苯甲酸的乙醇水溶液。
[0415] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0416] 將金屬醇鹽溶液和配體用化合物水溶液混合，從而制備具有與鄰甲氧基苯甲酸配 位的鈦原子的金屬配合物的水溶液。
[0417] (步驟 2)
[0418]〈涂布液的制備〉
[0419]將以上制備的聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(35.0g)和金屬配合物水溶液 (15.0g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E21。
[0420] [涂布液 E22]
[0421] (步驟 1)
[0422] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0423] 將甲基異丁基酮(99.1g)和聚（乙烯基苯酚）（1.01g)放入100mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0424] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0425] 將乙醇（15.0g)和異丙醇鈦(0.35g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0426] 〈配體用化合物水溶液的制備〉
[0427] 將喹哪啶酸(0.43g)、乙醇（34.2g)和離子交換水(0.044g)放入100mL的容器中并 且攪拌，從而制備喹哪啶酸的乙醇溶液。
[0428] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0429] 將將配體用化合物水溶液添加至金屬醇鹽溶液中并且攪拌，從而制備金屬配合物 水溶液。
[0430] (步驟 2)
[0431] 〈涂布液的制備〉
[0432] 將聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(35.0g)和金屬配合物水溶液（15.0g)放 入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E22。
[0433] [涂布液 E23]
[0434] (步驟 1)
[0435] 〈具有酚羥基的化合物溶液制備〉
[0436] 將甲基異丁基酮(99.1g)和聚（乙烯基苯酚）（1.00g)放入100mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0437] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0438] 將乙醇（15.0g)和異丙醇鈦(0.39g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0439] 〈配體用化合物溶液的制備〉
[0440] 將2-乙酰基吡咯(0.42g)和乙醇（34.1g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而 制備2-乙?；量┑囊掖既芤?。
[0441] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0442] 將2-乙?；量┑囊掖既芤禾砑又两饘俅见}溶液中并在攪拌下混合，從而制備金 屬配合物溶液。
[0443] (步驟 2)
[0444] 〈涂布液的制備〉
[0445] 將聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(35.0g)和金屬配合物溶液（15.0g)放入 100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E23。
[0446] [涂布液 E24]
[0447] (步驟 1)
[0448] 〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0449] 將甲基異丁基酮(99.0g)和聚（乙烯基苯酚）（1.00g)放入100mL的玻璃容器中并且 攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0450] 〈金屬醇鹽溶液的制備〉
[0451 ] 將乙醇（15.1g)和異丙醇鈦(0.53g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備 異丙醇鈦的乙醇溶液。
[0452] 〈配體用化合物溶液的制備〉
[0453] 將N，N-二甲基甘氨酸(0.39g)和乙醇（34.1g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌， 從而制備N，N-二甲基甘氨酸的乙醇溶液。
[0454] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0455] 將配體用化合物溶液添加至金屬醇鹽溶液中，并且在攪拌下混合，從而制備金屬 配合物溶液。
[0456] (步驟 2)
[0457] 〈涂布液的制備〉
[0458] 將聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(35.0g)和金屬配合物溶液（15.0g)放入 100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E24。
[0459] [涂布液 E25]
[0460] (步驟 1)
[0461 ]〈具有酚羥基的化合物溶液的制備〉
[0462] 稱量甲基異丁基酮(99. lg)和聚（乙烯基苯酚）（1.01g)，放入100mL的玻璃容器中 并且攪拌，從而制備聚（乙烯基苯酚)的甲基異丁基酮溶液。
[0463] 〈金屬配合物溶液的制備〉
[0464] 稱量乙醇（50.0g)和三甲氧基五甲基環(huán)戊二烯基鈦(0.39g)，放入100mL的玻璃容 器中并且攪拌，從而制備三甲氧基五甲基環(huán)戊二烯基鈦的乙醇溶液。三甲氧基五甲基環(huán)戊 二烯基鈦為具有與五甲基環(huán)戊二烯基配位的鈦原子的化合物。因此，該步驟中制備的溶液 為金屬醇鹽溶液和金屬配合物溶液。
[0465] (步驟 2)
[0466] 〈涂布液的制備〉
[0467] 將以上制備的聚（乙烯基苯酚）的甲基異丁基酮溶液(45.0g)和三甲氧基五甲基環(huán) 戊二烯基鈦的乙醇溶液(5.0g)放入100mL的玻璃容器中并且攪拌，從而制備涂布液E25。
[0468] 涂布液E1-E25的配方示于表7。涂布液C1-C13的配方的概要示于表8。

[0471] [多金屬氧烷的結(jié)構(gòu)分析]
[0472] 由涂布液形成的多金屬氧烷的結(jié)構(gòu)通過以下方法來分析。
[0473] (1)聚合物的酚羥基與金屬氧烷中的金屬原子之間鍵的有無:固體NMR
[0474] (2)多金屬氧烷中的金屬氧烷鍵的有無:固體NMR
[0475] (3)多金屬氧烷中的金屬原子的有無:EDAX
[0476] (4)金屬氧烷結(jié)構(gòu)中的與金屬原子配位的配體的有無:固體NMR
[0477] (5)多金屬氧烷的晶體結(jié)構(gòu)的分析:XRD
[0478] 以下，將詳細描述分析方法。
[0479] (1)固體NMR分析
[0480] 將涂布液E2和涂布液C4各自滴在用乙醇脫脂的鋁片上。然后使片以300rpm旋轉(zhuǎn)2 秒以形成涂膜。將涂模在常溫常濕(溫度:23°C，相對濕度:50%)的環(huán)境下干燥60分鐘。將該 片放入熱風(fēng)循環(huán)干燥爐中，并且在80°C的溫度下干燥60分鐘。將所得涂膜從該片剝離，并且 粉碎，從而制備測量用試樣。
[0481 ]用核磁共振設(shè)備（商品名：匪R spectrometer ECX 500 II;由 JOEL RESONANCE Inc.制造)通過固體NMR( 13C-CPMAS法)測量這些試樣以進行NMR分析。使用外徑為3.2mm的試 樣管在MAS速度為15kHz和累積旋數(shù)為256轉(zhuǎn)的條件下進行測量。
[0482] 測量結(jié)果示于圖4。在圖4中，實施例2的光譜表示涂布液E2,和比較例4的光譜表示 涂布液C4。用涂布液E2制備的多金屬氧烷表面層具有原料中不存在的峰D'。推測這是因為 作為羥基與異丙醇鈦之間反應(yīng)的結(jié)果，與聚（乙烯基苯酚）中的羥基結(jié)合的碳原子的峰D轉(zhuǎn) 移。因此，確認聚（乙烯基苯酚)與異丙醇鈦反應(yīng)。
[0483] 以與以上相同的方式分析涂布液E1和E3-E25的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，確認酚羥基與多金屬 氧烷中的金屬原子反應(yīng)。
[0484] (2) NMR分析(涂布液中包含的化合物的金屬氧烷鍵，如T i -0-T i鍵的存在的確認）
[0485] 用氧17-標記水(50原子％)將170引入至涂布液E2,并且涂布液E2用核磁共振設(shè)備 (商品名：AVANCE 500 NMR;由Bruker Corporation制造）來測量，從而測量溶液170的NMR并 進行NMR分析。
[0486] 結(jié)果，在170NMR光譜中在300-800ppm處檢測到峰，并且確認Ti-0-Ti鍵的存在。
[0487] (3)用涂布液制備的涂膜中金屬原子的存在的確認。
[0488] 用掃描電子顯微鏡（SEM)(商品名：S-3700N;由Hi tachi High-Technologies Corporation制造)觀察以與（1)相同的方式制備的試樣，并且用能量分散型X射線分析儀 (商品名：Xflash 6/30;由Bruker Corporation制造)進行元素分析。在施加的電壓為20kV、 探針的電流為80mA和倍率為X 300下在視野中進行元素分析。
[0489] 結(jié)果，在約4.5keV處出現(xiàn)源自Ti原子的Ka射線峰，并且確認Ti原子的存在。
[0490] (4)用涂布液E1和E3-E25制備的涂膜中與金屬配位的配體的確認。
[0491 ]在制備上述（1)中所述的固體NMR分析用試樣時，將涂布液E2改變?yōu)橥坎家篍1。其 余的，以與上述（1)所述的試樣制備方法相同的方式制備試樣。用核磁共振設(shè)備（商品名： AVANCE III 500 NMR;由Bruker Corporation制造）通過固體NMR(13C-CPMAS法）測量試樣以 進行NMR分析。使用外徑為3.2mm的試樣管在MAS速度為15kHz和累積轉(zhuǎn)數(shù)為256轉(zhuǎn)的條件下 進行測量。
[0492]結(jié)果，確認在13C匪R光譜中在160ppm處檢測到的峰（歸因于與鄰甲氧基苯甲酸的 甲氧基結(jié)合的碳原子)轉(zhuǎn)移至較低的磁場，并且鄰甲氧基苯甲酸與Ti配位。
[0493] 另外，關(guān)于涂布液E3至E25，以與上述相同的方式制備試樣并分析。結(jié)果，在各試樣 中，確認配體與金屬配位。
[0494] (5)通過XRD的晶體結(jié)構(gòu)分析
[0495] 將涂布液E2和涂布液C4各自滴在用乙醇脫脂的鋁片上。然后將該片以300rpm旋轉(zhuǎn) 2秒，從而形成涂模。將涂模在常溫常濕(溫度:23°C，相對濕度:50 % )的環(huán)境下干燥60分鐘。 將該片放入熱風(fēng)循環(huán)干燥爐中，并且在80°C的溫度下干燥60分鐘。將所得涂膜從該片剝離， 并且粉碎，從而制備測量用試樣。
[0496]將試樣設(shè)置在鋁試樣支持架上使得待測量的表面平滑地對齊。將試樣用X射線衍 射設(shè)備（商品名：RINT-TTR II;由Rigaku Corporation制造)進行20/0掃描，并且在20 = 3至 60°下測量。通過平行光束法、在50kV的X射線輸出下、使用300mA的CuKa射線和10.〇mm的發(fā) 散縱向限制狹縫(vertical diffusion restricting slit)進行X射線衍射測量。
[0497] 測量結(jié)果示于圖5A和圖5B。在由涂布液C4(比較例4)形成的表面層中，觀察到源自 具有金紅石型晶體結(jié)構(gòu)的氧化鈦的峰。相反，在由涂布液E2(實施例2)形成的表面層中不存 在源自晶體結(jié)構(gòu)的峰，因此，確認表面層為非晶形狀態(tài)。
[0498]用涂布液E1和E3-E25制備的試樣以與以上相同的方式進行晶體結(jié)構(gòu)分析。結(jié)果， 在全部試樣中，沒有觀察到源自晶體結(jié)構(gòu)的峰，并且確認這些為非晶形狀態(tài)。
[0499] (實施例1)
[0500] [導(dǎo)電性彈性輥1的制備]
[0501 ] 將表9所示的材料在6L的加壓捏合機(商品名：TD6-15MDX，由Toshin Co.，Ltd.制 造）中以70體積％的填充率和30rpm的葉片轉(zhuǎn)數(shù)混合24分鐘，從而制備未硫化橡膠組合物。 將作為硫化促進劑的二硫化四芐基秋蘭姆[商品名：Sanceler TBzTD，由Sanshin Chemical Indus try Co .，Ltd.制造](4.5份)和作為硫化劑的硫磺（1.2份)添加至未硫化的橡膠組合 物（174質(zhì)量份）中。用各自輥直徑為12英寸的開煉機，在前輥的轉(zhuǎn)數(shù)為8rpm、后輥的轉(zhuǎn)數(shù)為 lOrpm和輥的間隔為2mm下，將這些材料雙側(cè)切割總計20次。隨后，在0.5mm的輥間隔下進行 10次薄通，從而制備導(dǎo)電性彈性層用"捏合產(chǎn)物1"。
[0502]表 9
[0504] 接著，準備直徑為6mm和長度為252mm的由鋼制成的圓柱形支承體(具有鍍鎳表面。 以下，稱為"芯金屬"）。將包含金屬和橡膠的熱固性粘合劑（商品名：METALOC U-20，由 1'〇7〇1^831〇11(6111^11811〇(：0.，1^(1.制造)涂布在從芯金屬的軸方向的中央部朝向各端部寬 度為115.5mm的芯金屬的區(qū)域(沿軸方向總寬度為231mm的區(qū)域）。將該芯金屬在80 °C的溫度 下干燥30分鐘，并且在120°C下進一步干燥1小時，從而形成粘合層。
[0505] 通過使用十字頭的擠出成形，捏合產(chǎn)物1與芯軸，即，具有粘合層芯金屬同時同軸 擠出成為外徑為8.75-8.90mm的圓筒形。切斷兩端部，從而制備包括芯金屬和設(shè)置在芯金屬 的外周的未硫化導(dǎo)電性彈性層的輥。使用的擠出機具有70mm的料筒直徑且L/D = 20。將擠出 期間頭、料筒和螺桿的溫度調(diào)節(jié)為90°C。
[0506] 接著，使輥在設(shè)置有兩個具有不同溫度的區(qū)域的連續(xù)加熱爐中硫化。使輥在30分 鐘內(nèi)通過設(shè)定為80°C的溫度的第一區(qū)域，并且在30分鐘內(nèi)通過設(shè)定為160°C的溫度的第二 區(qū)域，從而制備導(dǎo)電性彈性輥1。
[0507] 接著，切斷導(dǎo)電性彈性輥1的導(dǎo)電性彈性層部分(橡膠部分)的兩端，從而制備沿軸 方向的寬度為232_的導(dǎo)電性彈性層。隨后，將導(dǎo)電性彈性層的表面用旋轉(zhuǎn)磨輪來研磨（工 作的轉(zhuǎn)數(shù):333rpm，磨輪的轉(zhuǎn)數(shù):2080rpm，研磨時間：12sec)。從而制備導(dǎo)電性彈性輯1。導(dǎo)電 性彈性輥1具有端部直徑為8 ? 26mm和中央部直徑為8 ? 50mm的拱形狀，表面的十點平均粗糙 度Rz為5 ? 5wn，振擺為18mi，和硬度為73° (Asker C)。
[0508] 十點平均粗糙度Rzjis根據(jù)JIS B 0601:2013來測定。用由Mitutoyo Corporation 制造的高精度激光分析儀LSM 43(^測定振擺。具體地，用分析儀測定輥的外徑，從而由最大 外徑和最小外徑求得外徑差振擺。使輥的五點進行該測量。五個外徑差振擺的平均值定義 為被測輯的振擺。Asker C硬度如下測量:使Asker C型硬度計（由Kobunshi Keiki Co., Ltd.制造)的探針與被測輥的表面在1000g的壓力下、在25°C和55%RH的環(huán)境下接觸。
[0509][表面層的形成]
[0510]導(dǎo)電性彈性輥1為以〇. 120ml/s的輸出量(環(huán)部的速度:85mm/s)用涂布液E1涂布的 環(huán)。將輯在常溫常壓下干燥。然后將輯用波長為254nm的紫外光以累積光量為9000mJ/cm2來 照射，從而形成表面層。將該輯用來自低壓萊燈[由Harison Toshiba Lighting Corporat i on 制造（新公司名稱：TOSHI BA LI GHT ING&TECHNOLOGY CORPORATI ON)]的紫外光 照射。從而制備充電構(gòu)件El。
[0511][異常放電的評價]
[0512] 將激光打印機（商品名：HP Color Laser Jet CP4525，由Hewlett-Packard Company制造)用的青色盒中安裝的充電輯用以上制備的充電構(gòu)件El來代替。將該盒安裝至 激光打印機（商品名：HP Color Laser Jet CP4525,由Hewlett-Packard Company制造，感 光構(gòu)件的電荷輸送層的厚度:21wii)，和在A4尺寸的紙上形成半色調(diào)圖像。在沒有預(yù)曝光的 情況下形成電子照相圖像。將帶電電壓設(shè)定為-1141V，并且轉(zhuǎn)印電壓設(shè)定為2575V。這些設(shè) 定產(chǎn)生更容易發(fā)生異常放電的環(huán)境。在低溫低濕(溫度：15°C，相對濕度：10%)的環(huán)境下輸 出電子照相圖像。
[0513] 目視觀察歸因于異常放電的半色調(diào)圖像的不均勻，從而評價是否發(fā)生異常放電。 結(jié)果不于表10。
[0514]在表10中，R0R=1表示與結(jié)合至配合物形成后的金屬原子的烷氧基等摩爾量的離 子交換水的添加。
[0515] 在表10中，"M/L"表示形成充電輥的表面層的多金屬氧烷中的配體的摩爾量(L)與 金屬原子的摩爾量(M)的比。因此，示出兩種配體與形成充電構(gòu)件E1的表面層的多金屬氧烷 中的一個Ti原子配位。
[0516] A:沒有異常放電 [0517] B:異常放電發(fā)生
[0518] (實施例2-25和比較例1-13)
[0519] 除了使用涂布液E2-E25和涂布液C1-C13以外，以與實施例1相同的方式制備充電 構(gòu)件E2-E25和充電構(gòu)件C1-C13。評價充電構(gòu)件E2-E25和充電構(gòu)件C1-C13。評價結(jié)果一起示 于表10。
[0520] 表1〇
[0522] *作為氧化鈦顆粒存在于表面層中
[0523] (實施例26和27以及比較例14)
[0524] 作為配體用化合物的鄰甲氧基苯甲酸和喹哪啶酸與電子具有強的親和性；因此， 認為由這些化合物形成的聚合物具有特別淺的HOMO。為了在其中更容易發(fā)生異常放電的苛 刻條件下評價由這些配體用化合物制備的充電構(gòu)件，使用包括具有增大的厚度(27.5WH)的 電荷輸送層的感光構(gòu)件對這些實施例進行異常放電的評價。
[0525]評價由作為配體用化合物的鄰甲氧基苯甲酸形成的充電構(gòu)件El(實施例26)、由作 為配體用化合物的喹哪啶酸形成的充電構(gòu)件E22(實施例27)、和充電構(gòu)件Cl(比較例14)。在 沒有預(yù)曝光的情況下形成電子照相圖像。將帶電電壓設(shè)定為-1141V，和轉(zhuǎn)印電壓設(shè)定為 1856V。除了這些以外，以與實施例1相同的方式評價異常放電的發(fā)生。
[0526] 結(jié)果示于表11。盡管充電構(gòu)件C1發(fā)生異常放電，但在充電構(gòu)件E1和充電構(gòu)件E22中 沒有觀察到異常放電。
[0527] 表11
[0528]
[0529] 雖然參考示例性實施方案已描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解本發(fā)明并不局限于公開的示 例性實施方案。權(quán)利要求書的范圍符合最寬泛的解釋以涵蓋所有此類改進以及等同的結(jié)構(gòu) 和功能。
【主權(quán)項】
1. 一種充電構(gòu)件，其包括:支承體;和表面層， 其特征在于，所述表面層包含 具有由結(jié)構(gòu)式(al)表示的結(jié)構(gòu)的多金屬氧烷;和 所述多金屬氧烷中的Ml和由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元中的碳原子用由結(jié)構(gòu)式(a3) 表示的連接基團結(jié)合： 結(jié)構(gòu)式(al) M10(k-(s+1))/2(L1 )s 結(jié)構(gòu)式(a2) 結(jié)構(gòu)式(a3)*2-0-Z-*l 其中，在式(al)中， Ml表示選自由!^、2^^\￥、他、了3^1、63、111和66組成的組中的金屬原子；8表示0以 上且(k-2)以下的整數(shù)； 在Ml為Al、Ga或In的情況下，k = 3; 在Ml為Ti、Zr、Hf或Ge的情況下，k = 4; 在Ml為Nb、Ta或W的情況下，k = 5; 在Ml為V的情況下，k = 3或5;和 L1表示具有由式(b)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(c)表示的結(jié)構(gòu)的配體：其中，在式(b)中， XI表不由式（1)-(4)之一表不的結(jié)構(gòu)； Y1表示具有與Ml配位的部位的基團； A1表示與Ml、X1和Y1形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團；和 符號"**"表示與Ml結(jié)合或配位的部位： 氺氺氺一〇-氺氺 (1)***-S-** (3) ***-C0-0-**(4) 其中，在式（1)-(4)中，符號"**"表示與Ml結(jié)合的部位;和符號"***"表示與A1結(jié)合的部 位；其中，在式(c)中，R11-R15各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三甲基 甲硅烷基;和符號"****"表示與Ml配位的部位； 其中，在式(a2)中，R1-R3各自獨立地表示氫原子或具有1-3個碳原子的烷基;和符號 1"表不與式(a3)中的Z結(jié)合的部位;和 其中，在式(a3)中， Z表示取代或未取代的亞苯基，條件是，所述取代的亞苯基中的取代基為鹵素原子或具 有1-3個碳原子的烷基； 符號"*1"表示與式(a2)中的符號"*1"結(jié)合的位置;和 符號"*2"表示與式(al)中的Ml結(jié)合的位置。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件，其中所述多金屬氧烷進一步具有由結(jié)構(gòu)式(a4)表 示的結(jié)構(gòu)： 結(jié)構(gòu)式(a4) M10(k-t)/2(Ll)t 其中，在結(jié)構(gòu)式(a4)中，Ml、k和L1與結(jié)構(gòu)式(al)中的Ml、k和L1相同；和t表示0以上且 (k-1)以下的整數(shù)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中A1為鍵，亞烷基，亞烯基，或具有選自由取 代或未取代的苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并呋喃 環(huán)、喹啉環(huán)和異喹啉環(huán)組成的組中的環(huán)的原子團。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中Y1為羥基、烷氧基、取代或未取代的芳氧 基、羰基、烷硫基、取代或未取代的芳硫基、硫代羰基、取代或未取代的氨基、取代或未取代 的亞氨基、具有取代或未取代的脂肪族雜環(huán)骨架的基團、或具有取代或未取代的芳香族雜 環(huán)骨架的基團。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中A1為鍵，亞烷基，或具有選自由取代或未取 代的苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并呋喃環(huán)、喹啉環(huán) 和異喹啉環(huán)組成的組中的環(huán)的原子團。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中結(jié)構(gòu)式(al)中的"s"為1以上且(k-2)以下 的整數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中由A1、M1、X1和Y1形成的環(huán)為5元環(huán)或6元 環(huán)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中如果XI為由式（1)表示的結(jié)構(gòu)，則L1為具有 由式(5)-(9)之一表示的結(jié)構(gòu)的配體：其中，在式(5)-(8)中，R101-104各自獨立地為氫原子、甲氧基或乙氧基;Y11-Y14各自 獨立地為甲氧基、乙氧基、甲?；?、甲基羰基、乙基羰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、二甲基酰 胺基、二乙基酰胺基、甲基乙基酰胺基、甲硫基、乙硫基、硫代羰基、二甲基氨基、二乙基氨 基、乙基甲基氨基、未取代的亞氨基、甲基亞氨基、乙基亞氨基、具有吡啶骨架的基團、具有 喹啉骨架的基團、或具有異喹啉骨架的基團；和符號"**"表示與Ml結(jié)合的部位；其中，在式(9)中，R105為具有1-4個碳原子的烷基、苯基或芐基;R106為氫原子或具有 1-4個碳原子的烷基;R107為具有1-4個碳原子的烷基、具有1-4個碳原子的烷氧基、苯基或 芐基;和符號"**"表示與Ml結(jié)合的部位。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中如果XI為由式(2)-(4)之一表示的結(jié)構(gòu)，則 A1為鍵、亞甲基、亞乙基或三亞甲基， XI為由（2a)-(2c)、（3)和(4)之一表不的結(jié)構(gòu)，和 Y1為甲氧基、乙氧基、甲酰基、甲基羰基、乙基羰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、二甲基酰 胺基、二乙基酰胺基、甲基乙基酰胺基、甲硫基、乙硫基、硫代羰基、二甲基氨基、二乙基氨 基、乙基甲基氨基、未取代的亞氨基、甲基亞氨基、乙基亞氨基、具有吡啶骨架的基團、具有 喹啉骨架的基團或具有異喹啉骨架的基團： ***-Nd** (2a) ***-NH-** (2b)***-S-** (3) ***-C0-0-** (4) 其中，在式(2a)-(2c)、（3)和⑷中，符號"**"表不與Ml結(jié)合的部位;和符號"***"表不 與A1結(jié)合的部位。10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中所述由結(jié)構(gòu)式(a2)表示的結(jié)構(gòu)單元為源 自包含作為結(jié)構(gòu)單元的乙烯基苯酚的聚合物或酚醛清漆型酚醛樹脂的結(jié)構(gòu)單元。11. 一種充電構(gòu)件，其包括:支承體;和表面層， 其特征在于，所述表面層包含以下物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物： 具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，和 具有由式(d)表示的結(jié)構(gòu)的金屬醇鹽，以及 所述反應(yīng)產(chǎn)物為非晶形狀態(tài)： M2(OR2)q-P(L2)P (d) 其中，在式(d)中， M2表示選自由11、2心^\￥、恥、了3、1^1、63、111和66組成的組的金屬原子； P表示0以上的整數(shù)，條件是(q-p)為2以上； 在M2為Al、Ga或In的情況下，q = 3; 在M2為Ti、Zr、Hf或Ge的情況下，q = 4; 在M2為Nb、Ta或W的情況下，q = 5; 在M2為V的情況下，q = 3或5; R2表示具有1-10個碳原子的烴基;和 L2表示具有由式(e)表示的結(jié)構(gòu)的配體或具有由式(f)表示的結(jié)構(gòu)的配體：其中，在式(e)中， X2表不由式（10)-(13)之一表不的結(jié)構(gòu)； Y2表示具有與M2配位的部位的基團； A2表示鍵或與M2、X2和Y2形成4元環(huán)至8元環(huán)所需的鍵或原子團；和 符號"**"表示與M2結(jié)合或配位的部位： 氺氺氺_〇_氺氺 (10)***-S-** (12) ***-C0-0-** (13) 其中，在式（10)-(13)中，符號"**"表示與M2結(jié)合的部位;和符號"***"表示與A2結(jié)合的 部位；其中，在式(f)中，R21-R25各自獨立地表示氫原子、具有1-4個碳原子的烷基或三甲基 甲硅烷基;和符號"****"表示與M2配位的部位。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的充電構(gòu)件，其中A2為鍵，亞烷基，亞烯基，或具有選自由取代 或未取代的苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并呋喃環(huán)、 喹啉環(huán)和異喹啉環(huán)組成的組中的環(huán)的原子團。13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的充電構(gòu)件，其中Y2為羥基、烷氧基、取代或未取代的芳 氧基、幾基、燒硫基、取代或未取代的芳硫基、硫代幾基、取代或未取代的氣基、取代或未取 代的亞氨基、具有取代或未取代的脂肪族雜環(huán)骨架的基團或具有取代或未取代的芳香族雜 環(huán)骨架的基團。14. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的充電構(gòu)件，其中A2為鍵，亞烷基，或具有選自由取代或 未取代的苯環(huán)、萘環(huán)、吡咯環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吲哚環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并呋喃環(huán)、喹 啉環(huán)和異喹啉環(huán)組成的組中的環(huán)的原子團。15. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的充電構(gòu)件，其中式⑷中的"p"為1以上的整數(shù)。16. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的充電構(gòu)件，其中由A2、M2、X2和Y2形成的環(huán)為5元環(huán)或6 元環(huán)。17. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的充電構(gòu)件，其中所述具有包含酚羥基的結(jié)構(gòu)單元的聚 合物為包含作為結(jié)構(gòu)單元的乙烯基苯酚的聚合物或酚醛清漆型酚醛樹脂。18. -種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，所述處理盒一體化地支承電 子照相感光構(gòu)件和用于使所述電子照相感光構(gòu)件的表面帶電的充電構(gòu)件， 其特征在于，所述充電構(gòu)件為根據(jù)權(quán)利要求1-17任一項所述的充電構(gòu)件。19. 一種電子照相設(shè)備，其包括電子照相感光構(gòu)件和用于使所述電子照相感光構(gòu)件的 表面帶電的充電構(gòu)件，其特征在于，所述充電構(gòu)件為根據(jù)權(quán)利要求1-17任一項所述的充電 構(gòu)件。
【文檔編號】G03G15/02GK106054557SQ201610218036
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月8日 公開號201610218036.6, CN 106054557 A, CN 106054557A, CN 201610218036, CN-A-106054557, CN106054557 A, CN106054557A, CN201610218036, CN201610218036.6
【發(fā)明人】竹野甲子夫, 黛博志, 兒玉真隆, 土井孝之, 山內(nèi)健一, 鈴村典子, 益啟貴
【申請人】佳能株式會社