光刻系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光刻系統(tǒng)，包括：具有失真投影系統(tǒng)(PS)的光刻設(shè)備(LA)；和輻射源(SO)，所述輻射源被配置為在等離子體形成位置(4)處生成發(fā)射EUV輻射的等離子體，發(fā)射EUV輻射的等離子體在基本上垂直于輻射源(SO)的光軸(OA)的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀。
【專利說明】
光刻系統(tǒng)
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)涉及2014年2月24日遞交的歐洲專利申請(qǐng)14156364.3和2014年6月19日遞 交的歐洲專利申請(qǐng)14173121.6的權(quán)益，其在此通過引用全文并入。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及一種光刻系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004] 光刻設(shè)備是一種被構(gòu)造為將所需圖案應(yīng)用到襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如 集成電路（IC)的制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成 裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶 片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè) 置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰 目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。
[0005] 光刻術(shù)被廣泛地看作制造 IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通 過使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)越來越成為允許制造微型IC或其他 器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。
[0006] 圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式(1)所示：
[0007]
[0008] 其中λ是所用輻射的波長(zhǎng)，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，1^是依賴于 過程的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是所印刷的特征的特征尺寸（或臨界尺寸）。由等式 (1)可知，特征的最小可印刷尺寸(臨界尺寸)的減小可以由三種途徑獲得:通過縮短曝光波 長(zhǎng)λ、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小h的值。
[0009] 為了縮短曝光波長(zhǎng)λ并因此減小臨界尺寸(CD )，可以使用極紫外(EUV)福射。EUV輻 射可被看作是波長(zhǎng)在4_20nm范圍內(nèi)的輻射。使用EUV輻射的光刻設(shè)備可被用于在襯底上形 成比使用更長(zhǎng)波長(zhǎng)(例如，約193nm的波長(zhǎng))輻射的光刻設(shè)備所形成的特征更小的特征。使用 激光產(chǎn)生等離子體輻射源或一些其它EUV輻射源可以生成EUV輻射。輻射源和光刻設(shè)備可以 一起被稱為輻射系統(tǒng)
[0010] 期望提供一種輻射源和光刻系統(tǒng)，其消除或減輕由現(xiàn)有技術(shù)引起的一個(gè)或多個(gè)問 題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種光刻系統(tǒng)，包括:具有失真投影系統(tǒng)的光刻設(shè) 備;和輻射源，所述輻射源被配置為在等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射的等離子體， 發(fā)射EUV輻射的等離子體在基本上垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀。
[0012] 發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)可以為大致橢圓形。
[0013] 發(fā)射EUV輻射的等離子體在與失真投影系統(tǒng)的光瞳的主軸一致的方向上可以為細(xì) 長(zhǎng)的。
[0014] 輻射源可以包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激光器被配置為提供激光脈沖，所述 激光脈沖使燃料液滴在第一方向上比在第二方向上膨脹更多，第一和第二方向垂直于激光 脈沖的入射方向。
[0015] 由預(yù)脈沖激光器提供的激光脈沖可以具有大致橢圓形的橫截面。
[0016] 由預(yù)脈沖激光器提供的激光脈沖可以在第一方向上被線性偏振。
[0017] 輻射源可以包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激光器被配置為使燃料液滴膨脹以形 成相對(duì)于輻射源的光軸傾斜的標(biāo)靶。
[0018] 標(biāo)靶相對(duì)于輻射源的光軸的傾斜可以在30度至60度之間。
[0019] 標(biāo)靶可以為大致盤形。
[0020] 輻射源可以包括兩個(gè)或多個(gè)激光器，所述兩個(gè)或多個(gè)激光器被配置為提供在等離 子體形成位置處部分重疊的激光束腰。
[0021] 所述兩個(gè)或多個(gè)激光器可以被配置為順序地提供激光束脈沖，使得在生成發(fā)射 EUV輻射的等離子體的第二部分之前生成發(fā)射EUV輻射的等離體子的第一部分。
[0022] 可以從相同的燃料標(biāo)靶生成發(fā)射EUV輻射的等離子體的第一和第二部分。替代地， 可以從不同的燃料標(biāo)靶生成發(fā)射EUV輻射的等離子體的第一和第二部分。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種光刻系統(tǒng)，包括:具有失真投影系統(tǒng)的光刻設(shè) 備;第一輻射源，所述第一輻射源被配置為在第一等離子體形成位置生成發(fā)射EUV輻射的等 離子體并且將EUV輻射引導(dǎo)至第一中間焦點(diǎn)；和第二輻射源，所述第二輻射源被配置為在第 二等離子體形成位置生成發(fā)射EUV輻射的等離子體并且將EUV輻射引導(dǎo)至第二中間焦點(diǎn)，所 述第二中間焦點(diǎn)相對(duì)于第一中間焦點(diǎn)空間移位;和照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)被配置為從第 一和第二中間焦點(diǎn)接收EUV輻射。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種輻射源，所述輻射源包括被配置為在等離子 體形成位置生成發(fā)射EUV輻射的等離子體的輻射源，發(fā)射EUV輻射的等離子體在基本上垂直 于輻射源的光軸的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀。
[0025] 發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)可以為大致橢圓形。
[0026] 輻射源可以包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激光器被配置為提供激光脈沖，所述 激光脈沖使燃料液滴在第一方向上比在第二方向上膨脹更多，第一和第二方向垂直于激光 脈沖的入射方向。
[0027] 輻射源可以包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激光器被配置為使燃料液滴膨脹以形 成相對(duì)于輻射源的光軸傾斜的標(biāo)靶。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種光刻方法，包括:使用輻射源在等離子體形成 位置生成發(fā)射EUV輻射的等離子體，發(fā)射EUV輻射的等離子體在基本上垂直于輻射源的光軸 的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀;使用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)產(chǎn)生的EUV輻射;在EUV輻射的橫截面內(nèi)圖案化 EUV輻射以形成圖案化的輻射束;和使用失真投影系統(tǒng)將圖案化的EUV輻射束投影在襯底 上。
[0029] 發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)可以為大致橢圓形。
[0030] 發(fā)射EUV輻射的等離子體在與失真投影系統(tǒng)的光瞳的主軸一致的方向上可以為細(xì) 長(zhǎng)的。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括：用于提供輻射束的照射系 統(tǒng)；用于支撐掩模的支撐結(jié)構(gòu)，所述掩模用作將圖案在輻射束的橫截面內(nèi)賦予輻射束;用于 保持襯底的襯底臺(tái)；和用于將圖案化的輻射束投影在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中 光刻設(shè)備被配置為在襯底的曝光過程中隨掃描移動(dòng)移動(dòng)掩模和襯底，并且其中投影系統(tǒng)在 掃描移動(dòng)的方向上具有約2.5x的減縮因數(shù)并且在垂直方向上具有約3.2x的減縮因數(shù)。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括：用于提供輻射束的照射系 統(tǒng)；用于支撐掩模的支撐結(jié)構(gòu)，所述掩模用作將圖案在輻射束的橫截面內(nèi)賦予輻射束;用于 保持襯底的襯底臺(tái)；和用于將圖案化的輻射束投影在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中 光刻設(shè)備被配置為在襯底的曝光過程中隨掃描移動(dòng)移動(dòng)掩模和襯底，并且其中投影系統(tǒng)在 掃描移動(dòng)的方向上具有約1.8x的減縮因數(shù)并且在垂直方向上具有約3.2x的減縮因數(shù)。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括：用于提供輻射束的照射系 統(tǒng)；用于支撐掩模的支撐結(jié)構(gòu)，所述掩模用作將圖案在輻射束的橫截面內(nèi)賦予輻射束;用于 保持襯底的襯底臺(tái)；和用于將圖案化的輻射束投影在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中 光刻設(shè)備被配置為在襯底的曝光過程中隨掃描移動(dòng)移動(dòng)掩模和襯底，并且其中投影系統(tǒng)在 掃描移動(dòng)的方向上具有約1.8x的減縮因數(shù)并且在垂直方向上具有約1.6x的減縮因數(shù)。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括：用于提供輻射束的照射系 統(tǒng)；用于支撐掩模的支撐結(jié)構(gòu)，所述掩模用作將圖案在輻射束的橫截面內(nèi)賦予輻射束;用于 保持襯底的襯底臺(tái)；和用于將圖案化的輻射束投影在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中 光刻設(shè)備被配置為在襯底的曝光過程中隨掃描移動(dòng)移動(dòng)掩模和襯底，并且其中投影系統(tǒng)在 掃描移動(dòng)的方向上具有約7.5x的減縮因數(shù)并且在垂直方向上具有約4.8x的減縮因數(shù)。
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了一種使用掃描光刻設(shè)備曝光曝光場(chǎng)的方法，所述 方法包括:使用輻射束照射具有圖案化區(qū)域的掩模，所述掩模的尺寸與常規(guī)掩模的尺寸一 致;使用失真投影系統(tǒng)將圖案化區(qū)域投影在晶片上以形成曝光場(chǎng)，所述曝光場(chǎng)的垂直于掃 描方向的尺寸與沿掃描方向的常規(guī)地被曝光的尺寸一致，并且所述曝光場(chǎng)的沿掃描方向的 尺寸為沿非掃描方向的常規(guī)地被曝光的尺寸的多倍。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了一種使用掃描光刻設(shè)備曝光曝光場(chǎng)的方法，所述 方法包括:使用輻射束照射具有圖案化區(qū)域的掩模，所述掩模的尺寸與常規(guī)掩模的那些尺 寸一致;使用失真投影系統(tǒng)將圖案化區(qū)域投影在晶片上以形成曝光場(chǎng)，所述曝光場(chǎng)的垂直 于掃描方向的尺寸為沿掃描方向的常規(guī)地被曝光的尺寸的多倍，并且所述曝光場(chǎng)的沿掃描 方向的尺寸為沿非掃描方向的常規(guī)地被曝光的尺寸的多倍。
[0037] 沿掃描方向的常規(guī)地被曝光的尺寸可以為33mm，并且沿非掃描方向的常規(guī)地被曝 光的尺寸可以為26_。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種測(cè)量光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)相對(duì)于光刻設(shè)備 的掃描方向的旋轉(zhuǎn)的方法，所述方法包括:使用輻射帶的中心部分照射圖案，并且測(cè)量由投 影系統(tǒng)形成的圖案的空間圖像的位置;使用輻射帶的遠(yuǎn)離中心部分的部分照射圖案，并且 測(cè)量由投影系統(tǒng)形成的圖案的空間圖像的位置;使用輻射帶的沿相反方向遠(yuǎn)離中心部分的 部分照射圖案，并且測(cè)量由投影系統(tǒng)形成的圖案的空間圖像的位置;和通過比較圖案空間 圖像的測(cè)量位置計(jì)算投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)。
[0039] 計(jì)算投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)可以包括比較圖案空間圖像在基本上垂直于光刻設(shè)備的掃 描方向的方向上的測(cè)量位置。
[0040] 所述方法還可以包括使用測(cè)量位置之間的差值確定投影系統(tǒng)的非遠(yuǎn)心度。
[0041] 所述圖案可以設(shè)置在光刻設(shè)備的掩模支撐結(jié)構(gòu)上。
[0042] 所述圖案可以設(shè)置在光刻設(shè)備的掩模支撐結(jié)構(gòu)的相對(duì)端部處，并且其中使用設(shè)置 在掩模支撐結(jié)構(gòu)的一個(gè)端部處的圖案執(zhí)行所述方法，并且然后使用設(shè)置在掩模支撐結(jié)構(gòu)的 相對(duì)端部處的圖案執(zhí)行所述方法。
[0043]本發(fā)明的不同方面可以相互組合。
【附圖說明】
[0044] 現(xiàn)在參照附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中：
[0045] 圖1為包括光刻設(shè)備和輻射源的光刻系統(tǒng)的示意圖；
[0046]圖2為掩模的橫截面圖；
[0047] 圖3示意性地圖示常規(guī)投影系統(tǒng)的光瞳和失真投影系統(tǒng)的光瞳；
[0048] 圖4示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的輻射源；
[0049] 圖5示意性地圖示由本發(fā)明的實(shí)施例生成的燃料標(biāo)靶；
[0050] 圖6示意性地圖示圖5中所示的燃料標(biāo)靶的產(chǎn)生；
[0051] 圖7示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的輻射源；
[0052]圖8示意性地圖示可以使用本發(fā)明的實(shí)施例曝光的曝光區(qū)域；
[0053]圖9示意性地圖示可被用于曝光圖8中所示的曝光區(qū)域的掩模；
[0054] 圖10和11示意性地圖示光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)相對(duì)于光刻設(shè)備的掃描方向的旋轉(zhuǎn) 效果；以及
[0055] 圖12示意性地圖示可被用于測(cè)量光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)的方法。
【具體實(shí)施方式】
[0056]圖1示出了光刻系統(tǒng)。光刻系統(tǒng)包括輻射源SO和光刻設(shè)備LA。輻射源SO被配置為產(chǎn) 生極紫外(EUV)輻射束B。光刻沒備LA包括照射系統(tǒng)IL、被配置為支撐圖案形成裝置MA(例 如，掩模)的支撐結(jié)構(gòu)MT、投影系統(tǒng)PS和被配置為支撐襯底W的襯底臺(tái)WT。照射系統(tǒng)IL被配置 為在輻射束B入射到圖案形成裝置MA上之前調(diào)節(jié)輻射束B。投影系統(tǒng)PS被配置為將輻射束B (現(xiàn)在是由掩模MA圖案化的）投影到襯底W上。襯底W可以包括先前形成的圖案。在這種情況 下，光刻設(shè)備將圖案化的輻射束B與先前形成在襯底W上的圖案對(duì)準(zhǔn)。
[0057]輻射源S0、照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS可以都被構(gòu)造和布置為使得它們能夠與外部 環(huán)境隔離。可以在輻射源SO中提供具有低于大氣壓力的壓力的氣體(例如，氫氣）。可以在照 射系統(tǒng)IL和/或投影系統(tǒng)PS中提供真空?？梢栽谡丈湎到y(tǒng)IL和/或投影系統(tǒng)PS中提供少量的 具有恰好低于大氣壓力的壓力的氣體(例如，氫氣）。
[0058]如圖1所示的輻射源SO是可以被稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源的類型的輻射源。 例如可以為CO2激光器的激光器1被布置為通過激光束2將能量沉積在燃料上，所述燃料例 如為從燃料發(fā)射器3中提供的錫(Sn)。雖然在下面的說明中提到錫，但是可以使用任何合適 的燃料。燃料例如可以為液體形式，并且例如可以為金屬或合金。燃料發(fā)射器3可以包括噴 嘴，所述噴嘴被配置為將例如呈液滴形式的錫沿著軌跡引向等離子體形成區(qū)4。激光束2在 等離子體形成區(qū)4處入射到錫上。激光能量在錫上的沉積使得在等離子體形成區(qū)4處形成等 離子體7。在等離子體的離子的去激發(fā)和重組的過程中從等離子體7發(fā)射包括EUV輻射的輻 射。
[0059] EUV輻射被近似正入射輻射收集器5(有時(shí)更常被稱為正入射輻射收集器)收集和 聚焦。收集器5可以具有被布置為反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5nm的期望波長(zhǎng)的EUV輻 射)的多層結(jié)構(gòu)。收集器5可以具有橢圓形構(gòu)造，具有兩個(gè)橢圓焦點(diǎn)。第一焦點(diǎn)可以在等離子 體形成區(qū)4處，并且第二焦點(diǎn)可以在中間焦點(diǎn)6處，如下所述。
[0060] 激光器1可以與輻射源SO分開。在這種情況下，激光束2可以在束傳遞系統(tǒng)（未示 出）的輔助下從激光器1傳遞至輻射源S0,所述束傳遞系統(tǒng)包括例如適當(dāng)?shù)囊龑?dǎo)鏡和/或擴(kuò) 束器、和/或其它光學(xué)器件。激光器1和福射源SO可以一起被視作福射系統(tǒng)。
[0061] 由收集器5收集的輻射形成輻射束B。輻射束B在焦點(diǎn)6處被聚焦以形成等離子體形 成區(qū)4的圖像，所述等離子體形成區(qū)作為用于照射系統(tǒng)IL的虛擬輻射源。輻射束B被聚焦所 在處的點(diǎn)6可以被稱為中間焦點(diǎn)。輻射源SO被布置為使得中間焦點(diǎn)6位于或接近輻射源的封 閉結(jié)構(gòu)9中的開口 8處。
[0062]雖然圖1將輻射源SO圖示為激光產(chǎn)生等離子體LPP源，然而可以使用任何合適的源 來產(chǎn)生EUV輻射。例如，發(fā)射EUV的等離子體可以通過使用放電來將燃料(例如，錫)轉(zhuǎn)化為等 離子體狀態(tài)而產(chǎn)生。這種類型的輻射源可以被稱為放電產(chǎn)生等離子體(DPP)源。放電可以通 過電源產(chǎn)生，所述電源可以形成輻射源的一部分或者可以為通過電連接裝置與輻射源SO連 接的單獨(dú)的實(shí)體。
[0063] 替代地，輻射源SO可以包括自由電子激光器。自由電子激光器可以通過將電子加 速至相對(duì)論性速度來產(chǎn)生EUV輻射。然后相對(duì)論性電子穿過波狀磁場(chǎng)，所述波狀磁場(chǎng)使相對(duì) 論性電子跟隨振蕩路徑，由此導(dǎo)致相干EUV輻射的受激發(fā)射。自由電子激光器可以產(chǎn)生足夠 的EUV輻射以同時(shí)為幾個(gè)光刻設(shè)備LA提供EUV輻射。
[0064] 輻射束B從輻射源SO穿入照射系統(tǒng)IL，所述照射系統(tǒng)被配置為調(diào)節(jié)輻射束。照射系 統(tǒng)IL可以包括琢面場(chǎng)反射鏡裝置10和琢面光瞳反射鏡裝置11。琢面場(chǎng)反射鏡裝置10和琢面 光瞳反射鏡裝置11 一起為輻射束B提供期望的橫截面形狀和期望的角分布。輻射束B穿過照 射系統(tǒng)IL并且入射到由支撐結(jié)構(gòu)MT保持的圖案形成裝置MA上。圖案形成裝置MA反射并且圖 案化輻射束B。除了琢面場(chǎng)反射鏡裝置10和琢面光瞳反射鏡裝置11或者替代琢面場(chǎng)反射鏡 裝置10和琢面光瞳反射鏡裝置11，照射系統(tǒng)IL可以包括其它反射鏡或裝置。
[0065] 在從圖案形成裝置M反射之后，圖案化的輻射束B進(jìn)入投影系統(tǒng)PS。投影系統(tǒng)PS包 括多個(gè)反射鏡，所述多個(gè)反射鏡被配置為將輻射束B投影在由襯底臺(tái)WT保持的襯底W上。投 影系統(tǒng)PS對(duì)輻射束應(yīng)用減縮因數(shù)，形成具有小于圖案形成裝置MA上的對(duì)應(yīng)特征的特征的圖 像。雖然在圖1中投影系統(tǒng)PS具有兩個(gè)反射鏡，但是投影系統(tǒng)可以包括任意數(shù)量的反射鏡 (例如，六個(gè)、七個(gè)、八個(gè)、九個(gè)或十個(gè)反射鏡）。
[0066] 投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦在襯底W的目標(biāo)部分上。目標(biāo)部分可以被稱為曝光場(chǎng)。 襯底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如以便在輻射束B的路徑上定位不同的目標(biāo)部分。襯底臺(tái)WT例 如可以由一個(gè)或多個(gè)定位裝置(未示出）定位。為了增大定位襯底臺(tái)的精度，可以使用一個(gè) 或多個(gè)位置傳感器(未示出）測(cè)量襯底臺(tái)WT相對(duì)于輻射束B的位置。由一個(gè)或多個(gè)位置傳感 器進(jìn)行的測(cè)量可以被反饋給多個(gè)定位裝置中的一個(gè)。
[0067] 圖示的設(shè)備可以例如用于掃描模式，其中將賦予所述輻射束的圖案投影到襯底W 上（即，動(dòng)態(tài)曝光)的同時(shí)，支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT被同步地掃描。通過投影系 統(tǒng)PS的縮小率和圖像反轉(zhuǎn)特性可以確定襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)（例如掩模臺(tái))MT的速度 和方向。入射到襯底W上的圖案化的輻射束可以包括輻射帶。輻射帶可以稱為曝光狹縫。在 掃描曝光期間，襯底臺(tái)WT和支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)可以使得曝光狹縫在襯底W的曝光場(chǎng)上行進(jìn)。
[0068] 常規(guī)光刻設(shè)備LA的投影系統(tǒng)PS可以在X方向和y方向上應(yīng)用約4x的縮小率。然而， 增大投影系統(tǒng)PS在X和/或y方向中的至少一個(gè)上的縮小率可能是有利的。如下面將解釋的， 增大投影系統(tǒng)?3在 7方向上的縮小率可能是尤其有利的。
[0069] 現(xiàn)在將參照?qǐng)D2描述增大投影系統(tǒng)PS的縮小率(至比常規(guī)投影系統(tǒng)PS的4x的縮小 率更大的縮小率）的優(yōu)點(diǎn)。圖2為掩模MA的一部分的橫截面圖。掩模MA包括多對(duì)交替的第一 材料41層和第二材料43層。第一材料41和第二材料43具有不同的折射率。材料層41、43的厚 度和折射率為使得所述材料作為多層反射鏡結(jié)構(gòu)。
[0070] EUV輻射的一系列射線35通過圖2中的箭頭被圖示為入射在掩模MA上。在第一材料 41和第二材料43的層之間的界面處發(fā)生的折射率的改變導(dǎo)致一些EUV輻射在每一個(gè)界面處 被反射。例如，一部分EUV輻射可能在第一材料41和第二材料43之間的最高界面處被反射， 剩余的福射透射至下面的層。透射的福射的一些部分然后可能在位于掩模MA的多層結(jié)構(gòu)內(nèi) 的第一材料和第二材料之間的界面處被反射。在掩模M內(nèi)的不同界面處的反射彼此相長(zhǎng)干 涉以形成反射射線37。來自掩模MA的許多不同層的反射的組合效果被視為等同于在落在多 層反射鏡結(jié)構(gòu)內(nèi)的有效反射面47處反射的反射EUV輻射。有效反射面47例如可以定位在掩 模MA的上表面以下約16層處，如圖2所示。所有入射輻射射線35在圖2中被圖示為在有效反 射面47處被反射。然而，應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會(huì):一些輻射可能在有效反射面47以上的位置處被反射，并 且一些射線可能在有效反射面47以下的位置被反射。
[0071] 如將在圖1和圖2中領(lǐng)會(huì)的，入射到掩模MA上的EUV輻射束沒有垂直地入射到掩模 MA上。輻射束相對(duì)于從掩模MA上延伸的垂線的對(duì)向角（即輻射束和z軸之間的角度)可以被 稱為主射線角Θ(如圖2所示）。在實(shí)踐中，掩模MA可以以一角度范圍被照射，并且主射線角Θ 可以被視為這些角度的平均值。為了圖示方便，在圖2中僅圖示了以主射線角Θ入射到掩模 MA上的射線。
[0072]通過在多層反射鏡結(jié)構(gòu)的上表面上提供EUV吸收材料45的區(qū)域而在掩模MA上形成 圖案。圖2中圖示了兩個(gè)EUV吸收材料塊45a、45b。塊45a、45b中的每一個(gè)具有寬度w和高度h。 如果EUV輻射是垂直地入射在掩模MA上（即，以0度的主射線角度Θ)，那么EUV吸收材料塊 45a、45b的高度h將對(duì)在掩模MA處反射的輻射沒有影響。然而，因?yàn)镋UV輻射以非零度的主射 線角度Θ入射在掩模MA上，一些被掩模MA的多層結(jié)構(gòu)反射的輻射隨后被EUV吸收材料塊45a、 45b吸收。例如，圖2中圖示的射線35'入射到掩模MA的上表面的沒有設(shè)置EUV吸收材料的部 分上，并且因此在有效反射面47處被反射。然而，對(duì)應(yīng)的反射射線37'被EUV吸收材料塊45a 吸收并且因此沒有離開掩模Μ。
[0073]入射射線35a(圖2中用粗線圖示）代表最接近塊45a的左側(cè)的射線，該射線仍然產(chǎn) 生離開掩模MA(并且因此沒有被塊45a吸收）的反射射線37a。入射射線35b(圖2中也用粗線 圖示）代表最接近塊45a的右側(cè)的射線，該射線沒有被塊45a吸收并且因此產(chǎn)生反射射線 37b。反射射線37a和反射射線37b之間的間隔代表被圖案化入被掩模MA反射的輻射中的吸 收塊45a的有效寬度Wef。如圖2所示，吸收塊45a具有顯著地大于塊45a的寬度w的有效寬度 Wefo
[0074]如將從圖2和上面提供的描述中領(lǐng)會(huì)的，主射線角度Θ的任何增大將導(dǎo)致被圖案化 在掩模MA上的特征的有效寬度Wef的增大。圖案化的特征的有效寬度Wef的增大可能是不期 望的，因?yàn)檫@可能導(dǎo)致能夠被圖案化在襯底W上的特征的可獲得的臨界尺寸(CD)的增大。
[0075] 可以考慮投影系統(tǒng)PS在投影系統(tǒng)的入口處的數(shù)值孔徑而選定主射線角度Θ。特別 地，主射線角度Θ可以被選定為使得由投影系統(tǒng)PS捕獲的輻射捕獲角不與從掩模MA上延伸 的垂直線重疊。如上面關(guān)于等式1描述的，為了減小光刻設(shè)備的可獲得的CD，可能期望增大 投影系統(tǒng)PS的數(shù)值孔徑(NA)。然而，因?yàn)橥队跋到y(tǒng)PS的捕獲角隨著投影系統(tǒng)PS的數(shù)值孔徑 的增大而增大，在投影系統(tǒng)PS的入口側(cè)上的數(shù)值孔徑的增大必定伴隨著主射線角度Θ的增 大(如上面參照?qǐng)D2描述的，這可能是不期望的）。
[0076] 增大投影系統(tǒng)PS的縮小率是有利的，因?yàn)樗试S在投影系統(tǒng)PS的襯底側(cè)上的數(shù)值 孔徑增大，而不增大在投影系統(tǒng)PS的掩模側(cè)上的數(shù)值孔徑。在這種情況下，術(shù)語"投影系統(tǒng) 的襯底側(cè)"指的是投影系統(tǒng)PS的最靠近襯底臺(tái)WT的部分。術(shù)語"投影系統(tǒng)的掩模側(cè)"指的是 投影系統(tǒng)PS的最靠近支撐結(jié)構(gòu)MT的部分。
[0077] 增大投影系統(tǒng)PS的縮小率因此允許在投影系統(tǒng)PS的襯底側(cè)上的數(shù)值孔徑增大（由 此有利地減小了臨界尺寸），而無需增大在投影系統(tǒng)PS的掩模側(cè)上的數(shù)值孔徑（由此避免了 增大主射線角度Θ的需要）。因此可以避免上面參照?qǐng)D2描述的增大主射線角度Θ的不利效 果，同時(shí)獲得臨界尺寸的減小。
[0078] 從上面關(guān)于圖2的描述中可以領(lǐng)會(huì)到:主射線角度Θ對(duì)可獲得的臨界尺寸的影響僅 僅作用在沿y方向延伸的特征的尺寸上(例如，吸收塊45a、45b的有效寬度W rf)。沿X方向的可 獲得的臨界尺寸不受主射線角度Θ的影響。沿X方向的照射具有垂直于掩模MA的主射線角度 Θ，并且因而圖2中圖示的問題不會(huì)發(fā)生。
[0079]因此投影系統(tǒng)PS沿y方向的縮小率的增大特別有利于減小可獲得的臨界尺寸。因 此可以在不對(duì)應(yīng)增大沿X方向的縮小率的情況下有利地增大投影系統(tǒng)PS沿y方向的縮小率。 在X和y方向上應(yīng)用不同的減縮因數(shù)的投影系統(tǒng)PS可以被稱為失真投影系統(tǒng)PS。
[0080]在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PS可以應(yīng)用在X方向上約4x的縮小率和在y 方向上約Sx的縮小率?？梢允褂靡粋€(gè)縮小率顯著大于另一個(gè)的縮小率的其它組合。由于上 面解釋的原因，在掃描方向上的縮小率可以顯著大于垂直于掃描方向上的縮小率。
[0081 ]圖3a示意性地示出在X和y方向上具有對(duì)稱縮小率的EUV光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PS的 光瞳20。光瞳20是圓形的。與投影系統(tǒng)PS的光瞳21匹配的簡(jiǎn)單照射模式也將是圓形的。在圖 3a中還示出的是包括四個(gè)極21的四極模式。每一個(gè)極21在形狀上是圓形的，并且各個(gè)極以 圓形方式分布。
[0082]圖3b示意性地示出失真投影系統(tǒng)PS的光瞳，在失真投影系統(tǒng)PS中在y方向上的縮 小率大于在X方向上的縮小率。在該示例中，在X方向上的縮小率為4x并且在y方向上的縮小 率是8x。由于投影系統(tǒng)PS的失真本質(zhì)，光瞳22在形狀上是橢圓形的，并且具有為沿X方向的 短軸兩倍長(zhǎng)的沿y方向的長(zhǎng)軸。由于光瞳的橢圓形的本質(zhì)，如果使用簡(jiǎn)單的圓形照射模式， 那么將不會(huì)充分地填充光瞳（大量的輻射將會(huì)落在光瞳沿X方向的任一側(cè)上的光瞳外側(cè)）。 在圖3b中還示出的是四極照射模式。該四極照射模式包括四個(gè)極23,每一個(gè)極具有橢圓形 形狀，該橢圓形形狀具有沿y方向的長(zhǎng)軸和沿X方向的短軸。各極以橢圓形方式分布。
[0083]為了提供對(duì)失真投影系統(tǒng)PS的光瞳的充分填充，期望從照射系統(tǒng)IL提供呈簡(jiǎn)單照 射模式、具有基本上與光瞳匹配的橢圓形形狀的輻射。有利地，這可以通過生成具有細(xì)長(zhǎng)形 狀的（例如，在形狀上大致橢圓形的）發(fā)射EUV的等離子體來實(shí)現(xiàn)。例如這可以使用LPP輻射 源進(jìn)行。
[0084] 圖4示意性地示出了可被用于提供具有橢圓形形狀的發(fā)射EUV的等離子體的LPP輻 射源S0。圖4a示出從上面觀察的輻射源(在與圖1中示出的輻射源SO基本上相同的平面內(nèi)）。 圖4b示出了用于生成發(fā)射EUV的等離子體的燃料標(biāo)靶25b和從一側(cè)觀察的激光束28。燃料發(fā) 射器3被用于朝向等離子體形成區(qū)4發(fā)射燃料液滴25a、25b。燃料發(fā)射器3可以為如上面結(jié)合 圖1進(jìn)一步描述的。燃料可以為錫，然而可以使用其它合適的材料。
[0085] 朝向等離子體形成區(qū)4行進(jìn)的燃料液滴25a將具有大致球形形狀，但是該形狀在其 到達(dá)等離子體形成位置之前被入射到液滴上的激光輻射50的脈沖改變。該激光脈沖50,可 以被稱為預(yù)脈沖，由預(yù)脈沖激光器51生成，并且通過透鏡52(或者其它聚焦元件，例如反射 鏡)聚焦。激光預(yù)脈沖50改變液滴25a的形狀以形成橢圓形形狀的燃料標(biāo)靶25b，如圖4b示意 性地表示(改變?nèi)剂弦旱蔚男螤畹臋C(jī)制將在下面進(jìn)一步描述）。
[0086]兩束激光束26入射到橢圓形的燃料標(biāo)靶25上。激光束被透鏡27(或者其它聚焦光 學(xué)元件，例如反射鏡)聚焦，以形成由圓28示意性地圖示的束腰。聚焦的激光束28的束腰彼 此重疊，但是具有在y方向上彼此分開的中中心，如圖4b示意性所示。激光束腰28因而被布 置為使得它們沿橢圓形燃料標(biāo)靶25b的整個(gè)長(zhǎng)度照射橢圓形燃料標(biāo)靶，該照射具有足夠的 強(qiáng)度以沿著燃料標(biāo)靶的基本上的整個(gè)長(zhǎng)度生成發(fā)射EUV的等離子體。
[0087]橢圓形燃料標(biāo)靶25b因而被聚焦的激光束28轉(zhuǎn)換為具有大致橢圓形形狀(該橢圓 形基本上垂直于光軸0A)的發(fā)射EUV的等離子體。由等離子體發(fā)射的EUV輻射因而具有大致 橢圓形的源。由于EUV輻射由大致橢圓形的源發(fā)射，因而其很好地與失真投影系統(tǒng)PS的橢圓 形光瞳（如圖3b所示）匹配，并且因而有利于光瞳的有效填充(發(fā)射EUV輻射的等離子體的主 軸可以與投影系統(tǒng)光瞳的主軸一致）。在本文中術(shù)語"大致橢圓形"可以被解釋為是指細(xì)長(zhǎng) 的、非圓形的、可以接近橢圓形形狀(例如，在時(shí)間上被平均）的形狀。其并非意指完美橢圓 形或者必須接近完美橢圓形的形狀。
[0088]雖然具有大致橢圓形形狀的發(fā)射EUV的等離子體提供對(duì)失真投影系統(tǒng)PS的橢圓形 光瞳的很好的匹配，但是可以使用其它形狀的發(fā)射EUV的等離子體。具有基本上垂直于輻射 源的光軸OA的細(xì)長(zhǎng)形狀的發(fā)射EUV的等離子體可以比大致圓形的發(fā)射EUV的等離子體提供 對(duì)橢圓形投影系統(tǒng)的光瞳的更有效填充。因而，本發(fā)明的實(shí)施例可以被配置為提供具有細(xì) 長(zhǎng)形狀的發(fā)射EUV的等離子體。大致橢圓形的發(fā)射EUV的等離子體可以被視為具有細(xì)長(zhǎng)形狀 的發(fā)射EUV的等離子體的示例。
[0089]使用兩束激光束26產(chǎn)生發(fā)射EUV的等離子體是有利的，因?yàn)樗试S獲得燃料向EUV 輻射轉(zhuǎn)換的更高轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)燃料標(biāo)靶向EUV輻射轉(zhuǎn)換時(shí)，具有提供最有效率轉(zhuǎn)換的最佳激 光輻照度。如果激光輻照度低于最佳值，那么一些燃料標(biāo)靶將不會(huì)被轉(zhuǎn)換為發(fā)射輻射的等 離子體。如果輻照度高于最佳值，那么等離子體的溫度將會(huì)太高，并且這將導(dǎo)致等離子體以 短于期望波長(zhǎng)的波長(zhǎng)(例如，短于13.5nm)發(fā)射輻射。
[0090] 使燃料標(biāo)靶較大提供了用于接收入射激光輻射的更大的表面面積，并且這允許燃 料的更大的面積能夠以最佳輻照度照射。如果以最佳輻照度照射的燃料的面積加倍，那么 這可以（非常粗略地)預(yù)期提供兩倍量的由等離子體發(fā)射的EUV輻射。然而，不可能增大由激 光器生成的束腰的尺寸而同時(shí)保持在該束腰內(nèi)的最佳輻照度。由激光器提供的輻射的可獲 得的能量密度可能具有上限，該上限源于物理定律并且在不會(huì)同時(shí)改變激光輻射的波長(zhǎng)的 情況下不能夠被增大(改變激光輻射的波長(zhǎng)是不期望的）。該問題通過本發(fā)明的實(shí)施例得以 克服，因?yàn)榇媸褂脝我坏募す馐砂l(fā)射EUV的等離子體，使用了兩束激光束。每一束激 光束可以被配置為在其入射的燃料標(biāo)靶25的部分上提供最佳輻照度。因而，使用兩個(gè)激光 器，例如以圖4所示的方式，提供了由等離子體發(fā)射的EUV輻射的量的增大。除了生成的EUV 輻射的量的這種有益增大，進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)出現(xiàn)，這是因?yàn)镋UV輻射具有基本上與失真投影系 統(tǒng)PS的橢圓形光瞳匹配的大致橢圓形的形狀。
[0091] 具有將燃料標(biāo)靶25布置為具有橢圓形形狀的各種方法。這將在下面描述。
[0092]入射在燃料液滴25a上的預(yù)脈沖50在其到達(dá)等離子體形成區(qū)4之前可以具有橢圓 形形狀。預(yù)脈沖的該橢圓形形狀將提供激光輻射在燃料液滴的表面上的不均等的分布。該 不均等的分布將在燃料液滴上提供不均等的溫度和壓力分布，這將轉(zhuǎn)而導(dǎo)致燃料液滴以非 圓形對(duì)稱的方式膨脹。作為該膨脹的結(jié)果，燃料液滴將膨脹以形成大致橢圓形的燃料標(biāo)靶 25b，例如如圖4示意性所示。如所示意性地圖示的，當(dāng)從z方向（即，沿著輻射源的光軸)觀察 時(shí)燃料標(biāo)靶25b是橢圓形形狀的，但是橫向于該方向，燃料標(biāo)靶可能是大致平坦的。因而，燃 料標(biāo)靶可以具有當(dāng)沿著光軸OA觀察時(shí)為橢圓形的大致薄餅形狀。
[0093] 在替代方法中，預(yù)脈沖50在橫截面上是大致圓形的，但是可以具有線性偏振。線性 偏振的激光輻射將在偏振方向上比在橫向于偏振的方向上更有效地耦合等離子體。因而， 參照?qǐng)D4,預(yù)脈沖50在y方向上的線性偏振將導(dǎo)致預(yù)脈沖在該方向上更有效地被燃料液滴 25a吸收。這將導(dǎo)致燃料液滴25a在該方向上更多地被加熱，并且因而在y方向上更多地膨 脹。再者，這將生成如圖4示意性地示出的具有橢圓形形狀的燃料標(biāo)靶25b(當(dāng)橫向于光軸OA 觀察時(shí)燃料標(biāo)靶是平坦的）。
[0094] 可以組合使用上述兩個(gè)方法，即，橢圓形的預(yù)脈沖可以具有線性偏振(例如，以與 橢圓形的主軸一致的線性偏振方向）。
[0095] 在替代布置中，預(yù)脈沖可以被布置為成形燃料標(biāo)靶使得它具有圓形薄餅的形狀 (即，大致盤形），但是具有繞y軸傾斜的燃料標(biāo)靶，使得它面對(duì)入射激光束呈現(xiàn)橢圓形形狀。 這被示意性地示出在圖5中。圖5a示出沿著y方向觀察的燃料標(biāo)革El29a，并且正如所看到的， 燃料標(biāo)靶已經(jīng)被繞y軸傾斜約45°。作為該傾斜的結(jié)果，雖然燃料標(biāo)靶大致呈盤形并且具有 大致圓形周邊，但是沿z軸觀察的燃料標(biāo)靶具有橢圓形形狀(如圖5b所示）。圖5的z軸與輻射 源的光軸OA-致（參見圖4)。輻射源的激光束因此被呈現(xiàn)于具有橢圓形形狀的燃料標(biāo)靶 29a，并且因而以上面結(jié)合圖4進(jìn)一步地描述的方式將燃料標(biāo)靶轉(zhuǎn)換為大致橢圓形的發(fā)射 EUV的等離子體。
[0096]參照?qǐng)D6,通過從垂直于燃料標(biāo)靶的期望的傾斜取向的方向在燃料液滴29處引導(dǎo) 預(yù)脈沖激光束55而獲得燃料液滴的傾斜。在圖6所示的示例中，預(yù)脈沖激光束55具有大致沿 線X = z的取向（即，垂直于y方向并且相對(duì)于X和z方向形成對(duì)向角45°)。預(yù)脈沖激光束55由 預(yù)脈沖激光器56生成并且由光學(xué)器件57聚焦。預(yù)脈沖激光束55將導(dǎo)致燃料液滴29在與預(yù)脈 沖激光束的入射方向相垂直的方向上膨脹。這導(dǎo)致已經(jīng)膨脹而形成如圖5所示的形狀的燃 料標(biāo)祀29a。
[0097] 雖然上面提到燃料標(biāo)靶29a以相對(duì)于X和y方向45°角度的傾斜，但是傾斜可以以任 意合適的角度進(jìn)行。該角度應(yīng)當(dāng)足以使由入射的激光束看到的燃料標(biāo)靶的形狀為橢圓形， 并且例如可以在30° -60°的范圍內(nèi)。
[0098] 傾斜的燃料標(biāo)靶29a可以具有大致盤形的傾斜標(biāo)靶的形狀。替代地，傾斜燃料標(biāo)靶 可以具有任何其他合適形式(傾斜標(biāo)靶是大致盤形不是必須的）。
[0099]圖7示意性地示出本發(fā)明的替代實(shí)施例。在替代實(shí)施例中，單一的燃料標(biāo)靶被激光 束26a、b順序地照射。燃料標(biāo)靶60通過由激光器51生成的預(yù)脈沖激光束50從液滴形狀轉(zhuǎn)換 為盤形，并且通過光學(xué)器件52聚焦。接下來，預(yù)脈沖燃料標(biāo)靶為大致盤形(例如，薄餅)并且 沒有被顯著旋轉(zhuǎn)。
[0100]燃料標(biāo)靶被兩次呈現(xiàn)在圖7中，在等離子體形成區(qū)4中，并且被標(biāo)記為60a和60b。如 從圖7b可看到的，被第一激光束26a看到的燃料標(biāo)靶60a在形狀上為大致圓形。聚焦的第一 激光束28a將一部分燃料標(biāo)靶60a轉(zhuǎn)換成發(fā)射EUV的等離子體，并且剩余的燃料標(biāo)靶60b沿y 方向向前行進(jìn)。第二激光束26b然后入射到剩余的燃料標(biāo)靶60b上。聚焦的第二激光束28b使 剩余的燃料標(biāo)靶60b轉(zhuǎn)換成發(fā)射EUV輻射的等離子體。激光束28a、b的聚焦的束腰足夠接近 在一起使得從照射系統(tǒng)IL(參見圖1)觀察的EUV輻射具有大致橢圓形形狀。使用第一激光束 26a生成的EUV輻射與使用第二激光束26b生成的EUV輻射重疊。
[0101]使用第一激光束26a生成發(fā)射EUV的等離子體與使用第二激光束26b生成發(fā)射EUV 的等離子體之間的經(jīng)過時(shí)間段可以通過調(diào)節(jié)由燃料發(fā)射器3發(fā)射的燃料液滴的行進(jìn)速度來 選定。
[0102] 在代替兩束激光束26a、b順序地照射相同的燃料標(biāo)靶60a、b的替代實(shí)施例中，激光 束可以被用于照射不同的燃料標(biāo)靶。在這種情況下，燃料標(biāo)靶的照射可以是同時(shí)的或者可 以是順序的。
[0103] 在進(jìn)一步的替代實(shí)施例中，兩個(gè)輻射源SO可以被用于生成發(fā)射EUV的等離子體。參 照?qǐng)D1，可以設(shè)置構(gòu)造上與圖示的輻射源一致的第二輻射源so(未示出）。這將生成具有第二 中間焦點(diǎn)的第二EUV束，第二焦點(diǎn)與由第一輻射源生成的EUV束的中間焦點(diǎn)6在空間上分開。 兩個(gè)EUV輻射束可以通過照射系統(tǒng)IL操縱，使得它們基本上彼此平行地傳播但是不共線。這 提供了在形狀上大致橢圓形的組合的EUV輻射束。
[0104] 雖然本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)提到在生成發(fā)射EUV的等離子體時(shí)使用兩束激光束，但 是可以使用多于兩個(gè)的激光束。例如，可以布置三束激光束以提供在y方向上分開并且被布 置為每一個(gè)照射燃料標(biāo)靶的不同部分的激光束腰(激光束腰可以以圖4b所示的方式部分重 置)。
[0105] 可以使用三個(gè)或更多個(gè)輻射源以生成三個(gè)或更多個(gè)EUV輻射束，該三個(gè)或更多個(gè) EUV輻射束穿過空間上分開的中間焦點(diǎn)，并且然后被組合以形成基本上平行但是不共線的 束，這些束共同地提供具有大致橢圓形形狀的組合的EUV輻射。
[0106] 在一個(gè)實(shí)施例中，燃料標(biāo)靶繞y軸的傾斜方向可以是交替的。這是有利的，因?yàn)榘l(fā) 射EUV的等離子體將以非均勻的方式發(fā)射EUV輻射，并且如果傾斜方向沒有交替，那么這將 導(dǎo)致收集器5的一部分累積地接收比在光軸的相反側(cè)上的收集器的對(duì)等部分所接收的多很 多的EUV輻射。交替傾斜方向在光軸的每一側(cè)上提供基本上相同的EUV輻射的累積量。傾斜 方向可以在每一個(gè)燃料標(biāo)靶之后交替，或者可以在一系列燃料標(biāo)靶(例如，五個(gè)燃料標(biāo)靶、 十個(gè)燃料標(biāo)靶或一些其它數(shù)量的燃料標(biāo)靶)之后交替。
[0107] 雖然激光束26a、26b已經(jīng)被示出并描述為提供圓形束腰，但是激光束可以被布置 為提供具有其它形狀(例如，橢圓形形狀)的束腰。在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用具有橢圓形形 狀的單一的激光束。
[0108] 在一個(gè)實(shí)施例中，代替提供彼此部分重疊的兩個(gè)圓形的激光束腰，激光束腰可以 為橢圓形的。橢圓形的激光束腰例如可以在等離子體形成區(qū)處彼此完全重疊。橢圓形的激 光束腰的尺寸和形狀可以基本上與燃料標(biāo)靶的形狀一致。
[0109] 本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)被描述為提供大致橢圓形的發(fā)射EUV的等離子體。然而，本發(fā) 明的實(shí)施例可以更普遍地提供具有細(xì)長(zhǎng)形狀的發(fā)射EUV的等離子體。大致橢圓形的發(fā)射EUV 的等離子體可以被視為具有細(xì)長(zhǎng)形狀的發(fā)射EUV的等離子體的示例。術(shù)語"細(xì)長(zhǎng)形狀"可以 被視為是指在一個(gè)方向上(例如，y方向）比在橫向方向（例如，X方向）上明顯更長(zhǎng)。
[0110] 在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過增大襯底(例如，晶片）上的在單一的掃描曝光過程中 被曝光的面積來增大光刻設(shè)備(例如，EUV光刻設(shè)備）的生產(chǎn)量。這可以通過使用具有減小的 縮小率（g卩，小于4x的縮小率)的投影系統(tǒng)來獲得。當(dāng)對(duì)于給定尺寸的掩模使用具有減小的 縮小率的投影系統(tǒng)時(shí)，襯底上的在單一的掃描曝光過程中被曝光的面積被增大。
[0111] 在一個(gè)實(shí)施例中，投影系統(tǒng)的縮小率可以被減小至約2.53x。這允許在單一的掃描 曝光過程中曝光與兩個(gè)常規(guī)的完整場(chǎng)一致的面積。參照?qǐng)D8,曝光區(qū)域101在X方向上測(cè)量為 33mm，并且在y方向上測(cè)量為52mm。常規(guī)的完整場(chǎng)在X方向上測(cè)量為26mm，并且在y方向上測(cè) 量為33mm。因而，如圖8所示的曝光區(qū)域101與已經(jīng)被旋轉(zhuǎn)90度的兩個(gè)常規(guī)的完整場(chǎng)一致?？?以被稱為曝光狹縫的福射帶102與雙向箭頭一起被示出，雙向箭頭指示在掃描曝光過程中 曝光狹縫和晶片W之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。
[0112] 在圖8所示的實(shí)施例中，可以使用單一的掃描曝光曝光兩個(gè)管芯103、104,每一個(gè) 管芯具有與常規(guī)的完整場(chǎng)一致的面積。這允許獲得光刻設(shè)備的生產(chǎn)量的大幅增長(zhǎng)。
[0113] 圖9示意性地示出了可以被光刻設(shè)備使用以曝光如圖8所示的區(qū)域的掩模M。掩模 可以為常規(guī)尺寸(例如，6英寸掩模）。掩模的圖案化區(qū)域110可以具有常規(guī)尺寸，例如沿X方 向104_和沿y方向132mm。提供具有這些尺寸的圖案化區(qū)域可能是優(yōu)選的，因?yàn)楝F(xiàn)有的生產(chǎn) 系統(tǒng)被配置為生產(chǎn)和處理具有該尺寸的圖案化區(qū)域的掩模。掩模的圖案化區(qū)域可以包括兩 個(gè)管芯113、114。
[0114] 光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)可以在X方向上應(yīng)用約3.15x的減縮因數(shù)和在y方向上應(yīng)用約 2.53x的減縮因數(shù)，使得掩模的圖案化區(qū)域形成在X方向上測(cè)量為33mm并且在y方向上測(cè)量 為52mm的曝光區(qū)域。因而，投影系統(tǒng)在X和y方向上應(yīng)用不同的減縮因數(shù)(投影系統(tǒng)是失真 的)。
[0115]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，掩模的圖案化區(qū)域可以具有沿X方向約124mm和沿y方向約 124mm的尺寸。光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)可以在X方向上應(yīng)用約4.77x的減縮因數(shù)，并且在y方向 上應(yīng)用約7.52x的減縮因數(shù)，使得掩模的圖案化區(qū)域在晶片上形成在方向上測(cè)量為26mm并 且在y方向上測(cè)量為16.5mm的曝光區(qū)域。
[0116] 使用失真投影允許使用在x方向上測(cè)量約104mm的掩模圖案。失真投影是有利的， 因?yàn)樗峁┘s20%減小的掩模誤差因數(shù)。即，掩模中的誤差將具有X尺寸，所述X尺寸在晶片 上比沒有使用失真投影的情況小20%。相反如果已經(jīng)使用在X方向上2.53的減縮因數(shù)（即， 沒有使用失真投影），那么將不會(huì)獲得該20%減小的掩模誤差因數(shù)。
[0117] 在其它實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以設(shè)置有失真投影系統(tǒng)，所述失真投影系統(tǒng)被配置 為允許使用單一的掃描曝光曝光其它倍數(shù)的常規(guī)的完整場(chǎng)(26mmx33mm)。例如，使用在X方 向上具有約3.15x和在y方向上約1.83x的減縮因數(shù)的失真投影系統(tǒng)可以曝光在X方向上測(cè) 量為33mm并且在y方向上測(cè)量為78mm的曝光區(qū)域。例如，使用在X方向上具有約1.58x的減縮 因數(shù)和在y方向上具有約1.83x的減縮因數(shù)的失真投影系統(tǒng)可以曝光在X方向上測(cè)量為66mm 并且在y方向上測(cè)量為78mm的曝光區(qū)域。
[0118] 通常地，可以使用失真投影投影在X方向上的尺寸與常規(guī)地被曝光的y方向尺寸 (例如，33mm)或其倍數(shù)(例如，66mm) -致的曝光區(qū)域。失真投影可以為使得用于投影的掩模 的圖案化區(qū)域具有與常規(guī)掩模(例如，約I 〇4mmx 132mm)的那些尺寸一致的尺寸。
[0119] 投影系統(tǒng)的減縮因數(shù)已經(jīng)被提及具有五位有效數(shù)字，即2.53x、3.15x、1.83x、 1.58x、4.77x和7.52x。然而，在使用中投影系統(tǒng)的縮小率的一些調(diào)整是可能的（例如，以適 應(yīng)光刻設(shè)備中的公差），并且因此適于涉及具有兩位有效數(shù)字的投影系統(tǒng)的減縮因數(shù)。因 而，關(guān)于上述實(shí)施例，減縮因數(shù)為約2.5x、約3.2x、約1.8x、約1.6x、約4.8x和約7.5x。
[0120]圖10和11不意性地圖不了當(dāng)使用失真投影系統(tǒng)時(shí)可能引起的問題。在圖10和11 中，失真投影系統(tǒng)在y方向上具有比在X方向上的減縮更大的減縮。y方向的減縮可以為8x， 并且X方向的減縮可以為4x。附圖是非常示意性的，并且因而不具有與具體減縮因數(shù)對(duì)應(yīng)的 尺寸，但是替代地一般在y方向上表現(xiàn)出比在X方向上更大的減縮。
[0121] 首先參照?qǐng)D10a，掩模200被示出為具有圖案特征201。圖案特征是矩形的并且在y 方向上具有比在X方向上更長(zhǎng)的尺寸。在圖IOa中還示出的是輻射帶202,所述輻射帶被用于 照明掩模200以便在晶片上曝光圖案。輻射帶202可以被稱為曝光狹縫。曝光狹縫202的取向 由光刻設(shè)備(參見圖1)的照射系統(tǒng)IL確定。投影系統(tǒng)PS具有與照射系統(tǒng)IL的取向?qū)?yīng)的取 向。在圖IOa中，掩模200和曝光狹縫202都相對(duì)于X和y方向?qū)?zhǔn)。換句話說，掩模200在X和y 方向上相對(duì)于光刻設(shè)備的照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)。
[0122] 圖IOb示意性地示出已經(jīng)被光刻設(shè)備曝光在晶片上的圖案特征204。投影系統(tǒng)的失 真本質(zhì)為使得掩模200上的圖案特征201在y方向上比在X方向上減少更大的長(zhǎng)度。結(jié)果，在 掩模200上的圖案特征201的矩形形狀已經(jīng)被轉(zhuǎn)換為晶片上的方形的圖案特征204。
[0123] 如果照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS的取向沒有與X和y方向?qū)?yīng)，那么會(huì)產(chǎn)生問題。在 本文中，y方向可以被定義為在晶片的曝光過程中掩模200的掃描移動(dòng)的方向。在減縮因數(shù) 沿X和y方向相同的常規(guī)的光刻設(shè)備中，照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)相對(duì)于y方向的旋轉(zhuǎn)對(duì)曝光在 晶片上的圖案沒有影響(假設(shè)掩模和晶片被對(duì)準(zhǔn)以沿相同的方向移動(dòng)）。然而，當(dāng)使用失真 投影系統(tǒng)時(shí)，該旋轉(zhuǎn)將導(dǎo)致所產(chǎn)生的被投影的圖案的變形。參照?qǐng)D11a，曝光狹縫212被旋轉(zhuǎn) 使得其不再與X和y軸對(duì)準(zhǔn)。照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)也以相同的方式旋轉(zhuǎn)。作為該旋轉(zhuǎn)的結(jié)果， 由投影系統(tǒng)應(yīng)用的減縮因數(shù)將變形引入到被投影的圖案中。圖Ilb示意性地示出當(dāng)曝光狹 縫212(和投影系統(tǒng))具有相對(duì)于圖案特征211如圖Ila所示的取向時(shí)成像在晶片上的圖案特 征214。圖案特征211的在曝光狹縫的中線215處的部分將準(zhǔn)確地被投影系統(tǒng)成像。然而，遠(yuǎn) 離中線215處將發(fā)生圖案特征211的變形，變形的尺寸隨著距中線的距離而增大。因而，當(dāng)掩 模210被如圖Ila所示地相對(duì)于曝光狹縫212定位時(shí)，將形成大致鉆石形的圖案特征圖像 214。如圖Ilb所示的鉆石形的圖案特征圖像214是示意性的，并且僅僅意在大致圖示出將發(fā) 生的圖案特征的變形。
[0124] 投影系統(tǒng)的減縮因數(shù)可以使用如下矩陣描述：
[0125]
[0126] 旋轉(zhuǎn)矩陣可以使用如下矩陣描述：
[0127]
[0128] 由投影系統(tǒng)應(yīng)用的減縮和旋轉(zhuǎn)為這些矩陣的乘積，即：
[0129]
[0130]
[0131]
[0132] 因而，在掩模處為矩形201的情況下，旋轉(zhuǎn)的效果是使矩形變形，使得其以基本上 鉆石形（如由圖Ilb中的鉆石形狀214所示意性地給出的）被成像。圖案特征圖像214被拉伸 呈鉆石形狀的長(zhǎng)度為投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)的直接測(cè)量并且為該旋轉(zhuǎn)的線性函數(shù)。
[0133] 由于掩模210在掃描曝光過程中相對(duì)于曝光狹縫212移動(dòng)，在掩模上的圖案特征 211的每一個(gè)部分都將穿過曝光狹縫212的中線215。結(jié)果，應(yīng)用在圖案特征211上的變形從 在曝光狹縫的一邊處的最大值變化，穿過在曝光狹縫的中心處的零值，并且在曝光狹縫的 另一條邊處增大至最大值(使用反號(hào)）。該變化的變形的結(jié)果將是通過掃描曝光成像在襯底 上的圖案特征的衰落。
[0134] 為了避免上述問題，照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS相對(duì)于y方向的取向可以被測(cè)量，以 便允許修正該取向。圖12示意性地示出了可被使用的測(cè)量方法。掩模支撐結(jié)構(gòu)MT設(shè)有兩對(duì) 圖案220a、b;211a、b(例如，對(duì)準(zhǔn)光柵或其它結(jié)構(gòu)）。該圖案設(shè)置在位于掩模支撐結(jié)構(gòu)上的反 射區(qū)域上。光刻設(shè)備的曝光狹縫222被定位為使得其具有穿過圖案220a、b的中心的中線 235，如圖12a所示。因而，曝光狹縫222的中心部被用于照射圖案220a、b。光刻設(shè)備的投影系 統(tǒng)PS在襯底臺(tái)WT(襯底臺(tái)圖示在圖1中）處形成被照射的圖案220a、b的圖像。這些空間圖像 的位置使用襯底臺(tái)WT中的檢測(cè)器(未示出)被測(cè)量。
[0135] 然后沿y方向移動(dòng)襯底支撐結(jié)構(gòu)MT，使得圖案220a、b遠(yuǎn)離中線235定位(例如在曝 光狹縫222的一邊處或接近曝光狹縫222)，如圖12b所示。產(chǎn)生的空間圖像再次被襯底臺(tái)WT 中的檢測(cè)器測(cè)量。由于上面結(jié)合圖Ilb解釋的原因，由于曝光狹縫(和投影光學(xué)器件)相對(duì)于 y方向的旋轉(zhuǎn)，圖案220a、b的空間圖像將沿X方向移位。X方向移位的尺寸與曝光狹縫和投影 光學(xué)器件遠(yuǎn)離y方向的旋轉(zhuǎn)成比例。因而，圖案的空間圖像的測(cè)量的X方向移位可被用于確 定曝光狹縫和投影光學(xué)器件的旋轉(zhuǎn)。
[0136] 參照?qǐng)D12c，掩模支撐結(jié)構(gòu)MT被移動(dòng)使得圖案220a、b在中線235的相對(duì)側(cè)上（例如 在曝光狹縫222的相對(duì)邊處或接近曝光狹縫222的相對(duì)邊），并且再次執(zhí)行測(cè)量。這提供圖案 空間圖像的X方向移位的附加的測(cè)量。測(cè)量的X方向移位將具有與由前述的測(cè)量步驟測(cè)量的 移位相反的方向。再者，X方向移位的尺寸與曝光狹縫和投影光學(xué)器件的旋轉(zhuǎn)成比例，并且 測(cè)量的移位可被用于確定曝光狹縫和投影光學(xué)器件的旋轉(zhuǎn)。該附加的測(cè)量例如可被用于補(bǔ) 償投影系統(tǒng)的非遠(yuǎn)心度(非遠(yuǎn)心度將導(dǎo)致X方向移位的尺寸在中線235的每一側(cè)上不同）。
[0137] 對(duì)于設(shè)置在掩模支撐結(jié)構(gòu)MT的相對(duì)端部上的圖案221a、b可以以相同方式執(zhí)行附 加的測(cè)量。
[0138] 本發(fā)明的實(shí)施例允許照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)相對(duì)于y方向的旋轉(zhuǎn)被測(cè)量并且然后被 修正?？梢酝ㄟ^修改掩模和晶片的掃描移動(dòng)的方向獲得修正，使得掃描移動(dòng)的y方向相對(duì)于 照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)。
[0139] 圖10-12中示出的矩形的曝光狹縫222僅僅是可以由光刻設(shè)備(參見圖1)的照射系 統(tǒng)IL生成的輻射帶的示例。輻射帶可以具有某些其它形狀。例如，輻射帶可以是彎曲的。
[0140] 雖然本文中具體參考以光刻設(shè)備為背景的本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明的實(shí)施例 也可以用于其它設(shè)備中。本發(fā)明的實(shí)施例可以形成掩模檢查設(shè)備、量測(cè)設(shè)備或者測(cè)量或處 理諸如晶片(或其它襯底)或掩模(或其它圖案形成裝置)等物體的任何設(shè)備的一部分。這些 設(shè)備通?？杀环Q為光刻工具。該光刻工具可以使用真空條件或環(huán)境(非真空)條件。
[0141] 術(shù)語"EUV輻射"可以被視為包含具有4-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的電磁輻射，例如具有 13 -14nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。EUV輻射可以具有小于I Onm的波長(zhǎng)，例如在4-1 Onm范圍內(nèi)，例如 6 · 7nm或 6 · 8nm〇
[0142] 雖然本文詳述了光刻設(shè)備在制造 IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解到，這里描述的光刻 設(shè)備可以有其他應(yīng)用?？赡艿钠渌麘?yīng)用包括制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和 檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。
[0143] 盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來實(shí)現(xiàn)。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光刻系統(tǒng)，包括： 具有失真投影系統(tǒng)的光刻設(shè)備;和 輻射源，所述輻射源被配置為在等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射的等離子體，發(fā) 射EUV輻射的等離子體在基本上垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的光 軸的平面內(nèi)為大致橢圓形。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻系統(tǒng)，其中發(fā)射EUV輻射的等離子體在與失真投影系 統(tǒng)的光瞳的主軸一致的方向上是細(xì)長(zhǎng)的。4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻系統(tǒng)，其中輻射源包括預(yù)脈沖激光器，所述 預(yù)脈沖激光器被配置為提供激光脈沖，所述激光脈沖使燃料液滴在第一方向上比在第二方 向上膨脹更多，第一方向和第二方向垂直于激光脈沖的入射方向。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻系統(tǒng)，其中由預(yù)脈沖激光器提供的激光脈沖具有大致橢 圓形的橫截面。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光刻系統(tǒng)，其中由預(yù)脈沖激光器提供的激光脈沖在第一方 向上被線性偏振。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光刻系統(tǒng)，其中輻射源包括預(yù)脈沖激光器，所述 預(yù)脈沖激光器被配置為使燃料液滴膨脹以形成相對(duì)于輻射源的光軸傾斜的標(biāo)靶。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻系統(tǒng)，其中標(biāo)靶相對(duì)于輻射源的光軸的傾斜度在30度至 60度之間。9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光刻系統(tǒng)，其中標(biāo)靶為大致盤形。10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻系統(tǒng)，其中輻射源包括兩個(gè)或多個(gè)激光器， 所述兩個(gè)或多個(gè)激光器被配置為提供在等離子體形成位置處部分重疊的激光束腰部。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻系統(tǒng)，其中所述兩個(gè)或多個(gè)激光器被配置為順序地提 供激光束脈沖，使得在生成發(fā)射EUV輻射的等離子體源的第二部分之前生成發(fā)射EUV輻射的 等尚體子的第一部分。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻系統(tǒng)，其中從相同的燃料標(biāo)靶生成發(fā)射EUV輻射的等離 子體的第一和第二部分。13. -種輻射源，所述輻射源包括被配置為在等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射的 等離子體的輻射源，發(fā)射EUV輻射的等離子體在基本上垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)具有 細(xì)長(zhǎng)形狀。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的輻射源，其中發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的光 軸的平面內(nèi)為大致橢圓形。15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的輻射源，其中輻射源包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激 光器被配置為提供激光脈沖，所述激光脈沖使燃料液滴在第一方向上比在第二方向上膨脹 更多，第一方向和第二方向垂直于激光脈沖的入射方向。16. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的輻射源，其中輻射源包括預(yù)脈沖激光器，所述預(yù)脈沖激 光器被配置為使燃料液滴膨脹以形成相對(duì)于輻射源的光軸傾斜的標(biāo)靶。17. -種光刻系統(tǒng)，包括： 具有失真投影系統(tǒng)的光刻設(shè)備； 第一輻射源，所述第一輻射源被配置為在第一等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射 的等離子體并且將EUV輻射引導(dǎo)至第一中間焦點(diǎn);和 第二輻射源，所述第二輻射源被配置為在第二等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射 的等離子體并且將EUV輻射引導(dǎo)至第二中間焦點(diǎn)，所述第二中間焦點(diǎn)被相對(duì)于第一中間焦 點(diǎn)在空間上移位;和 照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)被配置為從第一中間焦點(diǎn)和第二中間焦點(diǎn)接收EUV輻射。18. 一種光刻方法，包括： 使用輻射源在等離子體形成位置處生成發(fā)射EUV輻射的等離子體，發(fā)射EUV輻射的等離 子體在基本上垂直于輻射源的光軸的平面內(nèi)具有細(xì)長(zhǎng)形狀； 使用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)產(chǎn)生的EUV輻射； 在EUV輻射的橫截面上圖案化EUV輻射以形成圖案化的輻射束;和 使用失真投影系統(tǒng)將圖案化的EUV輻射束投影到襯底上。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的光刻方法，其中發(fā)射EUV輻射的等離子體在垂直于輻射源的 光軸的平面內(nèi)為大致橢圓形。20. 根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的光刻方法，其中發(fā)射EUV輻射的等離子體在與失真投影 系統(tǒng)的光瞳的主軸一致的方向上是細(xì)長(zhǎng)的。21. -種測(cè)量光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)相對(duì)于光刻設(shè)備的掃描方向的旋轉(zhuǎn)的方法，所述方 法包括： 使用輻射帶的中心部分照射圖案，并且測(cè)量由投影系統(tǒng)形成的圖案的空間圖像的位 置； 使用輻射帶的遠(yuǎn)離中心部分的部分照射圖案，并且測(cè)量由投影系統(tǒng)形成的圖案的空間 圖像的位置； 使用輻射帶的沿相反方向遠(yuǎn)離中心部分的部分照射圖案，并且測(cè)量由投影系統(tǒng)形成的 圖案的空間圖像的位置;和 通過比較圖案空間圖像的測(cè)量位置來計(jì)算投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中計(jì)算投影系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)包括比較圖案空間圖像在 基本上垂直于光刻設(shè)備的掃描方向的方向上的測(cè)量位置。23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述方法還包括使用測(cè)量位置之間的差值確定 投影系統(tǒng)的非遠(yuǎn)心度。24. 根據(jù)權(quán)利要求21至23中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述圖案設(shè)置在光刻設(shè)備的掩模 支撐結(jié)構(gòu)上。25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述圖案設(shè)置在光刻設(shè)備的掩模支撐結(jié)構(gòu)的相 對(duì)端部處，并且其中使用設(shè)置在掩模支撐結(jié)構(gòu)的一個(gè)端部處的圖案執(zhí)行所述方法，并且然 后使用設(shè)置在掩模支撐結(jié)構(gòu)的相對(duì)端部處的圖案執(zhí)行所述方法。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK106062636SQ201580010247
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年1月23日
【發(fā)明人】簡(jiǎn)·伯納德·普萊徹爾墨斯·范斯庫特, M·庫珀厄斯, A·M·雅庫尼恩
【申請(qǐng)人】Asml荷蘭有限公司