曝光機吸盤結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，屬于半導體領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，半導體黃光工藝包含上光阻、曝光以及顯影三道工序，其中上光阻是指借助離心力將光刻膠均勻地涂布于晶元，形成光刻膠膜的過程；曝光是利用曝光光束將覆有光刻膠膜的晶元進行照射，形成圖案；而顯影則是最后的操作，具體是將曝光形成的排列有序的圖案再經(jīng)顯影工序顯現(xiàn)出來，半導體領(lǐng)域所使用的曝光機配件吸盤的發(fā)明，涂布工序進行時，晶元放置于涂布機吸盤凸起部位，如果晶元背面接觸吸盤凸起部位的區(qū)域受到污染，在進行下道工序即曝光工序時，曝光機吸盤與晶元之間由于顆粒物質(zhì)的存在，曝光時晶元各區(qū)域并不處于同一水平面(存在高度差)，從而引發(fā)曝光離焦不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型提供一種曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，不僅可以提升生產(chǎn)效率、生產(chǎn)良率提高，同時可以降低返工成本。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):一種曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，包括涂布機吸盤、凸起部位1、凹槽部位1、晶元、曝光機吸盤、凸起部位II和凹槽部位II，所述的涂布機吸盤表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位I和凹槽部位I，涂布機吸盤表面另一側(cè)為平面，晶元放在凸起部位I上，所述的曝光機吸盤表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位II和凹槽部位II，曝光機吸盤表面另一側(cè)為平面，晶元放在凸起部位II上。
[0005]所述凸起部位II位于凸起部位I內(nèi)中外圈的中間，凸起部位II與凸起部位I相互錯開。
[0006]所述的凸起部位I和凸起部位II的尺寸相同，凹槽部位I和凹槽部位II的尺寸相同。
[0007]本結(jié)構(gòu)中涂布機吸盤與曝光機吸盤接觸到的晶元背面位置錯開，即使與涂布機吸盤接觸的晶元背面附著顆粒物，污染源也不會蔓延至曝光機吸盤，從而避免了因顆粒物存在而出現(xiàn)曝光離焦不良，可以提升生產(chǎn)效率、生產(chǎn)良率提高，同時可以降低返工成本。
【附圖說明】
[0008]圖1是涂布機吸盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2是曝光機吸盤結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖中:1、涂布機吸盤，11、凸起部位I，12、凹槽部位I，3、晶元，2、曝光機吸盤，21、
凸起部位II，22、凹槽部位II。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步說明。
[0012]如圖1和圖2所示，本曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，包括涂布機吸盤1、凸起部位I 11、凹槽部位I 12、晶元3、曝光機吸盤2、凸起部位II 21和凹槽部位II 22，所述的涂布機吸盤I表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位I 11和凹槽部位I 12，涂布機吸盤I表面另一側(cè)為平面，晶元3放在凸起部位I 2上，所述的曝光機吸盤2表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位II 21和凹槽部位II 22，曝光機吸盤4表面另一側(cè)為平面，晶元3放在凸起部位II 21上。
[0013]所述凸起部位II 5位于凸起部位I 2內(nèi)中外圈的中間，凸起部位II 5與凸起部位
I2相互錯開，因兩種吸盤凸起部位錯開，而不會污染到曝光機吸盤2，從而避免了離焦不良，不僅生產(chǎn)良率得到提升，而且降低了返工成本。
[0014]所述的凸起部位I 11和凸起部位II 21的尺寸相同，凹槽部位I 12和凹槽部位
II22的尺寸相同。
[0015]凸起部位I 11接觸的晶元3背面，附著顆粒物被局部污染；當局部被污染的晶元3放置在曝光機吸盤2時，由于涂布機吸盤I與凸起部位II 21相互錯開，故不會出現(xiàn)因顆粒物存在而產(chǎn)生晶元3傾斜，晶元3在接受曝光光束照射時處于同一水平面，對焦更為精準，曝光后形成的圖形更為均勻有序。
【主權(quán)項】
1.一種曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括涂布機吸盤(I)、凸起部位I (11)、凹槽部位I (12)、晶元(3)、曝光機吸盤(2)、凸起部位II (21)和凹槽部位II (22)，所述的涂布機吸盤(I)表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位I (11)和凹槽部位I (12)，涂布機吸盤(I)表面另一側(cè)為平面，晶元(3)放在凸起部位I (2)上，所述的曝光機吸盤(2)表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位II (21)和凹槽部位II (22)，曝光機吸盤(4)表面另一側(cè)為平面，晶元(3)放在凸起部位II (21)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸起部位II(5)位于凸起部位I (2)內(nèi)中外圈的中間，凸起部位II (5)與凸起部位I (2)相互錯開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的凸起部位I(11)和凸起部位II (21)的尺寸相同，凹槽部位I (12)和凹槽部位II (22)的尺寸相同。
【專利摘要】本實用新型是一種曝光機吸盤結(jié)構(gòu)，包括涂布機吸盤（1）、凸起部位Ⅰ（11）、凹槽部位Ⅰ（12）、晶元（3）、曝光機吸盤（2）、凸起部位Ⅱ（21）和凹槽部位Ⅱ（22），所述的涂布機吸盤表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位Ⅰ和凹槽部位Ⅰ，涂布機吸盤表面另一側(cè)為平面，晶元放在凸起部位Ⅰ上，所述的曝光機吸盤表面一側(cè)均勻等距設(shè)置有凸起部位Ⅱ和凹槽部位Ⅱ，曝光機吸盤表面另一側(cè)為平面，晶元放在凸起部位Ⅱ上；本實用新型不僅可以提升生產(chǎn)效率、生產(chǎn)良率提高，同時可以降低返工成本。
【IPC分類】G03F7-20
【公開號】CN204374611
【申請?zhí)枴緾N201520042567
【發(fā)明人】崔相玉, 魏明德, 金惠東, 金度亨
【申請人】徐州同鑫光電科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年1月22日