一種高標準光纖跳線的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種高標準光纖跳線。
【背景技術】
[0002]光纖跳線用來做從設備到光纖布線鏈路的跳接線，有較厚的保護層，一般用在光端機和終端盒之間的連接。
[0003]現(xiàn)有的光纖跳線都是用普通光纖制作，即普通光纖跳線由普通的光纜、散件、插芯等組成，其相對常規(guī)環(huán)境來說基本滿足，但是對于一些較為惡劣的環(huán)境來說，較為容易造成指標偏大、運行不穩(wěn)定等不良狀況。同時，由于普通光纖的耐折彎程度較低，有時會因為操作時不小心用力過大導致光纖彎折或拉斷，對于操作者來說必須要小心操作，因此增加了操作負擔。
【實用新型內容】
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種高標準光纖跳線，以提高跳線的抗彎折能力及環(huán)境適應能力，提高操作方便性。
[0005]為達到上述目的，本實用新型的技術方案如下:
[0006]一種高標準光纖跳線，包括耐微彎光纜，包覆在所述耐微彎光纜外部的護套，以及安裝在所述耐微彎光纜與護套兩端的單模插芯，所述單模插芯上設置有散件。
[0007]其中，所述耐微彎光纜的型號為G657A2，其最小彎曲半徑為7.5mm ;當卷繞一圈波長為1550nm時，卷繞直徑為15mm時附加衰減< 0.5dB，卷繞直徑為20mm時附加衰減(0.1dB ;當卷繞一圈波長為1625nm時，卷繞直徑為15mm時附加衰減彡1.0B，卷繞直徑為20mm時附加衰減< 0.2dB;當卷繞10圈直徑為30mm時，波長為1550nm時附加衰減(0.03dB，波長為1625nm時附加衰減彡0.1dB0
[0008]通過上述技術方案，本實用新型提供的一種高標準光纖跳線，包括耐微彎光纜連接兩端單模插芯單模插芯上面是成套的散件，經(jīng)過一系列固化、研磨、測試后成為高標準光纖跳線，其通過采用耐微彎光纜，增強了整體彎折能力及環(huán)境適應力，同時也方便操作者操作而不怕出現(xiàn)折彎，因而減少了操作難度。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
[0010]圖1為實施例所公開的一種高標準光纖跳線的結構示意圖。
[0011]圖中數(shù)字表示:
[0012]11.耐微彎光纜12.護套13.單模插芯【具體實施方式】
[0013]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0014]本實用新型提供了一種高標準光纖跳線，包括耐微彎光纜11，包覆在所述耐微彎光纜11外部的護套12，以及安裝在所述耐微彎光纜11與護套12兩端的單模插芯13，所述單模插芯13上設置有散件。
[0015]其中，所述耐微彎光纜11的型號為G657A2，其最小彎曲半徑為7.5mm ;
[0016]當卷繞一圈波長為1550nm時，卷繞直徑為15mm時附加衰減彡0.5dB，卷繞直徑為20mm時附加衰減< 0.1dB ；
[0017]當卷繞一圈波長為1625nm時，卷繞直徑為15mm時附加衰減彡1.0B，卷繞直徑為20mm時附加衰減彡0.2dB ；
[0018]當卷繞10圈直徑為30mm時，波長為1550nm時附加衰減彡0.03dB，波長為1625nm時附加衰減< 0.ldB。
[0019]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本實用新型。對上述實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種高標準光纖跳線，其特征在于，包括耐微彎光纜，包覆在所述耐微彎光纜外部的護套，以及安裝在所述耐微彎光纜與護套兩端的單模插芯，所述單模插芯上設置有散件。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種高標準光纖跳線，其特征在于，所述耐微彎光纜的型號為G657A2，其最小彎曲半徑為7.5mm。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高標準光纖跳線，包括耐微彎光纜，包覆在所述耐微彎光纜外部的護套，以及安裝在所述耐微彎光纜與護套兩端的單模插芯，所述單模插芯上設置有散件；所述耐微彎光纜的型號為G657A2，其最小彎曲半徑為7.5mm。該實用新型采用耐微彎光纜，增強了整體彎折能力及環(huán)境適應力，同時也方便操作者操作而不怕出現(xiàn)折彎，因而減少了操作難度。
【IPC分類】G02B6-44, G02B6-38
【公開號】CN204536614
【申請?zhí)枴緾N201520157246
【發(fā)明人】杜文剛
【申請人】蘇州安捷訊光電科技有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年3月19日