一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版，用于制作帶有標(biāo)記的基底材料從而達(dá)到快速標(biāo)記與定位基底材料上樣品位置的目的。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在光學(xué)、電學(xué)實(shí)驗(yàn)中往往需要將樣品轉(zhuǎn)移至基底材料上才能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，基底材料通常使用石英片、云母片、硅片表面氧化一定厚度的二氧化硅材料。所使用的基底材料大小在厘米量級，而轉(zhuǎn)移到基底材料上的樣品大小只有微米量級。因此，在每次進(jìn)行光學(xué)或電學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)都需要在顯微鏡下定位樣品。若所需要研究的樣品過小或特征不明顯，在定位時(shí)往往需要花費(fèi)大量的時(shí)間。
[0003]光刻技術(shù)是指利用紫外光促使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上的技術(shù)。光刻膠是由溶解在一種或幾種有機(jī)溶劑中的光敏聚合物或預(yù)聚合物的混合物組成的。光刻膠有兩種類型:一種是負(fù)型光刻膠，它們在曝光時(shí)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)形成較曝光前更難溶的聚合物；另一種是正型光刻膠，它們在曝光時(shí)聚合物發(fā)生鏈斷裂分解而變得更容易溶解。根據(jù)他們的特性，負(fù)型光刻膠顯影后曝光部分被固定而費(fèi)曝光部分被洗掉；正型光刻膠則是曝光的部分在顯影后被洗掉，非曝光部分被固定。
[0004]掩膜版是指在光刻過程中作為掩膜的部分，其作用是在一個(gè)平面上有選擇性地阻擋紫外光通過，從而實(shí)現(xiàn)光刻膠的局部曝光。掩膜版的圖形及尺度由計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)完成，常用的設(shè)計(jì)軟件有L-edit和AutoCAD等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決在光學(xué)、電學(xué)實(shí)驗(yàn)中所遇到的在基底材料上尋找樣品費(fèi)時(shí)費(fèi)力的問題，本實(shí)用新型提供了一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版，通過光刻和鍍膜的工藝在基底材料上留下帶有數(shù)字的圖案，從而能夠方便地標(biāo)記和尋找樣品。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:使用L-edit軟件繪制出用于標(biāo)記樣品位置的掩膜版圖案，由十字符號和數(shù)字以及直線等圖形元素規(guī)律排列而組成。圖案中十字符號有兩種大小，分別為64 X 64微米和23 X 23微米，其中較大的十字位于每個(gè)數(shù)字之間，相鄰的4個(gè)較大十字所圍成的區(qū)域中有4個(gè)較小的十字。相鄰數(shù)字之間的距離為500微米，數(shù)字由00?99順序從左到右、從下到上順序排列，由直線將整個(gè)區(qū)域分為兩個(gè)部分。使用高分辨率的激光照排機(jī)或電子束曝光法將圖案打印在透明膠片上制作掩膜版。通過甩膠、烤膠、曝光及顯影等一系列光刻過程將掩膜版上的圖案光刻于光刻膠上。再使用蒸發(fā)鍍膜機(jī)將金蒸鍍于覆蓋有光刻膠的晶元上，用丙酮洗去多于的光刻膠和金后使得作為基底的材料上具有能夠以數(shù)字標(biāo)記樣品位置的金屬圖案，達(dá)到能夠快速標(biāo)記和尋找樣品的目的。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是，可以利用基底材料上的數(shù)字標(biāo)號在顯微鏡下快速找到所要研究的樣品的位置。掩膜版一次制作好后，可以反復(fù)多次使用。
【附圖說明】
[0008]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0009]圖1是本實(shí)用新型的光刻掩膜版圖形，其中封閉圖形十字和數(shù)字表示需要曝光部分。
[0010]圖2是本實(shí)用新型的光刻掩膜版圖形中數(shù)字41處的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
:
[0011]使用L-edit軟件在計(jì)算機(jī)繪制出用于標(biāo)記樣品位置的掩膜版圖案，使用高分辨率的激光照排機(jī)或電子束曝光法將繪制好的圖案打印在透明膠片上，將膠片上的圖案再轉(zhuǎn)印到石英玻璃或者其他透明的材料上，即可用來作為光刻掩膜版。
[0012]實(shí)施例:
[0013]第一步，制作掩膜版。首先使用L-edit軟件繪制出圖1所示的圖形，并使用激光照排機(jī)或電子束曝光法將所繪制的圖形打印在透明膠片上，得到掩膜版。
[0014]第二步，光刻前的準(zhǔn)備工作。在曝光機(jī)開機(jī)前，依次打開曝光間內(nèi)的氮?dú)忾y門，確保曝光機(jī)處顯示壓強(qiáng)在0.3Mpa以上，打開機(jī)械栗，開啟電源后再開啟汞燈，等待15分鐘，確保汞燈的電流電壓穩(wěn)定。在甩膠臺(tái)內(nèi)鋪好鋁箔，使用AZ公司的正型光刻膠，打開甩膠臺(tái)電源，根據(jù)厚度需要選擇甩膠的轉(zhuǎn)數(shù)和時(shí)間，開始甩膠。將烘膠臺(tái)參數(shù)設(shè)置為烘膠溫度90度，烘膠時(shí)間4分鐘。
[0015]第三步，對光刻膠進(jìn)行光刻。在曝光機(jī)中放好掩膜版，確保圖形面朝下以及掩膜版固定。將甩好光刻膠的硅片放在升降臺(tái)上推入并在CCD上進(jìn)行對準(zhǔn)。曝光時(shí)間設(shè)定為6秒，將汞燈部分旋轉(zhuǎn)至掩膜版上方，進(jìn)行曝光。取下硅片及掩膜版，使用顯影液進(jìn)行顯影后用定影液定影。
[0016]第四步，使用熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜。首先打開氣體開關(guān)并檢查水冷回路水壓是否正常，之后打開配電箱以及熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)的電源開關(guān)。將氮?dú)馑腿霕悠非皇液笕∠聵悠纷?，將帶有光刻膠的基底材料固定在樣品板上后裝回樣品臺(tái)，轉(zhuǎn)動(dòng)180度朝下，關(guān)閉腔門。將氮?dú)馑腿胫瞥糖缓蟠蜷_腔門，將金粒靶材放到鎢舟中間后觀賞擋板。關(guān)上腔門后進(jìn)行抽正空，將整個(gè)腔體真空度抽至5E-5T0rr以下。在蒸鍍機(jī)的菜單中選擇為金預(yù)設(shè)的蒸鍍參數(shù)并選擇需要加熱的鎢舟，開始鍍膜。鍍膜后將氮?dú)馑腿肭皇?，打開上蓋，取出鍍有金膜的基底材料。
[0017]第五步，洗膠。將鍍有金膜的基底材料放入丙酮中，浸泡直至光刻膠以及鍍在光刻膠上的金與基底材料脫離后取出，得到帶有金屬標(biāo)記的基底材料。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版，其特征是:由十字符號和數(shù)字以及直線等元素規(guī)律排列而組成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版，其特征是十字符號有兩種大小，分別為64X64微米和23 X 23微米，其中較大的十字位于每個(gè)數(shù)字之間，相鄰的4個(gè)較大十字所圍成的區(qū)域中有4個(gè)較小的十字。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版，其特征是相鄰數(shù)字之間的距離為500微米，數(shù)字由00?99順序從左到右、從下到上順序排列，由直線將整個(gè)區(qū)域分為兩個(gè)部分。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種帶有輔助定位標(biāo)記圖案的光刻掩膜版。它的圖案由數(shù)字和十字符號組成，能夠通過光刻鍍膜的方法將圖案制于基底材料上，形成易于觀察的金屬圖案。從而達(dá)到在光學(xué)、電學(xué)實(shí)驗(yàn)中能夠方便標(biāo)記并快速尋找樣品位置的目的。
【IPC分類】G03F1/38
【公開號】CN204925611
【申請?zhí)枴緾N201520118909
【發(fā)明人】張芷銘, 邱俊
【申請人】安慶美晶新材料有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年2月28日