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      一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置的制造方法

      文檔序號:10157420閱讀:276來源:國知局
      一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置的制造方法
      【技術領域】
      [0001]本實用新型涉及光波導的超快脈沖傳輸過程技術領域,尤其涉及一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置。
      【背景技術】
      [0002]光纖和光波導中的超快激光脈沖傳輸是近年來的一個重要研究方向,主要的技術手段是在空心的光纖或者光波導中填充高非線性折射率的惰性氣體,從而獲得新的現(xiàn)象和新的理論等;理論分析表明,光纖和光波導中的惰性氣體的密度如能按照一定的需求進行分布,將有可能獲得新的現(xiàn)象和理論;目前常用的一個方案是采用氣壓梯度的方式形成空心的光纖和光波導中的惰性氣體密度分布,但這種方案存在幾個問題:首先是只能形成從入口到出口的線性氣壓分布,無法形成其他分布形式;其次氣壓梯度的方案需要是開放式系統(tǒng),造成惰性氣體的浪費;第三氣壓梯度的方案氣體的流動對脈沖傳輸過程存在影響。
      【實用新型內容】
      [0003]本實用新型目的就是為了彌補已有技術的缺陷,提供一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,從而實現(xiàn)光波導中的高非線性折射率惰性氣體密度分布。
      [0004]本實用新型是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
      [0005]—種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,包括有圓形底座,在圓形底座上均勾分布有若干個溫度模塊,在溫度模塊內部開有圓形通孔,在一部分圓形通孔內壁安裝有冷卻水管構成冷卻溫度模塊,在另外一部分圓形通孔內壁安裝有加熱電阻構成加熱溫度模塊。加熱溫度模塊和冷卻溫度模塊的穩(wěn)定溫度均為外部器件單獨控制。
      [0006]所述的冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊分別有單獨的控制器,冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊的分布根據所需要的溫度場分布進行排列。
      [0007]本實用新型的優(yōu)點是:本實用新型首先采用溫度場分布來取代常用的氣壓場分布,可以有效的避免惰性氣體的浪費和避免氣體流動對脈沖傳輸的影響;其次模塊化設計加熱和制冷模塊,可隨意的組裝拼接,適用于不同長度和不同場分布需求的應用。
      【附圖說明】
      [0008]圖1為本實用新型的結構示意圖。
      [0009]圖2為加熱溫度模塊結構圖。
      [0010]圖3為冷卻溫度模塊結構圖。
      【具體實施方式】
      [0011]如圖1、2、3所示,一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,包括有圓形底座1,在圓形底座1上均勻分布有若干個溫度模塊2,在溫度模塊2內部開有圓形通孔,在一部分圓形通孔內壁安裝有冷卻水管3構成冷卻溫度模塊,在另外一部分圓形通孔內壁安裝有加熱電阻4構成加熱溫度模塊。加熱溫度模塊和冷卻溫度模塊的穩(wěn)定溫度均為外部器件單獨控制,光波導5依次穿過各個溫度模塊2。
      [0012]所述的冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊分別有單獨的控制器,冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊的分布根據所需要的溫度場分布進行排列。
      【主權項】
      1.一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,其特征在于:包括有圓形底座,在圓形底座上均勻分布有若干個溫度模塊,在溫度模塊內部開有圓形通孔,在一部分圓形通孔內壁安裝有冷卻水管構成冷卻溫度模塊,在另外一部分圓形通孔內壁安裝有加熱電阻構成加熱溫度模塊。2.根據權利要求1所述的一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,其特征在于:所述的冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊分別有單獨的控制器,冷卻溫度模塊和加熱溫度模塊的分布根據所需要的溫度場分布進行排列。
      【專利摘要】本實用新型公開了一種光波導用可調節(jié)溫度場分布裝置,包括有圓形底座,在圓形底座上均勻分布有若干個溫度模塊,在溫度模塊內部開有圓形通孔,在一部分圓形通孔內壁安裝有冷卻水管構成冷卻溫度模塊,在另外一部分圓形通孔內壁安裝有加熱電阻構成加熱溫度模塊。加熱溫度模塊和冷卻溫度模塊的穩(wěn)定溫度均為外部器件單獨控制。本實用新型首先采用溫度場分布來取代常用的氣壓場分布,可以有效的避免惰性氣體的浪費和避免氣體流動對脈沖傳輸的影響;其次模塊化設計加熱和制冷模塊,可隨意的組裝拼接,適用于不同長度和不同場分布需求的應用。
      【IPC分類】G02B6/10, G02B6/032
      【公開號】CN205067785
      【申請?zhí)枴緾N201520652425
      【發(fā)明人】梁勖, 林穎, 陶汝華, 趙讀亮
      【申請人】中國科學院合肥物質科學研究院
      【公開日】2016年3月2日
      【申請日】2015年8月25日
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