[0075]步驟101、在襯底基板之上形成柵線、柵極、公共電極線和遮光圖形。
[0076]具體地，在襯底基板之上濺射柵金屬層，對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成柵線、柵極、公共電極線和遮光圖形。其中，柵金屬層的材料可包括Cu、Al、Mo、T1、Cr或W等金屬材料，也可以采用上述材料的合金;柵金屬層可以采用單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，例如Mo\Al\Mo、Ti\Cu\Ti 或者 Mo\Ti\Cu。
[0077]步驟102、在完成步驟101的襯底基板之上形成柵絕緣層。
[0078]具體地，在完成步驟101的襯底基板之上沉積柵絕緣層。其中，柵絕緣層的材料可包括氮化硅或氧化硅;柵絕緣層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅\氮化硅。
[0079]步驟103、在柵絕緣層之上形成有源層，有源層位于柵極的上方。
[0080]具體地，在柵絕緣層之上形成有源材料層，對有源材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層。其中，有源層的材料包括非晶硅，多晶硅、微晶硅或氧化物半導(dǎo)體，例如a-S1、n+a_Si或者IGZO。
[0081]步驟104、在完成步驟103的襯底基板之上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
[0082]具體地，在完成步驟103的襯底基板之上沉積源漏金屬層，對源漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。其中，源漏金屬層的材料可包括Cu、Al、Mo、T1、Cr或W等金屬材料，也可以采用上述材料的合金;源漏金屬層可以采用單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，例如]?0\厶1\]\10、11\01\11或者]\10\11\01。
[0083]步驟105、在完成步驟104的襯底基板之上形成度鈍化層。
[0084]具體地，在完成步驟104的襯底基板之上沉積鈍化層。其中，鈍化層的材料可以為無機(jī)材料，例如氮化硅或者氧化硅;鈍化層的材料可以為有機(jī)材料，例如:有機(jī)樹脂材料。
[0085]步驟106、在鈍化層上形成過孔，過孔位于漏極之上。
[0086]具體地，對鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，在鈍化層上形成過孔，以暴露出漏極。
[0087]步驟107、在完成步驟106的襯底基板之上形成第一亞像素電極、第二亞像素電極和亞像素電極連接結(jié)構(gòu)。
[0088]具體地，在完成步驟106的襯底基板之上濺射導(dǎo)電材料層，對導(dǎo)電材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成第一亞像素電極、第二亞像素電極和亞像素電極連接結(jié)構(gòu)。其中，導(dǎo)電材料層的材料可包括透明金屬氧化物，例如:ITO或者IZO。
[0089]本實(shí)施例中各步驟的執(zhí)行順序僅為一種示例，在實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)顯示基板中結(jié)構(gòu)的改變對各步驟的執(zhí)行順序進(jìn)行相應(yīng)的變更，此處不再一一列舉。
[0090]本實(shí)施例提供的顯示基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一、實(shí)施例二、實(shí)施例二或者實(shí)施例四提供的顯不基板。
[0091]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括:襯底基板和位于所述襯底基板上方的柵線、數(shù)據(jù)線和像素單元，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有第一亞像素電極和第二亞像素電極，所述柵線位于所述第一亞像素電極和所述第二亞像素電極之間，相鄰的柵線和相鄰的數(shù)據(jù)線圍成顯示單元，每個(gè)顯示單元包括一個(gè)像素單元中的第一亞像素電極和相鄰的像素單元中的第二亞像素電極，所述顯示單元中的預(yù)設(shè)區(qū)域包括遮光圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述遮光圖形包括第一遮光部； 所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述顯示單元中的第一亞像素電極和第二亞像素電極之間的間隙的端部，所述第一遮光部與所述間隙的端部重疊;和/或 所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括所述顯示單元中的第一亞像素電極和第二亞像素電極之間的間隙的端部的周邊區(qū)域，所述第一遮光部與所述間隙的端部的周邊區(qū)域重疊。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一遮光部包括沿所述數(shù)據(jù)線方向設(shè)置的分支部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一遮光部還包括與所述分支部連接的且頂部朝向所述間隙突出設(shè)置的突出部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述分支部上與所述突出部對應(yīng)的位置朝向所述間隙內(nèi)凹設(shè)置，或者，所述分支部上與所述突出部對應(yīng)的位置背向所述間隙突出設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述突出部的形狀為梯形或者三角形。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述突出部的中心線和所述間隙的中心線重合。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述分支部和所述數(shù)據(jù)線重疊設(shè)置。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述突出部與所述間隙兩側(cè)的第一亞像素電極和第二亞像素電極重疊。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示單元的第一亞像素電極包括兩個(gè)交叉設(shè)置的根莖部和設(shè)置于根莖部上的多個(gè)分支電極，分支電極之間形成有狹縫；所述顯示單元的第二亞像素電極包括兩個(gè)交叉設(shè)置的根莖部和設(shè)置于根莖部上的多個(gè)分支電極，分支電極之間形成有狹縫;所述遮光圖形包括第二遮光部； 所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部，所述第二遮光部與所述至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部重疊;和/或 所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部的周邊區(qū)域，所述第二遮光部與所述至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部的周邊區(qū)域重疊。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述兩個(gè)交叉設(shè)置的根莖部包括沿所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的根莖部和沿所述柵線設(shè)置的根莖部； 當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域包括至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部時(shí)，所述第二遮光部與沿所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的根莖部的遠(yuǎn)離所述顯示單元中的第一亞像素電極和第二亞像素電極之間的間隙的一個(gè)端部重疊;或者， 當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域包括至少一個(gè)所述根莖部的至少一個(gè)端部的周邊區(qū)域時(shí)，所述第二遮光部與沿所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的根莖部的遠(yuǎn)離所述顯示單元中的第一亞像素電極和第二亞像素電極之間的間隙的一個(gè)端部的周邊區(qū)域重疊。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述第二遮光部的形狀為梯形或者三角形。13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括公共電極線，所述公共電極線位于像素單元中的所述第一亞像素電極和所述第二亞像素電極之間且位于相鄰柵線之間，所述分支部為從所述公共電極線延伸出的圖形。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括公共電極線，所述公共電極線位于像素單元中的所述第一亞像素電極和所述第二亞像素電極之間且位于相鄰柵線之間，所述第二遮光部為從所述公共電極線延伸出的圖形。15.—種顯示裝置，其特征在于，包括:相對設(shè)置的對置基板和權(quán)利要求1至14任一所述的顯不基板D
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種顯示基板和顯示裝置。該顯示基板包括：襯底基板和位于所述襯底基板上方的柵線、數(shù)據(jù)線和像素單元，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有第一亞像素電極和第二亞像素電極，所述柵線位于所述第一亞像素電極和所述第二亞像素電極之間，相鄰的柵線和相鄰的數(shù)據(jù)線圍成顯示單元，每個(gè)顯示單元包括一個(gè)像素單元中的第一亞像素電極和相鄰的像素單元中的第二亞像素電極，所述顯示單元中的預(yù)設(shè)區(qū)域包括遮光圖形。本實(shí)施例中，所述顯示單元中的預(yù)設(shè)區(qū)域包括遮光圖形，遮光圖形對預(yù)設(shè)區(qū)域起到擋光作用，從而避免了漏光現(xiàn)象。
【IPC分類】G02F1/1343, G02F1/1362
【公開號(hào)】CN205247020
【申請?zhí)枴緾N201521108609
【發(fā)明人】程鴻飛, 先建波, 李盼
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月28日