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      一種導光板的制作方法

      文檔序號:10406301閱讀:335來源:國知局
      一種導光板的制作方法
      【技術領域】
      [0001 ]本實用新型涉及一種導光板。
      【背景技術】
      [0002]導光板因具有導光性能高和吸光率低的特點,廣泛應用于液晶顯示器、面板燈,超薄導光燈箱、導光標示牌、發(fā)光像框及畫框、超薄觀片器等領域。
      [0003]目前,多數(shù)導光板設有兩個鏡面,其中一個鏡面為印刷面,另一個鏡面為出光面,這種導光板的導光性能和均勻性能都為未能達到產品最優(yōu)化。
      【實用新型內容】
      [0004]有鑒于此,本實用新型的目的在于提高導光板的導光性能和均勻性,提供一種導光性能和均勻性優(yōu)異的導光板。
      [0005]為達到上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
      [0006]—種導光板,包括鏡面和出光面,所述出光面上一體設有相互平行的圓弧凸條,相鄰兩圓弧凸條之間為過渡圓弧面,所述圓弧凸條和過渡圓弧面形成波紋狀的出光面,所述圓弧凸條的截面半徑大于過渡圓弧面的半徑。
      [0007]進一步,所述出光面的波峰處的半徑為256?315um,波谷處的半徑為45?55um,所述出光面的波峰高為58?72um,相鄰兩波峰之間的距離為315?385um,所述導光板由PS塑料制成。
      [0008]進一步,所述出光面的波峰處的半徑為270?300um,波谷處的半徑為47?53um,所述出光面的波峰高為61?69um,相鄰兩波峰之間的距離為332?368um。
      [0009]進一步,所述出光面的波峰處半徑為285 um,波谷處半徑為50um,所述出光面的波峰高為65um,相鄰兩波峰之間的距離為350umo
      [0010]進一步,所述鏡面上設有若干網(wǎng)點。
      [0011]進一步,所述網(wǎng)點為印刷式網(wǎng)點或激光打點式網(wǎng)點。
      [0012]進一步,所述鏡面上靠近光源的網(wǎng)點較遠離光源的網(wǎng)點小,靠近光源的網(wǎng)點至遠離光源的網(wǎng)點由小至大漸變分布。
      [0013]進一步,所述鏡面上靠近光源的網(wǎng)點至遠離光源的網(wǎng)點由疏至密分布。
      [0014]本實用新型的有益效果在于:
      [0015]本實用新型的導光板導光性能優(yōu)異,較現(xiàn)有傳統(tǒng)導光板的基礎上提高了出光亮度和出光均勻度。
      【附圖說明】
      [0016]為了使本實用新型的目的、技術方案和有益效果更加清楚,本實用新型提供如下附圖進行說明:
      [0017]圖1為本實用新型的結構不意圖;
      [0018]圖2為網(wǎng)點的排布圖;
      [0019]圖3為光源與網(wǎng)點的位置關系示意圖。
      [0020]其中:1 一鏡面、2—出光面、3—圓弧凸條、4一過渡圓弧、5 —網(wǎng)點、6 —光源。
      【具體實施方式】
      [0021]下面將結合附圖,對本實用新型的優(yōu)選實施例進行詳細的描述。
      [0022]實施例一
      [0023]如圖1所示,本實用新型的導光板,包括鏡面I和出光面2,所述出光面2上一體設置有若干相互平行的圓弧凸條3,相鄰圓弧凸條3之間為過渡圓弧4,所述圓弧凸條3和過渡圓弧4形成波紋狀的出光面2,所述圓弧凸條3的截面半徑大于過渡圓弧4的半徑,所述出光面2的波峰處的半徑為256?315um,波谷處的半徑為45?55um,所述出光面的波峰高為58?72um,相鄰兩波峰之間的距離為315?385um。該出光面又可稱為結構面。
      [0024]本實施例中,該導光板由PS塑料制成,其吸水率低,導光板不易變形,可提高導光板的使用壽命。當然,在具體實施過程中,該導光板也可采用PC、PMMA等材料制成。
      [0025]工作時,如圖2、圖3所示,光源設置在鏡面I和出光面2的側向,光線進入鏡面I和出光面2之間的區(qū)域內,經(jīng)鏡面I折反射,從出光面2發(fā)出面光源。
      [0026]本實用新型的導光板導光性能優(yōu)異,該圓弧凸條提高了透光率,增強了出光亮度,增加了出射的平行光束比例,從而提高了出光均勻性;該過渡圓弧避免兩相鄰的圓弧凸條相貫后形成棱邊,提高了透光率;另外,該出光面的波峰處的半徑為256?315um,波谷處的半徑為45?55um,波峰高為58?72um,相鄰兩波峰之間的距離為315?385um,可進一步提高透光率和出光均勻性。
      [0027]作為上述方案的改進,所述鏡面I上設有若干網(wǎng)點5,光源6經(jīng)該網(wǎng)點5散射和漫反射后更加均勻。具體的,該網(wǎng)點5為印刷式網(wǎng)點或激光打點式網(wǎng)點,當該網(wǎng)點為印刷式網(wǎng)點,鏡面I為印刷面;當網(wǎng)點5為激光打點式網(wǎng)點時,鏡面I為激光打點面。
      [0028]作為上述方案的改進,參見圖2,所述鏡面I上靠近光源6的網(wǎng)點面積較遠離光源6的網(wǎng)點面積小,靠近光源6的網(wǎng)點至遠離光源6的網(wǎng)點由小至大漸變分布。此時,離光源6較遠處的網(wǎng)點可反射和散射較多光束,具有補償作用,使得出光更均勻。
      [0029]作為上述方案的改進,參見圖3,所述鏡面I上靠近光源6的網(wǎng)點至遠離光源6的網(wǎng)點由疏至密分布。此時,離光源6較遠處的網(wǎng)點可反射和散射較多光束,具有補償作用,使得出光更均勻。
      [0030]具體實施過程中,如圖2所示,光源6可設置在鏡面I和出光面2兩側,此時,鏡面I上的網(wǎng)點對稱設置,對稱中心處網(wǎng)點最大,緊鄰光源6的網(wǎng)點最小;如圖3所示,光源6也可設置在鏡面I和出光面2單側。
      [0031]實施例二
      [0032]本實施例與實施例一的不同之處在于:所述出光面的波峰處的半徑范圍為270?300um,波谷處的半徑范圍為47?53um,波峰高范圍為61?69um,相鄰兩波峰之間的距離為332?368um。此范圍內的導光板較實施例一中導光板的導光性能更佳。
      [0033]實施例三
      [0034]本實施例與實施例二的不同之處在于:所述出光面的波峰處半徑為285um,波谷處半徑為50um,波峰高為65um,相鄰兩波峰之間的距離為350um。此數(shù)值的導光板較實施例二中的導光板導光性能更優(yōu)異。
      [0035]最后說明的是,以上優(yōu)選實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制,盡管通過上述優(yōu)選實施例已經(jīng)對本實用新型進行了詳細的描述,但本領域技術人員應當理解,可以在形式上和細節(jié)上對其作出各種各樣的改變,而不偏離本實用新型權利要求書所限定的范圍。
      【主權項】
      1.一種導光板,其特征在于:包括鏡面和出光面,所述出光面上一體設有相互平行的圓弧凸條,相鄰兩圓弧凸條之間為過渡圓弧面,所述圓弧凸條和過渡圓弧面形成波紋狀的出光面,所述圓弧凸條的截面半徑大于過渡圓弧面的半徑。2.根據(jù)權利要求1所述的一種導光板,其特征在于:所述出光面的波峰處的半徑為256?315um,波谷處的半徑為45?55um,所述出光面的波峰高為58?72um,相鄰兩波峰之間的距離為315?385um,所述導光板由PS塑料制成。3.根據(jù)權利要求2所述的一種導光板,其特征在于:所述出光面的波峰處的半徑為270?300um,波谷處的半徑為47?53um,所述出光面的波峰高為61?69um,相鄰兩波峰之間的距離為332?368um。4.根據(jù)權利要求3所述的一種導光板,其特征在于:所述出光面的波峰處半徑為285um,波谷處半徑為50um,所述出光面的波峰高為65um,相鄰兩波峰之間的距離為350umo5.根據(jù)權利要求1所述的一種導光板,其特征在于:所述鏡面上設有若干網(wǎng)點。6.根據(jù)權利要求5所述的一種導光板,其特征在于:所述網(wǎng)點為印刷式網(wǎng)點或激光打點式網(wǎng)點。7.根據(jù)權利要求5所述的一種導光板,其特征在于:所述鏡面上靠近光源的網(wǎng)點較遠離光源的網(wǎng)點小,靠近光源的網(wǎng)點至遠離光源的網(wǎng)點由小至大漸變分布。8.根據(jù)權利要求5所述的一種導光板,其特征在于:所述鏡面上靠近光源的網(wǎng)點至遠離光源的網(wǎng)點由疏至密分布。
      【專利摘要】本實用新型公開了一種導光板,包括鏡面(印刷網(wǎng)點/激光打點)和出光面(結構面),所述出光面上一體設有相互平行的圓弧凸條,相鄰兩圓弧凸條之間為過渡圓弧面,所述圓弧凸條和過渡圓弧面形成波紋狀的出光面,所述圓弧凸條的截面半徑大于過渡圓弧面的半徑。本實用新型的導光板導光性能優(yōu)異,較現(xiàn)有導光板提高了出光亮度、出光更均勻,且吸水率更低。
      【IPC分類】G02B6/00
      【公開號】CN205317976
      【申請?zhí)枴緾N201521088224
      【發(fā)明人】郭志強, 程媛媛
      【申請人】重慶鑫翎創(chuàng)福光電科技股份有限公司
      【公開日】2016年6月15日
      【申請日】2015年12月23日
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