紅外檢測(cè)濾光透鏡的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種紅外檢測(cè)濾光透鏡，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以C為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本實(shí)用新型所得到的紅外檢測(cè)濾光透鏡，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光片5％Cut on＝5500±400nm，7500～13500nm，Tavg≥70％，1500～4000nm，Tavg≤0.1％，T≤1.0％，4000～5000nm，Tavg≤0.5％。
【專利說(shuō)明】
紅外檢測(cè)濾光透鏡
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種紅外檢測(cè)濾光透鏡。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過(guò)非接觸探測(cè)紅外能量(熱量)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測(cè)設(shè)備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y(cè)到的熱量精確量化或測(cè)量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識(shí)別和嚴(yán)格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來(lái)的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光片，通過(guò)紅外濾光片可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
[0004]但是，目前的紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的紅外檢測(cè)濾光透鏡。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的紅外檢測(cè)濾光透鏡，包括以Si為原材料的基板、第一鍍膜層和以第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有300nm厚度的Ge層、187nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、123nm厚度的Ge層、231nm厚度的ZnS層、91nm厚度的66層、170]11]1厚度的2113層、110111]1厚度的66層、188111]1厚度的2113層、109111]1厚度的66層、21911111厚度的ZnS層、94nm厚度的Ge層、200nm厚度的ZnS層、157nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、127nm厚度的Ge層、269nm厚度的ZnS層、171]11]1厚度的66層、253111]1厚度的2115層、143111]1厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、236nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、228nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、403nm厚度的ZnS層、146nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、424nm厚度的ZnS層、193nm厚度的66層、291]11]1厚度的2113層、194111]1厚度的66層、375111]1厚度2113層、238111]1厚度的66層、450nm厚度的ZnS層、201]11]1厚度的66層、391111]1厚度的2115層、206111]1厚度的66層、401111]1厚度的ZnS層、284nm厚度的Ge層、479nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、574nm厚度的ZnS層、269nm厚度的Ge層、507nm厚度的ZnS層、327nm厚度的Ge層、474nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、544nm厚度的ZnS層、497nm厚度的Ge層、206nm厚度的ZnS層、465nm厚度的Ge層、1155nm厚度的ZnS層，所述的第二鍍膜層為I 10nm厚度的C層。所述的基板為直徑3cm的單面凸透鏡，其凸出面與第一鍍膜層接觸，且凸出面的凸出半徑為4.3cmο
[0007]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本實(shí)用新型所得到的一種紅外檢測(cè)濾光透鏡，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。另外還將基板設(shè)置為單面凸透鏡，進(jìn)一步增加了檢測(cè)效果，該濾光片5%Cut on = 5500±400nm，7500?13500nm，Tavg >70% ,1500?4000nm，Tavg < 0.1 % ,T < 1.0% ,4000?5000nm，Tavg <0.5%。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
[0011 ]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0013]實(shí)施例1。
[0014]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的紅外檢測(cè)濾光透鏡，包括以Si為原材料的基板2、第一鍍膜層I和以第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，其特征是所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有300nm厚度的Ge層、187nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、123nm厚度的Ge層、231nm厚度的ZnS層、91nm厚度的Ge層、170nm厚度的ZnS層、110]11]1厚度的66層、188111]1厚度的2113層、109111]1厚度的66層、219111]1厚度的ZnS層、94nm厚度的Ge層、200nm厚度的ZnS層、157nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、127nm厚度的Ge層、269nm厚度的ZnS層、171nm厚度的Ge層、253nm厚度的ZnS層、143nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、236nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、228nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、403nm厚度的ZnS層、146nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、424nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、291]11]1厚度的2115層、194111]1厚度的66層、375111]1厚度2115層、238111]1厚度的66層、450111]1厚度的ZnS層、20 Inm厚度的Ge層、39 Inm厚度的ZnS層、206nm厚度的Ge層、40 Inm厚度的ZnS層、284nm厚度的Ge層、479nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、574nm厚度的ZnS層、269nm厚度的Ge層、507nm厚度的ZnS層、327nm厚度的Ge層、474nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、544nm厚度的ZnS層、497nm厚度的Ge層、206nm厚度的ZnS層、465nm厚度的Ge層、1155nm厚度的ZnS層，所述的第二鍍膜層3為IlOOnm厚度的C層。所述的基板2為直徑3cm的單面凸透鏡，其凸出面與第一鍍膜層接觸，且凸出面的凸出半徑為4.3cm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種紅外檢測(cè)濾光透鏡，包括以Si為原材料的基板(2)、第一鍍膜層(I)和以第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有300nm厚度的Ge層、187nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、123nm厚度的Ge層、231nm厚度的ZnS層、91nm厚度的Ge層、170nm厚度的ZnS層、I 1nm厚度的Ge層、188nm厚度的ZnS層、109nm厚度的Ge層、219nm厚度的ZnS層、94nm厚度的Ge層、200nm厚度的ZnS層、157nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、127nm厚度的Ge層、269nm厚度的ZnS層、171nm厚度的Ge層、253nm厚度的ZnS層、143nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、236nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、228nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、403nm厚度的ZnS層、146nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、424nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、291]11]1厚度的2115層、194111]1厚度的66層、375111]1厚度2115層、238111]1厚度的66層、450111]1厚度的ZnS層、20 Inm厚度的Ge層、39 Inm厚度的ZnS層、206nm厚度的Ge層、40 Inm厚度的ZnS層、284nm厚度的Ge層、479nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、574nm厚度的ZnS層、269nm厚度的Ge層、507nm厚度的ZnS層、327nm厚度的Ge層、474nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、544nm厚度的ZnS層、497nm厚度的Ge層、206nm厚度的ZnS層、465nm厚度的Ge層、1155nm厚度的ZnS層，所述的第二鍍膜層(3)為IlOOnm厚度的C層，所述的基板為直徑3cm的單面凸透鏡，其凸出面與第一鍍膜層接觸，且凸出面的凸出半徑為4.3cm。
【文檔編號(hào)】G02B5/20GK205450325SQ201521130555
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日
【發(fā)明人】王繼平, 呂晶, 胡偉琴
【申請(qǐng)人】杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司