一種基板、顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基板、顯示裝置，用以在改善大視角發(fā)紅時(shí)，節(jié)約材料的使用?；澹ㄒr底基板、疊層設(shè)置在所述襯底基板上的氧化硅膜層和氮化硅膜層，其中，所述氧化硅膜層和所述氮化硅膜層的界面為凸凹不平的界面。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種基板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不面板（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display， TFT-LCD)是目前常用的平板顯示器，液晶顯示面板以其體積小、功耗低、無(wú)輻射、分辨率高 等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于現(xiàn)代數(shù)字信息化設(shè)備中。
[0003] 如圖1所示，目前的TFT IXD陣列基板工藝中，陣列基板包括襯底基板10、疊層設(shè)置 在襯底基板10上的氧化硅(SiOx)膜層11和氮化硅(SiNx)膜層12,背光源13中的紅光照到氧 化娃膜層11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光經(jīng)過(guò)氧化娃膜層11和氮化娃膜層 12接觸面時(shí)，又有一部分被反射，反射光線經(jīng)過(guò)氧化硅膜層11表面時(shí)，發(fā)生又一次的折射， 最終反射光線14和折射光線15干涉相消，由于總的能量是守恒的，相消的兩束光就會(huì)以透 射光的形式透過(guò)膜層，增加了紅光的透過(guò)率，宏觀表現(xiàn)為發(fā)生大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)在改善大視角發(fā)紅時(shí)采用的方法主要有:改變氧化硅膜層和氮化硅膜層 的厚度比、改變R、G、B彩膜層的厚度進(jìn)而改變R、G、B彩膜層的色坐標(biāo)、更換背光源等。
[0005] 雖然以上方法能夠改善大視角發(fā)紅，但在改善大視角發(fā)紅時(shí)存在材料浪費(fèi)的問(wèn) 題。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種基板、顯示裝置，用以在改善大視角發(fā)紅時(shí)，節(jié)約材 料的使用。
[0007] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基板，包括襯底基板、疊層設(shè)置在所述襯底基板上 的氧化硅膜層和氮化硅膜層，其中，所述氧化硅膜層和所述氮化硅膜層的界面為凸凹不平 的界面。
[0008] 由本實(shí)用新型實(shí)施例提供的基板，由于本實(shí)用新型實(shí)施例氧化硅膜層和氮化硅膜 層的界面為凸凹不平的界面，照射到氧化硅膜層和氮化硅膜層接觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反 射，與現(xiàn)有技術(shù)相比，最后射出的折射光線的傳播方向各異，進(jìn)而使得反射光線和折射光線 的干涉相消減弱，減少紅光的透光率，能夠在節(jié)約材料的使用的情況下起到改善大視角發(fā) 紅的問(wèn)題。
[0009] 較佳地，所述氧化硅膜層位于靠近所述襯底基板的一側(cè)，所述氮化硅膜層位于遠(yuǎn) 離所述襯底基板的一側(cè)；
[0010]所述氧化硅膜層在與所述氮化硅膜層接觸的接觸面上具有若干朝向所述襯底基 板一側(cè)凹陷的凹槽;或，
[0011]所述氧化硅膜層在與所述氮化硅膜層接觸的接觸面上具有若干背向所述襯底基 板一側(cè)凸起的凸起部。
[0012]較佳地，所述氧化硅膜層位于遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述氮化硅膜層位于靠 近所述襯底基板的一側(cè)；
[0013] 所述氮化硅膜層在與所述氧化硅膜層接觸的接觸面上具有若干朝向所述襯底基 板一側(cè)凹陷的凹槽;或，
[0014] 所述氮化硅膜層在與所述氧化硅膜層接觸的接觸面上具有若干背向所述襯底基 板一側(cè)凸起的凸起部。
[0015] 較佳地，所述凹槽的截面形狀為梯形、三角形或弧形。
[0016] 較佳地，所述梯形為等腰梯形，所述三角形為等腰三角形。
[0017] 較佳地，所述凸起部的截面形狀為梯形、三角形或弧形。
[0018] 較佳地，所述梯形為等腰梯形，所述三角形為等腰三角形。
[0019] 較佳地，所述襯底基板為玻璃基板或柔性基板。
[0020] 較佳地，所述基板為陣列基板，包括若干陣列設(shè)置的柵極線、數(shù)據(jù)線和像素單元。
[0021] 本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的基板。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖3(a)-圖3(e)為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種基板的制作過(guò)程的不同階段的 截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種基板、顯示裝置，用以在改善大視角發(fā)紅時(shí)，節(jié)約材 料的使用。
[0029] 為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用 新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是 全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng) 前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0030] 本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種基板，包括襯底基板、疊層設(shè)置在襯底基板上 的氧化硅膜層和氮化硅膜層，氧化硅膜層和氮化硅膜層的界面為凸凹不平的界面。
[0031] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的基板。
[0032] 附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō) 明本【實(shí)用新型內(nèi)容】。
[0033] 實(shí)施例一：
[0034]如圖2所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種基板，包括襯底基板10、疊層設(shè)置 在襯底基板10上的氧化硅膜層11和氮化硅膜層12,氧化硅膜層11位于靠近襯底基板10的一 偵I氮化硅膜層12位于遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，氧化硅膜層11在與氮化硅膜層12接觸的接 觸面上具有若干朝向襯底基板10-側(cè)凹陷的凹槽。
[0035] 具體地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例一中凹槽的截面形狀為梯形、三角形或弧形，優(yōu)選 地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的梯形為等腰梯形，三角形為等腰三角形。當(dāng)然，在實(shí)際設(shè)計(jì) 時(shí)，凹槽的截面形狀還可以為其它類(lèi)型的規(guī)則形狀，如矩形，也可以為不規(guī)則形狀，如不規(guī) 則的多邊形。
[0036] 如圖2所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中凹槽的截面形狀以弧形為例進(jìn)行介紹，背光 源13中的紅光照到氧化硅膜層11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光經(jīng)過(guò)氧化硅 膜層11和氮化硅膜層12接觸面時(shí)，又有一部分被反射，反射光線經(jīng)過(guò)氧化硅膜層11表面時(shí)， 發(fā)生又一次的折射。
[0037] 由于本實(shí)用新型具體實(shí)施例中氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接觸面不平整，因此 照射到氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反射，使得最后經(jīng)過(guò)氧化硅膜 層11表面射出的折射光線15的傳播方向各異，與現(xiàn)有技術(shù)相比，反射光線14和折射光線15 的干涉相消減弱，這時(shí)減少了紅光的透光率，能夠起到改善大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0038] 如圖2所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例具體設(shè)計(jì)時(shí)，相鄰兩個(gè)弧形凹槽之間的距離e 為0.5μπι，弧形凹槽的深度d為0.15μπι，弧形凹槽的寬度c為0.35μπι，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，相鄰 兩個(gè)弧形凹槽之間的距離、弧形凹槽的深度以及弧形凹槽的寬度根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)工藝確定， 本實(shí)用新型具體實(shí)施例并不對(duì)e、d和c的具體數(shù)值做限定。
[0039] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例的氧化硅膜層在與氮化硅膜層接 觸的接觸面上形成朝向襯底基板一側(cè)凹陷的凹槽的具體方法。
[0040] 如圖3(a)所示，在襯底基板10上沉積氧化硅膜層11，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的 襯底基板10為玻璃基板或柔性基板，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，襯底基板10還可以為陶瓷基 板等其它類(lèi)型的基板，本實(shí)用新型具體實(shí)施例不對(duì)襯底基板的具體類(lèi)型做限定。
[0041] 本實(shí)用新型在襯底基板10上沉積氧化硅膜層11時(shí)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉 積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)的方法，沉積的氧化娃膜層 11 的厚度為3000埃（A )。當(dāng)然，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，還可以采用其它薄膜沉積的方法沉積氧化硅 膜層11，這里不做具體限定;沉積得到的氧化硅膜層11的厚度可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況設(shè)定， 這里也不做具體限定。
[0042] 之后，在氧化硅膜層11上涂覆光刻膠30,采用掩膜板31進(jìn)行曝光，圖中向下的箭頭 表示曝光時(shí)光線的照射方向，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中曝光的具體過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)類(lèi)似， 這里不再贅述。
[0043]之后，對(duì)完成上述步驟的襯底基板進(jìn)行顯影，顯影后部分光刻膠被去除，如圖3(b) 所示。
[0044] 之后，對(duì)完成上述步驟的襯底基板進(jìn)行刻蝕，如圖3(c)所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施 例中的刻蝕方法具體采用干法刻蝕，干法刻蝕過(guò)程中，未被光刻膠覆蓋區(qū)域的氧化硅膜層 被刻蝕形成凹槽，本用新型具體實(shí)施例凹槽的截面形狀以弧形為例。
[0045] 之后，去除覆蓋在氧化硅膜層11上的剩余光刻膠，如圖3(d)所示。最后，在氧化硅 膜層11上沉積氮化硅膜層12,如圖3(e)所示，具體實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型具體實(shí)施例采用 PECVD的方法沉積氮化硅膜層12,沉積的氮化硅膜層12的厚度為2000 A。當(dāng)然，實(shí)際生產(chǎn)過(guò) 程中，還可以采用其它方法沉積氮化硅膜層12,這里不做具體限定;沉積得到的氮化硅膜層 12的厚度可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況設(shè)定，這里也不做具體限定。
[0046] 實(shí)施例二：
[0047] 如圖4所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種基板，包括襯底基板10、疊層設(shè)置 在襯底基板10上的氧化硅膜層11和氮化硅膜層12,氧化硅膜層11位于靠近襯底基板10的一 偵I氮化硅膜層12位于遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，氧化硅膜層11在與氮化硅膜層12接觸的接 觸面上具有若干背向襯底基板10-側(cè)凸起的凸起部。
[0048]具體地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例二中凸起部的截面形狀為梯形、三角形或弧形，優(yōu) 選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的梯形為等腰梯形，三角形為等腰三角形。當(dāng)然，在實(shí)際設(shè) 計(jì)時(shí)，凸起部的截面形狀還可以為其它形狀，在此本實(shí)用新型具體實(shí)施例不做具體限定。
[0049] 如圖4所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中凸起部的截面形狀以弧形為例進(jìn)行介紹，背 光源13中的紅光照到氧化硅膜層11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光經(jīng)過(guò)氧化 硅膜層11和氮化硅膜層12接觸面時(shí)，又有一部分被反射，反射光線經(jīng)過(guò)氧化硅膜層11表面 時(shí)，發(fā)生又一次的折射。
[0050] 由于本實(shí)用新型具體實(shí)施例中氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接觸面不平整，因此 照射到氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反射，使得最后經(jīng)過(guò)氧化硅膜 層11表面射出的折射光線15的傳播方向各異，與現(xiàn)有技術(shù)相比，反射光線14和折射光線15 的干涉相消減弱，這時(shí)減少了紅光的透光率，能夠起到改善大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0051 ] 實(shí)施例三：
[0052]如圖5所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種基板，包括襯底基板10、疊層設(shè)置 在襯底基板10上的氧化硅膜層11和氮化硅膜層12,氧化硅膜層11位于遠(yuǎn)離襯底基板10的一 偵I氮化硅膜層12位于靠近襯底基板10的一側(cè)，氮化硅膜層12在與氧化硅膜層11接觸的接 觸面上具有若干朝向襯底基板10-側(cè)凹陷的凹槽。
[0053]具體地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例三中凹槽的截面形狀為梯形、三角形或弧形，優(yōu)選 地，梯形為等腰梯形，三角形為等腰三角形。當(dāng)然，在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，凹槽的截面形狀還可以為 其它形狀，在此本實(shí)用新型具體實(shí)施例不做具體限定。
[0054]圖5中光線的具體傳播路徑與本實(shí)用新型具體實(shí)施例一中的光線的傳播路徑類(lèi) 似，這里不再詳細(xì)闡述。本實(shí)用新型具體實(shí)施例三照射到氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接 觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反射，使得最后經(jīng)過(guò)氮化硅膜層12表面射出的折射光線15的傳播方向 各異，與現(xiàn)有技術(shù)相比，反射光線14和折射光線15的干涉相消減弱，這時(shí)減少了紅光的透光 率，能夠起到改善大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0055] 實(shí)施例四：
[0056] 如圖6所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種基板，包括襯底基板10、疊層設(shè)置 在襯底基板10上的氧化硅膜層11和氮化硅膜層12,氧化硅膜層11位于遠(yuǎn)離襯底基板10的一 偵I氮化硅膜層12位于靠近襯底基板10的一側(cè)，氮化硅膜層12在與氧化硅膜層11接觸的接 觸面上具有若干背向襯底基板10-側(cè)凸起的凸起部。
[0057] 具體地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例四中凸起部的截面形狀為梯形、三角形或弧形，優(yōu) 選地，梯形為等腰梯形，三角形為等腰三角形。當(dāng)然，在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，凸起部的截面形狀還可 以為其它形狀，在此本實(shí)用新型具體實(shí)施例不做具體限定。
[0058] 圖6中光線的具體傳播路徑與本實(shí)用新型具體實(shí)施例二中的光線的傳播路徑類(lèi) 似，這里不再詳細(xì)闡述。本實(shí)用新型具體實(shí)施例四照射到氧化硅膜層11和氮化硅膜層12接 觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反射，使得最后經(jīng)過(guò)氮化硅膜層12表面射出的折射光線15的傳播方向 各異，與現(xiàn)有技術(shù)相比，反射光線14和折射光線15的干涉相消減弱，這時(shí)減少了紅光的透光 率，能夠起到改善大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0059] 優(yōu)選地，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的基板為陣列基板，陣列基板包括若干陣列設(shè) 置的柵極線、數(shù)據(jù)線和像素單元，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的氧化硅膜層和氮化硅膜層設(shè) 置在陣列基板的相鄰兩層導(dǎo)電層之間，起到絕緣的作用，陣列基板的具體設(shè)置與現(xiàn)有技術(shù) 類(lèi)似，這里不再贅述。
[0060] 本實(shí)用新型具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的基板，該 顯不裝置可以為液晶面板、液晶顯不器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光^極管（Organic Light Emitting Diode，0LED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0061] 綜上所述，本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供一種基板，包括襯底基板、疊層設(shè)置在襯底 基板上的氧化硅膜層和氮化硅膜層，其中，氧化硅膜層和氮化硅膜層的界面為凸凹不平的 界面。由于本實(shí)用新型具體實(shí)施例氧化硅膜層和氮化硅膜層的界面為凸凹不平的界面，照 射到氧化硅膜層和氮化硅膜層接觸面的光線會(huì)發(fā)生漫反射，與現(xiàn)有技術(shù)相比，最后射出的 折射光線的傳播方向各異，進(jìn)而使得反射光線和折射光線的干涉相消減弱，減少了紅光的 透光率，能夠在節(jié)約材料的使用的情況下起到改善大視角發(fā)紅的問(wèn)題。
[0062] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用 新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基板，包括襯底基板、疊層設(shè)置在所述襯底基板上的氧化硅膜層和氮化硅膜層， 其特征在于，所述氧化硅膜層和所述氮化硅膜層的界面為凸凹不平的界面。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述氧化硅膜層位于靠近所述襯底基板的 一側(cè)，所述氮化硅膜層位于遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)； 所述氧化硅膜層在與所述氮化硅膜層接觸的接觸面上具有若干朝向所述襯底基板一 側(cè)凹陷的凹槽;或， 所述氧化硅膜層在與所述氮化硅膜層接觸的接觸面上具有若干背向所述襯底基板一 側(cè)凸起的凸起部。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述氧化硅膜層位于遠(yuǎn)離所述襯底基板的 一側(cè)，所述氮化硅膜層位于靠近所述襯底基板的一側(cè)； 所述氮化硅膜層在與所述氧化硅膜層接觸的接觸面上具有若干朝向所述襯底基板一 側(cè)凹陷的凹槽;或， 所述氮化硅膜層在與所述氧化硅膜層接觸的接觸面上具有若干背向所述襯底基板一 側(cè)凸起的凸起部。4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板，其特征在于，所述凹槽的截面形狀為梯形、三角形或 弧形。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述梯形為等腰梯形，所述三角形為等腰 三角形。6. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板，其特征在于，所述凸起部的截面形狀為梯形、三角形 或弧形。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板，其特征在于，所述梯形為等腰梯形，所述三角形為等腰 三角形。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述襯底基板為玻璃基板或柔性基板。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板為陣列基板，包括若干陣列設(shè)置 的柵極線、數(shù)據(jù)線和像素單元。10. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一權(quán)利要求所述的基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK205539824SQ201620262859
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】黎文秀, 孟維欣, 陳強(qiáng), 夏高飛, 任偉
【申請(qǐng)人】鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司