一種陣列基板及觸控顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板及包括該陣列基板的觸控顯示裝置，其中，陣列基板包括：基板；薄膜晶體管，位于基板之上，薄膜晶體管包括漏極；第一絕緣層，覆蓋薄膜晶體管；第一絕緣層包括第一過孔，第一過孔暴露所述漏極；觸控信號(hào)線，包括虛擬觸控信號(hào)線，虛擬觸控信號(hào)線位于第一過孔內(nèi)，虛擬觸控信號(hào)線與漏極接觸。本實(shí)用新型提供的陣列基板利用虛擬觸控信號(hào)線填充漏極與像素電極之間的過孔，在不增加工藝難度的情況下，減小過孔內(nèi)像素電極斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。
【專利說明】
一種陣列基板及觸控顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及觸控顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的基本結(jié)構(gòu)包括:陣列基板、彩膜基板及液晶層，其中，陣列基板和彩膜基板相對設(shè)置形成液晶盒，液晶盒內(nèi)充滿液晶層。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中自容式觸控陣列基板的剖面示意圖。請參照圖1，設(shè)置在基板111上的薄膜晶體管112包括漏極1121，該漏極1121用于為像素電極116提供像素電壓。漏極1121與像素電極116之間存在第一絕緣層113和第二絕緣層115，兩者之間通過第一過孔1131和第二過孔1151實(shí)現(xiàn)電性連接。通常，由于第一絕緣層113和第二絕緣層115厚度較大，貫穿的第一過孔1131和第二過孔1151的深度較大，過孔內(nèi)像素電極116存在斷裂風(fēng)險(xiǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種漏極與像素電極之間的過孔深度減小的的陣列基板及觸控顯示裝置。
[0005]第一方面，提供一種陣列基板，包括:基板;薄膜晶體管，位于該基板之上，該薄膜晶體管包括漏極;第一絕緣層，覆蓋該薄膜晶體管;該第一絕緣層包括第一過孔，該第一過孔暴露該漏極;觸控信號(hào)線，包括該觸控信號(hào)線，該虛擬觸控信號(hào)線位于該第一過孔內(nèi)，該虛擬觸控信號(hào)線與該漏極接觸。
[0006]優(yōu)選地，該觸控信號(hào)線還包括第一觸控信號(hào)線，用于傳送觸控信號(hào);該第一觸控信號(hào)線位于該第一絕緣層之上，該虛擬觸控信號(hào)線和該第一觸控信號(hào)線絕緣設(shè)置。
[0007]優(yōu)選地，該陣列基板還包括:第二絕緣層，覆蓋所述第一觸控信號(hào)線;所述第二絕緣層包括第二過孔，所述第二過孔暴露所述第一過孔;像素電極，位于所述第二絕緣層之上;所述像素電極通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述虛擬觸控信號(hào)線接觸。
[0008]第二方面，提供一種觸控顯示裝置，包括陣列基板。該陣列基板包括:基板;薄膜晶體管，位于該基板之上，該薄膜晶體管包括漏極;第一絕緣層，覆蓋該薄膜晶體管;該第一絕緣層包括第一過孔，該第一過孔暴露該漏極;觸控信號(hào)線，包括第一觸控信號(hào)線和虛擬觸控信號(hào)線;該第一觸控信號(hào)線位于該第一絕緣層之上，用于傳送觸控信號(hào);該虛擬觸控信號(hào)線位于該第一過孔內(nèi)，該虛擬觸控信號(hào)線與該漏極接觸;該虛擬觸控信號(hào)線和該第一觸控信號(hào)線絕緣設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，該陣列基板還包括:第二絕緣層，覆蓋該第一觸控信號(hào)線；該第二絕緣層包括第二過孔，該第二過孔暴露該第一過孔;像素電極，位于該第二絕緣層之上;該像素電極通過該第一過孔及該第二過孔與該虛擬觸控信號(hào)線接觸。
[0010]優(yōu)選地，該觸控顯示裝置還包括彩膜基板和液晶層；該彩膜基板和該陣列基板相對設(shè)置，該液晶層位于該彩膜基板和該陣列基板之間。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的陣列基板利用虛擬觸控信號(hào)線填充漏極與像素電極之間的過孔，在不增加工藝難度的情況下，減小過孔內(nèi)像素電極斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。
【附圖說明】
[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中自容式觸控陣列基板的剖面示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中陣列基板的剖面示意圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二中觸控顯示裝置的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0016]需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0017]實(shí)施例一
[0018]請參考圖2，圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中陣列基板的剖面示意圖。本實(shí)用新型提供的陣列基板11包括:基板111、薄膜晶體管112、第一絕緣層113、觸控信號(hào)線、第二絕緣層115、公共電極118、第三絕緣層117及像素電極116。具體地，薄膜晶體管112還包括漏極1121;觸控信號(hào)線具體地包括虛擬觸控信號(hào)線1142和第一觸控信號(hào)線1141;第一絕緣層113包括第一過孔1131;第二絕緣層115包括第二過孔1151;第三絕緣層117包括第三過孔1171。
[0019]更具體地，薄膜晶體管112位于基板111之上，第一絕緣層113覆蓋薄膜晶體管112，且第一過孔1131暴露漏極1121;第一觸控信號(hào)線1141位于第一絕緣層113之上，虛擬觸控信號(hào)線1142位于第一過孔1131內(nèi)與漏極1121接觸，且虛擬觸控信號(hào)線1142與第一觸控信號(hào)線1141絕緣設(shè)置；第二絕緣層115覆蓋第一觸控信號(hào)線1141，第二過孔1151暴露第一過孔1131;公共電極118位于第二絕緣層115之上，且公共電極118避開第二過孔1151所在位置；第三絕緣層117覆蓋公共電極118，第三過孔1171暴露第一過孔1131和第二過孔1151;像素電極116位于第三絕緣層117上方，即位于第二絕緣層115之上，且像素電極116通過第一過孔1131、第二過孔1151及第三過孔1171與所述虛擬觸控信號(hào)線1142接觸。漏極1121和像素電極116通過與虛擬觸控信號(hào)線1142接觸實(shí)現(xiàn)電連接，所述漏極1121用于為所述像素電極116提供像素電壓。
[0020]需要說明的是，虛擬觸控信號(hào)線1142和第一觸控信號(hào)線1141通過同一道工藝制成，但是僅第一觸控信號(hào)線1141與觸控驅(qū)動(dòng)電路(未示出)連接，用于傳送觸控信號(hào)。虛擬觸控信號(hào)線1142位于第一過孔1131內(nèi)，且與第一觸控信號(hào)線1141絕緣設(shè)置，僅用于墊高第一過孔1131并連接像素電極116和漏極1121。
[0021]需要說明的是，本實(shí)施例一中所提供的陣列基板11為自容式觸控陣列基板。公共電極118劃分為多個(gè)矩陣排列的塊狀電極(未示出)，與第一觸控信號(hào)線1141通過貫穿的第一過孔1131、第二過孔1151和第三過孔1171連接，且公共電極118在顯示階段和觸控階段分時(shí)復(fù)用，在顯示階段接收公共電壓信號(hào)，在觸控階段接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0022]優(yōu)選地，第一過孔1131的孔徑沿遠(yuǎn)離漏極1121的方向逐漸增加;第二過孔1151的孔徑沿遠(yuǎn)離第一絕緣層113的方向逐漸增加;第三過孔1171沿遠(yuǎn)離公共電極118的方向逐漸增加。第二過孔1151在基板111的正投影位于第一過孔1131在基板111的正投影區(qū)域內(nèi)，第三過孔1171在基板111的正投影位于第二過孔1151在基板111的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0023]可選地，第一絕緣層113、第二絕緣層115和第三絕緣層117的材料可以為有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料。
[0024]本實(shí)施例一中，在制備第一觸控信號(hào)線1141時(shí)同時(shí)在第一過孔1131內(nèi)制備虛擬觸控信號(hào)線1142，虛擬觸控信號(hào)線1142填充在陣列基板11的第一過孔1131內(nèi)，第一過孔1131的孔深減小，這樣，像素電極116與漏極1121通過過孔實(shí)現(xiàn)電性連接時(shí)，過孔內(nèi)像素電極116斷裂的風(fēng)險(xiǎn)就會(huì)降低。
[0025]實(shí)施例二
[0026]請參考圖3，圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二中觸控顯示裝置的剖面示意圖。本實(shí)用新型提供的觸控顯示裝置10包括陣列基板11、彩膜基板12和液晶層13。彩膜基板12和陣列基板11相對設(shè)置，液晶層13位于彩膜基板12和陣列基板11之間。
[0027]具體地，陣列基板11包括:基板111、薄膜晶體管112、第一絕緣層113、觸控信號(hào)線、第二絕緣層115、公共電極118、第三絕緣層117及像素電極116。更具體地，薄膜晶體管112還包括漏極1121;觸控信號(hào)線具體地包括虛擬觸控信號(hào)線1142和第一觸控信號(hào)線1141;第一絕緣層113包括第一過孔1131;第二絕緣層115包括第二過孔1151;第三絕緣層117包括第三過孔1171。
[0028]更具體地，薄膜晶體管112位于基板111之上，第一絕緣層113覆蓋薄膜晶體管112，且第一過孔1131暴露漏極1121;第一觸控信號(hào)線1141位于第一絕緣層113之上，虛擬觸控信號(hào)線1142位于第一過孔內(nèi)1131與漏極1121接觸，且虛擬觸控信號(hào)線1142與第一觸控信號(hào)線1141絕緣設(shè)置；第二絕緣層115覆蓋第一觸控信號(hào)線1141，第二過孔1151暴露第一過孔1131;公共電極118位于第二絕緣層115之上，且公共電極118避開第二過孔1151所在位置；第三絕緣層117覆蓋公共電極118，第三過孔1171暴露第一過孔1131和第二過孔1151;像素電極116位于第三絕緣層117上方，即位于第二絕緣層115之上，且像素電極116通過第一過孔1131、第二過孔1151及第三過孔1171與所述虛擬觸控信號(hào)線1142接觸。漏極1121和像素電極116通過與虛擬觸控信號(hào)線1142接觸實(shí)現(xiàn)電連接，所述漏極1121用于為所述像素電極116提供像素電壓。
[0029]需要說明的是，虛擬觸控信號(hào)線1142和第一觸控信號(hào)線1141通過同一道工藝制成，但是僅第一觸控信號(hào)線1141與觸控驅(qū)動(dòng)電路(未示出)連接，用于傳送觸控信號(hào)。虛擬觸控信號(hào)線1142位于第一過孔1131內(nèi)，且與第一觸控信號(hào)線1141絕緣設(shè)置，僅用于墊高第一過孔1131并連接像素電極116和漏極1121。
[0030]需要說明的是，本實(shí)施例二中所提供的觸控顯示裝置10為自容式觸控顯示裝置，其所包含的陣列基板11為自容式觸控陣列基板。公共電極118劃分為多個(gè)矩陣排列的塊狀電極(未示出)，與第一觸控信號(hào)線1141通過貫穿的第一過孔1131、第二過孔1151和第三過孔1171連接，且公共電極118在顯示階段和觸控階段分時(shí)復(fù)用，在顯示階段接收公共電壓信號(hào)，在觸控階段接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0031]優(yōu)選地，第一過孔1131的孔徑沿遠(yuǎn)離漏極1121的方向逐漸增加;第二過孔1151的孔徑沿遠(yuǎn)離第一絕緣層113的方向逐漸增加;第三過孔1171沿遠(yuǎn)離公共電極118的方向逐漸增加。第二過孔1151在基板111的正投影位于第一過孔1131在基板111的正投影區(qū)域內(nèi)，第三過孔1171在基板111的正投影位于第二過孔1151在基板111的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0032]可選地，第一絕緣層113、第二絕緣層115和第三絕緣層117的材料可以為有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料。
[0033]本實(shí)施例二中，觸控顯示裝置10所包含的陣列基板11的第一過孔1131由虛擬觸控信號(hào)線1142填充，第一過孔1131的孔深減小，這樣，像素電極116與漏極1121通過過孔實(shí)現(xiàn)電性連接時(shí)，過孔內(nèi)像素電極116斷裂的風(fēng)險(xiǎn)就會(huì)降低，觸控顯示裝置10的顯示效果更好。
[0034]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板； 薄膜晶體管，位于所述基板之上，所述薄膜晶體管包括漏極； 第一絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管;所述第一絕緣層包括第一過孔，所述第一過孔暴露所述漏極； 觸控信號(hào)線，包括虛擬觸控信號(hào)線，所述虛擬觸控信號(hào)線位于所述第一過孔內(nèi)，所述虛擬觸控信號(hào)線與所述漏極接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述觸控信號(hào)線還包括第一觸控信號(hào)線，用于傳送觸控信號(hào)； 所述第一觸控信號(hào)線位于所述第一絕緣層之上，所述虛擬觸控信號(hào)線和所述第一觸控信號(hào)線絕緣設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 第二絕緣層，覆蓋所述第一觸控信號(hào)線;所述第二絕緣層包括第二過孔，所述第二過孔暴露所述第一過孔； 像素電極，位于所述第二絕緣層之上;所述像素電極通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述虛擬觸控信號(hào)線接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔的孔徑沿遠(yuǎn)離所述漏極的方向逐漸增加;所述第二過孔的孔徑沿遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的方向逐漸增加。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二過孔在所述基板的正投影位于所述第一過孔在所述基板的正投影區(qū)域內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極和所述像素電極通過與虛擬觸控信號(hào)線接觸實(shí)現(xiàn)電連接，所述漏極用于為所述像素電極提供像素電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材料為有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料。8.一種觸控顯示裝置，其特征在于，包括陣列基板，所述陣列基板包括: 基板； 薄膜晶體管，位于所述基板之上，所述薄膜晶體管包括漏極； 第一絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管;所述第一絕緣層包括第一過孔，所述第一過孔暴露所述漏極； 觸控信號(hào)線，包括第一觸控信號(hào)線和虛擬觸控信號(hào)線;所述第一觸控信號(hào)線位于所述第一絕緣層之上，用于傳送觸控信號(hào);所述虛擬觸控信號(hào)線位于所述第一過孔內(nèi)，所述虛擬觸控信號(hào)線與所述漏極接觸;所述虛擬觸控信號(hào)線和所述第一觸控信號(hào)線絕緣設(shè)置。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述陣列基板還包括: 第二絕緣層，覆蓋所述第一觸控信號(hào)線;所述第二絕緣層包括第二過孔，所述第二過孔暴露所述第一過孔； 像素電極，位于所述第二絕緣層之上;所述像素電極通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述虛擬觸控信號(hào)線接觸。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置，其特征在于，還包括彩膜基板和液晶層； 所述彩膜基板和所述陣列基板相對設(shè)置，所述液晶層位于所述彩膜基板和所述陣列基 板之間。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK205665503SQ201620266782
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月31日
【發(fā)明人】朱繹樺, 蔡壽金, 王永政
【申請人】廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司