具有模塊化的空化傳感元件的球面形超聲hifu 換能器的制造方法
【專利摘要】一種具有螺紋開口的超聲HIFU換能器（120），模塊化的空化傳感器（90）可移除地位于所述螺紋開口中。所述模塊化的空化傳感器包括模塊化殼體（92），所述殼體包含用于對指示空化的聲信號進(jìn)行感測的壓電換能器。所述模塊化的空化傳感器具有電極（96、98），當(dāng)將所述模塊化殼體擰入所述螺紋開口時，所述電極與所述螺紋開口中的彈簧觸頭（112、114）接合。損壞的傳感器可被擰下并被簡單替換而無需連接器或焊接。
【專利說明】具有模塊化的空化傳感元件的球面形超聲HIFU換能器
發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種醫(yī)療診斷超聲系統(tǒng)，特別是涉及超聲換能器，其用于通過稱為HIFU的高強度聚焦超聲受控地加熱身體組織。
【背景技術(shù)】
[0002]超聲傳遞升高溫度的處理被用于各種治療目的。在HIFU處理中，超聲能量聚焦在體內(nèi)某一小點處，以將該組織加熱到足以產(chǎn)生所期望治療效果的溫度。該技術(shù)與碎石術(shù)類似，在所述碎石術(shù)中聚焦的能量高到足以破碎腎結(jié)石，但是以延長時間傳遞明顯較小的能量而非突然脈沖。HIFU技術(shù)可用于選擇性地破壞體內(nèi)不需要的組織。例如，通過施加聚焦超聲能量從而將細(xì)胞加熱至足以殺死組織的溫度，通常為大約60到大約80攝氏度，能夠破壞腫瘤或者其他病理組織，但不會破壞鄰近的正常組織。其它升溫處理包括:選擇性地加熱組織以選擇性地激活藥物或在受者身體的選定部分中促進(jìn)一些其他生理學(xué)變化。
[0003]HIFU換能器通常形成為球面形或者拋物面形盤，所述盤具有為換能器給定幾何焦點的曲率半徑。參見例如2010年11月3日提交的國際專利申請IB2010/054985中描述的HIFU換能器。該申請中描述的換能器由少量復(fù)合陶瓷壓電瓦片形成。所述瓦片以二維方式彎曲，使得其配裝在一起以形成具有期望幾何焦點的期望的球面形發(fā)射表面。每一瓦片在組裝前可單獨地制造和測試，從而確保整個換能器在組裝后按規(guī)定要求具有完備功能。這種復(fù)合陶瓷壓電瓦片在發(fā)射期間可具有80-85%的能量轉(zhuǎn)換效率。
[0004]當(dāng)利用熱效應(yīng)破壞組織細(xì)胞時，通常希望避免進(jìn)入更高超聲能量級別，所述更高超聲能量級別將產(chǎn)生例如空化等更多有害效應(yīng)。因此HIFU換能器常包括用于監(jiān)測空化跡象的空化傳感器。穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)空化可根據(jù)某些噪聲和諧波信號電平的表現(xiàn)進(jìn)行檢測，如題為“MONITORING AND CONTROL OF MICROBUBBLE CAVITATION IN THERAPEUTIC ULTRASOUND”(Vignon等人)的美國臨時專利申請?zhí)?1/392，067所述。也可參見使用水聽器檢測空化聲學(xué)跡象的美國專利5，827，204 (Grandia等人)。所述空化傳感器通常接合在HIFU換能器的中心。但是，當(dāng)HIFU換能器為用于聚焦的球面或拋物面形狀時，已發(fā)現(xiàn)盤形中心可接收換能器液槽和聲窗界面反射回的能量和熱量。該熱量和能量可聚焦在HIFU換能器的中心并損壞空化傳感器。損壞的空化傳感器，無論是由于反射能量或在制造過程中的損壞，可造成整個換能器不可用，即使HIFU元件本身仍功能完備。因此希望能夠修復(fù)換能器及其空化傳感器，以減少將仍可工作的換能器廢棄的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的原理，描述了一種具有模塊化安裝的空化傳感器的球面形HIFU換能器。在所述實施方案中，將用于空化傳感器的底座擰入HIFU換能器中心處的開口，并以O(shè)型圈密封流體出口。通過彈簧觸頭來對空化傳感器的接觸區(qū)域進(jìn)行信號連接，所以空化傳感器可用新的傳感器替換而無需焊接。若空化傳感器被損壞，則可擰下傳感器底座，將新的傳感器插入以替換被損壞的傳感器并擰到同樣位置。【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]在附圖中:
[0007]圖1以透視圖示出被單獨形成用于本發(fā)明HIFU換能器的球面形換能器匹配層；
[0008]圖2a示出壓電陶瓷材料片的端視圖，所述壓電陶瓷材料片已被切削形成用于本發(fā)明HIFU換能器的復(fù)合換能器陣列；
[0009]圖2b示出具有非磁性通路互聯(lián)的復(fù)合換能器陣列；
[0010]圖3示出具有發(fā)射元件和非磁性通路的復(fù)合換能器陣列；
[0011]圖4示出在本發(fā)明HIFU換能器的球面形成型之前的復(fù)合壓電瓦片；
[0012]圖5以剖視圖示出復(fù)合壓電瓦片在本發(fā)明HIFU換能器的匹配層上的布置；
[0013]圖6以透視圖示出本發(fā)明的九瓦片HIFU換能器的后部；
[0014]圖7a和圖7b不出彎曲印刷電路板的如表面和后表面,所述彎曲印刷電路板具有用于HIFU換能器的延伸的順應(yīng)性觸頭；
[0015]圖8以透視圖示出本發(fā)明HIFU換能器的后部，所述HIFU換能器具有附連用于圖7a和圖7b印刷電路板的支撐框架；
[0016]圖9和圖10示出安裝在根據(jù)本發(fā)明原理的HIFU換能器中的模塊化的空化傳感器；
[0017]圖11和圖12為具有模塊化的空化傳感器的HIFU換能器的剖視圖。
【具體實施方式】
[0018]構(gòu)建本發(fā)明HIFU換能器可從制作球面形或盤形匹配層開始。換能器的匹配層提供壓電換能器的聲學(xué)特性與患者身體的、或換能器與患者之間介質(zhì)的聲學(xué)特性的至少部分匹配。所匹配的特性可包括聲阻抗、聲速和材料密度。在超聲換能器的常規(guī)構(gòu)建中，匹配層通常形成在換能器堆疊體上，且形成在壓電材料發(fā)射表面上的參考電極之上。對于該公開中描述的HIFU換能器，球面形匹配層自身與換能器其余部分分離地形成。有多種方式形成球面形匹配層，包括鑄造、模制、熱成型或機械加工。此處描述的HIFU換能器的球面形匹配層由填有顆粒的填料環(huán)氧樹脂制成，所述顆粒為匹配層提供了期望聲學(xué)特性，如現(xiàn)有技術(shù)中已知的那樣。優(yōu)選地，顆粒為非磁性的。在鑄造或模制球面形匹配層的過程中，將填料環(huán)氧樹脂倒入具有期望球面形狀的凹形固定裝置。凸形固定裝置封閉在該凹形固定裝置之上，從而迫使液態(tài)環(huán)氧樹脂充滿兩固定裝置之間的球面形空間。使環(huán)氧樹脂固化并將其從固定裝置中移出，然后將其周邊加工成為最終形狀。在熱成型工藝中，由填料環(huán)氧樹脂形成具有期望厚度的平面片體，然后將其部分固化。然后將該片體放置在已被加熱的具有期望曲率的凸形或凹形固定裝置上，所述固定裝置將片體加熱使其易彎曲并且順應(yīng)固定裝置的曲率。當(dāng)片體已經(jīng)達(dá)到期望的球面形狀時，將其固化并完成。在機械加工過程中，將填料環(huán)氧樹脂的盤體鑄造或者模制并且固化。再將該盤體的一個側(cè)面加工以形成凸形表面。再將該盤體放在凹形固定裝置上，并將該盤體的另一側(cè)面加工以形成球面形匹配層的凹形偵U。在一個已構(gòu)建實施例中，由這些過程中的任一過程完成的球面形匹配層為0.5_厚，具有140mm的直徑，以及140mm的球半徑，即為成品HIFU換能器的尺寸和形狀。圖1示出這種球面形匹配層10。凹形表面12是成品換能器的發(fā)射表面，所述發(fā)射表面面向患者，且凸形表面14被濺鍍以產(chǎn)生冗余信號返回電極，然后被覆蓋復(fù)合壓電瓦片。該剛性匹配層因而提供了用于組裝壓電瓦片層的期望曲率的形式。由于瓦片前方的匹配層10是連續(xù)形成的表面，所述匹配層提供了 HIFU換能器其余部分與患者以及HIFU換能器前方外部環(huán)境的期望電氣和環(huán)境隔離。
[0019]復(fù)合壓電換能器陣列的構(gòu)建從陶瓷壓電材料的片體30開始，如圖2a和圖2b所不。在一種已構(gòu)建的換能器中，片體30為1.2mm厚(T)。首先，在期望具有從換能器的后部到前部(發(fā)射側(cè))的電連接的位置處鉆取穿過片體30的若干孔。再向該孔填入充銀環(huán)氧樹脂以形成穿過片體的通路32。充銀提供導(dǎo)電性并且對于在MRI系統(tǒng)的磁場中的操作是非磁性的。也可使用其他非磁性導(dǎo)電材料進(jìn)行導(dǎo)電填充。固化該銀環(huán)氧樹脂。然后對片體在厚度的一部分上切削沿某一方向的平行切口 16，如圖2a中的片體30的邊緣的視圖所示。然后對該片體在一部分上切削沿正交方向的平行切口，留下多個向上突起的壓電柱18和通路32。然后用非導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂填充切削的切口并且使其部分地固化。然后將片體頂表面和底表面加工平整，至圖2a中虛線34所指示的深度。這將在環(huán)氧樹脂36中產(chǎn)生壓電柱18和導(dǎo)電通路32成矩陣的成品片體，如圖2b所示。成品片體包括1:3矩陣的壓電柱，每一壓電柱在沿片體厚度的縱向上具有其主導(dǎo)振動模式，且主要沿朝著換能器前(面向患者)側(cè)的方向發(fā)射超聲。復(fù)合材料的該主導(dǎo)振動模式降低了橫過該陣列向陣列其他有效區(qū)域的不利的側(cè)向發(fā)送。
[0020]將平整復(fù)合壓電片體30加工為梯形形狀，如圖4的復(fù)合壓電瓦片40的外周形狀所示。在一種已構(gòu)建的HIFU換能器中，瓦片具有圖4的梯形形狀，以適配以下所述圓形球狀中心瓦片。替代地，可將每一瓦片加工為餅形切片的形狀，使得瓦片可覆蓋匹配層而無需中心瓦片。瓦片也可以采用布置為覆蓋球面形表面的其它幾何形狀，包括但不限于如足球各面片(panel)所展現(xiàn)的與六邊形相混合的五邊形。然后賦予圖4的平整梯形瓦片以期望的球面形曲率。由于復(fù)合換能器由環(huán)氧樹脂矩陣形成，所以可加熱瓦片以軟化環(huán)氧樹脂，從而使瓦片可符合期望的曲率。這可通過將瓦片40放置在被加熱的凹形或凸形固定裝置上、然后擠壓瓦片使其符合凸形或凹形形狀來實現(xiàn)。在將該瓦片保持為期望曲率的同時，冷卻固定裝置且使環(huán)氧樹脂完全固化。結(jié)果產(chǎn)生用于球面形HIFU換能器的球面形復(fù)合壓電瓦片。
[0021]在瓦片已經(jīng)彎曲之后，通過將導(dǎo)電材料濺鍍在如圖3的片體30所示的片體的表面上而將頂表面和底表面38金屬化。該導(dǎo)電材料優(yōu)選是非磁性的,例如金或者鈦/金。金屬化的表面通過導(dǎo)電通路32電連接，從而提供了從復(fù)合片體的后表面到前表面的電連接。然后通過從瓦片的后(凸形)表面在期望的有效區(qū)域周圍進(jìn)行金剛石鉆頭鉆孔、激光鉆孔或者超聲加工來隔離出復(fù)合壓電片體的有效(發(fā)射和接收)區(qū)域。圖3和圖4顯示了多個如此限定的有效區(qū)域44。限定有效區(qū)域的切口 42切過片體的表面的金屬化部分以將所述區(qū)域電隔離，并且優(yōu)選地延伸達(dá)到復(fù)合片體的一半位置處，以使有效區(qū)域與片體周圍區(qū)域及其它有效區(qū)域聲隔離。替代地，可在瓦片接合到匹配層之后將有效區(qū)域電隔離和聲隔離。
[0022]在一種已構(gòu)建的瓦片中，有效區(qū)域44并非以行或列或者圓形或者其他規(guī)則圖案對稱地布置，而是如圖4所示不規(guī)則地或者隨意地布置。所述隨意圖案防止有效區(qū)域的聲學(xué)旁瓣的任何顯著的相加組合，所述相加組合將減小HIFU換能器所傳遞的有效能量。
[0023]然后將八個球面形梯形瓦片40圍繞匹配層10的凸形表面14彼此鄰近地輕微接合，從而提供瓦片的組件的形式。如果球面形瓦片40為如上所述的餅狀，則瓦片將完全覆蓋匹配層10的凸形側(cè)。當(dāng)球面形瓦片為如圖4所示的梯形時，則所述球面形瓦片將覆蓋匹配層的除了匹配層的中心以外的凸形側(cè)。該圓形球狀空間可保持敞開。替代地，它可覆蓋有用于冷卻的圓形球狀的例如鋁的熱導(dǎo)體。由于HIFU換能器的球面形幾何形狀，返回的聲能量趨向于被聚焦到HIFU換能器的中心處。將熱導(dǎo)體設(shè)在此處可幫助冷卻HIFU換能器。替代地，圓形球狀復(fù)合壓電瓦片48可填充該空間。例如，圖3的具有其自身有效區(qū)域的圓形片體可被制成為球面形狀且設(shè)定在此處，從而提供了匹配層10的完全復(fù)合壓電覆蓋，如圖5中匹配層10上的梯形和圓形瓦片的剖視圖所示。在已構(gòu)建的這一完全覆蓋設(shè)計的換能器中，九個瓦片為HIFU換能器提供265個有效區(qū)域，256個用于發(fā)射而9個用于接收。
[0024]從圖3中可見，通路32定位為可將后表面上的有效區(qū)域周圍的金屬化區(qū)域連接到瓦片的前(面向患者)側(cè)上的金屬化表面。在一種已構(gòu)建的HIFU換能器中，有效區(qū)域44周圍的金屬化區(qū)域與參考電位電聯(lián)接。通路32將該參考電位與瓦片另一側(cè)的金屬化表面聯(lián)接，所述另一側(cè)在圖3中不可見。該通路因此用于向復(fù)合壓電瓦片的面向患者的一側(cè)施加參考電位，并且也向有效區(qū)域44的面向患者的一側(cè)的金屬化部分施加參考電位。由于瓦片40的面向患者的一側(cè)與匹配層10接合因而無法接近以用于電連接，所以通路提供了穿過壓電片體到瓦片前側(cè)的所需電連接。
[0025]其后，如圖6所示，通過粘合、卡扣配合或者緊固件將塑料支撐框架50附連到組裝好的瓦片的后部。在一種已構(gòu)建的換能器中，九個瓦片40、48中的每一瓦片可放置在支撐框架的肋之間。支撐框架用于將八個梯形的和一個圓形的印刷電路板52以相間隔開的關(guān)系安裝在復(fù)合壓電瓦片40的后表面的上方。圖7a和7b不出梯形印刷電路板52的前表面和后(54)表面。來自連接器57的印刷電路連接部56位于后表面54上，所述連接部由穿過所述電路板到HIFU換能器的有效區(qū)域的電鍍通孔59連接。順應(yīng)性的金屬觸頭60在印刷電路板前表面上，其橫跨印刷電路板與其瓦片之間的空間，并且將各印刷電路連接部與相反的復(fù)合壓電瓦片40的有效區(qū)域44和通路32電連接。冷卻槽口 58位于印刷電路板52的在HIFU變換器的外周處的一個邊緣處。
[0026]印刷電路板52在每一瓦片(例如圖6所示瓦片40)上方接合到支撐框架50。當(dāng)以此方式組裝印刷電路板時，其呈現(xiàn)如圖8中印刷電路板52所示的那樣。在該組裝之前，順應(yīng)性金屬觸頭60的伸出末端涂覆有導(dǎo)電環(huán)氧樹脂。當(dāng)將印刷電路板組裝到框架上時，觸頭60的末端將與相對的瓦片的金屬化區(qū)域接觸，并且在導(dǎo)電環(huán)氧樹脂固化時變?yōu)榻雍隙c金屬化區(qū)域電連接。觸頭60因而在印刷電路板與壓電瓦片的有效區(qū)域和參考電位區(qū)域之間提供電氣連通。
[0027]盡管印刷電路板可被制成為傳統(tǒng)的平面的印刷電路板，圖7a和圖7b的印刷電路板52優(yōu)選具有球面形曲率，所述球面形曲率與相對的復(fù)合壓電瓦片40的球面形曲率相匹配，印刷電路板通過觸頭60與該復(fù)合壓電瓦片40連接。印刷電路板如圖7a所示可僅在面向瓦片的一側(cè)上彎曲或在兩側(cè)上彎曲?？梢砸远喾N方式將印刷電路板形成為彎曲的板。一種技術(shù)以玻璃環(huán)氧樹脂板材料的平整厚片開始，將該板的表面機械加工或磨削至期望曲率。另一技術(shù)是使用熱成型以加熱該板材料并軟化環(huán)氧樹脂，然后通過將片體緊靠在期望曲率的固定裝置上按壓而形成所述曲率。電路板可在頂表面和底表面上雙層包覆有光致成像和化學(xué)蝕刻的導(dǎo)電線，所述頂表面和底表面通過形成于電路板中的電鍍通孔互連。所述電路板也可以是具有三個或更多個導(dǎo)電線層的多層板，所述導(dǎo)電線層形成在電路板的表面上以及各層之內(nèi)以用于更復(fù)雜、更高密度的電路構(gòu)造。剛性板52也能夠牢固地安裝如連接器57的其他電氣元件。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的原理，模塊化的可移除空化傳感器位于HIFU換能器的中心，如圖9中示出的換能器的后視圖所示。在該視圖中，移除了印刷電路板52，可見框架50中的瓦片40的后部。也移除了在框架50的中心中的用于實現(xiàn)到空化傳感器的連接的圓形印刷電路板，從而可見空化傳感器的模塊化組件。在HIFU換能器的中心的交叉影線區(qū)域為空化傳感器90的位置。HIFU換能器的中心的放大視圖在圖10中示出。
[0029]在圖10的放大視圖中，開口位于HIFU換能器的中心，所述開口由向后延伸的圓柱形印刷電路板底座94環(huán)繞。所述底座94從中心開口的圓環(huán)處向后突出，并且在其內(nèi)圓柱形表面帶有螺紋。帶有螺紋的模塊化殼體92位于帶有螺紋的印刷電路板底座內(nèi)部,從印刷電路板位置向前。兩個帶螺紋表面的接合指示在106處。空化傳感器90，壓電接收元件，位于殼體92內(nèi)。壓電接收元件可由實心壓電陶瓷、將壓電陶瓷盤以直角切削并對切削的切口填充環(huán)氧樹脂填充劑而形成的復(fù)合陶瓷、或由壓電PVDF材料制成的元件形成。在任一情況下，壓電元件經(jīng)磨削或磨平到一定厚度，所述厚度可獲得期望的接收頻率。壓電元件外表面經(jīng)金屬化以提供信號和返回觸頭。在壓電元件后表面中形成圓形隔離切口 104，以將后表面上的金屬化部分分隔為兩個接觸電極，后表面中心的一個圓形接觸電極98以及環(huán)形外周接觸電極96，所述環(huán)形外周接觸電極與所述元件前部的金屬化部分鄰接。然后將所述元件電極化。匹配層100接合到壓電元件90的前表面。
[0030]圖11和圖12為安裝在HIFU換能器120中模塊化封裝的空化傳感器的剖視圖，其中圖12以放大視圖顯示中心組件。可見模塊化的空化傳感器殼體92具有中心接合的壓電傳感器元件90，所述壓電傳感器元件面向匹配層100。在將殼體的帶螺紋外部擰入印刷電路板底座94的匹配螺紋之前，O型圈102圍繞模塊化殼體92放置。當(dāng)模塊化殼體92完全擰入就位時，將O型圈102壓緊在模塊化殼體92與底座94之間以形成圍繞殼體的液密密封。當(dāng)殼體92以此方式安置時，從印刷電路板110延伸的電觸頭112、114與壓電元件的金屬化接觸電極98、96電接觸。這些觸頭將由元件90接收的壓電信號與印刷電路板110上的電路聯(lián)接，所接收的可指示空化的信號被從所述印刷電路板聯(lián)接至電路并被處理。
[0031]若空化傳感器在制造過程中或使用過程中被損壞，可通過從換能器120擰下模塊化殼體92和傳感器兀件90而替換被損壞的空化傳感器。在一個已構(gòu)建的實施例中，在模塊化殼體98的面向患者的一側(cè)中形成多個孔，用于活動扳手的接合以將所述殼體從換能器底座94擰入和擰下。在將已損壞傳感器元件擰下并移除后，將新的模塊化殼體和傳感器元件擰回到開口中直至O型圈102再次壓緊形成液封。印刷電路板110的彈性彈簧觸頭112、114與新傳感器上的電極98、96接觸，而具有其新傳感器的HIFU換能器則可準(zhǔn)備好再次投入工作。
【權(quán)利要求】
1.一種具有可更換空化傳感器的高強度聚焦超聲(HIFU)換能器，包括: 具有中心區(qū)域的盤形HIFU發(fā)射器； 空化傳感器；以及 包含所述空化傳感器的模塊化殼體，所述模塊化殼體以可移除方式定位在所述HIFU發(fā)射器中，使得所述空化傳感器定位成接收能夠指示空化的聲信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIFU換能器，其特征在于，所述盤形HIFU發(fā)射器具有球面形的面向患者的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIFU換能器，其特征在于，所述空化傳感器還包括壓電換能器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的HIFU換能器，其特征在于，所述壓電換能器還包括壓電元件，所述壓電元件形成為下述元件中的一種:a)實心壓電陶瓷；b)復(fù)合陶瓷，所述復(fù)合陶瓷通過將壓電陶瓷盤切削并用填充劑材料填充所述切削的切口而形成；或(3)由壓電PVDF材料制成的元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的HIFU換能器，其特征在于，所述壓電換能器具有被金屬化以提供第一電極和第二電極的外表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的HIFU換能器，其特征在于，所述壓電換能器還包括將金屬化外表面電氣分離成單獨電極的隔離切口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIFU換能器，其特征在于，所述模塊化殼體以可移除方式定位在所述HIFU發(fā)射器的中心區(qū)域中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的HIFU換能器，其特征在于，所述中心區(qū)域還包括螺紋開口；并且 其中所述模塊化殼體帶有螺紋以便以可移除方式接合所述中心區(qū)域的螺紋開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的HIFU換能器，其特征在于，所述HIFU換能器還包括位于所述中心區(qū)域中的印刷電路板，所述印刷電路板具有電氣觸頭； 其中所述空化傳感器還包括電極，當(dāng)所述模塊化殼體被擰入所述中心區(qū)域時，所述電極被所述印刷電路板的電氣觸頭接合。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的HIFU換能器，其特征在于，所述模塊化殼體還形成為通過工具接合以將所述模塊化殼體擰入所述中心區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的HIFU換能器，其特征在于，所述模塊化殼體還形成有適用于由活動扳手接合的多個孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的HIFU換能器，其特征在于，所述HIFU換能器還包括液密密封，當(dāng)所述模塊化殼體完全接合在所述HIFU發(fā)射器中時，所述液密密封接合在所述模塊化殼體與所述HIFU發(fā)射器之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的HIFU換能器，其特征在于，所述液密密封還包括O型圈密封。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的HIFU換能器，其特征在于，所述印刷電路板電氣觸頭還包括彈性觸頭。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的HIFU換能器，其特征在于，所述彈性觸頭還包括彈簧觸頭。
【文檔編號】G10K15/04GK103547381SQ201280024063
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月18日
【發(fā)明者】D·D·克拉克 申請人:皇家飛利浦有限公司