專利名稱：布老恩管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布老恩管，特別涉及用于支撐在布老恩管的屏盤上固定的蔭罩的框架。
TV接收機中的布老恩管具有因視頻信號而發(fā)光的紅、綠和藍熒光材料，用以重現(xiàn)彩色圖像。

圖1展示現(xiàn)有技術(shù)的彩色布老恩管。
即，現(xiàn)有技術(shù)的布老恩管配有屏盤1、錐體2和頸部12。在屏盤1內(nèi)表面上有柱狀銷釘3和具有形成于其上熒光材料層的熒光面4，在屏盤1中還有蔭罩組件。蔭罩組件具有框架8、在框架8內(nèi)由框架支撐的蔭罩9、固定在框架8與柱狀銷釘3之間用于從屏盤1內(nèi)部支撐框架8的彈簧10。有形成在框架內(nèi)表面上用于支撐蔭罩9的裙邊部分9b的凸狀部件(bead)8a，和在框架各角部用于與彈簧10平滑地耦合的平坦部分8b。此外，在框架的背面還有用于防止由外部地磁或漏磁引起的電子束5軌跡偏離的內(nèi)屏蔽11。
蔭罩組件應(yīng)該滿足用于布老恩管的平穩(wěn)地操作的下列特性。
首先，應(yīng)抑制在布老恩管操作期間由電子束5引起的蔭罩元件的熱膨脹。因電子束5撞擊蔭罩而引起的蔭罩熱膨脹會導(dǎo)致拱頂，在拱頂中蔭罩的位移引起某些錯誤。
第二，矩形框架8應(yīng)該總是保持被固定于屏盤1內(nèi)的一個位置處，因在布老恩管操作期間或因外部沖擊產(chǎn)生的蔭罩9的振鳴使蔭罩9的選色性能變劣。
第三，由布老恩管操作方向的地磁引起的著屏變化應(yīng)該較小，因為，盡管電子束5應(yīng)該以準確地維持初始設(shè)置的發(fā)射角度的狀態(tài)通過蔭罩9中的各裂縫9a，但外部磁場影響電子束的軌跡，使電子束5偏離而不能到達正確的位置。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了滿足布老恩管的要求，適當?shù)馗淖兪a罩9和框架8的材料、彈簧10的形狀和材料、內(nèi)屏蔽11的材料和形狀，特別是蔭罩由因瓦合金(invar alloy)形成以抑制因熱膨脹到最大值所引起的拱頂，因為因瓦合金是具有極低熱膨脹系數(shù)的約36％的Ni-Fe合金?？墒?，即使因熱引起的蔭罩9的變形非常小，但考慮到框架8一般具有1.2×10-5的熱膨脹系數(shù)，因而框架8的變形非常嚴重。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了減少誤著屏而改變在屏盤1內(nèi)支撐框架8的彈簧10的結(jié)構(gòu)(或形狀)。可是，由于在制造彈簧時，不僅要考慮框架8的支撐，而且還要考慮蔭罩9的誤著屏，因而彈簧的設(shè)計困難。此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了適當?shù)卣{(diào)整在內(nèi)屏蔽中心的磁通密度和內(nèi)屏蔽外部的磁通密度。提供從框架8背面沿屏盤1內(nèi)部固定的內(nèi)屏蔽8，由此可屏蔽外部磁場。但是，現(xiàn)有技術(shù)的框架8具有通常小于屏盤1的尺寸。因此，在框架內(nèi)部空間中電子束5通過的空間小，以致在框架8中心部分的磁通密度變得與在框架內(nèi)周邊的磁通密度相似，使磁屏蔽效果急劇惡化，框架8的矮高度引起磁通不能集中到內(nèi)屏蔽11的長邊、短邊和角部，導(dǎo)致在屏盤內(nèi)中心和周邊的磁通密度幾乎相等。幾乎相等的磁通密度不能減小因外部磁場引起的軌跡變化，使外部磁屏蔽效果急劇惡化，增加了電子束著屏的變化。
鑒于前述不同的問題和布老恩管逐漸平面化的流行趨勢，通過改變蔭罩9、彈簧10和內(nèi)屏蔽11的材料或形狀來滿足上述對布老恩管的各種要求存在局限。即，現(xiàn)有技術(shù)框架8的小的包圍體積導(dǎo)致因電子束5引起的框架8的較大溫升，和由于現(xiàn)有技術(shù)的框架8不能充分地圍住相應(yīng)于屏盤1的平面而形成的蔭罩9的外周邊，因而現(xiàn)有技術(shù)框架8的矮高度導(dǎo)致在布老恩管的制造或操作中蔭罩的較大畸變。因框架8的矮高度引起的在屏盤1與蔭罩9之間的空間中的低屏蔽效果導(dǎo)致著屏的較大改變。鑒于上述問題可知，由于布老恩管變得更平坦時，屏盤的內(nèi)表面曲率變得更大于現(xiàn)有技術(shù)屏盤1的曲率，因而框架8的高度應(yīng)該較高以使在方向變化中因地磁引起的變化最小?？墒?，僅僅框架總高度的增加連同屏盤8內(nèi)表面曲率的增加還可引起不能有效地防止拱頂和振鳴的問題。
因此，本發(fā)明涉及基本上克服因現(xiàn)有技術(shù)的局限和不足而存在的幾個問題的布老恩管中的框架。
本發(fā)明的目的在于提供不受拱頂、振鳴和地磁影響的穩(wěn)定的布老恩管。
在下列說明中將呈現(xiàn)本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點，根據(jù)說明將部分明了這些附加特征和優(yōu)點，或通過本發(fā)明的實施來了解。通過在所寫說明書和其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為概括和概要，布老恩管包括蔭罩、用于支撐蔭罩的屏盤、固定在蔭罩與屏盤之間的柱狀銷釘、和大體矩形的框架，該框架具有高度在(0.8～0.9)×(從柱狀銷釘中心到屏盤內(nèi)表面中心點的高度)的范圍內(nèi)的長邊，和分別具有高度在(0.7～0.85)×(長邊高度)的范圍內(nèi)的短邊和角部邊。
應(yīng)該理解前述總的描述和后面的詳細說明都是示例和說明性的，都企圖提供對權(quán)利要求所限定的本發(fā)明作進一步的說明。
用于提供對本發(fā)明的進一步理解且包含于說明書中并構(gòu)成說明書一部分的附圖，展示本發(fā)明的實施例，并結(jié)合其描述用于說明本發(fā)明的原理附圖中圖1展示現(xiàn)有技術(shù)布老恩管的剖面圖；圖2展示圖1中“A”部分的放大平面圖；圖3展示布老恩管中現(xiàn)有技術(shù)框架的透視圖；圖4展示按照本發(fā)明優(yōu)選實施例的布老恩管中框架的透視圖；圖5A展示沿圖4中線I-I的剖面圖；圖5B展示沿圖4中線II-II的剖面圖；圖5C展示沿圖4中線III-III的剖面圖。
下面詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，該實施例展示于附圖中。圖4展示按照本發(fā)明優(yōu)選實施例的布老恩管中框架的透視圖，圖5A展示沿圖4中線I-I的剖面圖，圖5B展示沿圖4中線II-II的剖面圖；和圖5C展示沿圖4中線III-III的剖面圖。與現(xiàn)有技術(shù)中完全一樣的部分的說明將省略，由于該部分已在現(xiàn)有技術(shù)的說明中進行了說明，并且與現(xiàn)有技術(shù)相同的部分將被標以相同的標號。
在本發(fā)明中認為框架應(yīng)該具有下列框架特征。
即使在布老恩管操作期間因電子束5的撞擊引起框架溫度升高從而導(dǎo)致熱膨脹發(fā)生，框架也應(yīng)該保持電子束5的通過位置在穩(wěn)定的狀態(tài)。
為了防止蔭罩9因外部沖擊或揚聲器傳送能量所引起的振動，應(yīng)該保持框架的總體位置總是固定于屏盤1內(nèi)的一個位置處。
應(yīng)該使取決于布老恩管操作區(qū)域和方向的地磁引起的著屏變化最小。
因此，本發(fā)明建議擴大框架80的體積，改進形成于框架上的凸狀部件84，以彌補加大框架80引起的缺陷。
在這種情況下，作為根據(jù)實際測量驗證的結(jié)果，可使用有限元法分析本發(fā)明框架的各部分尺寸的設(shè)計，即最佳設(shè)計。
下面將更詳細地說明本發(fā)明。
框架80的長邊81的高度H1設(shè)定在(0.8～0.9)×(從柱狀銷釘3中心到屏盤1內(nèi)表面中心點的高度Hp)的范圍內(nèi)，框架80的短邊82的高度H2和角部邊83的高度H3分別設(shè)定在(0.7～0.85)×(框架80的長邊81的高度H1)的范圍內(nèi)。在這種情況下，分別地，框架80的短邊82的高度H2可以設(shè)定在(0.6～0.7)×(從柱狀銷釘3中心到屏盤1內(nèi)表面中心的高度Hp)的范圍內(nèi)，框架80的角部邊83的高度H3可以設(shè)定在(0.55～0.7)×(從柱狀銷釘3中心到屏盤1內(nèi)表面中心的高度Hp)的范圍內(nèi)。凸狀部件84從框架80的長邊81內(nèi)突出，其高度H4在(0.3～0.5)×(框架80的長邊83的高度)的范圍內(nèi)，凸狀部件84從框架80的短邊82內(nèi)突出，其高度H5在(0.2～0.4)×(框架80的短邊82的高度)的范圍內(nèi)。
與現(xiàn)有技術(shù)進行比較可知本發(fā)明的框架的總尺寸明顯大于現(xiàn)有技術(shù)的該尺寸，并且長邊81、短邊82和角部邊83的高度彼此不同，這可如表1和2中所示那樣進行比較。
表1
表2
<p>表1表示框架各部分的高度，表2表示各凸狀部件的高度、寬度和長度。下面將詳細說明因本發(fā)明的結(jié)構(gòu)而改善的框架特性。
首先，由于框架80總高度增加，與熱量相比，溫升被降低，從而減小框架80的熱膨脹，這還減小著屏的變化?？蚣?0的熱膨脹減小還會降低影響蔭罩9的框架8的膨脹量，這也會減小著屏的變化，即，減小電子束5的所選透過位置的變化，這將從表示在現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的拱頂中著屏變化的表3中清楚地看出。
表3
即，如表3所示，通過使框架80的形狀最佳化，著屏的變化明顯減小。
第二，通過改進改進的框架80的凸狀部件84的形狀，可減小蔭罩9的振動。利用本發(fā)明的凸狀部件84可減小在布老恩管操作期間因來自外部沖擊或揚聲器的能量而引起的蔭罩振動。即，通過進一步地增加凸狀部件84與蔭罩9的裙部9b的接觸面，蔭罩的整體固定可以更加穩(wěn)固。與其中凸狀部件8a的尺寸還與框架8的總尺寸增加成比例地增加的現(xiàn)有技術(shù)不同，象為了補償總的性能而使框架80的性能降低那樣多地改變凸狀部件8a的尺寸。即，由表2容易地看出，本發(fā)明的凸狀部件84的尺寸大于在現(xiàn)有技術(shù)中形成的凸狀部件8a的尺寸。此外，從測量中還可看出，在蔭罩9與框架80之間的接觸面積越大，在布老恩管的熒光屏上的振鳴就越小。
第三，由于框架80的高度H1、H2和H3增加，因而受地磁影響的著屏變化減小。即，按照本發(fā)明，在屏盤1與框架80之間的總間隙因框架80的高度H1、H2和H3的增加而減小。并且，與此相反，框架80內(nèi)部的較大空間減小在框架80中心部分的磁通密度，磁通被集中在框架80內(nèi)部的周邊上。因此，因地磁引起的著屏變化被減小。一般來說，盡管通過內(nèi)屏蔽11改變磁屏蔽，但在按照本發(fā)明那樣的結(jié)構(gòu)中僅通過改變框架80的位置就可獲得磁屏蔽的上述效果，這從表4中所示的結(jié)果可容易地看出。
表4
表4比較在本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)中在去磁之后電子束的最大偏移。如表4所知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可使電子束偏移減少17μm。這種電子束偏移的減少進一步增強了地磁場屏蔽效果，從而減小電子束著屏的變化和圖像的閃爍。
如所述那樣，通過使框架的高度最佳為滿足對布老恩管的各種要求同時在增加框架總尺寸的情況下，能夠使布老恩管穩(wěn)定不受拱頂、振鳴和地磁的影響。通過考慮與布老恩管其它部分的關(guān)系的范圍而建立的框架設(shè)計標準可以使設(shè)計方便。因此，本發(fā)明非常適用于工業(yè)化。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明的布老恩管中的框架進行各種改進和變更而不會脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明欲覆蓋落入權(quán)利要求和其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的各種改進和變更。
權(quán)利要求
1.一種布老恩管，包括蔭罩；支撐蔭罩的屏盤；固定在蔭罩與屏盤之間的柱狀銷釘；和矩形的框架，該框架具有高度在(0.8～0.9)×(從柱狀銷釘中心到屏盤內(nèi)表面中心點的高度)的范圍內(nèi)的長邊，和分別具有在(0.7～0.85)×(長邊高度)的范圍內(nèi)的高度的短邊和角部邊。
2.如權(quán)利要求1所述的布老恩管，其中框架短邊的高度在(0.6～0.7)×(從柱狀銷釘中心到屏盤內(nèi)表面中心的高度)的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的布老恩管，其中框架角部邊的高度在(0.55～0.7)×(從柱狀銷釘中心到屏盤內(nèi)表面中心的高度)的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的布老恩管，還包括從框架長邊內(nèi)突出的凸狀部件，該凸狀部件的高度在(0.3～0.5)×(框架的長邊的高度)的范圍內(nèi)，和從框架短邊內(nèi)突出的另一個凸狀部件，該凸狀部件的高度在(0.2～0.4)×(框架的短邊的高度)的范圍內(nèi)。
全文摘要
布老恩管包括陰罩、支撐蔭罩的屏盤、固定在蔭罩與屏盤之間的柱狀銷釘和大體矩形的框架,該框架具有高度在(0.8～0.9)×(從柱狀銷釘中心到屏盤內(nèi)表面中心點的高度)的范圍內(nèi)的長邊和分別具有在(0.7～0.85)×(長邊高度)的范圍內(nèi)的高度的短邊和角部邊,由此通過使框架的各高度最佳為滿足對布老恩管的各種要求同時在增加框架總尺寸時,能夠使布老恩管穩(wěn)定不受拱頂、振鳴和地磁的影響,并且使設(shè)計方便。
文檔編號H01J29/07GK1273431SQ00108888
公開日2000年11月15日 申請日期2000年4月15日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月15日
發(fā)明者尹泰錫 申請人:Lg電子株式會社