專利名稱：氣體放電板的制造方法及其制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將第一基板及第二基板相結(jié)合構(gòu)成的氣體放電板的制造方法，特別是涉及具有在使兩個(gè)基板對(duì)位時(shí)以及在此之前使兩個(gè)基板處于保持氣氛中的特征的氣體放電板的制造方法及其制造裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，作為氣體放電板的一個(gè)例子，如圖8所示的AC型等離子體顯示面板(下面稱之為PDP)是公知的。該圖是表示PDP結(jié)構(gòu)的局部立體(局部透視)圖。
該P(yáng)DP具備有將在玻璃基板1的內(nèi)表面上形成多個(gè)顯示電極2、介電層3及保護(hù)層4的第一基板5，和在玻璃基板6的內(nèi)表面上形成沿著與顯示電極2正交的方向配置的多個(gè)數(shù)據(jù)電極7及介電層8、在介電層8的每個(gè)規(guī)定的位置上并列地形成劃分發(fā)光區(qū)域的低融點(diǎn)玻璃制成的間隔壁9的第二基板10對(duì)向地配置，并將其外周緣用低融點(diǎn)的玻璃制成的封裝構(gòu)件11封裝構(gòu)成的封裝殼12。
這樣，由間隔壁9劃分的各發(fā)光區(qū)域的每一介電層8上涂布有用于實(shí)現(xiàn)彩色顯示的熒光體13，在封裝殼12內(nèi)以大約66500Pa的壓力封入由氖和氙混合而成的放電氣體。
不過(guò)，這種PDP一般是將分別單獨(dú)制造的第一基板5及第二基板10粘結(jié)而構(gòu)成。即，首先，在玻璃基板上形成顯示電極之后，于其上層狀地涂布電介質(zhì)，并進(jìn)行燒結(jié)。然后利用電子束蒸鍍(EB蒸鍍)法等在介電層上形成作為保護(hù)膜的MgO等的膜，制成第一基板5。
其次，在另外的玻璃基板上形成數(shù)據(jù)電極后，于其上形成層狀電介質(zhì)，進(jìn)而以規(guī)定的圖樣形成由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的間隔壁，接著在所述間隔壁之間設(shè)置層狀熒光體，最后在玻璃基板的周邊涂布封裝材料(通常為熔結(jié)玻璃與粘合劑的混合物)之后，進(jìn)行燒結(jié)以便除去封裝材料中的樹脂成分，制成第二基板。
使這樣制成的第一基板及第二基板相互接觸并配置在規(guī)定的位置上，保持固定不動(dòng)，通過(guò)加熱封裝粘接，制成封裝外殼。
最后，將封裝外殼的內(nèi)室抽成真空，加熱到規(guī)定的溫度之后，封入放電氣體，制成氣體放電板。
不過(guò)，在這樣制造PDP時(shí)，在所制成的PDP中，存在著放電開始電壓高，或者在發(fā)光過(guò)程中產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象等問(wèn)題?？梢哉J(rèn)為這是由以下原因造成的。
首先，構(gòu)成形成于第一基板上的保護(hù)膜的MgO由針狀分子構(gòu)成，相對(duì)于玻璃基板幾乎垂直地基本上有規(guī)律地排列，因此，當(dāng)在這些分子間吸附水分及氣體粒子時(shí)，很難除掉。
另一方面，在氣體放電板制成之后，保護(hù)膜暴露在放電中，由于它變成高溫，所以吸附在分子間的水分及氣體分子慢慢地進(jìn)入放電空間內(nèi)，使氣體的純度變差。
同時(shí)，形成在第二基板上的熒光體處于非常多孔的狀態(tài)。從而，熒光體也很容易吸附水分和氣體分子，處于和保護(hù)膜同樣的狀態(tài)。
可以認(rèn)為，放電開始電壓的上升及在發(fā)光過(guò)程中出現(xiàn)放電異常是由于這種氣體純度變差造成的。這里，不言而喻，非常希望將水分及氣體分子全部消除，特別是，即使只將水分除去，也會(huì)獲得相當(dāng)好的效果。從而，最好在第一基板上形成保護(hù)膜后，并在第二基板上將周邊的封裝材料臨時(shí)燒結(jié)后，盡可能地不要暴露在大氣中，但在實(shí)際的PDP制造過(guò)程中，目前的現(xiàn)狀是并沒有考慮到這些細(xì)微的問(wèn)題。
發(fā)明的公開本發(fā)明的目的是提供一種可避免由于這種放電氣體純度的惡化引起的氣體放電板的特性惡化、實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的氣體放電板特性的氣體放電板的制造方法及其制造裝置。
為達(dá)到這一目的，根據(jù)本發(fā)明的氣體放電板的制造方法是一種采用形成保護(hù)層的第一基板及形成熒光體的第二基板，具有使兩個(gè)基板接觸、配置在規(guī)定的位置處的對(duì)位工序的氣體放電板的制造方法，其特征為，在減壓狀態(tài)下進(jìn)行對(duì)位工序。
通過(guò)在減壓狀態(tài)下進(jìn)行這種對(duì)位工序，在進(jìn)行對(duì)位時(shí)可降低封閉在其內(nèi)部空間內(nèi)的水分及氣體分子的數(shù)量。因此，在制成的產(chǎn)品中，可減少放電開始電壓上升或在發(fā)光過(guò)程中出現(xiàn)異常放電現(xiàn)象的問(wèn)題，獲得氣體放電板特性優(yōu)異的制品。可以，最后在氣體放電板的內(nèi)部空間內(nèi)封入放電氣體，但在封裝后，很難有效地從這部分中將水蒸汽等不純物排出，特別是在對(duì)水蒸汽含量不進(jìn)行控制的大氣中進(jìn)行對(duì)位時(shí)，這一問(wèn)題變得更加顯著。然而，如本發(fā)明那樣，通過(guò)在減壓狀態(tài)下進(jìn)行對(duì)位工序，由于在對(duì)位時(shí)降低封入的水蒸汽量，從而可獲得性能優(yōu)異的氣體放電板。
同時(shí)，本發(fā)明的特征為，在前述對(duì)位工序之前，將第一基板在第一減壓室內(nèi)和/或?qū)⒌诙逶诘诙p壓室內(nèi)一面加熱一面暴露在低壓狀態(tài)下之后，在第三減壓室內(nèi)于減壓狀態(tài)下進(jìn)行兩個(gè)基板的對(duì)位。
借此，可將第一基板及第二基板在減壓下的處理在相互不對(duì)向的單獨(dú)的減壓室內(nèi)進(jìn)行，在各基板所保持的水分及氣體分子從該基板上脫離后，能夠可靠地抑制各基板的再吸附的現(xiàn)象。因此，對(duì)于制成的氣體放電板，可具有更優(yōu)異的氣體放電板特性。
進(jìn)而，通過(guò)把各基板分別用不同的減壓室單獨(dú)地置于減壓環(huán)境下，可在適合于各基板的條件下脫去水分等。
同時(shí)，通過(guò)在不同的減壓室內(nèi)置于減壓狀態(tài)下，將各基板相互分離，可顯著降低由第二基板產(chǎn)生的去掉粘合劑而生成的氣體被與之匹配的第一基板吸收的可能性。
同時(shí)，通過(guò)置于這種分開的減壓室內(nèi)的減壓狀態(tài)下，可以很容易地將各基板表面的整個(gè)表面均勻地暴露在減壓氣氛中，所以易于均勻地從基板內(nèi)表面上除去水分等。
這里，前述第一基板在形成保護(hù)層后經(jīng)過(guò)加熱到規(guī)定溫度的第一基板燒結(jié)工序形成，該第一基板燒結(jié)工序前的第一基板在該第一基板燒結(jié)工序中可被設(shè)置在前述第一減壓室內(nèi)。
這里，前述第二基板經(jīng)過(guò)熒光體形成工序、熒光體燒結(jié)工序、封裝材料涂布工序和封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序形成，在封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序前的第二基板可從封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序的中途設(shè)置在前述第二減壓室內(nèi)。
這里，優(yōu)選地把前述第一減壓室及第二減壓室減壓到1333Pa以下。
同時(shí)，本發(fā)明是一種采用形成保護(hù)層的第一基板及形成熒光體的第二基板，具有使兩個(gè)基板接觸配置在規(guī)定位置的對(duì)位工序的氣體放電板的制造方法，其特征為，在干燥氣體的氣氛中進(jìn)行對(duì)位工序。
這樣，通過(guò)將對(duì)位工序在干燥氣體的氣氛中進(jìn)行，在對(duì)位時(shí)，可減少封閉到其內(nèi)部空間內(nèi)的水分及氣體分子。因此，在制成的產(chǎn)品中，放電開始電壓加高或在發(fā)光過(guò)程中異常放電現(xiàn)象的問(wèn)題減少，可獲得氣體放電體性能優(yōu)異的產(chǎn)品。同時(shí)，在氣體放電板的內(nèi)部空間最后要封入放電氣體，而在封裝后很難有效地從這部分中排出水蒸汽等不純物，特別是在對(duì)水蒸汽含量不加控制的大氣中進(jìn)行對(duì)位時(shí)，這一問(wèn)題尤其顯著。然而，根據(jù)本發(fā)明，由于通過(guò)在干燥氣體的氣氛中進(jìn)行對(duì)位工序，在對(duì)位時(shí)封入的水蒸汽量降低，從而可獲得放電板特性優(yōu)異的氣體放電板。
同時(shí)，本發(fā)明的特征為在前述對(duì)位工序之前，將第一基板在第一干燥氣體氣氛室內(nèi)和/或?qū)⒌诙逶诘诙稍餁怏w氣氛室內(nèi)一面加熱一面暴露在干燥氣體氣氛下之后，在第三干燥氣體氣氛室中于干燥氣體氣氛下進(jìn)行兩個(gè)基板的對(duì)位。
借此，可將第一基板及第二基板在干燥氣體氣氛下的處理在相互不對(duì)向的各干燥氣體氣氛室中進(jìn)行，在各基板保持的水分及氣體分子從所述基板上脫離之后，能夠可靠地抑制各基板相互之間再吸收的現(xiàn)象。因此，即使已制成的氣體放電板也可獲得氣體放電板特性優(yōu)異的產(chǎn)品。
進(jìn)而，通過(guò)把各基板在不同的干燥氣體氣氛室中置于不同的干燥氣體氣氛下，可在適合于各基板的條件下除去水分等。
同時(shí)，通過(guò)在不同的干燥氣體氣氛室中置于干燥氣體氣氛下，各基板相互分開，可以顯著地降低從第二基板上所產(chǎn)生的去掉粘合劑時(shí)生成的氣體被與之匹配的第一基板吸附的可能性。
同時(shí)，由于通過(guò)在單獨(dú)的干燥氣體氣氛室中置于干燥氣體氣氛的狀態(tài)下，易于地將各基板的表面的全部面均勻地暴露在干燥氣體氣氛下，所以易于均勻地從基板內(nèi)表面上除去水分等。
這里，前述第一基板在形成保護(hù)層后經(jīng)過(guò)在規(guī)定的溫度下加熱的第一基板燒結(jié)工序形成，可將在該第一基板燒結(jié)工序前的第一基板在該第一基板燒結(jié)工序中設(shè)置在前述第一干燥氣體氣氛室內(nèi)。
這里，前述第二基板經(jīng)過(guò)熒光體形成工序、熒光體燒結(jié)工序、封裝材料涂布工序及封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序形成，可將封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序前的第二基板從封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序的開始設(shè)置在前述第二干燥氣體氣氛室內(nèi)。
這里，前述第一干燥氣體氣氛室及第二干燥氣體氣氛室優(yōu)選地充滿露點(diǎn)規(guī)定在-30℃以下的干燥氣體。
同時(shí)，也可以將第一基板一面加熱一面使之處于減壓狀態(tài)，另一方面，將第二基板置于干燥氣體的氣氛下之后，進(jìn)行對(duì)位。
采用上述的制造方法，可以獲得其內(nèi)部空間的水蒸汽分壓在100Pa以下的氣體放電板。
同時(shí)，由于獲得其內(nèi)部空間水蒸汽分壓極低的氣體放電板，所以即使氣體放電板的環(huán)境溫度降低，由于水分的影響所造成的放電特性的惡化程度也很小。
同時(shí)，本發(fā)明是一種具有第一基板傳送機(jī)構(gòu)、第二基板傳送機(jī)構(gòu)和對(duì)位機(jī)構(gòu)的氣體放電板的制造裝置，其特征為，第一基板傳送機(jī)構(gòu)、第二基板傳送機(jī)構(gòu)及對(duì)位機(jī)構(gòu)分別配置在單獨(dú)的密閉室內(nèi)，各密閉室至少配備有給氣及排氣機(jī)構(gòu)之一。
借此，可以將第一基板及第二基板在減壓狀態(tài)下或干燥氣體氣氛下的處理在相互不對(duì)向地隔開相當(dāng)距離的地點(diǎn)進(jìn)行，各基板所保持的水分及氣體分子從所述基板脫離后，能夠可靠地抑制各基板相互間的再次吸附。進(jìn)而，通過(guò)將各基板置于相互離開的地點(diǎn)，可在適合于各基板的條件下脫去水分等。
同時(shí)，各基板相互離開，能夠顯著地降低第二基板產(chǎn)生的因消除粘合劑而生成的氣體吸附到與之匹配的第一基板上的可能性。
同時(shí)，由于可很容易地將各基板表面的整個(gè)面均勻地暴露在減壓氣氛或干燥空氣中，從而可以很容易地從基板內(nèi)表面均勻地除去水分等。
因而可以獲得優(yōu)異的氣體放電板特性的氣體放電板。
這里，在前述第一基板傳送機(jī)構(gòu)和配置了前述對(duì)位機(jī)構(gòu)的前述各密閉室之間、以及在前述第二基板傳送機(jī)構(gòu)和配置了前述對(duì)位機(jī)構(gòu)的前述各密閉室間之間具有連接部，前述連接部?jī)?nèi)可至少具有給氣及排氣機(jī)構(gòu)中其中之一。


圖1簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式一的PDP制造方法的剖視圖。
圖2簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式二的PDP制造方法的剖視圖。
圖3簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式三的PDP制造方法的剖視圖。
圖4簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式四的PDP制造方法的剖視圖。
圖5簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式五的PDP制造方法的剖視圖。
圖6簡(jiǎn)略地表示有關(guān)實(shí)施形式六的PDP制造方法的剖視圖。
圖7為相對(duì)于實(shí)施形式三、五的比較例的制造方法進(jìn)行封裝時(shí)殘留在第一基板表面上的有機(jī)類氣體量的特性圖。
圖8簡(jiǎn)略地表示現(xiàn)有形式及根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施形式的PDP的斷裂透視圖。
實(shí)施發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形式下面利用

本發(fā)明的實(shí)施形式。
實(shí)施形式一圖1是簡(jiǎn)略地表示根據(jù)實(shí)施形式的PDP的制造方法的剖視圖。
此外，由于這時(shí)的PDP的總體結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的形式基本上沒有區(qū)別，對(duì)圖1中與圖8中相同的或相當(dāng)?shù)牟考?、部分賦予相同的標(biāo)號(hào)(以下相同)。
由于本發(fā)明在定位工序以及直到定位工序之前的工序具有其特定的特征，所以用圖1說(shuō)明這些工序。
在圖1中，100表示對(duì)位腔室，101表示第一基板運(yùn)入口，102表示第二基板運(yùn)入口，103表示第一基體，104表示第一加熱器，105表示第一基板支撐栓，106表示第一真空泵。這里，對(duì)位腔室100具有在其內(nèi)部保持在氣密狀態(tài)的氣密性高的結(jié)構(gòu)。
第一基板5是在玻璃基板上用銀膏等形成顯示電極后進(jìn)行燒結(jié)，于其上形成由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)后進(jìn)行燒結(jié)，進(jìn)而用電子束蒸鍍法等于其上形成由MgO構(gòu)成的保護(hù)層后在對(duì)位工序前用規(guī)定的溫度燒結(jié)制成。
另一方面，第二基板10是在用銀膏等在玻璃基板上形成地址用電極后進(jìn)行燒結(jié)，在其上形成由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)后進(jìn)行燒結(jié)，進(jìn)而在其上形成規(guī)定形狀的由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的間隔壁并進(jìn)行燒結(jié)制成。
然后，在間隔壁之間以規(guī)定的圖形形成熒光體進(jìn)行燒結(jié)。接著，在第二基板的周邊、在和第一基板重疊部位的周端部上，用分配器等涂布構(gòu)成封裝材料的涂膏(熔結(jié)玻璃和粘合劑及溶劑的混合物)，在規(guī)定的溫度下臨時(shí)燒結(jié)以便除去含在涂膏內(nèi)的樹脂成分。
在圖1(1)中，從第一基板運(yùn)入口101將第一基板5運(yùn)入，暫時(shí)配置在第一基板支撐栓105上。然后從第二基板運(yùn)入口102將第二基板10運(yùn)入，暫時(shí)配置第一基體103上的規(guī)定位置處。
其次在第一基板5和第二基板10的間隔相隔足夠遠(yuǎn)的狀態(tài)下，利用第一真空泵106使對(duì)位腔室100的內(nèi)部成為減壓狀態(tài)。從而，通過(guò)使其處于減壓狀態(tài)將吸附在第一基板5及第二基板10的表面上的水分及氣體分子從兩個(gè)基板上除去。此外，不言而喻，這時(shí)的減壓程度越高越好，優(yōu)選地為1333Pa以下，更優(yōu)選地為133Pa以下。
這時(shí)，例如用第一加熱器104將對(duì)位腔室100內(nèi)部加熱到350℃左右時(shí)，可進(jìn)一步促使水分及氣體分子(對(duì)于放電氣體來(lái)說(shuō)為不純物)從基板上脫離。
其次，如圖1(2)所示，使第一基板支撐栓105緩慢下降直到使構(gòu)成第一基板5的構(gòu)件的一部分與構(gòu)成第二基板10的構(gòu)件的一部分接觸為止，在這里，圖中沒有示出，用攝影機(jī)等一面辨認(rèn)預(yù)先形成于第一基板5及第二基板10上的定位標(biāo)記一面對(duì)位到規(guī)定的位置，完成對(duì)位工序。
通過(guò)在減壓狀態(tài)下進(jìn)行這種對(duì)位工序，在對(duì)位時(shí)可降低封閉在其內(nèi)部空間內(nèi)的水分及氣體分子的數(shù)量。
因此，在制成的PDP中，產(chǎn)生放電開始電壓提高或在發(fā)光過(guò)程中產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象的危險(xiǎn)性小，可獲得氣體放電板性能優(yōu)異的PDP。
此外，在這里，圖中沒有示出，當(dāng)在對(duì)位工序后，保持減壓狀態(tài)不變轉(zhuǎn)移到下面的封裝工序時(shí)，由于可將向兩個(gè)基板的水分及氣體分子的再次吸附保持在最低限度而形成封裝外殼，從而是十分理想的。
實(shí)施形式二圖2是表示在實(shí)施形式中的制造方法的特征工序部分的圖示。這里所表示的是在把第一基板5用和進(jìn)行對(duì)位的腔室不同的腔室進(jìn)行減壓的狀態(tài)下，經(jīng)過(guò)除去水分等工序(在該工序進(jìn)行的處理稱為第一基板的燒結(jié))后，用實(shí)施形式一所述的方法進(jìn)行對(duì)位的例子。在圖2中，110表示第一基板燒結(jié)室，113表示第二基體，114表示第二加熱器，115表示第一基板傳送臂，116表示第二泵。第一基板燒結(jié)室110保持在氣密狀態(tài)。
在圖2(1)中，第一基板5在形成保護(hù)層后，從第一基板運(yùn)入口101運(yùn)入第一基板燒結(jié)室110內(nèi)之后，設(shè)置在第一基板傳送臂115上的規(guī)定位置處。
另一方面，第二基板在其周邊涂布封裝材料后，完成臨時(shí)燒結(jié)，設(shè)置在定位腔室100內(nèi)的第一基體103上的規(guī)定位置處。
這里，一面用第二泵使第一基板燒結(jié)室110的內(nèi)部處于減壓狀態(tài)一面用第二加熱器114加熱到規(guī)定的溫度。這時(shí)，最好利用第一泵106使對(duì)位腔室100也處于減壓狀態(tài)，進(jìn)而，最好用第一加熱器104進(jìn)行加熱，然后，由于通過(guò)打開第一閘門111使第一基板燒結(jié)室110的內(nèi)部與對(duì)位腔室100的內(nèi)部連通，從而為了不使各腔室的環(huán)境相差太大，最好使真空度及腔室內(nèi)溫度等腔室內(nèi)的各種條件相互匹配。
其次，如圖2(2)所示，打開第一閘門111，將載置第一基板5的第一基板傳送臂115滑動(dòng)到對(duì)位腔室100內(nèi)，在把第一基板5載置于第一基板支撐栓105上之后，將第一基板傳送臂115返回到燒結(jié)室110內(nèi)，關(guān)閉第一閘門111。此外，在這里，對(duì)第一基板傳送臂115沒有進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，它采用一種其載置面固定在預(yù)先突出狀態(tài)下的第一基板支撐栓105上端的高度上，保持該高度不變進(jìn)行前后平行移動(dòng)的機(jī)構(gòu)系統(tǒng)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。借此，可以更簡(jiǎn)單地構(gòu)成該臂的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及控制系統(tǒng)。不言而喻，只要是能夠把第一基板高精度地載置于第一基板支撐栓上，采用任何一種機(jī)構(gòu)都沒有關(guān)系(對(duì)于后面的傳送臂也一樣)。
此后，與前述實(shí)施形式一相同，將對(duì)位腔室110減壓，進(jìn)而使之過(guò)熱后，結(jié)束規(guī)定的對(duì)位工序。
這樣，通過(guò)與進(jìn)行第一基板5及第二基板10對(duì)位工序的腔室不同的腔室內(nèi)在減壓的氣氛下經(jīng)過(guò)從基板表面上除去吸附水分等工序，不僅能夠除去吸附在保護(hù)層的分子上的水分及氣體分子，而且一旦從基板表面上脫離的水分及氣體分子等滯留在對(duì)位腔室內(nèi)時(shí)，可以防止再次吸附到第一基板或第二基板上的現(xiàn)象發(fā)生。從而，可以進(jìn)一步提高氣體放電板的性能。
實(shí)施形式三圖3是表示作為本實(shí)施形式的制造方法的特征的工序部分。在圖3中，120表示第二基板臨時(shí)燒結(jié)室。121表示第二閘門，123表示第三基體，124表示第三加熱器，125表示第二基板傳送臂，126表示第三泵。這里，第二基板臨時(shí)燒結(jié)室保持氣密狀態(tài)。
在圖3(1)中，從第二基板運(yùn)入口102運(yùn)入在基板周邊部涂布了封裝材料涂膏的第二基板10，配置在第二基板傳送臂125上的規(guī)定位置處。其次，利用第三加熱器124對(duì)第二基板臨時(shí)燒結(jié)室120內(nèi)部進(jìn)行加熱，進(jìn)行臨時(shí)燒結(jié)。
其次，在經(jīng)過(guò)臨時(shí)燒結(jié)的峰值溫度、于冷卻過(guò)程中的規(guī)定溫度下，利用第三泵126對(duì)第二基板臨時(shí)燒結(jié)室120的內(nèi)部進(jìn)行減壓。然后，在第二基板10冷卻后，如圖3(2)所示，打開第二閘門121，把載置第二基板10的第二基板傳送臂125滑動(dòng)到對(duì)位腔室100內(nèi)，把第二基板10配置在第一基板103上的規(guī)定位置上。
這里，對(duì)位腔室100即可預(yù)先處于減壓狀態(tài)，也可以預(yù)先進(jìn)行了加熱。進(jìn)而，第二基板10的傳送不一定必須在常溫下進(jìn)行。
其次，圖3(3)，(4)和實(shí)施形式二中的第一基板5的燒結(jié)工序相同。
以這種方式加以實(shí)施，一般地，在燒結(jié)工序中為了除去封裝材料涂膏中含有的樹脂成分，在周圍氣體中必須含有氧氣，所以第二基板10不能從燒結(jié)工序的一開始就處于減壓狀態(tài)，而是通過(guò)在把樹脂成分去掉后將第二基板10保持在減壓狀態(tài)，可減少水分及氣體分子向第二基板10上的吸附。
同時(shí)，在本實(shí)施形式中，第一基板及第二基板在減壓狀態(tài)下的處理(在腔室110及腔室120內(nèi)的處理)不相互對(duì)向地分別在不同的腔室內(nèi)進(jìn)行。從而，在各基板所保持的水分及氣體分子從各基板上脫離后，能可靠地抑制各基板相互再次吸附的現(xiàn)象。因此，對(duì)于制成的PDP可獲得具有更優(yōu)異的氣體放電板性能的產(chǎn)品。
此外，由于這樣經(jīng)過(guò)把各基板在不同的腔室內(nèi)置于減壓狀態(tài)下的工序，通過(guò)根據(jù)各基板的特性置于減壓環(huán)境及溫度環(huán)境下，可更進(jìn)一步提高氣體放電板的特性。即，首先，由于第一基板和第二基板其內(nèi)表面的狀態(tài)不同，脫水的溫度也不同，一般地，內(nèi)表面被覆對(duì)水分子吸附性能高的MgO的第一基板必須在更高的真空度及更高的溫度下才能充分脫水。因此，雖然可以考慮把第一基板及第二基板置于相同的真空度及加熱溫度條件下，但當(dāng)符合第一基板的恰當(dāng)條件時(shí)，形成于第二基板內(nèi)表面上的熒光體粒子會(huì)由于減壓泵的吸引力而飛散，同時(shí)還存在著封裝材料變質(zhì)的問(wèn)題。因此，通過(guò)如上所述把各基板分別在單獨(dú)的腔室內(nèi)置于減壓環(huán)境下，可在適合于各基板條件下脫去水分。
具體地說(shuō)，作為放置第一基板及第二基板的減壓環(huán)境的條件，從脫水的角度出發(fā)，和上述對(duì)位時(shí)的情況一樣，優(yōu)選地為1333Pa以下，更優(yōu)選地為133Pa以下。關(guān)于加熱溫度，對(duì)于第一基板優(yōu)選地為500℃左右。另一方面，對(duì)于第二基板，由于作為封裝材料的熔結(jié)玻璃的軟化點(diǎn)為450℃左右，所以優(yōu)選地對(duì)于第二基板，其溫度也在450℃左右。
同時(shí)，通過(guò)在同一腔室內(nèi)對(duì)置的狀態(tài)下對(duì)第一基板及第二基板進(jìn)行燒結(jié)，可以簡(jiǎn)化制造設(shè)備，但是，當(dāng)這樣在同一腔室內(nèi)對(duì)向配置對(duì)兩個(gè)基板進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，在第二基板的封裝材料的臨時(shí)燒結(jié)過(guò)程中所產(chǎn)生的有機(jī)粘合劑消失成分作為有機(jī)成分會(huì)吸附在第一基板的內(nèi)表面上，在制成氣體放電板之后，作為相對(duì)于放電氣體的不純物殘存的可能性極高。與此相反，如本實(shí)施形式那樣，將各基板置于單獨(dú)的腔室內(nèi)的減壓狀態(tài)，使各基板隔離，可顯著降低由各基板所產(chǎn)生的氣體，特別是由第二基板所產(chǎn)生的粘合劑消失造成的氣體被吸附到相對(duì)的基板上的可能性。
同時(shí)，如本實(shí)施形式所示，由于將各基板置于單獨(dú)的腔室內(nèi)的減壓狀態(tài)下，可很容易地將各基板的表面的全部表面均勻地暴露在減壓氣氛下，從而可很容易地從基板的內(nèi)表面上均勻地除去水分等。
實(shí)施形式四本實(shí)施形式與實(shí)施形式一一樣，由于對(duì)位工序以及到對(duì)位工序?yàn)橹沟墓ば蚓哂衅涮囟ǖ奶卣?，所以利用圖4來(lái)說(shuō)明這些工序。
在圖4中，其結(jié)構(gòu)基本上和圖1相同，但代替圖1的第一泵106，在設(shè)置干燥空氣供應(yīng)裝置130的同時(shí)，還設(shè)置排氣口131。
在圖4(1)中，將第一基板5從第一基板運(yùn)入口101運(yùn)入，暫時(shí)配置第一基板支撐栓105上。然后，將第二基板10從第二基板運(yùn)入口102運(yùn)入，暫時(shí)配置在第一基體103上的規(guī)定位置處。
其次，在使第一基板5和第二基板10離開足夠大的間隔的狀態(tài)下，通過(guò)干燥空氣供應(yīng)裝置130向?qū)ξ磺皇?00的內(nèi)部供應(yīng)干燥空氣。
這里，所謂干燥空氣是指將氣體中的水分充分去掉后的空氣。作為制造干燥空氣的方法，可以采用流過(guò)吸水材料的空氣，或者使空氣流入液氮等低溫液體，將空氣中的水分凍結(jié)除去等方式獲得干燥空氣。同時(shí)，通過(guò)流入干燥空氣，可以防止新的水分向第一基板5及第二基板10的表面上的吸附。不言而喻，這種干燥空氣的露點(diǎn)越低越能減少水分的吸附量，優(yōu)選地，其露點(diǎn)至少在-30℃以下，更優(yōu)選地為-60℃以下。
這時(shí)，當(dāng)用第一加熱器104例如把對(duì)位腔室100加熱到350℃左右時(shí)，可進(jìn)一步促進(jìn)吸附在兩個(gè)基板上的水分及氣體分子脫離各基板。
實(shí)施形式五本實(shí)施形式與實(shí)施形式三相同，由于在對(duì)位工序及至此之前的工序具有特定的特征，所以利用圖5對(duì)這些工序進(jìn)行說(shuō)明。
這里所示的結(jié)構(gòu)與圖3所示的實(shí)施形式三的結(jié)構(gòu)幾乎相同，其不同之處在于，代替設(shè)置在各腔室內(nèi)的真空泵106，116，126，在設(shè)置干燥空氣供應(yīng)裝置130的同時(shí)，設(shè)置排氣口131。
在圖5(1)中，通常一面從干燥空氣供應(yīng)裝置130供應(yīng)干燥空氣，一面將在基板周邊部涂布了封裝材料涂膏的第二基板10從第二基板運(yùn)入口102運(yùn)入，配置在第二基板傳送臂125上的規(guī)定位置處。
其次，利用第三加熱器124對(duì)第二基板臨時(shí)燒結(jié)室120的內(nèi)部加熱，進(jìn)行臨時(shí)燒結(jié)。
另一方面，第一基板5在形成保護(hù)層后，從第一基板運(yùn)入口101運(yùn)入到第一基板燒結(jié)室110內(nèi)之后，設(shè)置在第一基板傳送臂115上的規(guī)定位置處。
這時(shí)，從干燥空氣供應(yīng)裝置130向第一基板燒結(jié)室內(nèi)供應(yīng)干燥空氣。其次，在向第一基板燒結(jié)室110內(nèi)供應(yīng)干燥空氣的情況下用第二加熱器114加熱到規(guī)定的溫度。
然后，在第二基板10冷卻后，如圖5(2)所示，打開第二閘門121，將載置第二基板10的第二基板傳送臂125滑動(dòng)到對(duì)位腔室100內(nèi)，把第二基板10配置在第一基體103上的規(guī)定位置處。這里，優(yōu)選地，一直從干燥空氣供應(yīng)裝置130向?qū)ξ磺皇?00內(nèi)供應(yīng)干燥空氣。
其次，如圖5(3)所示，打開第一閘門111，將載置第一基板5的第一基板傳送臂115滑動(dòng)到對(duì)位腔室100內(nèi)，在把第一基板5載置于第一基板支撐栓105上之后，將第一基板傳送臂115返回到第一基板燒結(jié)室110內(nèi)，關(guān)閉第一閘門111。
其次，如圖5(4)所示，一面從干燥空氣供應(yīng)裝置130向?qū)ξ谎b置100內(nèi)供應(yīng)干燥空氣，一面緩慢地降低第一基板支撐栓105，直到構(gòu)成第一基板5的構(gòu)件的一部分接觸構(gòu)成第二基板10的構(gòu)件的一部分為止，這里，圖中沒有示出，但一面用攝影機(jī)等辨認(rèn)預(yù)先在第一基板5和第二基板10上形成的對(duì)位標(biāo)記的同時(shí)，一面對(duì)位到規(guī)定的位置上，對(duì)位工序結(jié)束。
此外，這里圖中沒有示出，在對(duì)位工序后如果原封不動(dòng)地保持干燥空氣氣氛不變的情況下轉(zhuǎn)移到下一個(gè)封裝工序，由于可使向兩個(gè)基板上的水分及氣體分子的再吸附被限制到最低限度，這對(duì)于能夠形成封裝外殼因此是十分理想的。
這樣一來(lái)，由于在干燥氣氛中進(jìn)行第一基板及第二基板的燒結(jié)，所以在對(duì)位前可減少水分及氣體分子向兩個(gè)基板的吸附。
此外，在本實(shí)施例中，對(duì)第一基板和第二基板在干燥氣體氣氛下的處理(在腔室110及腔室120內(nèi)的處理)是在相互不對(duì)向地于不同的腔室內(nèi)進(jìn)行的。從而，各基板所保持的水分及氣體分子從各基板上脫離后，能夠可靠地抑制各基板相互再次吸附的現(xiàn)象。因此，對(duì)于制成的PDP具有更優(yōu)異的氣體放電板性能。
同時(shí)，由于使各個(gè)基板經(jīng)過(guò)在不同的腔室內(nèi)置于干燥氣體氣氛下的工序，從而通過(guò)置于符合各基板的特性的干燥氣體的種類、干燥氣體的流量及溫度環(huán)境下，可以更進(jìn)一步地提供氣體放電板的性能。即，首先，第一基板及第二基板根據(jù)其內(nèi)表面狀態(tài)的不同其脫水溫度不同，一般地，其內(nèi)表面被覆對(duì)水分子吸附性高的MgO的第一基板必須與更低露點(diǎn)的氣體接觸且用更高的溫度加熱才能充分脫去水分。因此，盡管也可以考慮將第一基板及第二基板置于同樣的干燥氣體流量及加熱溫度條件下，但在符合第一基板的條件下會(huì)產(chǎn)生由于干燥氣體流使形成于第二基板表面上的熒光體粒子飛散，以及使封裝材料變質(zhì)等問(wèn)題。同時(shí)，在第二基板上配置有熒光體，由于這種熒光體在缺氧的情況下會(huì)造成熱蛻化，所以作為干燥氣體優(yōu)選地采用含氧的氣體。這里，如上面所述，通過(guò)將各基板在不同的腔室內(nèi)置于不同的減壓環(huán)境下，可以在適合于各基板的條件下脫去水分等。
并且，如果在同一腔室內(nèi)將兩個(gè)基板對(duì)置配置的狀態(tài)下對(duì)第一基板及第二基板進(jìn)行燒結(jié)的話，可使制造設(shè)備更加簡(jiǎn)化，但是，這樣一來(lái)，當(dāng)在同一腔室內(nèi)在對(duì)向配置的狀態(tài)下對(duì)兩個(gè)基板進(jìn)行臨時(shí)燒結(jié)的話，在臨時(shí)燒結(jié)第二基板的封裝材料時(shí)所產(chǎn)生的去除有機(jī)粘合劑時(shí)所生成的有機(jī)氣體成分會(huì)被吸附在第一基板的內(nèi)表面上，在氣體放電板制成后，作為對(duì)放電氣體的不純物其殘留的可能性極高。與此相反，如本實(shí)施形式那樣，由于不同的腔室中置于干燥氣體的氣氛下，各基板相鄰隔離，可顯著降低各基板產(chǎn)生的氣體被各自相對(duì)的基板吸附的可能性。
同時(shí)，如本實(shí)施形式那樣，由于在不同的腔室內(nèi)置于干燥氣體的氣氛下，可以很容易地將各基板的表面全部均勻地暴露在干燥空氣下，從而可以很容易地從基板內(nèi)表面上均勻地除去水分等。
實(shí)施形式6用圖6說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的PDP制造裝置。如圖6所示，所述PDP裝置的結(jié)構(gòu)為，它備有對(duì)位腔室100、與對(duì)位腔室100連接的第一基板燒結(jié)室110以及第二基板臨時(shí)燒結(jié)室120，進(jìn)而將其連接到將對(duì)位后的基板運(yùn)出進(jìn)行封裝的封裝爐150。
在對(duì)位腔室100與第一基板燒結(jié)室110及第二基板臨時(shí)燒結(jié)室120上連接有排氣泵141，在各腔室的連接部上裝備有圖中未示出的閥，可對(duì)每個(gè)腔室進(jìn)行排氣。同時(shí)，在各腔室上連接有干燥空氣供應(yīng)配管143，可由圖中未示出的干燥氣體供應(yīng)裝置向各腔室供應(yīng)干燥空氣。
在連接各腔室的運(yùn)入通路140上配有給氣及排氣功能，作為排氣功能，利用輔助泵142來(lái)實(shí)現(xiàn)，在各運(yùn)入通路中也可分別配置能進(jìn)行排氣的閥門。同時(shí)，干燥空氣的供應(yīng)也與各腔室一樣，從干燥空氣供應(yīng)配管143進(jìn)行供應(yīng)。這里，設(shè)置在各腔室及運(yùn)入通路上的干燥空氣供應(yīng)配管上可分別單獨(dú)地設(shè)置閥門。
這里，圖中沒有示出，但可以在各腔室中配備如圖3或圖5所示的基板傳送機(jī)構(gòu)，加熱機(jī)構(gòu)，基板保持機(jī)構(gòu)和閘門等。
這里，由于在對(duì)位工序及此前的工序中可使基板處于減壓或干燥空氣的氣氛中，從而可以在從第一基板及第二基板制成后到封裝工序之間極大地降低吸附在基板上的水分或氣體分子。
此外，在這種制造裝置中，各腔室100，110，120之間經(jīng)由傳送通路連接，但也可以在該傳送通路部分上設(shè)置與外部及各腔室隔離的、控制該空間的溫度及氣體壓力條件的中間室，當(dāng)從外部將各基板運(yùn)入時(shí)，以及從另外的腔室運(yùn)入時(shí)，或者向另外的腔室運(yùn)出時(shí)，能夠自然地控制在該中間腔室內(nèi)基板所觸及的環(huán)境。借此，由于可以更容易且迅速地對(duì)腔室內(nèi)的減壓、干燥氣體的露點(diǎn)及干燥氣體的流量、溫度等各項(xiàng)條件進(jìn)行控制，從而可提高PDP的生產(chǎn)效率。
這里，順便提及，圖7中表示在同一腔室內(nèi)將第一基板及第二基板對(duì)向配置、對(duì)兩個(gè)基板進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，在封裝前與封裝后在第一基板內(nèi)表面的各溫度下放出的有機(jī)系氣體量的總計(jì)值的相對(duì)比較的圖示(圖示，這種利用加熱測(cè)量放出氣體的方法稱之為升溫脫氣分析法)。
如該圖所示，測(cè)定結(jié)果為封裝后的有機(jī)系氣體是封裝前的1.2倍，它可以被看作是吸附的從封裝材料中放出的氣體。從而，可以看出，優(yōu)選地應(yīng)把第一基板和第二基板盡可能地分離開的狀態(tài)進(jìn)行燒結(jié)，可以說(shuō)，如本實(shí)施形式那樣，在各基板完全不對(duì)向地相互隔開的地方進(jìn)行燒結(jié)是最適宜的。
此外，上述各實(shí)施形式的主要部分是可以相互組合的，可以將各第一基板一面進(jìn)行加熱一面使之處于減壓狀態(tài)，而另一方面將第二基板置于干燥氣體的氣氛下。
如上面所說(shuō)明的，根據(jù)本發(fā)明的氣體放電板的制造方法及制造裝置，通過(guò)把第一基板和第二基板保持在減壓氣氛或干燥氣體氣氛下，可極大地減少吸附在基板上的水分和氣體分子，可防止在放電板制成后的放電氣體的惡化，從而在可有效地防止放電板的放電開始電壓的升高的同時(shí)降低異常發(fā)光。
工業(yè)上的可利用性。
本發(fā)明可用于以等離子體顯示板為首的氣體放電板的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種氣體放電板的制造方法，是采用形成保護(hù)層的第一基板和形成熒光體的第二基板，具有使兩個(gè)基板接觸配置在規(guī)定位置的對(duì)位工序的氣體放電板的制造方法，其特征為，在減壓狀態(tài)下進(jìn)行對(duì)位工序。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，在前述對(duì)位工序之前，將第一基板在第一減壓室內(nèi)和/或?qū)⒌诙逶诘诙p壓室內(nèi)一面加熱一面暴露在減壓狀態(tài)下之后，在第三減壓室內(nèi)于減壓狀態(tài)下進(jìn)行兩個(gè)基板的對(duì)位。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第一基板在形成保護(hù)層后經(jīng)過(guò)在規(guī)定溫度下加熱的第一基板燒結(jié)工序形成，該第一基板燒結(jié)工序前的第一基板在該第一基板燒結(jié)工序中被設(shè)置于前述第一減壓室內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第二基板經(jīng)過(guò)熒光體形成工序、熒光體燒結(jié)工序、封裝材料涂布工序及封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序形成，封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序前的第二基板在封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序的中途被設(shè)置在第二減壓室內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第一減壓室及第二減壓室被減壓到1333Pa以下。
6.一種氣體放電板的制造方法，是采用形成保護(hù)層的第一基板和形成熒光體的第二基板，具有使兩個(gè)基板接觸配置在規(guī)定位置的對(duì)位工序的氣體放電板的制造方法，其特征為，在干燥氣體氣氛中進(jìn)行對(duì)位工序。
7.如權(quán)利要求6所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，在前述對(duì)位工序之前，將第一基板在第一干燥氣體氣氛室內(nèi)和/或?qū)⒌诙逶诘诙稍餁怏w氣氛室內(nèi)一面加熱一面暴露在干燥氣體氣氛中之后，在第三干燥氣體氣氛室內(nèi)于干燥氣體氣氛下進(jìn)行兩個(gè)基板的對(duì)位。
8.如權(quán)利要求7所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第一基板在形成保護(hù)層后經(jīng)過(guò)在規(guī)定的溫度下加熱的第一基板燒結(jié)工序形成，該第一基板燒結(jié)工序前的第一基板在該第一基板燒結(jié)工序中被設(shè)置于前述第一干燥氣體氣氛室內(nèi)。
9.如權(quán)利要求7或8所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第二基板經(jīng)過(guò)熒光體形成工序、熒光體燒結(jié)工序、封裝材料涂布工序和封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序形成，在封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序前的第二基板從封裝材料臨時(shí)燒結(jié)工序的一開始便被設(shè)置于前述第二干燥氣體氣氛室內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，前述第一干燥氣體氣氛室及第二干燥氣體氣氛室充以露點(diǎn)規(guī)定在-30℃以下的干燥氣體。
11.如權(quán)利要求1或6所述的氣體放電板的制造方法，其特征為，一面對(duì)第一基板進(jìn)行加熱一面使之處于減壓狀態(tài)下，另一方面，將第二基板置于干燥氣體氣氛下之后，進(jìn)行對(duì)位。
12.一種氣體放電板，是用權(quán)利要求2或7所述的方法制成的氣體放電板，其特征為，其內(nèi)部空間的水蒸汽分壓在100Pa以下。
13.一種氣體放電板的制造裝置，是具有第一基板傳送機(jī)構(gòu)、第二基板傳送機(jī)構(gòu)和對(duì)位機(jī)構(gòu)的氣體放電板的制造裝置，其特征為，第一基板傳送機(jī)構(gòu)、第二基板傳送機(jī)構(gòu)及對(duì)位機(jī)構(gòu)分別被配置在單獨(dú)的密閉室內(nèi)，各密閉室至少配備有給氣及排氣機(jī)構(gòu)之一。
14.如權(quán)利要求13所述的氣體放電板的制造裝置，其特征為，在前述第一基板傳送機(jī)構(gòu)與配置了前述對(duì)位機(jī)構(gòu)的前述各密閉室之間、以及前述第二基板傳送機(jī)構(gòu)與配置了前述對(duì)位機(jī)構(gòu)的前述各密閉室間之間具有連接部，前述連接部?jī)?nèi)至少具有給氣及排氣機(jī)構(gòu)之一。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的氣體放電板的制造方法,采用第一基板(5)和第二基板(10),在把對(duì)位腔室(100)內(nèi)部保持在減壓氣氛或干燥氣體氣氛的狀態(tài)下進(jìn)行使兩個(gè)基板接觸配置在規(guī)定位置處的對(duì)位工序。通過(guò)把兩個(gè)基板保持在減壓氣氛下或干燥氣體氣氛下可極大地減少基板所吸附的水分及氣體分子,可防止制成的氣體放電板后的放電氣體的惡化,從而具有在防止放電板放電開始電壓上升的同時(shí)降低異常發(fā)光的效果。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1342325SQ00804608
公開日2002年3月27日 申請(qǐng)日期2000年11月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月11日
發(fā)明者佐佐木良樹, 日比野純一, 田中博由, 鹽川晃, 大河政文 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社