專利名稱：一種等離子體顯示板的封接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于等離子體顯示板領(lǐng)域，特別涉及一種新型等離子體顯示板的封接方法。它適合于新型槽型交流等離子體顯示板的制備。
常規(guī)的三電極交流表面放電型等離子體顯示板主要包括前基板和后基板。后基板包括后襯底玻璃基板，在后襯底玻璃基板上形成的水平尋址電極，在設(shè)有尋址電極的后襯底玻璃基板上形成的介質(zhì)層，在介質(zhì)層上形成的用于保持放電距離并防止像素之間交擾由絕緣材料制成的垂直于尋址電極的障壁。前基板包括待裝到后基板上的前襯底玻璃基板以及在前襯底玻璃基板的下表面上交替形成與尋址電極空間垂直的透明掃描電極和公共電極及在設(shè)有掃描電極和公共電極的前襯底玻璃基板的下表面上形成的介質(zhì)層。在后基板和前基板之間的放電空間中填充預(yù)定的放電工作氣體，譬如各種隋性氣體，即形成了等離子體顯示板。在常規(guī)的表面放電型交流等離子體顯示器的制備中，常用的封接方法是在前基板上涂覆低熔點(diǎn)玻璃粉形成的封接框并預(yù)燒后，和帶有障壁的后基板貼合高溫?zé)Y(jié)即可。基板間的距離靠等寬等高的障壁控制。通常障壁由低熔點(diǎn)玻璃粉制成，與介質(zhì)層一樣呈絕緣性，如果存在障壁高度上的不均勻性，不會(huì)影響到介質(zhì)層絕緣性能，也就不會(huì)導(dǎo)致顯示性能的劣化。
新型槽型等離子體顯示板主要由后基板1、柵網(wǎng)板3和前基板2構(gòu)成。后基板1包括后襯底玻璃基板4，在后襯底玻璃基板4上形成的第一電極5，在第一電極5和后襯底玻璃基板4的上表面形成的介質(zhì)層6；前基板2包括前襯底玻璃基板7，在前襯底玻璃基板7下表面上形成與后基板1上的第一電極5空間垂直正交的第二電極8，在第二電極8和前襯底基板7的下表面上形成的介質(zhì)層9；夾在前后基板2、1之間的柵網(wǎng)板3是一塊包含網(wǎng)格孔陣列的導(dǎo)電板；一方面，柵網(wǎng)板3支撐前后基板2、1，其每一柵網(wǎng)孔的幾何軸線垂直通過第一電極5和第二電極8形成基本放電單元，另一方面柵網(wǎng)能防止放電單元間的相互串?dāng)_。將前基板2、柵網(wǎng)板3、后基板1的四周用低熔點(diǎn)玻璃制成的封接框12經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)進(jìn)行氣密封接，柵網(wǎng)板3可通過引針10引出與外電路連接。在上述器件中充以一定氣壓的所需工作氣體，這就形成了新型槽型等離子體顯示板。在新型槽型等離子體顯示板中，如果沿用前面常規(guī)的封接方法，當(dāng)封接溫度達(dá)到一定值時(shí)，基板上的介質(zhì)層6或9在重壓下開始軟化變形，由于柵網(wǎng)板3通常由金屬構(gòu)成，當(dāng)它代替障壁支撐前后基板時(shí)，會(huì)導(dǎo)致柵網(wǎng)板3嵌入介質(zhì)層6或9使其與柵網(wǎng)板中的柵網(wǎng)孔壁接觸處的介質(zhì)層減薄，絕緣性能下降，嚴(yán)重時(shí)甚至使該處的介質(zhì)層完全被擠壓至旁邊的孔內(nèi)，導(dǎo)致柵網(wǎng)孔壁與介質(zhì)層下的電極導(dǎo)通，整條電極擊穿，這樣使顯示性能嚴(yán)重劣化，甚至不能顯示。本發(fā)明公開了一種新的封接方法，來解決上述存在的困難。
本發(fā)明的目的是提供一種新型等離子體顯示板的封接方法，用此方法封接可以克服上述技術(shù)封接所存在的困難，本發(fā)明技術(shù)方案如下述在這種封接方法中，①在前基板2或后基板3上用低熔點(diǎn)玻璃粉制成封接框12(見

圖1、圖2)；②選用熱膨脹系數(shù)與介質(zhì)層材料接近的材料，如合適的金屬，陶瓷片等制成墊片11，墊片11的厚度選擇略高于柵網(wǎng)板的厚度為宜，參考厚度為1.1-1.5h,h為柵網(wǎng)板厚度；③墊片作為支撐物置于上述槽型顯示板的非顯示區(qū)內(nèi)，將前基板2、柵網(wǎng)板3、后基板1裝配一體；④壓塊13置于玻璃基板上，其放置部位對(duì)準(zhǔn)封接框12；⑤將上述各部件放入高溫?zé)Y(jié)爐，加熱至封接框12的低熔點(diǎn)玻璃粉融化，在壓塊13和墊片11的共同作用下封接并得到所需的均勻基板間隙，同時(shí)使得導(dǎo)電的柵網(wǎng)板不嵌入介質(zhì)層，以避免破壞介質(zhì)層。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)由于在顯示板的非顯示區(qū)采用了墊片，解決了由于介質(zhì)層高溫軟化帶來的電絕緣性能的下降的問題；由于單元放電空間的尺寸由墊片控制，而墊片的厚度可以精確的控制，因此能有效的保證放電單元的一致性，從而保證整板顯示的均勻性；采用了墊片大大降低了對(duì)介質(zhì)層厚度、柵網(wǎng)板厚度均勻性的要求。
圖1為墊片支撐式封接結(jié)構(gòu)剖視2為墊片支撐式封接結(jié)構(gòu)俯視3為墊片組植入封接框結(jié)構(gòu)剖視4為墊片組植入封接框結(jié)構(gòu)俯視5為顆粒狀墊片封接結(jié)構(gòu)剖視6為顆粒狀墊片封接結(jié)構(gòu)俯視圖在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上進(jìn)一步考慮具體結(jié)構(gòu)，提出以下各種實(shí)施例，并通過具體的實(shí)施例，進(jìn)一步說明各實(shí)施例特有的優(yōu)點(diǎn)。①本發(fā)明的第一種實(shí)施例，包括由后襯底玻璃基板4，在后襯底玻璃基板4上形成的第一電極組5，在第一電極組5和后襯底玻璃基板4的上表面形成的介質(zhì)層6構(gòu)成的后基板1；由前襯底玻璃基板7，在前襯底玻璃基板7下表面上形成與后基板1上的第一電極組5成空間垂直正交的第二電極組8，在第二電極組8和前襯底玻璃基板7的下表面上形成的介質(zhì)層9構(gòu)成的前基板2；夾在前后基板1、2之間柵網(wǎng)板3是一塊包含網(wǎng)格孔陣列的導(dǎo)電板，柵網(wǎng)板3上每一柵網(wǎng)孔的幾何軸線垂直通過第一電極5和第二電極8交叉點(diǎn)形成放電單元，即該等離子體顯示板的發(fā)光像素。柵網(wǎng)板3可通過引針10引出與外電路連接，在前、后基板2、1的兩端分別將第一電極組5、第二電極組8引出至外電路。①在前基板2或后基板1上用低熔點(diǎn)玻璃粉制成封接框12；②選用熱膨脹系數(shù)與介質(zhì)層材料接近的材料，如合適的金屬，陶瓷片等制成墊片11，墊片11的厚度選擇略高于柵網(wǎng)板的厚度為宜，參考厚度為1.1-1.5h,h為柵網(wǎng)板厚度；③墊片作為支撐物置于上述槽型顯示板的非顯示區(qū)內(nèi)，將前基板2、柵網(wǎng)板3、后基板1裝配一體；④壓塊13置于玻璃基板上，其放置部位對(duì)準(zhǔn)封接框12；⑤將上述各部件放入高溫?zé)Y(jié)爐，加熱至封接框12的低熔點(diǎn)玻璃粉融化，在壓塊13和墊片11的共同作用下封接并得到所需的均勻基板間隙，同時(shí)使得導(dǎo)電的柵網(wǎng)板不嵌入介質(zhì)層，以避免破壞介質(zhì)層。充以一定氣壓的所需工作氣體，形成槽型等離子體顯示板，便構(gòu)成了本發(fā)明的第一種實(shí)施例。
②本發(fā)明的第一種實(shí)施例，包括由后襯底玻璃基板4，在后襯底玻璃基板4上形成的第一電極組5，在第一電極組5和后襯底玻璃基板4的上表面形成的介質(zhì)層6構(gòu)成的后基板1；由前襯底玻璃基板7，在前襯底玻璃基板7下表面上形成與后基板1上的第一電極組5成空間垂直正交的第二電極組8，在第二電極組8和前襯底玻璃基板7的下表面上形成的介質(zhì)層9構(gòu)成的前基板2；夾在前后基板1、2之間柵網(wǎng)板3是一塊包含網(wǎng)格孔陣列的導(dǎo)電板，柵網(wǎng)板3上每一柵網(wǎng)孔的幾何軸線垂直通過第一電極5和第二電極8交叉點(diǎn)形成放電單元，即該等離子體顯示板的發(fā)光像素。柵網(wǎng)板3可通過引針10引出與外電路連接，在前、后基板2、1的兩端分別將第一電極組5、第二電極組8引出至外電路。①選用熱膨脹系數(shù)與介質(zhì)層材料接近的材料，如合適的金屬，陶瓷片等制成墊片11，墊片11的厚度選擇略高于柵網(wǎng)板的厚度為宜，參考厚度為1.1-1.5h,h為柵網(wǎng)板厚度；②墊片組或墊片條11直接埋入在前基板2或后基板1上用低熔點(diǎn)玻璃粉制成封接框12(見圖3、圖4)；③將前基板2、柵網(wǎng)板3、后基板1裝配一體；④壓塊13置于玻璃基板上，其放置部位對(duì)準(zhǔn)封接框12；⑤將上述各部件放入高溫?zé)Y(jié)爐，加熱至封接框12的低熔點(diǎn)玻璃粉融化，在壓塊13和墊片11的共同作用下封接并得到所需的均勻基板間隙，同時(shí)使得導(dǎo)電的柵網(wǎng)板不嵌入介質(zhì)層，以避免破壞介質(zhì)層。充以一定氣壓的所需工作氣體，形成槽型等離子體顯示板，便構(gòu)成了本發(fā)明的第二種實(shí)施例。
③在上述第一、二實(shí)施例中，采用尺寸與上述墊片厚度相近的顆粒11作為支撐物(見圖5、圖6)，置于上述槽型顯示板的非顯示區(qū)內(nèi)或埋入用低熔點(diǎn)玻璃制作的封接框12內(nèi)，便構(gòu)成了本發(fā)明的第三種實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板的封接方法，其特征在于按以下步驟進(jìn)行①在前基板或后基板上用低熔點(diǎn)玻璃粉制成封接框；②選熱膨脹系數(shù)與介質(zhì)層材料接近的材料制成墊片作為支撐物置于槽型顯示板的非顯示區(qū)內(nèi)；③將前基板、柵網(wǎng)板及后基板裝配成一體；④玻璃基板上置一壓塊，并將其對(duì)準(zhǔn)封接框；⑤將以上各部件放入高溫?zé)Y(jié)爐，加熱至低熔點(diǎn)玻璃粉熔化。
2.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體顯示板的封接方法，其特征在于，所述墊片可以采用金屬或陶瓷片。
3.如權(quán)利要求2所述的一種等離子體顯示板的封接方法，其特征在于墊片厚度以略高于柵網(wǎng)板厚度為宜。
4.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體顯示板的封接方法，其特征在于墊片厚度為柵網(wǎng)板厚度的1.1～1.5倍。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示板的封接方法,其具有以下優(yōu)點(diǎn):由于在顯示板的非顯示區(qū)采用了墊片,解決了由于介質(zhì)層高溫軟化帶來的電絕緣性能的下降的問題;由于單元放電空間的尺寸由墊片控制,而墊片的厚度可以精確的控制,因此能有效的保證放電單元的一致性,從而保證整板顯示的均勻性;采用了墊片大大降低了對(duì)介質(zhì)層厚度、柵網(wǎng)板厚度均勻性的要求。
文檔編號(hào)H01J9/24GK1318860SQ01110650
公開日2001年10月24日 申請(qǐng)日期2001年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月13日
發(fā)明者李青, 張 雄 申請(qǐng)人:東南大學(xué)