專利名稱：彩色陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及彩色陰極射線管。更詳細(xì)地說(shuō)，涉及為了提高畫質(zhì)特別是色彩均勻性而在蔭罩框架的構(gòu)造上具有特征的彩色陰極射線管。
彩色陰極射線管，如

圖17所示的那樣，在由內(nèi)表面形成熒光屏14的前面板和漏斗組成的玻璃真空管13的頸部?jī)?nèi)設(shè)置電子槍81，與熒光屏14相對(duì)設(shè)置支撐在蔭罩框架31上的蔭罩1。蔭罩框架31的斷面為近似L字形，由支撐蔭罩1并固定在玻璃真空管13上的部分和與蔭罩1大致平行地突出到玻璃真空管13的管軸(中心軸)側(cè)的內(nèi)側(cè)突出部32組成。在內(nèi)側(cè)突出部32上固定內(nèi)部磁屏蔽2。
來(lái)自電子槍81的與R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))三色相對(duì)應(yīng)的電子束5通過(guò)前面板之前的蔭罩1，通過(guò)此時(shí)的入射角能夠限制射到前面板上的位置。因此，根據(jù)各自的入射位置而用R、G和B的熒光體涂敷前面板內(nèi)表面，由此，能夠以幾何學(xué)進(jìn)行色選擇，而在熒光屏14上形成彩色圖象。
但是，在通常的彩色陰極射線管中，在熒光屏上的畫面全部區(qū)域上掃描圖象，通過(guò)過(guò)掃描方式而重現(xiàn)圖象。該過(guò)掃描的量相對(duì)于熒光屏在水平、垂直方向上分別為105～110(％)程度。這樣，當(dāng)通過(guò)過(guò)掃描方式來(lái)掃描熒光屏?xí)r，如圖18所示的那樣，過(guò)掃描的電子束5的一部分撞擊到保持蔭罩1的蔭罩框架31等上，其反射束入射到熒光屏14中，而使預(yù)定以外的熒光體層發(fā)光，使圖象的色純度和對(duì)比度降低，使畫質(zhì)變差。
因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了防止由該反射束所產(chǎn)生的畫質(zhì)的變差，如圖19所示的那樣，在蔭罩框架31的內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部形成電子屏蔽部33，或者，如圖20所示的那樣，在內(nèi)部磁屏蔽2與蔭罩框架31的內(nèi)側(cè)突出部32之間安裝電子屏蔽部33，以便于從蔭罩框架31突出到管軸側(cè)。
但是，由于現(xiàn)有的電子屏蔽部33用磁性體制成，因此，當(dāng)在存在800〔A/m〕(10〔Oe〕)程度的地磁的環(huán)境中設(shè)置陰極射線管的情況下，由于來(lái)自電子屏蔽部33的頂端部的漏磁場(chǎng)的影響，而發(fā)生使電子束軌道偏向而沒(méi)有射到所希望位置的熒光體層上的現(xiàn)象(錯(cuò)著陸(mislanding))。
本發(fā)明的目的是提供一種彩色陰極射線管，防止由地磁所引起的錯(cuò)著陸，而沒(méi)有色偏差。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的彩色陰極射線管，包括蔭罩框架；固定在上述蔭罩框架上的蔭罩；保持在上述蔭罩框架上的內(nèi)部磁屏蔽；設(shè)在上述蔭罩框架上的電子屏蔽部，其特征在于，外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的上述電子屏蔽部的至少一部分的非磁滯磁導(dǎo)率小于上述蔭罩、上述蔭罩框架以及上述內(nèi)部磁屏蔽的各個(gè)非磁滯磁導(dǎo)率。
根據(jù)該構(gòu)成，由于電子屏蔽部的磁阻增加，因此能夠減少流向電子屏蔽部的頂端部的磁通，能夠減少來(lái)自電子屏蔽部的頂端部的漏磁場(chǎng)。這樣，能夠提供使由地磁所引起的錯(cuò)著陸減少而沒(méi)有色偏差的彩色陰極射線管。
而且，上述電子屏蔽部形成為延長(zhǎng)了上述蔭罩框架的靠近電子束的頂端部。
或者，上述電子屏蔽部由與上述蔭罩框架不同的部件組成，設(shè)置成從上述蔭罩框架的靠近電子束的頂端部進(jìn)一步突出。
而且，上述電子屏蔽部中的一部分與除此之外的部分相比，具有外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率較小的區(qū)域。
根據(jù)該構(gòu)成，能夠?qū)膬?nèi)部磁屏蔽經(jīng)過(guò)蔭罩框架流向電子屏蔽部的頂端部的磁通進(jìn)行整流，而能夠減少來(lái)自電子屏蔽部的頂端部的漏磁場(chǎng)。
而且，上述蔭罩框架由斷面為L(zhǎng)字形的L字形部件和與上述L字形部件相組合的補(bǔ)強(qiáng)部件組成，上述補(bǔ)強(qiáng)部件中的一部分與除此之外的部分相比，具有外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率較小的區(qū)域。
根據(jù)該構(gòu)成，能夠?qū)膬?nèi)部磁屏蔽流向蔭罩框架的補(bǔ)強(qiáng)部件的磁通進(jìn)行整流，而能夠減少來(lái)自蔭罩框架的補(bǔ)強(qiáng)部件的漏磁場(chǎng)。
而且，當(dāng)對(duì)熒光屏進(jìn)行100〔％〕電子束掃描時(shí)，上述電子屏蔽部與上述電子束的軌道之間的最小距離為8〔mm〕以上。
根據(jù)該構(gòu)成，由于電子束通過(guò)漏磁場(chǎng)較小的區(qū)域，就能進(jìn)一步減少錯(cuò)著陸。
本發(fā)明的這些和其他的目的、優(yōu)點(diǎn)及特征將通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的描述而得到進(jìn)一步說(shuō)明。在這些附圖中圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的彩色陰極射線管的主要部分放大斷面圖；圖2是表示現(xiàn)有的電子屏蔽部中的磁場(chǎng)的作用的概念圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的電子屏蔽部中的磁場(chǎng)的作用的概念圖；圖4是本發(fā)明的實(shí)施例2的彩色陰極射線管的主要部分放大斷面圖；圖5是表示現(xiàn)有的電子屏蔽部中的磁通的樣子的概念圖；圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的電子屏蔽部中的磁通的樣子的概念圖；圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的另一個(gè)實(shí)施例所涉及的電子屏蔽部中的磁通的樣子的概念圖；圖8是本發(fā)明的實(shí)施例3的彩色陰極射線管的主要部分放大斷面圖；圖9是表示現(xiàn)有的掩?？蚣艿膬?nèi)側(cè)突出部中的磁通的樣子的概念圖；圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例3所涉及的內(nèi)側(cè)突出部中的磁通的樣子的概念圖；圖11是本發(fā)明的實(shí)施例4的彩色陰極射線管的主要部分放大斷面圖；圖12是表示不具備本發(fā)明的實(shí)施例4的構(gòu)成時(shí)的補(bǔ)強(qiáng)部件附近的磁場(chǎng)的作用的概念圖；圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施例4所涉及的補(bǔ)強(qiáng)部件附近的磁場(chǎng)的作用的概念圖；圖14是本發(fā)明的實(shí)施例5的彩色陰極射線管的主要部分放大斷面圖；圖15是表示從通過(guò)電子屏蔽部附近的電子束所對(duì)應(yīng)的電子屏蔽部的漏磁場(chǎng)的作用的概念圖；圖16是表示從通過(guò)遠(yuǎn)離電子屏蔽部的區(qū)域的電子束所對(duì)應(yīng)的電子屏蔽部的漏磁場(chǎng)的作用的概念圖；圖17是彩色陰極射線管(裝置)的簡(jiǎn)要斷面圖；圖18是表示過(guò)掃描的電子束的軌道的概念圖；圖19是表示現(xiàn)有的彩色陰極射線管的電子屏蔽部附近的主要部分放大斷面圖；圖20是表示現(xiàn)有的電子屏蔽部的另一個(gè)例子的主要部分放大斷面圖。
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行具體說(shuō)明。本發(fā)明的陰極射線管在蔭罩框架附近的構(gòu)造上具有特征。陰極射線管的基本構(gòu)造與圖17所示的現(xiàn)有的陰極射線管相同，因此，下面省略全體的說(shuō)明，而對(duì)蔭罩框架附近的主要部分進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例1圖1放大表示本發(fā)明的彩色陰極射線管的斷面中蔭罩框架31附近。
蔭罩框架31的斷面是近似L字形，由支撐蔭罩1并固定在玻璃真空管13上(固定夾具沒(méi)有圖示)的部分和與蔭罩1大致平行地突出到玻璃真空管13的管軸(中心軸)側(cè)的內(nèi)側(cè)突出部32組成。在內(nèi)側(cè)突出部32上固定內(nèi)部磁屏蔽2(設(shè)置在內(nèi)側(cè)突出部32上的固定夾具沒(méi)有圖示)。
在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸測(cè)端部設(shè)置與內(nèi)側(cè)突出部32大致相同厚度的帶狀電子屏蔽部33，以便于沿著其大致全長(zhǎng)延長(zhǎng)內(nèi)側(cè)突出部32。外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)(相當(dāng)于地磁)中的電子屏蔽部33的全部或者一部分的非磁滯磁導(dǎo)率小于蔭罩1、蔭罩框架31以及內(nèi)部磁屏蔽2，這是本實(shí)施例的特征。
在此，「非磁滯磁導(dǎo)率」是按非磁滯磁化模型而產(chǎn)生磁滯，當(dāng)交流衰減磁場(chǎng)為零時(shí)的能夠用磁滯上的收斂點(diǎn)的磁通密度B和直流磁場(chǎng)H進(jìn)行定義的實(shí)際的磁導(dǎo)率，用下式表示μμ=(1/μ0)×(B/H)其中，μ0是真空中的磁導(dǎo)率。對(duì)于非磁滯磁導(dǎo)率，記述在例如電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)論文志C-Ⅱ Vol.J79-C-Ⅱ No.6 pp.311-319(1996年6月)中。
圖2和圖3表示蔭罩框架31中的磁場(chǎng)的作用。圖2表示現(xiàn)有例子，在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部具有與內(nèi)側(cè)突出部32一體的電子屏蔽部，而其非磁滯磁導(dǎo)率與內(nèi)側(cè)突出部32相同。圖3是本實(shí)施例的構(gòu)成。用箭頭61、62分別表示來(lái)自設(shè)在蔭罩框架31的內(nèi)側(cè)突出部32上的電子屏蔽部的漏磁場(chǎng)的樣子。箭頭的粗細(xì)與漏磁場(chǎng)的大小相對(duì)應(yīng)。
在圖2的現(xiàn)有例子中，經(jīng)過(guò)內(nèi)部磁屏蔽2流向蔭罩框架31的磁通從內(nèi)側(cè)突出部32向著蔭罩1而泄漏到真空中(漏磁場(chǎng)61)。另一方面，在圖3所示的本發(fā)明中，設(shè)在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部上的電子屏蔽部33的至少一部分的非磁滯磁導(dǎo)率在外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中小于蔭罩1、蔭罩框架31和內(nèi)部磁屏蔽2的非磁滯磁導(dǎo)率，因此，電子屏蔽部33與蔭罩1之間的磁阻變高，漏磁場(chǎng)62減小。因此，能夠降低錯(cuò)著陸。
作為非磁滯磁導(dǎo)率不同的部件的固定方法，具有焊接、螺栓固定、夾緊彈簧等方法。在圖1中，相對(duì)于內(nèi)側(cè)突出部32以一定角度來(lái)固定電子屏蔽部33，通過(guò)附加適當(dāng)?shù)慕嵌龋軌蛳拗谱矒舻诫娮悠帘尾?3上而反射的電子束的軌道，能夠防止暈影的發(fā)生。
在本實(shí)施例中，外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率為內(nèi)部磁屏蔽2使用12000左右(鍛鐵)的材料，蔭罩框架31使用2200左右(Fe-36Ni、Fe-42Ni等)的材料，蔭罩1使用2000左右(在570～640℃下進(jìn)行熱處理的Fe-36Ni等)的材料，電子屏蔽部33使用1800左右(鐵)的材料。1800左右的非磁滯磁導(dǎo)率通過(guò)在比較低溫(450〔℃〕以下)下對(duì)用于蔭罩的鐵材料(Fe-36Ni)進(jìn)行熱處理而得到。
如果把來(lái)自內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部的電子屏蔽部33突出長(zhǎng)度設(shè)定為20〔mm〕，與把內(nèi)側(cè)突出部32延長(zhǎng)了相同量的圖2相比，錯(cuò)著陸降低了2〔μm〕以上。
而且，作為電子屏蔽部33的材料，除了上述以外，還可以使用不銹鋼(SUS)和鋁。這些材料的外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率為1左右。
實(shí)施例2如圖4所示的那樣，在本實(shí)施例中，在蔭罩框架31的內(nèi)側(cè)突出部32的電子槍側(cè)的表面上，由厚度0.1～0.3〔mm〕左右的薄板組成的電子屏蔽部33沿著內(nèi)側(cè)突出部32的大致全長(zhǎng)設(shè)置成從內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部突出到管軸側(cè)30〔mm〕左右。電子屏蔽部33的材料是與內(nèi)部磁屏蔽2的材料相同的鍛鐵。電子屏蔽部33的管軸側(cè)的頂端部被彎曲到電子槍側(cè)，而防止暈影的發(fā)生。電子屏蔽部33的外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率在電子屏蔽部33的全體中是不是一樣的，其一部分8的非磁滯磁導(dǎo)率小于除此之外的部分的非磁滯磁導(dǎo)率。在本實(shí)施例中，取代在一部分8中設(shè)置特定材料的部件，而使電子屏蔽部33的一部分8成為空隙(長(zhǎng)方形的孔)。
圖5表示從電子槍側(cè)看現(xiàn)有的電子屏蔽部33時(shí)的磁通的樣子，圖6表示從電子槍側(cè)看本實(shí)施例的電子屏蔽部33時(shí)的磁通的樣子。在圖5所示的現(xiàn)有例子中，電子屏蔽部33不具有空隙，非磁滯磁導(dǎo)率在全體中是一樣的。圖6是本實(shí)施例的情況，除了具有空隙8之外，與圖5具有相同的構(gòu)成。在圖5，圖6中，為了簡(jiǎn)化圖面，僅圖示出了上側(cè)的長(zhǎng)邊中的磁通的樣子。
在圖5的現(xiàn)有例子的構(gòu)成中，流過(guò)電子屏蔽部33的磁通從電子屏蔽部33向著蔭罩1而泄漏到真空中。在圖中，用箭頭表示流過(guò)電子屏蔽部33內(nèi)的磁通和來(lái)自電子屏蔽部33的漏磁場(chǎng)61的樣子。另一方面，在圖6的本發(fā)明中，從內(nèi)部磁屏蔽2流向電子屏蔽部33頂端的磁通(圖中的箭頭)通過(guò)空隙8來(lái)整流，能夠通過(guò)電子屏蔽部33的空隙8來(lái)減少流過(guò)管軸側(cè)(內(nèi)側(cè))的磁通。這樣，與現(xiàn)有的構(gòu)成(圖5)相比，能夠減少來(lái)自電子屏蔽部33的頂端部的漏磁場(chǎng)62，因此，能夠減少錯(cuò)著陸。
在本實(shí)施例中，在距寬度40〔mm〕的電子屏蔽部33的內(nèi)側(cè)端5〔mm〕的位置上設(shè)置寬2〔mm〕、長(zhǎng)25〔mm〕的長(zhǎng)方形的空隙8，因此，屏幕上的錯(cuò)著陸降低了2〔μm〕以上?？障?的非磁滯磁導(dǎo)率約為1。
而且，如圖7所示的那樣，在電子屏蔽部33的拐角部設(shè)置寬2〔mm〕的L字形的空隙8，因此，屏幕上的拐角部的錯(cuò)著陸降低了2〔μm〕以上。
而且，不使空隙8為開(kāi)口狀態(tài)，用外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非礠滯磁導(dǎo)率小于蔭罩1、蔭罩框架31以及內(nèi)部磁屏蔽2的各個(gè)非磁滯磁導(dǎo)率的材料來(lái)封堵空隙8。作為這樣的材料，可以使用例如在實(shí)施例1中用于電子屏蔽部33的材料。
非磁滯磁導(dǎo)率較小的部件或者空隙，可以在希望減小漏磁場(chǎng)的位置上設(shè)置適當(dāng)大小的適當(dāng)個(gè)。
在圖5～圖7中，表示了在電子屏蔽部33內(nèi)在水平方向上流過(guò)的磁通，而對(duì)于其他方向的磁通，本實(shí)施例具有與上述相同的效果。
實(shí)施例3如圖8所示的那樣，在本實(shí)施例中，在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部沿著其大致全長(zhǎng)設(shè)置與內(nèi)側(cè)突出部32大致相同厚度的帶狀的電子屏蔽部33，以便于延長(zhǎng)內(nèi)側(cè)突出部32。電子屏蔽部33的材料與蔭罩框架31的材料相同，為Fe-36Ni和Fe-42Ni等。電子屏蔽部33中的一部分9的非磁滯磁導(dǎo)率，在外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)(相當(dāng)于地磁)中，小于電子屏蔽部33的其他區(qū)域的非磁滯磁導(dǎo)率。具體地說(shuō)，在該一部分9上設(shè)置多個(gè)孔作為空隙。
圖9表示從電子槍側(cè)看現(xiàn)有的內(nèi)側(cè)突出部32和電子屏蔽部33時(shí)的磁通的樣子，并且，圖10表示從電子槍側(cè)看本實(shí)施例的內(nèi)側(cè)突出部32和電子屏蔽部33時(shí)的磁通的樣子。在圖9的現(xiàn)有例子中，在電子屏蔽部33的全部區(qū)域中，非磁滯磁導(dǎo)率是一樣的。圖10是本實(shí)施例的構(gòu)成，除了在電子屏蔽部33中具有空隙9之外，與圖9具有相同構(gòu)成。在圖9，圖10中，為了簡(jiǎn)化圖面，僅圖示了設(shè)在上側(cè)長(zhǎng)邊的電子屏蔽部33，但是，電子屏蔽部33實(shí)際上設(shè)在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部的全周上。而且，在圖9，圖10中，僅表示了上側(cè)的長(zhǎng)邊中的磁通的樣子。
在圖9的現(xiàn)有例子的構(gòu)成中，流過(guò)內(nèi)側(cè)突出部32的磁通從電子屏蔽部33向著蔭罩1泄漏到真空中。在圖9中，用箭頭表示流過(guò)內(nèi)側(cè)突出部32內(nèi)和電子屏蔽部33內(nèi)的磁通以及來(lái)自電子屏蔽部33的漏磁場(chǎng)61。另一方面，在圖10的本發(fā)明中，在電子屏蔽部33的長(zhǎng)邊側(cè)的一部分中設(shè)置多個(gè)空隙(孔)9，外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的空隙9的非磁滯磁導(dǎo)率小于其他部分，由此，從內(nèi)部磁屏蔽2經(jīng)過(guò)蔭罩框架31流向電子屏蔽部33頂端的磁通通過(guò)減小非磁滯磁導(dǎo)率的部分(空隙9)進(jìn)行整流，就能使流到管軸側(cè)的磁通小于減小了非磁滯磁導(dǎo)率的部分。這樣，與現(xiàn)有的構(gòu)成(圖9)相比，能夠減小來(lái)自電子屏蔽部33的頂端部的漏磁場(chǎng)62，因此，能夠減少錯(cuò)著陸。
在本實(shí)施例中，在電子屏蔽部33的長(zhǎng)邊的中央部附近的4個(gè)位置上設(shè)置直徑為8〔mm〕的圓形空隙9，因此，屏幕上的拐角部的錯(cuò)著陸降低了2〔μm〕以上。
空隙9的個(gè)數(shù)、位置、形狀可以根據(jù)目的而進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定。
而且，不使空隙9為開(kāi)口狀態(tài)，可以用外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率小于蔭罩1、蔭罩框架31以及內(nèi)部磁屏蔽2的各種非磁滯磁導(dǎo)率的材料來(lái)封堵空隙8。作為這樣的材料，可以使用例如在實(shí)施例1中用于電子屏蔽部33的材料。
實(shí)施例4如圖11所示的那樣，在本實(shí)施例中，在內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部設(shè)置電子屏蔽部33，同時(shí)，把由板材組成的補(bǔ)強(qiáng)材料34與蔭罩框架31的全長(zhǎng)或者一部分進(jìn)行組合，以使蔭罩框架31的斷面成為三角形。補(bǔ)強(qiáng)材料34在管軸側(cè)(電子屏蔽部33側(cè))的端部的一部分10，其全長(zhǎng)由非磁性材料組成，一部分10的外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率小于其他區(qū)域的非磁滯磁導(dǎo)率。
圖12和圖13與圖2和圖3相同，概念性地表示蔭罩框架31中的磁場(chǎng)的作用。圖12是參考例子，與實(shí)施例1(圖1)相同，在內(nèi)側(cè)突出部32的管由側(cè)端部具有電子屏蔽部33，但補(bǔ)強(qiáng)材料34由單一材料組成。圖13是本實(shí)施例的構(gòu)成，除補(bǔ)強(qiáng)材料34按上述那樣構(gòu)成之外，與圖12具有相同構(gòu)成。圖中的箭頭表示來(lái)自電子屏蔽部33的漏磁場(chǎng)的樣子，箭頭的粗細(xì)表示磁場(chǎng)的強(qiáng)弱。
在圖12的參考例子的構(gòu)成中，流過(guò)電子屏蔽部33的磁通從電子屏蔽部33和補(bǔ)強(qiáng)材料34向著蔭罩1而泄漏到真空中(漏磁場(chǎng)62)。另一方面，在圖13的本實(shí)施例中，在補(bǔ)強(qiáng)材料34的一部分中設(shè)置外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率小于其周邊部的部分10，由此，能夠?qū)膬?nèi)部磁屏蔽2經(jīng)過(guò)內(nèi)側(cè)突出部32流向補(bǔ)強(qiáng)材料34的磁通進(jìn)行整流而減少。因此，能夠進(jìn)一步減少來(lái)自補(bǔ)強(qiáng)材料34的漏磁場(chǎng)63，而能夠進(jìn)一步減少錯(cuò)著陸。
在本實(shí)施例中，把在長(zhǎng)邊側(cè)的蔭罩框架31的全長(zhǎng)上的補(bǔ)強(qiáng)材料34的縱向的中央部分切出寬30〔mm〕、長(zhǎng)(蔭罩框架31的縱向的長(zhǎng)度)50〔mm〕的大小，通過(guò)在該切除部分上連接不銹鋼(非磁滯磁導(dǎo)率為1左右)，屏幕上的錯(cuò)著陸與圖12的構(gòu)成相比能夠降低2〔μm〕以上。
補(bǔ)強(qiáng)材料34以外的各部件的材料可以使用與實(shí)施例1相同的材料。例如，作為內(nèi)部磁屏蔽2，可以使用外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率是12000左右的鍛鐵；作為蔭罩框架31，可以使用該非磁滯磁導(dǎo)率為2200左右的Fe-36Ni或者Fe-42Ni等；作為蔭罩1，可以使用該非磁滯磁導(dǎo)率為2000左右的以570～640℃進(jìn)行熱處理的Fe-36Ni等；作為電子屏蔽部33，可以使用該非磁滯磁導(dǎo)率為1800左右的以450℃進(jìn)行熱處理的Fe-36Ni。
而且，如實(shí)施例3所示的那樣，在電子屏蔽部33的一部分9的外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率小于其他部分的非磁滯磁導(dǎo)率的構(gòu)成(參照?qǐng)D8)中，可以組合本實(shí)施例的上述補(bǔ)強(qiáng)材料34。此時(shí)，作為電子屏蔽部33的材料，可以與實(shí)施例3相同，使用與蔭罩框架31相同的材料，或者，可以使用與實(shí)施例1相同的材料。
而且，可以把本實(shí)施例的補(bǔ)強(qiáng)材料34與包括實(shí)施例2所示的薄板的電子屏蔽部33的蔭罩框架31(參照?qǐng)D4)進(jìn)行組合。
補(bǔ)強(qiáng)材料34的形態(tài)并不僅限于本實(shí)施例那樣，可以為這樣的構(gòu)成其一部分的非磁滯磁導(dǎo)率小于其他部分的非磁滯磁導(dǎo)率。
實(shí)施例5如圖14所示的那樣，在本實(shí)施例中，在蔭罩框架31的內(nèi)側(cè)突出部32的管軸側(cè)端部沿著全長(zhǎng)具有寬20〔mm〕的帶狀電子屏蔽部33。當(dāng)對(duì)熒光屏14進(jìn)行100〔％〕電子束5掃描時(shí)，電子束5與電子屏蔽部33之間的最小距離d為8〔mm〕以上。由此，能夠降低熒光屏上的電子束的錯(cuò)著陸。
圖15和圖16概念性地表示蔭罩框架31中的磁場(chǎng)的作用，圖15表示上述最小距離d=6〔mm〕的情況，圖16表示上述最小距離d=10〔mm〕的情況。為了能夠容易地理解本實(shí)施例的效果，在圖15或者圖16的情況下，在電子屏蔽部33和蔭罩框架31上使用相同的材料。這樣，從圖15和圖16所示的電子屏蔽部33向蔭罩1的漏磁場(chǎng)61的樣子是相同的。當(dāng)進(jìn)行100〔％〕電子束5掃描時(shí)，在圖15的構(gòu)成中，電子束5通過(guò)電子屏蔽部33附近，因此，由于漏磁場(chǎng)61，其軌道彎曲，產(chǎn)生較大的錯(cuò)著陸。另一方面，在圖16的構(gòu)成中，即使在進(jìn)行100〔％〕電子束5掃描的情況下，電子束5通過(guò)漏磁場(chǎng)61較弱的區(qū)域，因此，能夠降低錯(cuò)著陸。具體地說(shuō)，圖16的構(gòu)成與圖15的構(gòu)成相比，能夠把熒光屏上的錯(cuò)著陸量降低3〔μm〕以上。
當(dāng)對(duì)熒光屏14進(jìn)行100〔％〕電子束5掃描時(shí)，把電子屏蔽部33與電子束5的軌道只之間的最小距離d確保為8〔mm〕以上，這樣的本實(shí)施例的構(gòu)成能夠與上述實(shí)施例1～4的任一個(gè)進(jìn)行組合，由此，能夠進(jìn)一步降低熒光屏14上的錯(cuò)著陸。這樣，本實(shí)施例中的各部件的材料可以適當(dāng)選擇在上述各個(gè)實(shí)施例中說(shuō)明的來(lái)使用。
根據(jù)本發(fā)明，由于電子屏蔽部的磁阻增加了，則能夠減少流向電子屏蔽部的頂端部的磁通，能夠減少來(lái)自電子屏蔽部的頂端部的漏磁場(chǎng)。這樣，能夠提供使由地磁所引起的錯(cuò)著陸被減少而沒(méi)有色偏差的彩色陰極射線管。
權(quán)利要求
1．一種彩色陰極射線管，包括蔭罩框架；固定在上述蔭罩框架上的蔭罩；保持在上述蔭罩框架上的內(nèi)部磁屏蔽；設(shè)在上述蔭罩框架上的電子屏蔽部，其特征在于，外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的上述電子屏蔽部的至少一部分的非磁滯磁導(dǎo)率小于上述蔭罩、上述蔭罩框架以及上述內(nèi)部磁屏蔽的各個(gè)非磁滯磁導(dǎo)率。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管，其特征在于，上述電子屏蔽部形成為延長(zhǎng)了上述蔭罩框架的靠近電子束的頂端部。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管，其特征在于，上述電子屏蔽部由與上述蔭罩框架不同的部件組成，設(shè)置成從上述蔭罩框架的靠近電子束的頂端部進(jìn)一步突出。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管，其特征在于，上述電子屏蔽部中的一部分與除比之外的部分相比，具有外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率較小的區(qū)域。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管，其特征在于，上述蔭罩框架由斷面為L(zhǎng)字形的L字形部件和與上述L字形部件相組合的補(bǔ)強(qiáng)部件組成，上述補(bǔ)強(qiáng)部件中的一部分與除此之外的部分相比，具有外加磁場(chǎng)為800〔A/m〕(10〔Oe〕)中的非磁滯磁導(dǎo)率較小的區(qū)域。
6．根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管，其特征在于，當(dāng)對(duì)熒光屏對(duì)100〔％〕電子束掃描時(shí)，上述電子屏蔽部與上述電子束的軌道之間的最小距離為8〔mm〕以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種彩色陰極射線管,在蔭罩框架31上保持蔭罩1和內(nèi)部磁屏蔽2,在蔭罩框架31上設(shè)置電子屏蔽部33,其中,使外加磁場(chǎng)為800[A/m](10[Oe])中的上述電子屏蔽部33的至少一部分的非磁滯磁導(dǎo)率小于蔭罩1、蔭罩框架31以及內(nèi)部磁屏蔽2的各個(gè)非磁滯磁導(dǎo)率。由于電子屏蔽部33的磁阻增加了,能夠減少來(lái)自電子屏蔽部33的管軸側(cè)端部的漏磁場(chǎng)。這樣,能夠提供使由地磁所引起的錯(cuò)著陸被減少而沒(méi)有色偏差的彩色陰極射線管。
文檔編號(hào)H01J29/00GK1321999SQ0112142
公開(kāi)日2001年11月14日 申請(qǐng)日期2001年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月25日
發(fā)明者島田耕治, 若園弘美 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社