專利名稱：等離子體顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示裝置及等離子體顯示裝置的制造方法，特別是涉及對提高裝置的可靠性貢獻大的電極的形成方法。
背景技術：
圖12所示為現有技術的等離子體顯示面板(以下為PDP)的例子。該圖為AC型PDP的一部分剖視立體圖。
如該圖所示那樣，AC型PDP由前面基板305和背面基板315重疊形成，前面基板305是在透明的第一玻璃基板300(絕緣基板)上面，平行的配置多對成對的條狀掃描電極301和維持電極302，并在其上面，疊層電介體層303及保護層304。背面基板315是在第二玻璃基板310(絕緣基板)上與掃描電極301和維持電極302垂直相交的條狀的多個數據電極311上面配置電介體層312，在該電介體層312的上面平行配置條狀障壁313以夾入數據電極，并在障壁313之間，沿著側壁設有各色熒光體層314。
在前面基板305和背面基板315之間所形成的空隙中，封入氦、氖、氬、氪、氙中的至少一種以上的希有氣體作為放電氣體，在該氣體封入空間中，掃描電極301、維持電極302及數據電極311交叉的空間部分成為發(fā)光單元(也稱放電空間)。
上述掃描電極301及維持電極302分別由條狀的導電性透明電極301a、302a及在其上所形成的比透明電極寬度還窄的條狀的含有銀(Ag)的總線電極301b、302b構成。數據電極311與上述總線電極一樣，是含有Ag的電極。
接著，該AC型PDP的動作，在經過初期化、尋址期間后的驅動動作的維持期間中，在掃描電極301和維持電極302之間交替地施加脈沖電壓，通過在介于掃描電極301上面的電介體層303的保護層304的表面、與介于維持電極302上面的電介體層303的保護層304的表面之間所產生的電場，使在放電空間320內產生維持放電，該維持放電所發(fā)出的紫外線激勵熒光體層314的熒光體，將該熒光體層314所發(fā)出的可視光用于顯示發(fā)光。
在這里，將在第一玻璃基板上所形成的掃描電極301、維持電極302、電介體層303及保護層304的形成方法進行概述。首先，在第一玻璃基板300上形成由氧化錫或氧化銦·鈦(ITO)所構成的條狀導電性透明電極301a、302a，在其上面用含Ag的感光性糊劑通過光刻法形成圖案、并通過焙燒將該圖案，形成含Ag的條狀總線電極301b、302b。另外，通過在其上面印刷并焙燒電介體玻璃糊劑，形成電介體層303。另外然后，通過蒸鍍氧化鎂(MgO)形成保護層304。
接著，對在第二玻璃基板上所形成的數據電極311、電介體層312、障壁313及熒光體層314的形成方法進行概述。首先，在第二玻璃基板310上通過用Ag感光性糊劑的光刻法及焙燒，形成含Ag的條狀數據電極311。
另外，在其上面通過印刷、焙燒電介體玻璃糊劑形成電介體層312。另外然后用絲網印刷法、光刻法等方法形成障壁313后，用絲網印刷法、噴墨法等方法形成熒光體層314。
然后，使如上那樣分別得到的前面基板305及背面基板315中間介有封裝雙方外周部的封裝用玻璃材料，在該狀態(tài)下，通過使該封裝用玻璃熔融冷卻來粘合雙方基板(封裝)，然后通過施行排氣·封入處理，完成面板。
那么，接著具體說明如上所述那樣的總線電極301b、302b、數據電極311的如上所述那樣的通過采用Ag感光性糊劑的光刻法的制作方法。
首先，在蒸鍍ITO的第一玻璃基板300上面，通過印刷涂敷Ag感光性糊劑形成Ag感光性糊劑層。接著為了使溶劑從這樣形成的Ag感光性糊劑層中消失，施行干燥處理。
然后，通過透過光掩模照射紫外線，在與電極圖案相對應的Ag感光性糊劑層形成曝光部與未曝光部。該曝光部后來形成總線電極的圖案。
接著，通過進行顯影處理，使上述曝光部固定在第一玻璃基板300上。
然后，通過進行焙燒處理，電極焙燒前體形成總線電極本身。
如果象這樣采用Ag感光性糊劑的光刻法形成圖案，形成后一定要實行焙燒處理以使糊劑中的樹脂成分燒失，但這時，一直以來的問題是產生卷邊。通常認為這種現象主要起因于加熱時的張力作用。
卷邊是指總線電極的電極焙燒前體短邊方向的兩個邊緣部分在焙燒后，向第一玻璃基板上方翹起的現象。如果發(fā)生這樣的卷邊，在其上部形成電介體層變難，而且，由于有時沿著焙燒后的短邊方向的兩端部分的表面角變尖，驅動面板時電場集中在該尖部，因此用于覆蓋電極所形成的電介體層容易被破壞絕緣。因此，有時還要對焙燒后的總線電極、數據電極的這樣的兩端表面部分進行研磨以去邊。
可是，如果如上所述那樣用含Ag的材料形成設于前面基板上的總線電極，會有下述問題，由于銀材料的光反射率比較大，入射到前面基板表面的外部光被總線電極反射，使顯示發(fā)光的對比度顯著惡化。因此，作為設于前面基板上的總線電極，實際應用的是在第一玻璃基板一側形成含有黑色顏料的金屬層、在其上面疊層含有銀材料的金屬層而形成的復合層(以下為黑白復合層)的光學2層結構體。
該兩層結構的總線電極也與上述一層時的制作方法一樣，采用光刻法形成。
即，首先通過涂敷含有黑色顏料的感光性糊劑形成第一印刷層。接著，為了使溶劑從這樣形成的印刷層中消失施行干燥處理。
然后，在上述印刷層的表面通過涂敷Ag感光性糊劑形成第二印刷層。接著，為了使溶劑從這樣形成的第一印刷層及第二印刷層中消失施行干燥處理。
然后，通過透過光掩模照射紫外線，在第一印刷層及第二印刷層上形成與電極圖案相當的曝光部和未曝光部。該曝光部通常后來形成上述黑白復合層的圖案。
然后，通過進行顯影處理，將該曝光部固定在第一玻璃基板上。
接著，通過進行焙燒處理，由黑色顏料層和Ag層所疊層的層形成黑白復合層。
在這里，由于上述黑白復合層的沿短邊方向的兩端部分也向上方翹起(卷邊)，變成在其上部形成凹部的截面形狀，有時其該兩端部分的表面角是銳角。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于以上問題而作出的，目的是，當用光刻法形成以構成等離子體顯示裝置的總線電極及數據電極等金屬電極為主的電極圖案時，提供一種可有效的抑制產生卷邊的電極制作方法及具有實質上沒有卷邊的電極的等離子體顯示裝置。
首先，本發(fā)明是具有多個在基板上以光刻法為主體將含有玻璃材料的電極形成材料層圖形化后通過焙燒所形成的電極的等離子體顯示裝置，其特征在于，上述電極中的至少一個，焙燒后，在沿短邊方向的兩端部分中，其表面上存在沿上述短邊方向曲率連續(xù)變化的曲面部。
這樣，就像產生卷邊時一樣，由于在沿短邊方向的表面部分(與電介體層分界部分的電極表面部分)不存在邊緣，因此，電場不會局部集中，特別是，與存在沿短邊方向的表面角成銳角的表面部分的情況相比，由于電場局部集中的程度顯著降低，所以用電介體層覆蓋該部分等時，能夠實現耐壓優(yōu)良的高可靠性顯示裝置。另外，雖然以前的情況也是，焙燒時電極形成材料層中的玻璃材料軟化，但是還沒有到象本發(fā)明一樣消除邊緣形成曲面部。
又，在絲網印刷法中，將總線電極或數據電極形成圖案，然后焙燒形成電極時，由于糊劑中的樹脂成分比較少，伴隨著焙燒的收縮率小，因此向電極上方翹起的應力也小，結果與用光刻法形成時不同，卷邊不怎么成為問題。但是，由于經過均化等工序糊劑流動，因而在電極的縱向直線性降低。所以用絲網印刷法來形成電極圖案時，雖然能夠抑制產生卷邊，但也留下了線狀電極的直線性容易降低的問題，但是依據上述本發(fā)明，由于通過曝光形成圖案，較高地維持線狀電極直線性的同時，在沿短邊方向的表面部分不存在邊緣。
這里，上述電極可以取含有至少形成于基板一側的第1層和在其上面疊層的第2層的多層疊層體。
這里，上述曲面部的曲率可以取沿上述短邊方向的曲率半徑為焙燒后的電極平均膜厚的1/4～10倍。
這里的特征在于，第一層中的短邊方向中央部附近的膜厚小于短邊方向兩端部附近的膜厚。
這里的特征在于，第一層中的短邊方向中央部附近的膜厚大于短邊方向兩端部附近的膜厚。
這里，上述第一層及第二層的光學特性互異。
這里，上述第一層可由黑色材料構成。
本發(fā)明是具有為達成上述目的、在基板上通過以光刻法為主體的方法將含有玻璃材料的電極形成材料層圖形化后通過焙燒而形成電極的電極形成工序的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述電極形成工序包括進行顯影直到顯影后的根切(undercut)量大致為電極厚度的1/2以上3倍以下的顯影步驟、顯影步驟后經由通過根切于顯影后所形成的突出部所含有的玻璃材料軟化直至垂到與基板側接觸的溫度的焙燒步驟。
又，本發(fā)明具有在基板上通過以光刻法為主體的方法將電極形成材料層圖形化后通過實施焙燒而形成電極的電極形成工序的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述電極形成工序用含有感光性材料及導電性材料及玻璃材料的糊劑通過光刻法形成兩層以上結構的電極，含有2次以上的涂布步驟及同時曝光步驟及同時顯影步驟及同時焙燒步驟，上述同時顯影步驟中的顯影，進行到顯影后的根切量為電極厚度的1/2以上3倍以下，上述焙燒步驟要經由使上述糊劑中所含有的玻璃材料軟化直到垂到與基板側接觸的溫度。
再者，本發(fā)明具有在基板上通過以光刻法為主體的方法將電極形成材料層圖形化后通過實施焙燒而形成電極的電極形成工序的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述電極形成工序用含有感光性材料及導電性材料及玻璃材料的糊劑通過光刻法形成從基板側開始第一層及第二層順序疊層所形成的兩層以上結構的電極，至少含有2次以上的涂布步驟及曝光步驟，且含有同時顯影步驟及同時焙燒步驟，在至少兩次的曝光步驟中，形成基板側的第一層的層部分中的曝光后的曝光部分的線幅，比形成第二層的層部分中的曝光后的曝光部分的線幅還小，上述同時焙燒步驟要經由使上述糊劑中所含有的玻璃材料軟化直到垂到與基板側接觸的溫度。
依據傳統(tǒng)的制造方法，焙燒時雖然軟化，但是由于依靠重力并不能接觸到基板，應力沒有被消除，但依據這樣的制造方法，在糊劑中所含有的玻璃材料軟化通過重力垂到與基板一側接觸的溫度下焙燒，因此消除了作為產生卷邊要因的向上方翹起電極的應力，同時，沿電極短邊方向的兩端部分熔融在其表面形成曲面部。所以與在沿短邊方向的表面上存在邊緣的情況相比，電場的集中程度被緩和，特別是與沿短邊方向的表面角為銳角的情況相比，其差異顯著。結果，提高了電介體層的絕緣耐壓等從而提高了面板的可靠性。
這里，上述電極為柵(fence)電極時，可在第二層形成短路棒圖案。
這里特征可以是顯影后焙燒前的第一層膜厚比第二層膜厚薄。
這里涂布工序優(yōu)選的是，在基板上使中央部附近的膜厚比短邊方向端部附近的膜厚大地形成第一層或在基板上使中央部附近的膜厚比短邊方向端部附近的膜厚小地形成第一層，同時，在含有上述第一層的基板上通過光刻法將導電性材料形成圖案。這樣做的效果是容易使沿電極短邊方向的表面角具有光滑的曲面的形狀。
在上述同時焙燒步驟中或焙燒步驟中，優(yōu)選的是在比上述玻璃材料軟化點高30℃～100℃的溫度下焙燒。


圖1所示為實施形式通用的等離子體顯示裝置結構部件組圖。
圖2所示為PDP的結構立體圖。
圖3所示為掃描電極及維持電極的詳細結構截面圖。
圖4所示為數據電極的詳細結構截面圖。
圖5所示為掃描電極及維持電極的形成方法工序圖。
圖6所示為掃描電極及維持電極的其它的形成方法工序圖。
圖7所示為數據電極形成方法工序圖。
圖8所示為掃描電極及維持電極的形成方法圖。
圖9所示為第三實施形式所涉及的柵電極結構的俯視圖。
圖10所示為上述柵電極的形成方法工序圖。
圖11所示為第四實施形式所涉及的掃描電極及維持電極的形成方法工序圖。
圖12所示為現有例的等離子體顯示裝置的面板部結構的立體圖。
發(fā)明的最佳實施形式第一實施形式面板構造圖1為本發(fā)明第一實施形式所涉及的AC型等離子體顯示裝置結構的部件組圖。
如該圖所示那樣，AC型等離子體顯示裝置由等離子體顯示面板PDP和各種驅動電路150、200、250構成。
圖2所示為等離子體面板PDP的重要部分的結構。如該圖所示，等離子體顯示面板PDP由前面基板15和背面基板25重疊形成，前面基板15是在透明的第一玻璃基板10的上面，平行地配置有成對的多對條狀掃描電極11和維持電極12，并在其上順次疊層電介體層13及保護層14，背面基板25是在第二玻璃基板20上，配置與掃描電極11和維持電極12垂直相交的條狀的多個數據電極21和其上面的電介體層22，在該電介體層22的上面平行地配置條狀障壁23以夾入數據電極21，并在障壁23之間，沿著側壁設有各色熒光體層24。
在前面基板15和背面基板25之間所形成的空隙中，封入氦、氖、氬、氪、氙中的至少一種以上的希有氣體作為放電氣體，在該氣體封入空間中，掃描電極11、維持電極12及數據電極21交叉的空間部分成為發(fā)光單元30。
另一方面，與等離子體顯示面板PDP連接的驅動電路由掃描電極電路150、維持電極驅動電路200、數據電極驅動電路250構成，并通過這些驅動電路分擔各驅動動作進行。
即，基于這些各驅動電路，上述面板一般通過將一個場期間分割成多個子場期間地進行所希望的中間灰度等級顯示的所謂場內時間分割灰度等級顯示方法進行驅動，以輸入的圖象信號為基礎，生成子場圖象數據，以此作為寫入數據，寫入到子場單位后反復進行維持放電的動作，來顯示所希望的灰度等級值。
圖3所示為圖2中的A-A’線處的垂直截面的一部分圖，表示掃描電極及維持電極的短邊方向的截面形狀。
首先，上述掃描電極11及維持電極12分別由條狀的透明電極11a、12a和形成于其上面的比透明電極11a、12a幅度還窄的條狀黑色第一導電層11b、12b及形成于其上面的低電阻的第二導電層11c、12c構成。這樣，從金屬電極吸收外光的功能方面來看(從光學的角度來看)，為黑白復合層的兩層光學構造這點與傳統(tǒng)的PDP一樣。另外，這樣由第一導電層11b和第二導電層11c、及第一導電層12b和第二導電層12c構成的構造體分別稱為總線電極11d和總線電極12d。
而且，總線電極11d、12d的特征是，第一導電層11b、12b分別由第二導電層11c、12c覆蓋，結果沿短邊方向的端部表面部11d1、12d1具有沿該短邊方向的曲率連續(xù)變化的曲面部。用曲率半徑規(guī)定曲率時，曲率半徑規(guī)定為焙燒后的電極厚度的平均值的1/4以上、10倍以下，優(yōu)選為1/2以上、5倍以下。另外一個特征是，端部表面部沒有曲率半徑(平均值)為焙燒后的電極厚度的1/4以下的突起。通過具有這樣的形狀，覆蓋著掃描電極11及維持電極12而形成的電介體層的絕緣耐壓提高了。這是因為由于端部表面部11d1和12d1沿短邊方向具有曲率光滑變化的曲面部，與存在邊緣的情況相比，電場局部集中的程度被緩和。特別是與端部表面部的曲率半徑(平均值)為焙燒后的電極厚度的1/4以下、邊緣處的沿短邊方向的表面角為銳角時相比，差異顯著。
圖4所示為圖2中的B-B’線處的垂直截面的一部分圖，表示數據電極短邊方向的截面形狀。
如該圖所示，數據電極21的特征是，雖然與總線電極不同，為單層，但沿短邊方向的截面形狀與上述總線電極一樣，在端部表面部21a處，沿短邊方向形成曲率連續(xù)變化的曲面部。
(制造方法)接著，對上述面板的制造方法進行說明。
首先，在第一玻璃基板10上形成掃描電極11及維持電極12雙方，形成由電介體玻璃所構成的電介體層13并將其覆蓋，再在該電介體層13的上面形成由MgO所構成的保護層14。接著，在第二玻璃基板20上形成數據電極21，在其上面制作由電介體玻璃所構成的電介體層22和以規(guī)定的節(jié)距制作玻璃制障壁23。
在這些障壁所夾的各空間內，通過分別配設含有紅色熒光體、綠色熒光體、藍色熒光體的各色熒光體糊劑形成象上述那樣所制作的各色熒光體層24，形成后，在500℃左右下焙燒熒光體層，除去糊劑中的樹脂成分等(熒光體焙燒工序)。
熒光體焙燒后，在第一玻璃基板的周圍涂敷與第二玻璃基板封接用玻璃料，為除去玻璃料內的樹脂成分，在大致350℃下焙燒(封接用玻璃暫時焙燒工序)。
然后，將上述那樣所制作的前面基板與背面基板通過障壁相對地配置并使掃描電極、維持電極和數據電極垂直相交，在大致450℃下焙燒，密封周圍(封接工序)。
然后，邊加熱到規(guī)定的溫度(大致350℃)邊將面板內部排氣(排氣工序)，結束后只導入規(guī)定壓力下的放電氣體。
這樣面板完成以后，通過連接各驅動電路，等離子體顯示裝置就完成了。
電極的形成方法(關于掃描電極·維持電極)(制法1)圖5所示為形成本實施形式所涉及的掃描電極11及維持電極12的方法的工序圖。
最初，將含有RuO2粒子等的黑色負型感光性糊劑A用絲網印刷法涂布并覆蓋住透明電極，例如，通過具有從室溫直線上升到90℃后并在90℃下保持一定時間的溫度曲線的IR爐進行干燥，形成從上述感光性糊劑A減少了溶劑等的感光性金屬電極膜A51(圖5(a))。
接著，通過將紫外線52透過具有第1線幅W1(例如30μm)的曝光掩模53A照射，對感光性金屬電極膜A51進行曝光。該曝光時，從感光性金屬電極膜A51的膜表面開始進行交聯(lián)反應，發(fā)生聚合·高分子化。這樣形成了曝光部A54和非曝光部A55(圖5(b))。
另外，這時曝光條件為照度10mW/cm2、積分光量200mJ/cm2、掩模與基板間的距離(以下稱為鄰近量)100μm時，由于交聯(lián)反應從膜表面開始進行，沒有充分到達膜內面。
接著，在曝光結束的感光性金屬電極膜A51上用絲網印刷法涂布含有Ag粒子的負型感光性糊劑B。而且，如果將其用上述溫度曲線的IR爐干燥，感光性糊劑B中的溶劑等減少，形成感光性金屬電極膜B56(圖5(c))。
接著，將紫外線57透過比上述第一線幅W1還寬的第二線幅W2(例如40μm)的曝光掩模53B，與上述曝光工序在同一曝光條件下曝光，從感光性金屬電極膜B的膜表面開始進行交聯(lián)反應，發(fā)生聚合·高分子化，形成了曝光部B58和非曝光部B59(圖5(d))。由于這時的交聯(lián)反應也是從膜表面開始進行，沒有充分達到膜內面。
接著，用顯影液顯影。作為顯影液，例如一般用含有0.4wt％碳酸鈉的水溶液。如圖5(e)所示那樣，除去非曝光部A55及B59，剩下圖案化的感光性金屬電極膜A51及B56。這時，感光性金屬電極膜A51的曝光部A54及感光性金屬電極膜B56的曝光部B58的各膜表面A60、B61，顯影所引起的膜形成成分的析出少，但是各膜內面由于交聯(lián)反應不充分，顯影所引起的膜形成成分的析出多。
這樣，由于曝光部A54及曝光部B58的膜表面A60、B61的交聯(lián)反應與膜的內面一側相比，進行得充分，相對于顯影液所引起的溶解反應難于進行，在膜內面顯影液所引起的溶解反應進行的程度高。因此，在兩曝光部A54及曝光部B58形成了根切部A62及B63。但是，由于在曝光部B58的膜內面B64側與曝光部A54的充分進行交聯(lián)反應的膜表面相接，面向曝光部中央65的溶解的侵入程度(象這樣，將溶解領域向電極中央侵入的現象稱為根切，其侵入程度定義為根切量(具體的從各曝光部的膜表面的邊緣部A66及B67向膜中央65進行溶解的程度為W3及W4))被曝光部A54的膜表面A60部分限制。
結果，如圖5(e)所示那樣，在曝光部A54形成了上底為與該曝光部膜表面長度相當的梯形形狀部68，在曝光部B58形成了上底為與該曝光部膜表面長度相當而下底為與曝光部A54膜表面長度相當的梯形形狀部69。
而且，由于上述梯形形狀部69的上底比梯形形狀部68的上底長，在沿短邊方向的截面觀察時，可得到梯形形狀部69的一部分從梯形形狀部68突出的狀態(tài)，將這個突出的部分稱為突出部70。
接著，在使構成上述突出部70的玻璃材料軟化直到垂到與基板一側接觸的溫度下進行同時焙燒。
通過這樣，顯影所留下的感光性金屬電極膜A51及B56中的樹脂成分等氣化，玻璃料熔融，線幅、膜厚減小，形成金屬電極71(總線電極)(圖5(f))。
具體優(yōu)選的是，在比玻璃材料軟化點高30℃～100℃左右的溫度下焙燒。這是因為如果高于軟化點未滿30℃，不能形成曲面部，如果高于軟化點超過100℃，熔融玻璃在基板上流動，電極的直線性下降。而且，該溫度根據所使用的玻璃材料的不同而不同，但是使用鉛類，例如由PbO-B2O3-SiO2類所構成的物質作為玻璃材料時，比軟化點高40℃～60℃，優(yōu)選的是在高50℃左右的、峰值溫度為593℃下進行焙燒。
焙燒可以用間歇(分批)式焙燒爐進行，但考慮到制造效率，也可以通過帶式連續(xù)焙燒爐進行。
通過這樣在使構成突出部70的玻璃材料軟化直到垂到基板一側的溫度下進行焙燒，軟化的突出部70通過重力垂到玻璃基板一側并相互接觸，因此作為卷邊發(fā)生要因的使電極向上翹起的應力被消除的同時，還實現了上述那樣的第一導電層11b覆蓋第二導電層11c的狀態(tài)。結果，位于總線電極端部的表面部分形成光滑曲面狀。另外，在一般的制造方法中，即使是兩次曝光的情況，由于使用同一掩模，不能形成突出部70。所以，焙燒時即使使玻璃軟化也不會垂到基板一側。
這里，如果用以上那樣的方法形成疊層構造的電極，可基于以下理由擴大制造裕度。另外以下的“裕度”是指制造工序中的種種變動要因，這種變動要因越少越好。
一般的，在疊層構造的電極中，雖然膜表面的交聯(lián)反應進行得充分，但在電極形成面的交聯(lián)反應沒有在膜表面進行得充分，結果，顯影時根切變大，特別是在細線中顯影裕度變小。
與此相對，在本上述形式中，由于分別在各層進行曝光，在膜內面的交聯(lián)反應與膜厚時相比進行得充分(由于進行聚合·高分子化)顯影所引起得膜形成成分的析出變少。因此，與傳統(tǒng)的電極制造方法相比，根切被大幅抑制。
另外，下層比上層的線幅窄，因此吸收了曝光時的對準誤差，也可擴大曝光裕度。
因此，通過擴大顯影裕度及曝光裕度，能夠大幅擴大制造裕度。
而且，與通過同時曝光形成圖案的情況相比，不易引起起因于灰塵的斷線，因此可以形成沒有斷線等的可靠性高的電極。
這是因為通過將曝光分數次進行，與第一層曝光掩模相同的地方附著灰塵的可能性極小。
如果用該制造工序制造電極，是比傳統(tǒng)的電極制造方法制造裕度廣的制造方法，能夠提供斷線等少的高品質電極。
另外，并不限于本實施形式，也可如下所示這樣。
感光性糊劑A及B，可以不同也可以一樣。
在實施形式中，雖然感光性糊劑A及B含有RuO2及Ag，但也可以是另外的其它物質。
感光性糊劑的涂布方法也可以不是絲網印刷法。
疊層的層數也可以不是2層。
印刷后的干燥，可以不遵從從室溫直線上升到90℃后并在90℃下保持一定時間的溫度曲線，也可以不在IR爐中干燥。
本實施形式中，雖然曝光掩模A的線幅為30μm，曝光掩模B的線幅為40μm，但只要曝光掩模A的線幅＜曝光掩模B的線幅，就可以有相同的效果。
(制法2)圖6所示為形成本實施形式所涉及的掃描電極11和維持電極12的其它方法。
最初，將含有RuO2粒子等的黑色負型感光性糊劑A用絲網印刷法涂布在透明電極11a、12a上，例如，通過具有從室溫直線上升到90℃后并在90℃下保持一定時間的溫度曲線的IR爐進行干燥，形成從上述感光性糊劑A減少了溶劑等的感光性金屬電極膜A81(圖6(a))。
接著，在感光性金屬電極膜A51上用絲網印刷法涂布含有Ag粒子的負型感光性糊劑B。而且，如果將其用上述溫度曲線的IR爐干燥，感光性糊劑B中的溶劑等減少，形成感光性金屬電極膜B82(圖6(b))。
接著，通過將紫外線83透過具有規(guī)定線幅的(例如，40μm)曝光掩模53C、在感光性金屬電極膜A81和感光性金屬電極膜B82雙方進行曝光的條件如照度10mW/cm2、積分光量300mJ/cm2、掩模與基板間的距離100μm的條件下曝光，從感光性金屬電極膜A81的膜表面開始進行交聯(lián)反應，發(fā)生聚合·高分子化，形成曝光部84(粗線框部)和非曝光部85(圖6(c))。這時的交聯(lián)反應，由于從感光性金屬電極膜A81的膜表面開始進行，沒有充分到達該膜內面和感光性金屬電極膜B82的膜表面。
接著，用顯影液顯影。作為顯影液，例如一般用含有0.4wt％碳酸鈉的水溶液。如圖6(d)所示那樣，除去非曝光部85，剩下圖案化的感光性金屬電極膜A81及B82。這時，感光性金屬電極膜B82的曝光部84部分的膜表面B86，顯影所引起的膜形成成分的析出雖然少，但該膜內面B87及感光性金屬電極膜A81中，由于交聯(lián)反應不充分，顯影所引起的膜形成成分的析出多。
這樣，由于曝光部84的膜表面B86與膜內面一側相比，交聯(lián)反應進行得充分，與顯影液所引起的溶解反應難于進行相對，在膜內面88顯影液所引起的溶解反應的進行程度高。因此，在曝光部84形成了根切部89。在這里邊考慮根切量、金屬電極和金屬電極形成面的接觸幅度等邊實行顯影。具體說來，較理想的是限制根切量地規(guī)定顯影液濃度、顯影時間、溫度等進行顯影，并使顯影后的根切量在顯影后中央部分電極厚度d1的1/2以上3倍以下的大致裕度內。象這樣取為“顯影后的中央部分的電極厚度d1的1/2以上”是為了實現第二導電層覆蓋第一導電層的形狀，取為“顯影后的中央部分的電極厚度d1的3倍以下”，是因為第一導電層和該層形成面的接觸幅如果過小，金屬電極容易剝離。
結果，如圖6(d)所示那樣，在曝光部84形成上底與感光性金屬電極膜A81的膜表面長度相當的、下底與感光性金屬電極膜B82的膜內面長度相當的梯形形狀部90。結果，可獲得感光性金屬電極膜B82的端部比感光性金屬電極膜A81的端部突出的狀態(tài)。將這樣的突出部分稱為突出部91。
接著，在使構成上述突出部91的玻璃材料軟化直到垂到與基板一側接觸的大致溫度下進行同時焙燒。
通過這樣，顯影所留下的感光性金屬電極膜A81及B82中的樹脂成分等氣化，玻璃料熔融，線幅、膜厚減小，形成金屬電極(總線電極)(圖6(e))。
具體優(yōu)選的是，在比玻璃材料軟化點高30～100℃左右的溫度下焙燒。這是因為如果高于軟化點未滿30℃，不能形成曲面部，如果高于軟化點超過100℃，熔融玻璃在基板上流動，電極的直線性下降。而且，該溫度根據所使用的玻璃材料的不同而不同，但是使用鉛類，例如由PbO-B2O3-SiO2類所構成的物質作為玻璃材料時，比軟化點高40℃～60℃，優(yōu)選的是在高50℃左右的、峰值溫度為593℃下進行焙燒。
通過這樣進行焙燒，軟化的突出部91通過重力垂到玻璃基板一側并相互接觸，因此作為卷邊發(fā)生要因的使電極向上翹起的應力被消除的同時，還實現了上述那樣的第一導電層覆蓋第二導電層的狀態(tài)。結果，位于總線電極端部的表面部形成光滑曲面狀。該效果與上述制法1相同。
關于數據電極圖7所示為數據電極制造方法的工序圖。
在玻璃基板上用絲網印刷法涂布含有Ag粒子的負型感光性糊劑B。而且，如果將其通過具有上述溫度曲線的IR爐進行干燥，感光性糊劑B中的溶劑等減少，形成感光性金屬電極膜B92(圖7(a))。
接著，通過將紫外線93透過具有規(guī)定線幅的(例如，40μm)曝光掩模53D、在感光性金屬電極膜B92進行曝光的條件如照度10mW/cm2、積分光量200mJ/cm2、掩模與基板間的距離100μm的條件下曝光，從感光性金屬電極膜B92的膜表面開始進行交聯(lián)反應，發(fā)生聚合·高分子化，形成曝光部94和非曝光部95(圖7(b))。這時的交聯(lián)反應，由于從感光性金屬電極膜B92的膜表面開始進行，沒有充分到達該膜內面或感光性金屬電極膜B92的膜表面。
接著，用顯影液顯影。作為顯影液，例如一般用含有0.4wt％碳酸鈉的水溶液。如圖7(c)所示那樣，除去非曝光部95，剩下圖案化的感光性金屬電極膜B92圖7(c)。這時，雖然感光性金屬電極膜B92的曝光部94部分的膜表面，顯影所引起的膜形成成分的析出少，但在該膜內面由于交聯(lián)反應不充分，顯影所引起的膜形成成分的析出多。
這樣，由于曝光部94的膜表面B96與膜內面一側相比，交聯(lián)反應進行得充分，與顯影液所引起的溶解反應難于進行相對，在膜內面B97顯影液所引起的溶解反應的進行程度高。因此，在曝光部94形成了根切部98。在這里邊考慮根切量、金屬電極和金屬電極形成面的接觸幅度等邊實行顯影。具體說來，較理想的是限制根切量地規(guī)定顯影液濃度、顯影時間、溫度等進行顯影，并使顯影后的根切量在顯影后中央部分電極厚度d1的1/2以上3倍以下的程度范圍內。象這樣取為“顯影后的中央部分的電極厚度d1的1/2以上”是為了實現端部表面為曲面的形狀，取為“顯影后的中央部分的電極厚度d1 3倍以下”，是因為電極與基板的接觸幅如果過小，金屬電極容易剝離。
結果，如圖7(c)所示那樣，在曝光部94形成上底與感光性金屬電極膜B92的膜表面長度相當的、下底與感光性金屬電極膜B92的膜內面長度相當的梯形形狀部99。結果，可獲得感光性金屬電極膜B92的端部突出的狀態(tài)。將這樣的突出部分稱為突出部100。
接著，在使構成上述突出部100的玻璃材料軟化、并通過重力作用熔融材料與基板一側接觸的大致溫度下進行同時焙燒。
通過這樣，顯影所留下的感光性金屬電極膜B92中的樹脂成分等氣化，玻璃料熔融，線幅、膜厚減小，形成金屬電極(總線電極)(圖7(d))。
具體優(yōu)選的是，在比玻璃材料軟化點高30～100℃左右的溫度下焙燒。這是因為如果高于軟化點未滿30℃，不能形成曲面部，如果高于軟化點超過100℃，熔融玻璃在基板上流動，電極的直線性下降。而且，該溫度根據所使用的玻璃材料的不同而不同，但是使用鉛類，例如由PbO-B2O3-SiO2類所構成的物質作為玻璃材料時，比軟化點高40℃～60℃，優(yōu)選的是在高50℃左右的峰值溫度為593℃下進行焙燒。
這樣，通過在使構成突出部100的玻璃材料軟化的溫度下進行焙燒，突出部100軟化，軟化的部分通過重力垂到玻璃基板一側并相互接觸，因此作為卷邊發(fā)生要因的使電極向上翹起的應力被消除的同時，數據電極的端部表面部形成光滑的曲面狀。該效果與上述制法1相同。
總線電極的形狀的變化為了使總線電極的端部表面部11d1、12d1為曲面狀，可以在上述的方法中組合下述方法。
方法是，第一導電層如果具有適于使短邊方向兩端部分的形狀(控制以下的厚度方法)為曲面形狀的形狀，由于第二導電層也形成依照著它的形狀，可以有效地使總線電極端部的表面形狀為光滑的曲面。
具體地，通過涂布并形成如圖8(a)所示的使短邊方向中央部附近的膜厚d2比短邊方向兩端部附近的膜厚d3小的形狀，焙燒后的總線電極的形狀也可形成端部表面部11d1、12d1為曲面的形狀。這里，為了形成圖8(a)中那樣的短邊方向中央部附近的膜厚d2比短邊方向兩端部附近的膜厚d3小的形狀，通過將作為第一導電層的感光性糊劑通過絲網印刷法等選擇性地涂布于第一導電層地短邊方向的兩端部分，可以該部分膜厚選擇性地進行增厚。
而且，通過涂布并形成如圖8(b)所示的使短邊方向中央部附近的膜厚d2比短邊方向兩端部附近的膜厚d3大的形狀，焙燒后的總線電極的形狀也可形成端部表面部11d1、12d1為光滑曲面的形狀。這里，為了形成圖8(b)中那樣的短邊方向中央部附近的膜厚d2比短邊方向兩端部附近的膜厚d3小的形狀，通過將作為第一導電層的感光性糊劑通過絲網印刷法等選擇性地涂布于第一導電層的短邊方向的中央部分，可以選擇性地將該部分膜厚進行增厚。
第二實施形式在第一實施形式中，雖然規(guī)定曝光掩模53A和53B的線幅滿足53A(W1)＜53B(W2)的關系，但在本實施形式中，下層曝光時，采用與上層曝光時具有同一線幅的曝光掩?；蛲粋€曝光掩模，在照度、積分光量、鄰近量(掩模與曝光面的距離)中至少一個比上層曝光時小的條件下進行曝光，其余工序與實施形式1的工序一樣形成電極，可獲得相同的效果。
表1曝光實施例(值相對值) 象(表1)中的實施例1那樣，如果照度小，可抑制暈影等所造成的線幅的擴大，即使使用同一線幅的掩?；蛲谎谀?，也可使線幅變細。
另外，象表(1)中的實施例2那樣，如果積分光量小，交聯(lián)反應沒有充分進行，通過顯影時電極形成物析出到顯影液中，即使使用同一線幅的掩?；蛲谎谀?，也可使線幅變細。
另外，象表(1)中的實施例3那樣，如果鄰近量小，可抑制暈影等所造成的線幅的擴大，即使使用同一線幅的掩模或同一掩模，也可使線幅變細。
另外，通過組合照度、積分光量、鄰近量的任意兩個條件或所有的三個條件，由所獲得的相乘效果可以使線幅變細。
在本實施形式中，(表1)中所示值僅是其中一例，只要滿足比較例和實施例的照度、積分光量、鄰近量的大小關系，其相對值不限于(表1)的值。
第三實施形式本實施形式中的電極制造方法與發(fā)明的實施形式1和2一樣，通過用下層的曝光掩模線幅比上層的曝光掩模線幅小的掩模進行曝光，或用具有同一線幅的掩?；蛴猛谎谀?、并下層的曝光條件如可取(表1)中所示的條件進行曝光、使下層線幅比上層線幅小，從而形成擴大顯影裕度的、且斷線等少的可靠性高的電極。
本實施形式記錄的是具有連接所形成電極形狀鄰接的電極之間的部位(以下為短路棒)的情形。當用如圖9所示那樣的由多個細線所構成的所謂柵電極作為維持電極和掃描電極時，為了連接各細線一般形成短路棒，這樣可以防止細線之間斷線。而且，當各細線與上述總線電極等一樣為2層構造時，可以只有上層設短路棒，也可以上層·下層都設短路棒。
圖10所示為本實施形式所涉及的電極的重要部分的構成和曝光時的制造工序的示意圖。
實施形式1及2中下層曝光時，使用沒有短路棒圖案的曝光掩模進行曝光。形成與原來一樣的電極圖案的曝光部110和非曝光部111(圖10(a))。接著，上層曝光時，使用具有與電極相同線幅的短路棒圖案的曝光掩模進行曝光，形成具有短路棒部112的曝光部113和非曝光部114(圖10(b))。
接著，通過進行顯影，形成具有短路棒部115的電極圖案116。這時由于通過在下層不曝光短路棒部而僅在上層曝光短路棒部，可以進行與電極平行方向的對準誤差影響小的曝光，因此能夠擴大制造工序中的曝光裕度。
另一方面，下層曝光時，使用具有短路棒圖案的曝光掩模進行曝光，也可形成含有短路棒部117的電極圖案(圖10(d))。這時，雖然形成黑色電極材料被比該材料電阻低的白色電極所被覆的結構，從而使短路棒部的電阻上升，但是如果要象上述那樣確保制造裕度，還是優(yōu)選為在上層不形成短路棒部的曝光圖案。
另外，在本實施形式中，即使短路棒的線幅與電極不同，也并不限于本實施形式。
第四實施形式圖11所示為本實施形式所涉及的電極的重要部分的構成和曝光時的制造工序的示意圖(相當于圖5，但省略了透明電極)。
最初通過絲網印刷法印刷含有氧化釕粒子、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸等樹脂成分、低軟化點玻璃等的黑色負型感光性糊劑A。
而且，用IR爐干燥。該IR爐中的溫度曲線，可取例如從室溫直線上升到90℃后并在90℃下保持一定時間。
形成從上述黑色感光性糊劑中減少了溶劑等的感光性金屬電極膜A120(圖11(a))。
這時的感光性金屬電極膜A120的膜厚例如可以是4μm。
接著，在感光性金屬電極膜A120上，含有Ag粒子、PMMA、聚丙烯酸等樹脂成分、低軟化點玻璃等的黑色負型感光性糊劑B用具有規(guī)定目(例如，380目等)的聚酯網板印刷，并通過具有上述溫度曲線的IR爐干燥，形成從上述感光性糊劑B中減少了溶劑等的感光性金屬電極膜B121(圖11(b))。
這時的感光性金屬電極膜B121的膜厚d5比感光性金屬電極膜A120的膜厚d4厚，例如可以是6μm。
接著，將紫外線122透過具有規(guī)定線幅(例如，40μm)的曝光掩模53D，在規(guī)定的曝光條件(例如，照度10mW/cm2、積分光量300mJ/cm2、曝光掩模與基板間的距離100μm)下曝光，交聯(lián)反應從感光性金屬電極膜B121的膜表面開始進行、聚合高分子化，形成曝光部123和非曝光部124(圖11(c))。
接著，用例如含有0.4wt％碳酸鈉的水溶液作為顯影液顯影。
該顯影，如實施形式1欄中所說明的那樣，在曝光部123，形成上底與感光性金屬電極膜B121的膜表面長度相當的、下底與感光性金屬電極膜B121的膜內面長度相當的梯形形狀部125，為形成突出部126，要考慮顯影液濃度、顯影時間、溫度等進行顯影。(圖11(d))。
接著，在峰值溫度為構成上述突出部126的玻璃材料軟化的溫度下進行同時焙燒。
通過該焙燒，顯影所留下的感光性金屬電極膜A120及感光性金屬電極膜B121中的樹脂成分等被燒掉。而且，感光性金屬電極膜A120及感光性金屬電極膜B121中的軟化點玻璃熔融、而后固化。線幅或膜厚與此相伴地減少，形成金屬電極(圖11(e))。
這里，一般在焙燒上層含有低軟化點玻璃、下層含有樹脂的疊層物時，伴隨著下層樹脂成分等被燒掉產生氣體，如果上層中的低軟化點玻璃迅速熔融的話，氣體就被關在了層內，因此容易產生泡疤。另外，所謂泡疤是指由于電極材料焙燒時所產生的氣體殘存，而在電極上留有鼓起的現象。
與此相對，在本實施形式中，由于感光性金屬電極膜A120的膜厚設定得比感光性金屬電極膜B121的膜厚薄，在感光性金屬電極膜B121中的低軟化點玻璃固化前，感光性金屬電極膜A120中的樹脂成分等已幾乎被完全燒掉。因此，能抑制泡疤的產生。
這里，(表2)所示為感光性金屬電極膜A120及B121的膜厚為4μm及6μm時，顯影后的不同膜厚差的泡疤產生狀態(tài)(表2)。另外，(表2)中的“ ○”表示沒發(fā)生泡疤的狀態(tài)，“△”表示只發(fā)生一點泡疤的狀態(tài)，“×”表示發(fā)生泡疤的狀態(tài)。
表2顯影后不同膜厚差的泡疤產生狀態(tài)

電極膜A(下層)的膜厚比電極膜B(上層)的膜厚大時，由于電極膜B的材料中的低軟化點玻璃等的容積小，熱容量變小，低軟化點玻璃等在電極膜A材料中的樹脂成分等完全氣化以前軟化，將氣化成分封在了電極膜A和B的界面，因此產生泡疤。
即，用含有樹脂或低軟化點玻璃的材料形成疊層金屬膜時，在焙燒工序中，下層中的樹脂或玻璃中所吸附的羥基等被燒掉時，如果上層已經開始固化，穿過上層而被釋放到大氣中的由樹脂或水分所形成的氣體就不能穿過上層。結果，該氣體被包在了電極內部，在所形成的電極上產生了氣泡所引起的鼓起。
另外，電極膜A和B的膜厚相同時，由于樹脂等的氣化成分被完全釋放到大氣中的同時，低軟化點玻璃等軟化，因此認為也產生泡疤。但是，電極膜A的膜厚比電極膜B的膜厚小時，由于樹脂等的氣化成分被充分釋放到大氣中以后，低軟化點玻璃等軟化，因此不產生泡疤。另外，即使電極膜A的膜厚比電極膜B的膜厚小，但如果電極膜A的膜厚為5μm以上，由于含有作為泡疤發(fā)生源的樹脂等多，會產生一點泡疤。另外，如果電極膜B的膜厚為5μm以下低軟化點玻璃等的軟化變快，會產生一點泡疤。因此，最優(yōu)選的是電極膜A的膜厚比電極膜B的膜厚小、電極膜A的膜厚為5μm以下、電極膜B的膜厚為5μm以上。
另外，由于如果電極膜A的印刷網板的網眼數與電極膜B的形成中所用的相同或比它小，印刷后的電極膜A的膜厚與電極膜B的膜厚相同或變厚，因此產生泡疤。但是，如果電極膜A的印刷網板的網眼數比電極膜B的大時，由于印刷后的電極膜A的膜厚比電極膜B的膜厚變薄，不產生泡疤。另外，即使電極膜A的印刷網板的網眼數與電極膜B的相同或比它小，如果是進行了砑光處理的印刷網板，由于板的紗厚薄，印刷后的電極膜A的膜厚比電極膜B的膜厚變薄，不產生泡疤。
另外，本實施形式中，雖然感光性糊劑A及B含有氧化釕及Ag，也可以是其它的材料。
另外，感光性糊劑A及B中的樹脂成分，含有PMMA及聚丙烯酸，不含也可以。
另外，感光性糊劑A及B含有低軟化點玻璃，不含也可以。
另外，感光性糊劑A及B也可以不是負型。
另外，形成電極膜的基板也可以不是玻璃基板，并不限于本發(fā)明實施形式的基板。另外也可以預先在玻璃等基板上形成透明電極。
另外，感光性糊劑的涂布方法也可以不是絲網印刷法。
另外，所疊層的層數可以不是2層。
另外，印刷后的干燥可以不是從室溫直線上升到90℃后并在90℃下保持一定時間的溫度曲線，也可以不在IR爐中干燥。
另外，感光性金屬電極膜A及B的膜厚只要滿足A＜B、優(yōu)選為B/A≥1.2或A＜5μm、B＞5μm，可以分別不是4μm、6μm。
另外，曝光條件可以不是照度10mW/cm2、積分光量300mJ/cm2、曝光掩模與基板間的距離100μm。
另外，顯影液也可以不含有0.4wt％的碳酸鈉。
另外，顯影后的焙燒可以不在峰值溫度為540℃的溫度下進行。
另外，(表2)的膜厚值也可以不是4μm、4.8μm、5.2μm及6μm。
另外，雖然確認到本實施形式中，電極膜A及B的成分為鋁、銀、銅可發(fā)揮特別效果，但如果即使其它金屬也滿足同樣的膜厚關系，也能獲得同樣的效果。
另外，作為各實施形式中的涂布方法，不僅可以使用印刷感光性糊劑的方法，還可以用疊層感光性糊劑的方法，此時也是如果滿足與上述同樣的膜厚關系，仍由同樣的效果。
產業(yè)上利用的可能性本發(fā)明由于沿總線電極或數據電極的短邊方向的端部/表面部的形狀形成了電場集中程度緩和的曲面狀，因此可應用于高品質的等離子體顯示器。
權利要求
1.一種等離子體顯示裝置，具有多個在基板上以光刻法為主體將含有玻璃材料的電極形成材料層圖形化后通過焙燒所形成的電極，在上述電極中的至少一個，焙燒后，在沿短邊方向的兩端部分中，其表面上具有沿上述短邊方向曲率連續(xù)變化的曲面部。
2.權利要求1中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，上述電極是至少含有形成于基板一側的第1層和在其上面疊層的第2層的多層疊層體。
3.權利要求1或2中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，上述曲面部的曲率可以取沿上述短邊方向的曲率半徑為焙燒后的電極平均膜厚的1/4～10倍。
4.權利要求2中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，第一層中的短邊方向中央部附近的膜厚小于短邊方向兩端部附近的膜厚。
5.權利要求2中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，第一層中的短邊方向中央部附近的膜厚大于短邊方向兩端部附近的膜厚。
6.權利要求1、2、4、5中任意一項所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，覆蓋住上述電極地在基板上形成電介體層。
7.權利要求3中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，覆蓋住上述電極地在基板上形成電介體層。
8.權利要求2中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，述第一層及第二層的光學特性互異。
9.權利要求8中所記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，上述第一層由黑色材料構成。
10.一種等離子體顯示裝置的制造方法，具有在基板上通過以光刻法為主體的方法將含有玻璃材料的電極形成材料層圖形化后通過焙燒而形成電極的電極形成工序，上述電極形成工序包括進行顯影直到顯影后的根切量大致為電極厚度的1/2以上3倍以下的顯影步驟、顯影步驟后經由通過根切于顯影后所形成的突出部所含有的玻璃材料軟化直至垂到與基板側接觸的溫度的焙燒步驟。
11.一種等離子體顯示裝置的制造方法，具有在基板上通過以光刻法為主體的方法將電極形成材料層圖形化后通過實施焙燒而形成電極的電極形成工序，上述電極形成工序用含有感光性材料及導電性材料及玻璃材料的糊劑通過光刻法形成兩層以上結構的電極，含有2次以上的涂布步驟及同時曝光步驟及同時顯影步驟及同時焙燒步驟，上述同時顯影步驟中的顯影，進行到顯影后的根切量為電極厚度的1/2以上3倍以下，上述同時焙燒步驟要經由使上述糊劑中所含有的玻璃材料軟化直到垂到與基板一側接觸程度的溫度。
12.一種等離子體顯示裝置的制造方法，具有在基板上通過以光刻法為主體的方法將電極形成材料層圖形化后通過實施焙燒而形成電極的電極形成工序，上述電極形成工序用含有感光性材料及導電性材料及玻璃材料的糊劑通過光刻法形成從基板一側開始第一層及第二層順序疊層所形成的兩層以上結構的電極，至少含有2次以上的涂布步驟及曝光步驟，且含有同時顯影步驟及同時焙燒步驟，在至少兩次的曝光步驟中，形成基板一側的第一層的層部分中的曝光后的曝光部分的線幅，比形成第二層的層部分中的曝光后的曝光部分的線幅還小，上述同時焙燒步驟要經由使上述糊劑中所含有的玻璃材料軟化直到垂到與基板側接觸程度的溫度。
13.權利要求11或12中所記載的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，所形成的電極是柵電極、并在第二層中具有短路棒圖案。
14.權利要求11或12中所記載的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，顯影后焙燒前的第一層的膜厚比第二層的膜厚薄。
15.權利要求11或12中所記載的等離子體顯示裝置的制造方法，其特征在于，涂布步驟是在基板上使中央部附近的膜厚比短邊方向端部附近的膜厚大地形成第一層或在基板上使中央部附近地膜厚比短邊方向端部附近的膜厚小地形成第一層，并且，在含有上述第一層的基板上通過光刻法將導電性材料形成圖案。
16.權利要求10到12所記載的同時焙燒步驟或焙燒步驟，其特征在于，在比上述玻璃材料軟化點高30℃～100℃的溫度下焙燒。
全文摘要
發(fā)明的目的是提供一種電極的制作方法，當用光刻法形成以總線電極及數據電極等金屬電極為主的電極圖案時，可有效的抑制產生卷邊。因此，本發(fā)明通過控制由在印刷膜表面內面的顯影液所引起的溶解程度的不同而產生的所謂根切量，在短邊方向的兩端形成突出的突出部，在使構成該突出部的玻璃材料軟化、熔融材料在重力作用下與基板一側接觸的大致溫度下進行焙燒。這樣在沿電極短邊方向的兩端表面部分就具有了曲率光滑變化的曲面形狀。
文檔編號H01J17/04GK1476625SQ01817874
公開日2004年2月18日 申請日期2001年8月28日 優(yōu)先權日2000年8月30日
發(fā)明者蘆田英樹, 日比野純一, 住田圭介, 大谷光弘, 藤原伸也, 丸中英喜, 仲川整, 也, 介, 喜, 弘, 純一 申請人:松下電器產業(yè)株式會社