專利名稱：吸氣劑成分以及使用它的場致發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及吸氣劑的成分，特別涉及吸氣劑以及使用它的場致發(fā)射顯示器，其能夠降低激活溫度。
顯示板顯示器包括液晶顯示器(LCD)，場致發(fā)射顯示器(FED)，等離子顯示板，電致發(fā)光(EL)，等等。為了改善顯示質(zhì)量，進行了各種研究以提高顯示板顯示器的亮度、對比度和色純。
FED分為尖型FED，其中強電場集中在尖銳的發(fā)射體上，以通過量子力學(xué)隧道效應(yīng)而發(fā)射電子，以及金屬絕緣體金屬(MIM)FED，其中強電場集中在具有特定面積的金屬上，以通過量子力學(xué)隧道效應(yīng)而發(fā)射電子。


圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的尖型場致發(fā)射顯示器的透視圖，圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的尖型FED的剖視圖。
如圖1和2所示，F(xiàn)ED包括上玻璃基板2，其上層疊有陽極4和熒光材料6；以及形成在下玻璃基板8上的場致發(fā)射陣列32。
場致發(fā)射陣列32包括順序地形成在下基板8上的陰極10和電阻層12，形成在電阻層12上的柵極絕緣層14和發(fā)射體22，以及形成在柵極絕緣層14上的柵極16。
陰極10向發(fā)射體22提供電流，電阻層12限制從陰極10提供給發(fā)射體2的過電流，從而向發(fā)射體22提供均勻的電流。
柵極絕緣層14隔離陰極10和柵極16。
柵16用作提取電子的提取電極。
在上玻璃基板2和下玻璃基板8之間安裝有隔板40。
隔板40支持上玻璃基板2和下玻璃基板8，從而可以在上玻璃基板2和下玻璃基板8之間維持高真空狀態(tài)。
例如，為了顯示圖像，將負(fù)極(-)陰極電壓施加在陰極10上，將正極(+)陽極電壓施加在陽極4上。另外，將正極(+)柵電壓施加在柵極16上。
此后，從發(fā)射體22發(fā)射出來的電子束30與紅、綠、藍(lán)色的熒光材料6碰撞，激活熒光材料(熒光劑)。此時，發(fā)出可見的紅、綠和藍(lán)色的光。在此，為了控制各個象素，F(xiàn)ED形成有圖1的‘A’部分所示的矩陣結(jié)構(gòu)。
圖3是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的FED的柵極結(jié)構(gòu)的透視圖，也就是顯示形成在矩陣結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)的透視圖。
首先，陰極10和柵極16由柵絕緣層14電絕緣，并形成為在水平或垂直方向上互相交叉。
柵極孔36形成在柵極16上，對應(yīng)于各個柵極孔36的發(fā)射體22形成于陰極10之上。
然后，當(dāng)陰極10接地，并有大約+100V的電壓施加在柵極16上時，位于兩個電極10和16相互交叉的部分的發(fā)射體22的端部產(chǎn)生強電場，由這個強電場發(fā)射出電子30。
這時，柵極16的電壓隨著柵極孔36的尺寸減小而降低，并且柵極16的電壓隨著發(fā)射體22的材料特性而改變。另外，通過順序地向陰極10和柵極16施加電壓，電子30在兩個電極10和16相互交叉點從發(fā)射體22中發(fā)射出來，從而激活熒光材料6，相應(yīng)地可以從象素發(fā)出光來。
例如，向涂覆有熒光劑6的陽極4施加大約幾千伏的高壓，以加速從發(fā)射體22發(fā)射出來的電子30，從而電子與熒光材料6碰撞。
這時，對于各個象素的亮度和顏色實現(xiàn)，象素的亮度可以使用電流量根據(jù)施加在發(fā)射體22和柵極16之間的電壓差而變化的原理而加以控制，并且可以通過控制毗連的紅、綠、藍(lán)三個象素的亮度來實現(xiàn)顏色。
根據(jù)其驅(qū)動特性，F(xiàn)ED板內(nèi)的電場發(fā)射空間應(yīng)該保持在大約10-5托的高真空狀態(tài)。
也就是說，發(fā)射體22和柵極16分開亞微米級的間距，之間施加大約107V/cm的強電場。
這時，除非發(fā)射體22和柵極16之間的空間保持高度真空狀態(tài)，否則發(fā)射體22和柵極16之間的電壓會發(fā)生放電，或者會出現(xiàn)絕緣體破壞現(xiàn)象。
另外，除非電場發(fā)射空間保持在高度真空狀態(tài)，否則顯示板內(nèi)所存在的中性粒子會與電子碰撞，而產(chǎn)生陽離子。
產(chǎn)生的陽離子與發(fā)射體22碰撞而破壞發(fā)射體22，或者與電子30碰撞而降低電子30的加速能量，從而降低亮度。
因此，為了提高亮度，真空處理是必需的，以在FED的制造過程中使顯示板的內(nèi)部處于高真空狀態(tài)。
圖4是一個剖視圖，顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的FED的顯示板結(jié)構(gòu)。也就是說，圖4是要顯示吸氣劑。省略了對圖1和圖3中重復(fù)顯示的結(jié)構(gòu)的描述。
如圖4所示，F(xiàn)ED的顯示板包括上玻璃基板2，在其上層疊有陽極4和熒光材料6；陰極10和絕緣層14；形成在絕緣層14上的柵極16；下玻璃基板8，具有形成在柵極16上的聚焦絕緣層(未示出)；以及玻璃熔接密封38，用于支持上玻璃基板2和下玻璃基板8。
另外，在顯示板中形成吸氣劑34，用以在連接上玻璃基板2和下玻璃基板8之前吸收在FED的制造過程中產(chǎn)生的氣體。
吸氣劑34分為揮發(fā)性吸氣劑(EG)和非揮發(fā)性吸氣劑(NEG)。
鋇被用作EG的材料，并且EG被用于形成電視屏幕和計算機屏幕的陰極射線管。也就是說，鋇吸氣劑通過外部加熱而從陰極射線管的內(nèi)壁揮發(fā)，并以金屬薄膜的形式被用于去除陰極射線管內(nèi)的殘余氣體。
在這個方面，在激活之前，鋇作為BaAl4+Ni的前體而存在，當(dāng)鋇前體由外部加熱而揮發(fā)時，進行激活處理。
一般地，使用BaAl4化合物的粉末和鎳粉的混合物作為鋇膜的前體。
鎳在大約850℃的溫度下與鋁發(fā)生反應(yīng)，根據(jù)“閃蒸(flash)”現(xiàn)象，由這個反應(yīng)產(chǎn)生的熱使鋇揮發(fā)。
但是，現(xiàn)有技術(shù)有一些問題，在FED的顯示板內(nèi)形成EG的結(jié)構(gòu)很復(fù)雜，并且當(dāng)EG激活時，內(nèi)部溫度上升至800～1250℃。因此，在諸如FED的薄膜顯示器的情況下，由于基板被破壞而難以保持真空度。
同時，NEG使用鈦(Ti)、鋯(Zr)等作為主要成分，并通過添加其它的金屬，諸如鋁(Al)、鎳(Ni)、鈷(Co)或鐵(Fe)和氧化物而形成。
NEG通過去除燈泡或FED中的殘余氣體而提高真空度，并用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，比如延長設(shè)備的壽命。
在NEG的激活過程中，在結(jié)合了壓縮并燒結(jié)的粉末顆粒之后，當(dāng)它們首次暴露在空氣中時，在粉末顆粒的表面形成的氧化物、碳化物和氮化物薄膜被去除。
在NEG的激活過程中，加熱氧化物、碳化物和氮化物等等這些材料，以把氧、碳和氮擴散到吸氣劑材料中，然后，處于激活狀態(tài)、可以進行氣體吸收的純NEG的金屬表面就暴露出來。
NEG的激活溫度取決于成分。例如，由意大利的SAES Getters生產(chǎn)并銷售的ST-707是通過在350℃下激活70atm％的Zr，24.6atm％的V和5.4atm％的Fe的合金而形成的，ST-101是通過在900℃下激活84atm％的Zr，26atm％的Al的合金而形成的。
考慮到對某些設(shè)備功能的損害、能量和處理成本，激活處理最好在低溫下進行短的時間，這些對于使用玻璃基板的FED之類的薄膜型顯示器來說是非常需要的。
在日本專利公開No.8-196899和國際專利號PCT/IT 97/00027中公開了關(guān)于可以在低溫下進行的激活處理的技術(shù)。
在日本專利公開No.8-196899中，通過加熱器將鈦(Ti)、氧化鈦(TiO2)和氧化鋇(BaO2)之類的氧化劑加熱，以合適的比例混合，從而可以產(chǎn)生反應(yīng)熱，然后加壓以構(gòu)成特定形狀的NEG系統(tǒng)。
對于這兩種氧化劑(TiO2，BaO2)，為了形成Ti2O5(鈦的中間氧化物)，鈦被部分地氧化。
氧化反應(yīng)的反應(yīng)熱會激活殘余的鈦，在300～400℃的溫度下激活該混合物。
國際專利號PCT/IT 97/00027公開了一種吸氣劑成分，包括從Ag2O、CuO和Co3O4或它們的混合物和合金的組中選出的氧化劑。
第三種成分，比如稀土元素中的釔和鑭，也可以選擇性地加到合金中去。
通常，在該成分中，吸氣劑材料需要350～900℃的高溫來激活，同時包含所有這些成分的吸氣設(shè)備可以在280～500℃的溫度下工作，這是一個相對低的溫度。
也就是說，吸氣設(shè)備可以通過利用與其它元素的熱力學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱來在一個較低的溫度下激活。
但是，當(dāng)NEG合金突然與大量的反應(yīng)氣體接觸時，也就是說，當(dāng)它暴露在空氣中時，以及當(dāng)初始合金的熔點高于200～250℃時，合金進行強烈的放熱反應(yīng)，溫度升高至1000℃以上。
因此，F(xiàn)ED顯示板的其它部分有可能會損壞，從而難以應(yīng)用到FED或PDP(等離子顯示板)之類的使用玻璃基板的電子顯示器中去。
為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在此作為實施例并加以詳細(xì)描述的，提供了一種主要成分為Cr的吸氣劑成分。吸氣劑的成分還包括鈦(Ti)和鋯(Zr)。吸氣劑的成分包括40atm％的鉻(Cr)，30atm％的鈦(Ti)和30atm％的鋯(Zr)。
為了實現(xiàn)上述的目的，還提供了一種場致發(fā)射顯示器，其包括主要成分為鉻的吸氣劑。
由以下對本發(fā)明的詳細(xì)說明，結(jié)合附圖，可以更加清晰地理解本發(fā)明上述及其它的目的、特征、方面和優(yōu)點。
圖3是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的FED的陰極柵極結(jié)構(gòu)的透視圖；圖4是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的FED的顯示板結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的FED的吸氣劑成分；圖6是FED的薄膜型吸氣劑制造方法的流程圖；圖7是FED的塊型吸氣劑制造方法的流程圖；圖8A和圖8B是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的吸氣劑的吸氧性能曲線圖；圖9顯示了與根據(jù)本發(fā)明的FED連接的真空泵；圖10A和圖10B是顯示了涂覆有根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的吸氣劑材料的密封FED顯示板的真空恢復(fù)程度的曲線圖；以及圖11A至圖11C是顯示了根據(jù)本發(fā)明，吸氣劑從新鮮狀態(tài)到密封步驟和到激活步驟的斥氧性能的曲線圖。
優(yōu)選實施例詳述以下對附圖中顯示的本發(fā)明優(yōu)選實施例進行詳細(xì)的說明。
本發(fā)明之特征在于，激活處理是使用能夠降低激活溫度的吸氣劑進行的，以下參照圖5至圖11C對能夠提高真空度和斥氣性能的吸氣劑成分以及使用它的場致發(fā)射顯示器的優(yōu)選實施例進行詳細(xì)說明。
圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的FED吸氣劑的成分。
如圖5所示，本發(fā)明的吸氣劑成分包括鉻(Cr)、鋯(Zr)和鈦(Ti)。也就是說，下面的表中顯示了Cr-Zr-Ti族的吸氣劑成分及其成分比例。
表1
吸氣劑成分的組成比例是在吸氣劑的重量為100atm％的假設(shè)的基礎(chǔ)上計算的。
優(yōu)選地，吸氣劑成分的組成比例是40atm％的Cr，30atm％的Zr和30atm％的Ti。另外，這時吸氣劑形成為濺射型或者塊型。以下參照圖6和7說明制造濺射型吸氣劑和塊型吸氣劑的方法。
圖6是FED的濺射型吸氣劑制造方法的流程圖。
首先，準(zhǔn)備好一塊上基板和下基板(步驟S61)。
第二，將準(zhǔn)備好的基板安裝在真空狀態(tài)的室中(步驟S62)；第三，在吸氣劑材料Cr、Zr和Ti以及陽極之間注入濺射氣體氬(Ar)。這里，吸氣劑成分和陽極安裝在所述的室中(S63)。
第四，使用等離子激活氬(Ar)。這時，室中的氬離子(Ar+)被靶表面附近的等離子自偏壓產(chǎn)生的高電場加速(步驟S64)。
第五，在室中加速的氬離子(Ar+)與吸氣劑成分(Cr-Zr-Ti族)相互碰撞，吸氣劑材料彈射起來，沉積在準(zhǔn)備好的基板上，厚度為0.01～10μm。也就是說，通過在基板上沉積0.01～10μm厚的吸氣劑材料而制成濺射型吸氣劑(S65)。
圖7是FED的塊型吸氣劑制造方法的流程圖。
首先，準(zhǔn)備好一塊上基板和下基板(步驟S71)。
第二，在準(zhǔn)備好的基板上粉碎吸氣劑成分Cr、Zr和Ti，以制成粉末，然后混合該金屬粉末(步驟S72)。
第三，燒結(jié)混合好的金屬粉末，然后在準(zhǔn)備好的基板上沉積為大約1～100μm大小的顆粒。也就是說，混合好的金屬粉末在基板上沉積為1～100μm大小的顆粒，從而形成塊型吸氣劑(步驟S73)。
圖8A和8B是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的吸氣劑的吸氧性能的曲線圖。
也就是說，通過在空氣中、在400℃的熱處理條件下使用俄歇電子能譜(AES)1個小時，圖8A和8B顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的吸氣劑的吸氧性能的曲線圖。
AES是表面分析設(shè)備，在聚焦為幾百個阿姆斯特朗(armstrong)大小的電子束入射到吸氣劑的表面上之后，測量發(fā)射出來的俄歇(auger)電子的能量，從而分析構(gòu)成吸氣劑表面的元素的類型和數(shù)量。
如圖8A所示，圖表的橫軸表示在吸氣劑表面下的深度，圖表的縱軸表示吸氣劑的成分或者吸入吸氣劑中的雜質(zhì)的量。
例如，在現(xiàn)有技術(shù)中，從吸氣劑的表面到大約2000，吸入到吸氣劑(由70atm％的Zr和30atm％的Ti構(gòu)成)中的氧的量很多，但是從這里(2000)開始氧急劇減少，從3000開始稍微能見到一點點氧。
同時，如圖8B所示，在吸入含有40atm％的Cr，30atm％的Zr和30atm％的Ti的吸氣劑后，在吸氣劑的表面存在多達(dá)5000以上的氧。從而可以比現(xiàn)有技術(shù)吸收更多的氧。
相應(yīng)的，對于激活溫度和激活時間，在上述400℃、1小時的實驗條件下，本發(fā)明的吸氣劑成分被充分激活。
圖9顯示了與本發(fā)明的FED相連接的泵。
如圖9所示，為了去除燒結(jié)和結(jié)合后的顯示板內(nèi)的雜質(zhì)，通過局部加熱單元92加熱顯示板，以利用泵94向外排出顯示板內(nèi)的氣體。
在氣體從顯示板內(nèi)向室外排出的時候，當(dāng)顯示板內(nèi)的真空度達(dá)到期望的水平時，加熱排氣管93的中部，然后通過夾斷(pinch-off)工藝切斷。也就是說，將顯示板的室與外界隔離。
這時，對應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)的顯示板所需的真空度的壓強是1.03×10-4托，而對應(yīng)于本發(fā)明的顯示板所需的真空度的壓強是1.7×10-5托。
圖9中顯示的陽極4、陰極10和玻璃熔接密封38和91的功能和現(xiàn)有技術(shù)的相同，因此省略了對它們的描述。
同時，在進行夾斷處理的時候，封閉的顯示板處于雜質(zhì)已經(jīng)從顯示板內(nèi)的設(shè)備中排出的狀態(tài)，它內(nèi)部的真空度會由于排出的氣體之類的原因而再次降低。因此，為了提高真空度，在300℃的溫度下激活吸氣劑90三個小時，以下參照圖10A和10B對這個過程進行詳細(xì)說明。
圖10A和10B是顯示涂覆有根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明的吸氣劑的FED的真空恢復(fù)程度的曲線圖。
如圖10A所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，在300℃的溫度下對包含30atm％的Ti和70atm％的Zr的吸氣劑激活3個小時，對應(yīng)于顯示板真空度的壓強恢復(fù)為1.03×10-4托。
同時，如圖10B所示，在300℃的溫度下對包含40atm％的Cr，30atm％的Ti和30atm％的Zr的吸氣劑90激活3個小時的時候，對應(yīng)于顯示板真空度的壓強恢復(fù)為1.7×10-5托，這是比現(xiàn)有技術(shù)低6倍的壓強，完成最終的顯示板。
圖11A至11C是顯示根據(jù)本發(fā)明的吸氣劑從新鮮狀態(tài)到密封步驟和到激活步驟的表面氧沾染和激活。
如圖11A至11C所示，通過在大約300℃的溫度下大約3個小時的激活處理沉積吸氣劑成分并暴露在空氣中，或者通過高溫密閉處理把吸收在吸氣劑表面上的氧轉(zhuǎn)移到吸氣劑之中，從而使吸氣劑的表面和新鮮狀態(tài)一樣。這可以通過圖11A至11C所示的俄歇電子能譜圖看出。
使用本發(fā)明的吸氣劑的FED包括上玻璃基板2，其上層疊有涂覆了熒光材料6的陽極4；下玻璃基板8；形成在下玻璃基板上的陰極10；形成在陰極10上的電阻層12；形成在電阻層12上的絕緣層14；形成在絕緣層14上的柵極16；形成在絕緣層14上的發(fā)射體22；形成在柵極16上的聚焦絕緣層；以及形成在上玻璃基板2和下玻璃基板8之間、包含Cr-Ti-Zr族的吸氣劑90。
發(fā)射體根據(jù)由陰極施加的電壓發(fā)射出電子，柵極接收來自發(fā)射體的電子。陽極面對著陰極。
除了吸氣劑90之外，F(xiàn)ED的其它結(jié)構(gòu)同現(xiàn)有技術(shù)的一樣，因此省略了對它們的說明。
如上所述，本發(fā)明的吸氣劑和使用它的FED具有很多優(yōu)點。
也就是，例如，由于以鉻為主要成分的吸氣劑的斥氧性能的提高，與現(xiàn)有技術(shù)相比，激活能量變小了。也就是說，因為激活能量變小，所以可以在低于300℃的低溫下進行激活處理，對應(yīng)于殘余氣體吸收性能的壓強和真空度比現(xiàn)有技術(shù)提高了6倍。
另外，以鉻為主要成分的吸氣劑可以容易地制成濺射型或者塊型，無需現(xiàn)有的復(fù)雜的層疊結(jié)構(gòu)或多孔成型工藝。
在不脫離本發(fā)明的精神和本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明能夠以多種方式實施，并且可以理解，上述的實施例不受前面說明書的任何細(xì)節(jié)的限制，除非另有說明，而應(yīng)該在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)廣義地解釋，因此，所附的權(quán)利要求包括所有落入這些權(quán)利要求的界限或者這些界限的等同物內(nèi)的改變和改進。
權(quán)利要求
1.一種吸氣劑成分，包括鉻(Cr)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成分，還包括鈦(Ti)和鋯(Zr)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑包括20％～70atm％的鉻(Cr)，0％～30atm％的鈦(Ti)和20％～50atm％的鋯(Zr)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑包括40atm％的鉻，30atm％的鈦和30atm％的鋯。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑是通過同時濺射Cr-Ti-Zr族的金屬而制成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑是通過粉碎并混合Cr-Ti-Zr族的金屬并在真空中燒結(jié)所混合的金屬而制成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑成分降低了激活溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成分，其特征在于，所述的吸氣劑形成于場致發(fā)射顯示器(FED)的顯示板內(nèi)，并去除顯示板內(nèi)的氣體。
9.在形成于FED內(nèi)并去除顯示板內(nèi)氣體的吸氣劑中，一種吸氣劑成分，包括Cr-Ti-Zr族。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成分，其特征在于，所述Cr-Ti-Zr族的吸氣劑包括20％～70atm％的鉻(Cr)，0％～30atm％的鈦(Ti)和20％～50atm％的鋯(Zr)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成分，其特征在于，Cr-Ti-Zr族的吸氣劑包括40atm％的鉻，30atm％的鈦和30atm％的鋯。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑是通過同時濺射Cr-Ti-Zr族的金屬而制成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑是通過粉碎并混合Cr-Ti-Zr族的金屬并在真空中燒結(jié)所混合的金屬而制成的。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成分，其特征在于，所述吸氣劑成分降低了激活溫度。
15.一種場致發(fā)射顯示器(FED)，包括以鉻為主要成分的吸氣劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑還包括Ti和Zr。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑的成分比例為20％～70atm％的Cr，0％～30atm％的Ti和20％～50atm％的Zr。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑的成分比例為40atm％的Cr，30atm％的Ti，和30atm％的Zr。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑是通過同時濺射Cr-Ti-Zr族的金屬而制成的。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑是通過粉碎并混合Cr-Ti-Zr族的金屬并在真空中燒結(jié)所混合的金屬而制成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的FED，還包括涂覆有熒光材料的陽極；面對所述陽極的陰極；發(fā)射體，用于根據(jù)由所述陰極施加的電壓發(fā)射出電子；以及柵極，用于接收來自所述發(fā)射體的電子。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的FED，其特征在于，所述吸氣劑去除FED的顯示板內(nèi)的氣體。
全文摘要
公開了一種吸氣劑和使用它的場致發(fā)射顯示器(FED)，其通過使用能夠降低激活溫度的吸氣劑進行激活處理，能夠提高真空度和殘余氣體吸收能力。所述吸氣劑成分包括鉻，所述場致發(fā)射顯示器具有以鉻為主要成分的吸氣劑。
文檔編號H01J29/94GK1391247SQ02123008
公開日2003年1月15日 申請日期2002年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月13日
發(fā)明者金勇哲 申請人:Lg電子株式會社