專利名稱：偏轉(zhuǎn)裝置的制作方法
相關(guān)申請的交叉參考本發(fā)明要求優(yōu)先權(quán)基于2002年7月11日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第2002-40442號韓國專利申請，在此引用該專利申請供參考。
圖1是傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置1的剖視圖。偏轉(zhuǎn)裝置1對稱，并且對其設(shè)置具有一對形成在集成體內(nèi)的部分的線圈隔離器10。
線圈隔離器10包括屏幕單元11、對應于CRT的屏幕2a；中部單元12、從屏幕單元延伸到CRT的背面；以及頸部單元13，與中部單元12形成為一體，并耦合到CRT的電子槍。
在線圈隔離器10的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別設(shè)置水平偏轉(zhuǎn)線圈14，具有一對用于產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場以在水平方向?qū)﹄娮邮a(chǎn)生作用的上部和下部；以及垂直偏轉(zhuǎn)線圈15，具有一對用于產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場以在垂直方向?qū)﹄娮邮a(chǎn)生作用的左部和右部。將水平偏轉(zhuǎn)線圈14和垂直偏轉(zhuǎn)線圈15統(tǒng)稱為偏轉(zhuǎn)線圈。在垂直偏轉(zhuǎn)線圈15的外側(cè)設(shè)置鐵氧體磁心16以加強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
對水平偏轉(zhuǎn)線圈14形成外凸緣形前端和后端，并且還形成有產(chǎn)生無用磁場的彎曲。
偏轉(zhuǎn)裝置1是喇叭形的，具有形成在線圈隔離器10的前部與后部之間的平滑曲線。
水平偏轉(zhuǎn)線圈14和垂直偏轉(zhuǎn)線圈15與線圈隔離器10具有同樣的喇叭形。
將垂直偏轉(zhuǎn)線圈15形成為環(huán)形，其中線圈圍繞鐵氧體磁心16纏繞，而將偏轉(zhuǎn)裝置1內(nèi)的環(huán)形垂直偏轉(zhuǎn)線圈15稱為鞍-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈。
圖2是圖1所示傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置1的線圈隔離器10的剖視圖。在傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置1的線圈隔離器1內(nèi)，中部區(qū)域22和頸部區(qū)域23的背面具有同樣的直徑，以便在CRT的軸向?qū)⑺矫鍴形成在線圈隔離器20的背面。
中部區(qū)域包括喇叭形區(qū)域22a，具有喇叭形曲線；以及直線式區(qū)域，在CRT的軸向形成為直線。
圖3是圖1所示偏轉(zhuǎn)裝置的水平偏轉(zhuǎn)線圈30的透視圖，圖4是圖3所示水平偏轉(zhuǎn)線圈30的示意圖，圖5是圖3所示水平偏轉(zhuǎn)線圈30的側(cè)視圖，圖6是沿圖5內(nèi)的a-a′和b-b′的剖視圖。
圖3至圖6所示的水平偏轉(zhuǎn)線圈30是非折彎型的，它沒有外凸緣。由于垂直偏轉(zhuǎn)線圈與水平偏轉(zhuǎn)線圈30的結(jié)構(gòu)相同，所以省略了對垂直偏轉(zhuǎn)線圈的解釋。
水平偏轉(zhuǎn)線圈30包括分別對應于線圈隔離器20的屏幕區(qū)域21、中部區(qū)域22以及頸部區(qū)域30的屏幕彎曲部分31、延伸部分32以及頸部彎曲部分33。
延伸部分32形成在屏幕彎曲部分31的背面，而頸部彎曲部分33形成在延伸部分32的背面從而與延伸部分32形成單體。
延伸部分32包括喇叭形部分32a，具有喇叭形曲線；以及直線式部分，在CRT的軸向為直線。延伸部分32產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場，用于在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束。頸部彎曲部分33產(chǎn)生無用磁場，它對于產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場不起作用，因此將它稱為無效彎曲區(qū)域。
如圖4至圖6所示，從喇叭形部分32a到頸部彎曲部分33的后部，在水平偏轉(zhuǎn)線圈30內(nèi)形成內(nèi)半徑(DSO、DL)和外半徑(FSO、FL)。DSO和DL分別表示垂直方向和水平方向的內(nèi)半徑，而FSO和FL分別表示垂直方向和水平方向的外半徑。
由于在頸部彎曲部分33產(chǎn)生無用磁場，所以因為該無用磁場縮短了射束轟擊頸部(beam strike neck)(BSN)距離。
BSN距離是電子束開始被水平偏轉(zhuǎn)磁場或垂直偏轉(zhuǎn)磁場偏轉(zhuǎn)到屏幕單元11的屏幕預定位置的偏轉(zhuǎn)點的移動距離，并且利用該移動距離使BSN距離向著電子槍位移，因為不靠近CRT的最后部安裝偏轉(zhuǎn)裝置1，而是根據(jù)該移動距離與CRT最后部隔離開安裝。
將BSN移動距離稱為BSN距離。如果BSN距離被延長，則電子束可以到達CRT屏幕的最外圍部分，因為對電子束產(chǎn)生的最大偏轉(zhuǎn)。然而，如果BSN距離被縮短，則電子束不能到達CRT屏幕的最外圍部分，而是轟擊CRT的內(nèi)表面。因此，在屏幕的角落顯示暗區(qū)域，并且不可能在屏幕上正確顯示顯示圖像。
圖7A至圖8示出水平偏轉(zhuǎn)線圈30的延伸部分32產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場和頸部彎曲部分33產(chǎn)生的磁場(另一個垂直偏轉(zhuǎn)磁場)影響電子束的情況。
圖7A、7B以及7C是示出圖3所示水平偏轉(zhuǎn)線圈30產(chǎn)生的磁場的示意圖，圖8是示出電子束與圖3所示水平偏轉(zhuǎn)線圈30的頸部彎曲部分33產(chǎn)生的磁場之間關(guān)系的示意圖。
如圖7A和7B所示，圖7B所示的示意圖是沿圖7的線a-a′的剖視圖，它示出水平偏轉(zhuǎn)線圈30的延伸部分32的水平偏轉(zhuǎn)磁場B1產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)力F1，并且在X方向偏轉(zhuǎn)電子槍2b射出的電子束。
電流I由與電子槍2b射出電子束的發(fā)射方向相反的反向，即電子束的反向確定。水平偏轉(zhuǎn)力F1與流入延伸部分32的電流I產(chǎn)生的第一磁力B1對應，如圖7A所示。
圖7C所示的圖是沿圖7A的線b-b′的剖視圖，該圖示出因為電流以水平方向流動而由水平偏轉(zhuǎn)線圈30的頸部彎曲部分33產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2與電子束的方向相反。因此，在向著頸部彎曲部分33的上部的Y方向產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)力F2。垂直偏轉(zhuǎn)力F2與流入頸部彎曲部分33的電流I產(chǎn)生的第二磁力B2對應，如圖7A所示。
垂直偏轉(zhuǎn)力F2是由水平偏轉(zhuǎn)線圈30的頸部彎曲部分33的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2產(chǎn)生的，它對在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)力F1沒有加強作用，反而因為在不同于X方向的方向偏轉(zhuǎn)電子束而弱化了水平力F1，從而導致BSN距離被縮短。
因為頸部彎曲部分33為圓形，所以在向外的半徑方向的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2被形成為扇形。由于在相對于電子束方向的對角線方向，在頸部彎曲部分33的角區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2，所以垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2對電子束產(chǎn)生影響，如圖8所示。
R、G、B電子束GB在屏幕上不形成一個光點，而是形成線，并且在相鄰R、G、B電子束之間形成間隙，如圖8所示。
R、G、B電子束GB向著一個光點聚焦，并且R和B電子束GB相對于G電子束傾斜。
電流I被確定在與電子槍2b射出的電子束的發(fā)射方向相反的反向上，并且在電流I的反向與在與電子束的發(fā)射方向相反的方向形成的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2之間形成傾角θ。
根據(jù)向量F＝IBsinθ，由于傾角θ與sinθ對應，所以水平偏轉(zhuǎn)線圈30的頸部彎曲部分33產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)電子束的偏轉(zhuǎn)力F。
由于傾角θ在頸部彎曲部分33的角區(qū)域的對角線方向產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2內(nèi)變大，所以對在對應于頸部彎曲部分33的角區(qū)域的區(qū)域內(nèi)分布的電子束產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)比對其它區(qū)域內(nèi)分布的其它電子束產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)大。
然而，與水平偏轉(zhuǎn)線圈30產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場B1相比，垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2不顯著。因此，垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2不對電子束的水平偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生影響。然而，產(chǎn)生了因為垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2而縮短BSN距離的問題。
圖9是示出電子束根據(jù)圖1所示傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的水平偏轉(zhuǎn)線圈30的電流的掃描情況的示意圖。該掃描情況示出根據(jù)流過水平偏轉(zhuǎn)線圈30的電流I掃描電子束的情況。
根據(jù)流過水平偏轉(zhuǎn)線圈30的鋸齒形電流IR，被水平偏轉(zhuǎn)線圈30水平偏轉(zhuǎn)的電子束水平掃描在CRT的屏幕2a上。
與最大電流IR相對應，電子束被水平偏轉(zhuǎn)到屏幕2a的最右側(cè)，而與最小電流IL相對應，電子束被水平偏轉(zhuǎn)到屏幕2a的最左側(cè)。掃描寬度與電流IR、IL的相應大小之間的相關(guān)性與偏轉(zhuǎn)敏感性對應。
利用作為電感L(水平偏轉(zhuǎn)線圈30的電感)與電流I(流過水平偏轉(zhuǎn)線圈30)的平方I2的乘積的公式計算偏轉(zhuǎn)敏感性。
公式水平偏轉(zhuǎn)敏感性mHA2＝I2×L也就是說，水平偏轉(zhuǎn)線圈30的偏轉(zhuǎn)敏感性是電感L與最大電流IR和/或最小電流IL的平方的乘積。
如果在將電子束偏轉(zhuǎn)到屏幕2a的最右側(cè)和最左側(cè)期間消耗的電流小，則可以提高CRT的效率。因此，在偏轉(zhuǎn)敏感性的值小時，可以改善偏轉(zhuǎn)敏感性。
利用電感L和電子束到達屏幕2a的最右側(cè)和最左側(cè)時消耗的電流I的相應終值確定偏轉(zhuǎn)敏感性。
為了改善偏轉(zhuǎn)敏感性，應該縮小水平偏轉(zhuǎn)線圈30的內(nèi)半徑DL、DSO和外半徑FL、FSO。然而，在將水平偏轉(zhuǎn)線圈30的內(nèi)半徑DL、DSO和外半徑FL、FSO降低到最小時存在限制，因為在將偏轉(zhuǎn)裝置1安裝在CRT上時，水平偏轉(zhuǎn)線圈30的內(nèi)半徑DL、DSO和外半徑FL、FSO應該大于電子槍2b的直徑。
圖10是示出圖1所示傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置1的水平偏轉(zhuǎn)線圈30的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象的示意圖。如圖10所示，在不靠近CRT的背面設(shè)置偏轉(zhuǎn)裝置1而是移向電子槍2b時，產(chǎn)生BSN現(xiàn)象，并且電子束不能到達分布在屏幕2a的角區(qū)域、最右側(cè)以及最左側(cè)之一內(nèi)的屏幕2a上的最大點，以致在屏幕2a的角區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生暗圖像，因為電子束轟擊CRT的背面，如圖10的虛線GB3所示。
偏轉(zhuǎn)裝置1首先靠近CRT的背面固定，然后在對CRT進行會聚調(diào)整期間向后向著電子槍2b移動。最大點是位于屏幕2a的最右側(cè)和最左側(cè)的角區(qū)域。
在偏轉(zhuǎn)裝置1向后移動時，提高偏轉(zhuǎn)裝置1的調(diào)整程度，并且提高CRT的制造效率，因為偏轉(zhuǎn)裝置1在向上方向、向下方向、水平方向和垂直方向之一移動以對CRT進行會聚調(diào)整。
如果延長偏轉(zhuǎn)裝置1向后向著電子槍2b移動的距離，則可以提高偏轉(zhuǎn)裝置1的調(diào)整程度。必需獲得在防止出現(xiàn)BSN現(xiàn)象情況下偏轉(zhuǎn)裝置1向后移動距離的最大值。
在偏轉(zhuǎn)敏感性與BSN現(xiàn)象的相關(guān)性方面，偏轉(zhuǎn)敏感性與BSN現(xiàn)象成反比。如果增強偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)敏感性，則會提高電子束的偏轉(zhuǎn)角，因為加強了磁場，并且BSN距離被縮短。相反，如果降低偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)敏感性，則會降低電子束的偏轉(zhuǎn)角，因為磁場被弱化，并且BSN距離被延長。
也就是說，根據(jù)被縮短的BSN距離和被改善的偏轉(zhuǎn)敏感性，BSN現(xiàn)象變壞，并且根據(jù)被延長的BSN距離和被降低的偏轉(zhuǎn)敏感性，BSN現(xiàn)象得到改善。
如果靠近CRT的背面安裝具有兩種不同偏轉(zhuǎn)敏感性的兩個不同偏轉(zhuǎn)裝置1，則在偏轉(zhuǎn)裝置1具有增強偏轉(zhuǎn)敏感性時，電子束象電子束路徑GB1表示的那樣偏轉(zhuǎn)，在偏轉(zhuǎn)裝置1具有減弱偏轉(zhuǎn)敏感性時，電子束象另一個電子束路徑GB2表示的那樣偏轉(zhuǎn)。
與偏轉(zhuǎn)裝置1的消耗電流相比，電子束路徑GB1被適度偏轉(zhuǎn)，而且不能到達屏幕2a的最大點，而電子束路徑GB2可以到達屏幕2a的最大點。
不因為偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)敏感性的增強(變壞)，提高偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)效率，而因為偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)敏感性的減弱(改善)，提高了偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)效率。
在偏轉(zhuǎn)線圈30向后向著CRT的電子槍2b移動以調(diào)整會聚時，偏轉(zhuǎn)點移動到位置f′，而因為偏轉(zhuǎn)點象圖10的GB3所示的那樣移動，產(chǎn)生電子束轟擊CRT電子槍2b的內(nèi)表面的BSN現(xiàn)象。
利用偏轉(zhuǎn)點的移動，即偏轉(zhuǎn)裝置1的移動距離表示BSN距離，利用圖10所示位置f與位置f′之間的距離定義BSN距離。
因此，根據(jù)位置f與位置f′之間的距離，具有增強偏轉(zhuǎn)敏感性的CRT內(nèi)的電子束路徑GB1顯示BSN現(xiàn)象(BSN距離)的偏轉(zhuǎn)點被縮短。根據(jù)位置f與位置f′之間的距離，具有減弱偏轉(zhuǎn)敏感性的CRT內(nèi)的電子束路徑GB2顯示BSN現(xiàn)象(BSN距離)的偏轉(zhuǎn)點被延長。
偏轉(zhuǎn)敏感性被大大增強(變壞)，有助于增加BSN距離。然而，CRT應該被設(shè)計成具有改善(減弱)的偏轉(zhuǎn)敏感性，而非設(shè)計成具有提高的BSN距離，因為在設(shè)計CRT過程中，偏轉(zhuǎn)敏感性是首要考慮的主要因素。
因此，最好設(shè)計偏轉(zhuǎn)裝置1具有改善(減弱)的偏轉(zhuǎn)敏感性和延長的BSN距離。
水平偏轉(zhuǎn)線圈30的頸部彎曲部分33產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束，并使BSN距離縮短。具體地說，在對角線方向具有頸部彎曲部分33的中心部分產(chǎn)生的分量的垂直偏轉(zhuǎn)磁場B2使BSN距離更加縮短，因為增大了傾角θ。
如上所述，傳統(tǒng)CRT的偏轉(zhuǎn)裝置1的缺陷在于，盡管可以稍許改善偏轉(zhuǎn)敏感性，但是會縮短BSN距離，因為偏轉(zhuǎn)裝置1首先靠近CRT的背面安裝，然后向后向著電子槍2b移動。
如果在偏轉(zhuǎn)裝置1向后向著電子槍2b移動時延長BSN距離，則會因為提高了偏轉(zhuǎn)敏感性的值而降低偏轉(zhuǎn)敏感性。
因為偏轉(zhuǎn)裝置1向后向著電子槍2b的移動，BSN距離被縮短，并且電子束不能到達屏幕2a上的最大點，而是轟擊CRT背面的內(nèi)表面，從而使得部分顯示圖像未顯示在屏幕2a上。
以下將對本發(fā)明的其它方面和優(yōu)勢做進一步說明，并且根據(jù)此說明本發(fā)明的其它方面和優(yōu)勢將變得更加明顯，或者通過實施本發(fā)明可以獲知本發(fā)明的其它方面和優(yōu)勢。
為了實現(xiàn)上述方面和/或其它方面，一種安裝在陰極射線管(CRT)的后部用于偏轉(zhuǎn)CRT的電子槍射出的電子束的偏轉(zhuǎn)裝置，該偏轉(zhuǎn)裝置包括線圈隔離器，安裝在CRT上；水平偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的內(nèi)側(cè)，具有用于產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場并且具有第一部分半徑的第一部分和用于產(chǎn)生減弱該水平偏轉(zhuǎn)磁場的無用磁場并且具有不同于第一部分半徑的第二部分半徑的第二部分；垂直偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的外側(cè)，產(chǎn)生用于在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)磁場；以及鐵氧體磁心，覆蓋部分垂直偏轉(zhuǎn)線圈以增強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的內(nèi)半徑不同于第一部分的內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑不同于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的第一截面半徑大于第一部分的第二截面。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分截面半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半徑，并且第一分截面半徑不同于第二分截面半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分內(nèi)半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分內(nèi)半徑，并且第一分內(nèi)半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分外半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半徑，并且第一分外半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，其中線圈隔離器包括另一個第一部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分并且具有第一內(nèi)半徑；以及另一個第二部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第二部分并且具有不同于第一內(nèi)半徑的第二內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種安裝在陰極射線管(CRT)的后部用于偏轉(zhuǎn)CRT的電子槍射出的電子束的偏轉(zhuǎn)裝置包括線圈隔離器，安裝在CRT上；水平偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的內(nèi)側(cè)，用于產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場；垂直偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的外側(cè)，具有用于產(chǎn)生在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)磁場并且具有第一部分半徑的第一部分以及用于產(chǎn)生減弱該垂直偏轉(zhuǎn)磁場的無用磁場并且具有不同于第一部分半徑的第二部分半徑的第二部分；以及鐵氧體磁心，覆蓋部分垂直偏轉(zhuǎn)線圈以增強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的內(nèi)半徑不同于第一部分的內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑不同于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的第二截面半徑大于第一部分的第一截面半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分截面半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半徑，并且第一分截面半徑不同于第二分截面半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分內(nèi)半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分內(nèi)半徑，并且第一分內(nèi)半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，第二部分包括位于第一方向的第一分外半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半徑，并且第一分外半徑不同于第二分外半徑。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，其中線圈隔離器包括另一個第一部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分并且具有第一內(nèi)半徑；以及另一個第二部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第二部分并且具有不同于第一內(nèi)半徑的第二內(nèi)半徑。
圖9是示出電子束根據(jù)圖1所示傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的水平偏轉(zhuǎn)線圈的電流的掃描情況的示意圖；圖10是示出圖1所示傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置1的水平偏轉(zhuǎn)線圈的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象的示意圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的偏轉(zhuǎn)裝置的剖視圖；圖12是圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的線圈隔離器和水平偏轉(zhuǎn)線圈的部件分解圖；圖13A、13B以及13C分別是線圈隔離器的剖視圖、水平偏轉(zhuǎn)線圈的剖視圖以及水平偏轉(zhuǎn)線圈的平面圖；圖14是沿圖3B所示j-j′線的剖視圖；圖15是沿圖3B所示k-k′線的剖視圖；圖16A和1 6B是示出圖13A、13B以及13C所示偏轉(zhuǎn)裝置的水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分和第二部分分別產(chǎn)生的磁場的示意圖；圖17是示出圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象的示意圖；圖18A和18B分別示出根據(jù)傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置和圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的內(nèi)徑的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象；圖19A和19B分別示出根據(jù)傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置和圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的外徑的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象；圖20是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的偏轉(zhuǎn)裝置的另一種水平偏轉(zhuǎn)線圈的剖視圖；以及圖21是沿圖20所示m-m′線和沿n-n′線的剖視圖。
以下將結(jié)合


陰極射線管(CRT)內(nèi)的偏轉(zhuǎn)裝置的實施例。
圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的偏轉(zhuǎn)裝置的剖視圖，圖12是圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置100的線圈隔離器80和水平偏轉(zhuǎn)線圈70的部件分解圖，圖13A、13B以及13C分別是線圈隔離器80的剖視圖、水平偏轉(zhuǎn)線圈70的剖視圖以及水平偏轉(zhuǎn)線圈70的平面圖。
圖14是沿圖13B所示j-j′線的剖視圖，圖15是沿圖13B所示k-k′線的剖視圖。
盡管圖11至圖15示出表示產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場的水平偏轉(zhuǎn)線圈70的偏轉(zhuǎn)線圈，但是省略解釋垂直偏轉(zhuǎn)線圈90，因為水平偏轉(zhuǎn)線圈70與垂直偏轉(zhuǎn)線圈90具有同樣結(jié)構(gòu)和運行過程。水平偏轉(zhuǎn)線圈70和垂直偏轉(zhuǎn)線圈90統(tǒng)稱為偏轉(zhuǎn)線圈。
如圖11所示，偏轉(zhuǎn)裝置100是鞍一鞍形的，具有水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈，水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈由繞線架上的繞線線圈構(gòu)成。偏轉(zhuǎn)裝置100是對稱的，并且包括形成在集成體內(nèi)的部分的線圈隔離器80。
偏轉(zhuǎn)裝置100包括水平偏轉(zhuǎn)線圈70，安裝在線圈隔離器80的內(nèi)側(cè)以產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場；以及垂直偏轉(zhuǎn)線圈90，安裝在線圈隔離器80的外側(cè)以產(chǎn)生垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
偏轉(zhuǎn)裝置100進一步包括鐵氧體磁心95，它形成在垂直偏轉(zhuǎn)線圈90的外表面上以增強分別由水平偏轉(zhuǎn)線圈70和垂直偏轉(zhuǎn)線圈90產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
在圖12至圖13C中，水平偏轉(zhuǎn)線圈70和線圈隔離器80包括靠近CRT屏幕的后部(未示出)安裝的屏幕部分210。
延伸部分200從屏幕部分210向著CRT的向后方向延伸，并產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場。
延伸部分200包括喇叭形部分220，在CRT的軸向具有喇叭形曲線；以及第一部分250，具有與電子槍的外徑相同的內(nèi)徑，以便將延伸部分200的第一部分250安裝到電子槍的外側(cè)圓周表面上。
第二部分300從延伸部分200的第一部分250開始延伸，并產(chǎn)生對水平偏轉(zhuǎn)線圈70產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場無用的第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
第二部分300被稱為頸狀彎曲部分，因為第二部分被設(shè)置在(插入)與CRT的電子槍形成在一起的頸部。
水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300不產(chǎn)生對在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場有用的磁場，但是產(chǎn)生無用磁場(第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場)。因此，將第二部分300定義為(稱為)無效彎曲部分。
第二部分300的半徑大于第一部分250的半徑以弱化所產(chǎn)生的無用第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場，從而延長電子束轟擊頸部(BSN)距離，這與現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置具有同樣意義。
通過壓低第二部分300或第一部分250的正面上部，第二部分300的截面大于第一部分250的截面。水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300可以在水平偏轉(zhuǎn)線圈70的徑向向外延伸以比第一部分250具有更大截面。
水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分250與傳統(tǒng)水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分不同之處在于深度d，因為第二部分300的正面上部被壓低，如圖13B所示。
線圈隔離器80的第一部分250與水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分250的正面上部具有同樣深度d。
所形成的水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分250的半徑比傳統(tǒng)水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分的半徑小深度d，并且所形成的水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300的半徑比傳統(tǒng)水平偏轉(zhuǎn)線圈的第二部分的半徑大間隙T，如圖13B所示。
在設(shè)計偏轉(zhuǎn)裝置100過程中，考慮到裕度，間隙T約為0.05-0.5mm 。
在集成單體或單片單體(monolithic single body)內(nèi)對具有上述結(jié)構(gòu)的線圈隔離器80和水平偏轉(zhuǎn)線圈70與屏幕部分210形成屏幕部分210和第二部分300。
如圖14和15所示，利用截面的內(nèi)半徑和外半徑的平均值計算截面的平均(剖面)半徑R。
圖15詳細示出水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300的截面半徑R，并且由于根據(jù)截面半徑R，以形成水平偏轉(zhuǎn)線圈70的同樣方式形成線圈隔離器80，所以省略對線圈隔離器80做說明。
水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分的上部的截面半徑R比第一部分25的上部截面半徑大間隙T。
第二部分300具有分別在水平方向和垂直方向上的內(nèi)半徑DL和DSO，以及分別在水平方向和垂直方向上的外半徑FL和FSO，它們均比圖14所示的第一部分分別在水平方向和垂直方向上的內(nèi)半徑DL和DSO，以及分別在水平方向和垂直方向上的外半徑FL和FSO大間隙T，其截面半徑R也比第一部分的截面半徑大間隙T。第二部分300還可以具有水平方向和垂直方向上的內(nèi)半徑DL或DSO以及水平方向和垂直方向上的外半徑FL或FSO，它們比圖14所示的第一部分的水平方向和垂直方向上的內(nèi)半徑DL或DSO以及水平方向和垂直方向上的外半徑FL或FSO大間隙T。
第二部分300的截面半徑R的值是內(nèi)半徑DL或DSO+T與外半徑FL或FSO+T的平均值。
第二部分300的截面半徑R以及內(nèi)半徑DL或DSO和外半徑FL或FSO均增加間隙T。因此，內(nèi)半徑DSO變成DSO+T，外半徑FSO變成FSO+T。
垂直方向上的截面半徑R和內(nèi)半徑以及外半徑DL、DSO、FL、FSO大于水平方向上的截面半徑R和內(nèi)半徑以及外半徑DL、DSO、FL、FSO。
水平方向上的截面半徑R和內(nèi)半徑以及外半徑DL、DSO、FL、FSO不同于垂直方向的截面半徑R以及內(nèi)半徑和外半徑DL、DSO、FL、FSO。
在偏轉(zhuǎn)裝置100與CRT的電子槍組合在一起時，第二部分300(頸部彎曲部分)與電子槍的外側(cè)圓周表面隔離開，并且對于電子槍發(fā)出的電子束，第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場被弱化。
線圈隔離器80與水平偏轉(zhuǎn)線圈70具有同樣結(jié)構(gòu)和形狀，并且具有分別對應于截面半徑R以及內(nèi)半徑和外半徑DL、DSO、FL、FSO的另一個截面半徑和另一個內(nèi)半徑和外半徑。
線圈隔離器80的第二部分300的另一個截面半徑以及另一個內(nèi)半徑和外半徑均增加間隙T。
垂直方向上的線圈隔離器80的另一個截面半徑以及內(nèi)半徑和外半徑大于水平方向上的線圈隔離器80的另一個截面半徑以及內(nèi)半徑和外半徑。
水平方向上的線圈隔離器80的另一個截面半徑以及另一個內(nèi)半徑和外半徑不同于垂直方向上的線圈隔離器80的另一個截面半徑以及另一個內(nèi)半徑和外半徑。
因此，在一個集成單體內(nèi)，水平偏轉(zhuǎn)線圈70的相應第一部分150和第二部分300可以與線圈隔離器80組合在一起，因為水平偏轉(zhuǎn)線圈70的結(jié)構(gòu)與線圈隔離器80的結(jié)構(gòu)相同。
垂直偏轉(zhuǎn)線圈90可以與線圈隔離器80和水平偏轉(zhuǎn)線圈70具有同樣結(jié)構(gòu)，具有分別與截面半徑以及內(nèi)半徑和外半徑DL、DSL、FL、FSO對應的另一個截面半徑以及另一個內(nèi)半徑和外半徑。所構(gòu)造的垂直偏轉(zhuǎn)線圈90具有在水平方向與在垂直方向不同的另一個截面半徑以及另一個內(nèi)半徑和外半徑，以弱化垂直偏轉(zhuǎn)線圈90的另一個第二部分300產(chǎn)生的第二水平偏轉(zhuǎn)磁場，從而延長BSN距離。
利用安裝在線圈隔離器80的內(nèi)側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈70構(gòu)造的偏轉(zhuǎn)裝置100的后部顯示的間隔對應于圖11所示間隙T。間隙在從最上側(cè)到右側(cè)和左側(cè)的方向變窄。在電子槍與偏轉(zhuǎn)裝置100的水平偏轉(zhuǎn)線圈70之間的間隔內(nèi)設(shè)置材料層，并且該材料層可以由諸如粘合劑、絕緣體等的材料制成。材料的第一厚度在徑向方向?qū)陂g隙T，而由于變窄的間隙，所以第二厚度小于第一厚度。
因此，在偏轉(zhuǎn)裝置100與CRT的電子槍組合在一起時，電子槍的外表面與偏轉(zhuǎn)裝置100的后部隔離開，并且電子槍還與水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300隔離開對應于間隙T的距離。電子槍射出的電子束被分布的位置距離水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300的距離比傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的此距離遠。
在遠離第二部分300分布電子束時，水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300產(chǎn)生的無用磁場，即第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場對電子束的影響比傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的影響小，從而增加了BSN距離。
根據(jù)對電子束的影響，弱化第二部分300產(chǎn)生的無用磁場。
如果第二部分的正面上部，即第一部分被壓低深度d，則水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分250的內(nèi)半徑和外半徑被縮短，并且電子槍射出的電子束更靠近水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分。根據(jù)對電子束的影響，增強水平偏轉(zhuǎn)磁場。
延伸部分200的第一部分250產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場對電子束的影響更大。
第一部分250更靠近電子束，并且第二部分300更遠離電子束。因此，第一部分250產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場被增強，而第二部分300產(chǎn)生的無用磁場被減弱。
如果水平偏轉(zhuǎn)磁場被增強，則改善對電子束的水平偏轉(zhuǎn)，并延長BSN距離(延伸)，因為減弱了的無用磁場(減弱的第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場)。
垂直偏轉(zhuǎn)線圈90可以具有其截面半徑互相不同的另一個第一部分和另一個第二部分，而在減弱第二水平偏轉(zhuǎn)磁場(無用磁場)時，另一個第一部分的垂直偏轉(zhuǎn)磁場被增強。因此，可以改善對電子束的垂直偏轉(zhuǎn)，并同時延長BSN距離。
偏轉(zhuǎn)裝置100可以具有水平偏轉(zhuǎn)線圈70，作為水平偏轉(zhuǎn)磁場發(fā)生器；以及垂直偏轉(zhuǎn)線圈90，線圈纏繞在鐵氧體磁心95上，鐵氧體磁心95安裝在線圈隔離器80的外表面上。
偏轉(zhuǎn)裝置100可以是鞍-環(huán)形的，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈70是鞍形的，而垂直偏轉(zhuǎn)線圈90是環(huán)形的。
由于鞍-環(huán)形偏轉(zhuǎn)裝置的偏轉(zhuǎn)線圈與偏轉(zhuǎn)裝置100具有同樣結(jié)構(gòu)和工作過程，所以省略對鞍-環(huán)形偏轉(zhuǎn)裝置做說明。
圖16A和16B是示出圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置1的水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第一部分250和第二部分300分別產(chǎn)生的磁場的示意圖。
作為針(pin)形磁場的水平偏轉(zhuǎn)磁場B1是第一部分250根據(jù)輸入電流產(chǎn)生的，水平偏轉(zhuǎn)磁場B1在Y方向偏轉(zhuǎn)電子束，并且第一部分250根據(jù)水平偏轉(zhuǎn)磁場B1和以電子束的反向流過的反向電流，在X方向產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)力F1。
由于如上所述第一部分250的內(nèi)半徑被減小了深度d，所以第一部分250與電子束之間的距離被縮短，并且與傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置相比，更增強了水平偏轉(zhuǎn)力F1。
在第二部分300內(nèi)，電流I在X方向向右流動。盡管由于該電流第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場在Y方向，但是與傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置相比，第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場對電子束的影響更小，因為在電子槍的上表面與第二部分300的下表面之間形成與間隙T對應的間隔。
因此，第一部分250產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場更強，而第二部分300產(chǎn)生的第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場不影響電子束在第二部分300內(nèi)的路徑。
圖17是示出圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置1的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象的示意圖。不靠近CRT的背面安裝偏轉(zhuǎn)裝置100，而是向后向著電子槍移動它以與CRT的電子槍連接在一起以調(diào)整會聚。
由于電子束GB在形成在偏轉(zhuǎn)裝置100的后部的第二部分300內(nèi)以平行于CRT軸向方向的直線方向移動，所以BSN距離向CRT的最后面延伸。
虛線是傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置對電子束產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)路徑，并且電子束在第二部分300內(nèi)因為無用磁場，例如第二部分300產(chǎn)生的第二垂直偏轉(zhuǎn)磁場而開始偏轉(zhuǎn)，并轟擊CRT的電子槍2b的內(nèi)側(cè)。
實線是偏轉(zhuǎn)裝置100對電子束產(chǎn)生的另一個偏轉(zhuǎn)路徑，在第二部分300內(nèi)，第二偏轉(zhuǎn)磁場不對電子束GB產(chǎn)生影響，而是沿直線方向向前，并且該電子束GB在第一部分內(nèi)因為第一部分250產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)力F1而被迅速偏轉(zhuǎn)，而且該電子束GB可以到達對應于屏幕的最上面、最下面、最右面以及最左面的、屏幕上的最大點。
如上所述，第二部分300與電子槍的外表面隔離開，并且第二部分300產(chǎn)生的無用磁場對電子束GB不產(chǎn)生影響，而且電子束GB可以在第二部分300內(nèi)保持直線。
然而，在通過第二部分300后，電子束GB在第一部分250內(nèi)根據(jù)第一部分250產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場被迅速偏轉(zhuǎn)。
電子束GB的偏轉(zhuǎn)點不是位于第二部分300內(nèi)，而是位于第一部分250內(nèi)。
可以延長偏轉(zhuǎn)裝置100的BSN距離，因為電子束GB在第二部分300內(nèi)不被偏轉(zhuǎn)。
即使BSN距離被延長，電子束GB仍可以到達屏幕上的最大點。
即使將在傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置內(nèi)消耗的同樣電流輸入到偏轉(zhuǎn)裝置100，電子束GB仍可以到達屏幕上的最大點，并且可以改善偏轉(zhuǎn)敏感性，因為偏轉(zhuǎn)敏感性值被降低。
因為被縮小了內(nèi)半徑的第一部分增強的偏轉(zhuǎn)磁場嚴重影響電子束GB，所以可以根據(jù)第一部分150的磁場，減小送入偏轉(zhuǎn)裝置100的消耗電流，從而改善偏轉(zhuǎn)裝置100的偏轉(zhuǎn)敏感性。
圖18A和18B分別示出根據(jù)傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置和圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的內(nèi)徑的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象，圖19A和19B分別示出根據(jù)傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置和圖11所示偏轉(zhuǎn)裝置的外徑的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN現(xiàn)象。
在圖18A中，在傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的偏轉(zhuǎn)線圈的內(nèi)徑為15.8mm時，偏轉(zhuǎn)敏感性為13.9，而相應BSN距離的BSN值為5.1。
在圖18B中，根據(jù)本發(fā)明實施例，在偏轉(zhuǎn)裝置100的偏轉(zhuǎn)線圈的內(nèi)徑為15.8mm時，偏轉(zhuǎn)敏感性為13，而相應BSN距離的BSN值為5.12。
根據(jù)上圖，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)裝置100顯示了改善的偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN距離。
在圖19A中，在傳統(tǒng)偏轉(zhuǎn)裝置的偏轉(zhuǎn)線圈的外徑為18.4mm時，偏轉(zhuǎn)敏感性為13.9，而相應BSN距離的BSN值為5.1。
在圖19B中，根據(jù)本發(fā)明實施例，在偏轉(zhuǎn)裝置100的偏轉(zhuǎn)線圈的外徑為18.4mm時，偏轉(zhuǎn)敏感性為13，而相應BSN距離的BSN值為5.12。
根據(jù)涉及外徑的上圖，根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)裝置100與偏轉(zhuǎn)裝置100的內(nèi)徑具有同樣效果。偏轉(zhuǎn)敏感性和BSN距離也得到了改善。
相反，在水平方向而不在垂直方向加大水平偏轉(zhuǎn)線圈70的第二部分300的內(nèi)半徑和外半徑以延長BSN距離，如圖20和21所示。
圖20是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的偏轉(zhuǎn)裝置100的另一種水平偏轉(zhuǎn)線圈的剖視圖，圖21是沿圖20所示m-m′線和沿n-n′線的剖視圖。圖20和21示出水平偏轉(zhuǎn)線圈70′，而且省略對垂直偏轉(zhuǎn)線圈做解釋，因為水平偏轉(zhuǎn)線圈與垂直偏轉(zhuǎn)線圈具有同樣結(jié)構(gòu)和工作過程。
如圖20和21所示，與圖12和圖13c所示的水平偏轉(zhuǎn)線圈70類似的水平偏轉(zhuǎn)線圈70′包括屏幕部分210′；延伸部分，具有從屏幕部分開始延伸的喇叭形部分220′和從喇叭形部分220′開始延伸的第一部分；以及第二部分300，在一個集成單體內(nèi)與延伸部分200形成在一起。
第一部分250′和第二部分300′的半徑不同，并且第二部分300′的截面半徑大于第一部分250′的截面半徑。
第二部分300′在水平方向(左面和右面)的截面半徑大于在垂直方向(上面)的截面半徑。
通過壓低第二部分300′的正面上部，第二部分300′的左面和右面的截面半徑大于第二部分300′的上面的截面半徑。將水平偏轉(zhuǎn)線圈70′的第一部分250′的內(nèi)半徑和外半徑減小深度d以根據(jù)第一部分250′的內(nèi)半徑和外半徑的減小增強水平偏轉(zhuǎn)磁場。
水平偏轉(zhuǎn)線圈70′的左面與右面半徑的加大部分被表示為間隙T。
在第二部分300′的截面半徑大于第一部分250′的截面半徑時，第二部分300′的內(nèi)表面設(shè)置在離開第一部分250′的外表面某個距離的位置，并因為第二部分300′產(chǎn)生的第二偏轉(zhuǎn)磁場對電子束的影響小，所以延長BSN距離。
因為在第二部分300′內(nèi)不對電子束產(chǎn)生影響，而在第一部分250′內(nèi)對電子束產(chǎn)生影響，所以延長了BSN距離。
由于第二偏轉(zhuǎn)磁場不對電子束產(chǎn)生影響，所以在第二部分300′內(nèi)電子束沿直線向前移動，而因為第一部分250′的水平偏轉(zhuǎn)磁場，該電子束在第一部分250′內(nèi)被迅速偏轉(zhuǎn)并到達屏幕上的最大點。
所構(gòu)造的線圈隔離器80的第二部分300′與水平偏轉(zhuǎn)線圈70′的第二部分300′對應。因此，省略對線圈隔離器80做解釋。
如上所述，即為了調(diào)整會聚使偏轉(zhuǎn)裝置100向后向著電子槍2b移動，仍可以減弱偏轉(zhuǎn)裝置100的后部產(chǎn)生的無用磁場，并且通過使電子束避免受到該無用磁場的影響而延長了BSN距離。
此外，使電子束掃描到屏幕上的最大點所使用的消耗電流數(shù)量較少，而且可以改善偏轉(zhuǎn)敏感性。
由于電子束GB到達屏幕2a上的最大點，所以可以將屏幕圖像顯示在屏幕2a上，而且可以避免在電子束GB未完全偏轉(zhuǎn)到屏幕2a時產(chǎn)生的缺陷。
可以使偏轉(zhuǎn)裝置100傾斜，因為第二部分300、300′具有加大的內(nèi)半徑和外半徑以及截面半徑，而且可以改善制造過程。根據(jù)偏轉(zhuǎn)裝置的偏轉(zhuǎn)敏感性，可以擴大電子束的掃描寬度，從而提高偏轉(zhuǎn)裝置的產(chǎn)品質(zhì)量。
盡管已經(jīng)示出并說明了本發(fā)明的幾個優(yōu)選實施例，但是，顯然，本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員可以在本發(fā)明實質(zhì)原理范圍內(nèi)對這些實施例進行各種變更，本發(fā)明范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種安裝在陰極射線管(CRT)的后部用于偏轉(zhuǎn)CRT的電子槍射出的電子束的偏轉(zhuǎn)裝置，該偏轉(zhuǎn)裝置包括線圈隔離器，安裝在CRT上；水平偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的內(nèi)側(cè)，具有第一部分，用于產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場并且具有第一部分半徑；第二部分，用于產(chǎn)生減弱該水平偏轉(zhuǎn)磁場的無用磁場并且具有不同于第一部分半徑的第二部分半徑；垂直偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的外側(cè)，產(chǎn)生用于在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)磁場；以及鐵氧體磁心，覆蓋部分垂直偏轉(zhuǎn)線圈以增強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分和第二部分包括內(nèi)半徑，其中第二部分的內(nèi)半徑不同于第一部分的內(nèi)半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的內(nèi)半徑大于第一部分的內(nèi)半徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分內(nèi)半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分內(nèi)半徑，并且第一分內(nèi)半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分和第二部分包括外半徑，其中第二部分的外半徑不同于第一部分的外半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分外半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半徑，并且第一分外半徑不同于第二分外半徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分截面半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半徑，并且第一分內(nèi)半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的截面半徑大于第一部分的截面半徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中線圈隔離器包括另一個第一部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分并且具有第一內(nèi)半徑；以及另一個第二部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第二部分并且具有不同于第一內(nèi)半徑的第二內(nèi)半徑。
11.一種安裝在陰極射線管(CRT)的后部用于偏轉(zhuǎn)CRT的電子槍射出的電子束的偏轉(zhuǎn)裝置，該偏轉(zhuǎn)裝置包括線圈隔離器，安裝在CRT上；水平偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的內(nèi)側(cè)，用于產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場；垂直偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的外側(cè)，具有第一部分，用于產(chǎn)生在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)磁場并且具有第一部分半徑；第二部分，用于產(chǎn)生減弱該垂直偏轉(zhuǎn)磁場的無用磁場并且具有不同于第一部分半徑的第二部分半徑；以及鐵氧體磁心，覆蓋部分垂直偏轉(zhuǎn)線圈以增強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分和第二部分包括內(nèi)半徑，其中第二部分的內(nèi)半徑不同于第一部分的內(nèi)半徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分內(nèi)半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分內(nèi)半徑，并且第一分內(nèi)半徑不同于第二分內(nèi)半徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分和第二部分包括外半徑，其中第二部分的外半徑不同于第一部分的外半徑。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的外半徑大于第一部分的外半徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分外半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半徑，并且第一分外半徑不同于第二分外半徑。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分截面半徑和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半徑，并且第一分截面半徑不同于第二分截面半徑。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中第二部分的截面半徑大于第一部分的截面半徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的偏轉(zhuǎn)裝置，其中線圈隔離器包括另一個第一部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第一部分并且具有第一內(nèi)半徑；以及另一個第二部分，對應于水平偏轉(zhuǎn)線圈的第二部分并且具有不同于第一內(nèi)半徑的第二內(nèi)半徑。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種安裝在陰極射線管(CRT)的后部用于偏轉(zhuǎn)CRT的電子槍射出的電子束的偏轉(zhuǎn)裝置，該偏轉(zhuǎn)裝置包括線圈隔離器，安裝在CRT上；水平偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的內(nèi)側(cè)，具有用于產(chǎn)生在水平方向偏轉(zhuǎn)電子束的水平偏轉(zhuǎn)磁場并且具有第一部分半徑的第一部分以及用于產(chǎn)生減弱該水平偏轉(zhuǎn)磁場的無用磁場并且具有不同于第一部分半徑的第二部分半徑的第二部分；垂直偏轉(zhuǎn)線圈，安裝在線圈隔離器的外側(cè)，產(chǎn)生用于在垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的垂直偏轉(zhuǎn)磁場；以及鐵氧體磁心，覆蓋部分垂直偏轉(zhuǎn)線圈以增強水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場。由于第二部分的磁場被減弱，所以電子束轟擊頸部(BSN)距離被改善，并且改善了偏轉(zhuǎn)敏感性。
文檔編號H01J29/76GK1467780SQ0215983
公開日2004年1月14日 申請日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月11日
發(fā)明者林昶周, 金在丁, 崔煥碩 申請人:三星電機株式會社