專利名稱：降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管場顯示器件，特別是采用浸漬陰極的大尺寸、高亮度彩色顯像管中降低陰極發(fā)射跌落并降低其對白場平衡影響的生產(chǎn)工藝技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前，彩色顯像管的發(fā)展趨勢是大尺寸、高分辨率、高亮度，以實(shí)現(xiàn)高清晰度顯示的要求。為滿足這些要求，希望顯像管的陰極能夠提供高的發(fā)射電流密度，在比較小的發(fā)射面積里能夠滿足高發(fā)射電流的要求。目前普通顯像管中為降低成本，一般采用氧化物陰極(O陰極)，氧化物陰極的電流密度可以達(dá)到3A/cm2，滿足普通29英寸顯像管對電流密度的要求。對于更大尺寸和更高亮度的高端電視應(yīng)用，氧化物陰極的發(fā)射電流密度就難以滿足需要，一般采用浸漬陰極(I陰極)，浸漬陰極的發(fā)射電流密度可以達(dá)到9A/cm2以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過氧化物陰極，可以滿足大尺寸、高亮度顯示的要求。
但是浸漬陰極的一個(gè)不足之處是離子轟擊對陰極發(fā)射的影響很大，容易造成陰極發(fā)射的跌落。在彩色顯像管中，由于自會(huì)聚的要求，在電子槍靠近陰極的三極管部位對于邊束有一個(gè)會(huì)聚彎曲，而對于中束沒有這個(gè)彎曲。當(dāng)陰極有電子發(fā)射時(shí)，電子與管內(nèi)殘余氣體分子碰撞，產(chǎn)生帶電離子并在電場作用下向陰極加速運(yùn)動(dòng)。對于邊束，由于離子重量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子的重量，因此會(huì)聚彎曲對離子的作用相對于對電子的作用比較弱，這使得離子轟擊邊束陰極的位置在陰極的邊緣；而對中束由于沒有會(huì)聚彎曲，離子將轟擊中束陰極的中心部位。由于陰極中心部位是發(fā)射最有效的部位，因此離子的轟擊將使中束陰極的發(fā)射跌落大于邊束陰極。在使用過程中，由于電子轟擊等造成的材料放氣，使管內(nèi)離子對陰極的轟擊加劇，陰極發(fā)射的跌落不平衡是整機(jī)工廠白場調(diào)整后產(chǎn)生顯示圖像變色的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
1、技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種在磁場老煉工藝中，可以使該器件中真空度提高，并且不損害器件中的材料特性和器件性能降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法。
2、技術(shù)方案本發(fā)明的降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法，其特征在于對陰極射線管老煉的過程中，對陰極射線管的陰極加電壓，使其發(fā)射電子，同時(shí)，在陰極射線管外的電子槍部位向管內(nèi)施加外磁場，使電子槍發(fā)射的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使電子轟擊管內(nèi)元件表面產(chǎn)生材料放氣，用管內(nèi)的消氣劑吸收該材料放氣，同時(shí)使發(fā)射的電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞電離所產(chǎn)生的離子轟擊電極或陰極中心以外的區(qū)域。對陰極射線管所施加的外磁場為交流磁場，使電子槍金屬部件產(chǎn)生渦流發(fā)熱，形成材料的熱除氣。
在顯像管1老練過程中，對電子槍部位施加磁場，三個(gè)陰極發(fā)射的電子束在磁場的作用下產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，電子束轟擊管內(nèi)部件使材料放氣。當(dāng)電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞使氣體分子電離，形成氣體離子。氣體離子在電場和磁場的作用下向陰極方向運(yùn)動(dòng)，并轟擊到電子槍電極或陰極上。一般情況下，由于離子的質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子質(zhì)量，磁場對離子軌跡的影響相對老煉練過程中電場對它的影響要弱很多，基本可以忽略。但由于磁場的作用，三束電子的運(yùn)動(dòng)軌跡發(fā)生改變，將使離子產(chǎn)生的位置發(fā)生改變，這可以使轟擊陰極的離子，特別是轟擊中束陰極中心位置的離子數(shù)目大大減少，從而在老煉過程中起到保護(hù)陰極的作用。在電子槍中，G1，G2和G3a電極片一般采用導(dǎo)磁材料制成，由于磁屏蔽作用，使得直流磁場無法形成對電子的偏轉(zhuǎn)作用。但磁性材料的磁導(dǎo)率與外加磁場的頻率有關(guān)，高頻情況下磁性材料的磁導(dǎo)率將降低，磁屏蔽作用減弱或消失，因此在磁場老練工藝中考慮采用高頻交流磁場對電子束進(jìn)行偏轉(zhuǎn)。采用交流磁場的另外的好處是可以對更大范圍的部件進(jìn)行除氣，同時(shí)電子槍金屬部件在交流磁場的作用下形成渦流加熱除氣，材料放出的氣體可以被消氣劑吸收，降低了管內(nèi)的殘余氣體量，降低顯像管正常工作時(shí)的離子轟擊水平，達(dá)到降低發(fā)射跌落的目的。
3、有益效果本發(fā)明的降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法。提供了一種在磁場老煉工藝中，使該器件中真空度提高，并且不損害器件中的材料特性和器件性能的方法，由于磁場的作用，三束電子的運(yùn)動(dòng)軌跡發(fā)生改變，將使離子產(chǎn)生的位置發(fā)生改變，這可以使轟擊陰極的離子，特別是轟擊中束陰極中心位置的離子數(shù)目大大減少，從而起到降低陰極發(fā)射跌落的作用。采用交流磁場的另外的好處是可以對更大范圍的部件進(jìn)行除氣，同時(shí)電子槍金屬部件在交流磁場的作用下形成渦流加熱除氣，材料放出的氣體可以被消氣劑吸收，降低了管內(nèi)的殘余氣體量，降低顯像管正常工作時(shí)的離子轟擊水平，達(dá)到降低發(fā)射跌落的目的。
四

圖1是本發(fā)明電子槍中電子離子運(yùn)動(dòng)路徑的示意圖。
圖2是本發(fā)明磁場老煉示意圖。
五具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法，其特征在于在對陰極射線管老煉的過程中，對陰極射線管的陰極加電壓，使其發(fā)射電子，同時(shí)，在陰極射線管外的電子槍部位向管內(nèi)施加外磁場，使電子槍發(fā)射的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使電子轟擊管內(nèi)元件表面產(chǎn)生材料放氣，用管內(nèi)的消氣劑吸收該材料放氣，同時(shí)使發(fā)射的電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞電離產(chǎn)生的離子轟擊電極或陰極中心以外的區(qū)域。對陰極射線管的陰極施加的電壓為交流電壓，使電子槍金屬部件產(chǎn)生渦流發(fā)熱，形成材料的熱放氣。
改進(jìn)顯像管的老煉工藝，在老煉過程中使管內(nèi)部件放氣，并盡可能地減小老煉過程中離子對陰極的轟擊，從而減小離子轟擊造成的正常使用中的發(fā)射跌落。在顯像管老煉過程中，對電子槍部位施加磁場，三個(gè)陰極發(fā)射的電子束在磁場的作用下產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，電子束轟擊管內(nèi)部件使材料放氣。當(dāng)電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞使氣體分子電離，形成氣體離子。氣體離子在電場和磁場的作用下向陰極方向運(yùn)動(dòng)，并轟擊到電子槍電極或陰極上。一般情況下，由于離子的質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子質(zhì)量，磁場對離子軌跡的影向相對老煉過程中電場對它的影響要弱很多，基本可以忽略。但由于磁場的作用，三束電子的運(yùn)動(dòng)軌跡發(fā)生改變，將使離子產(chǎn)生的位置發(fā)生改變，這可以使轟擊陰極的離子，特別是轟擊中束陰極中心位置的離子數(shù)目大大減少，從而起到降低陰極發(fā)射跌落的作用。同時(shí)由于材料放出氣可以被消氣劑吸收、轟擊到電極上的離子可以被電極捕獲，因此可以有效降低管內(nèi)殘余氣體水平，同樣達(dá)到降低離子轟擊造成的陰極發(fā)射跌落的作用
權(quán)利要求
1.一種降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法，其特征在于在對陰極射線管老煉的過程中，對陰極射線管的陰極加電壓，使其發(fā)射電子，同時(shí)，在陰極射線管外的電子槍部位向管內(nèi)施加外磁場，使電子槍發(fā)射的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使電子轟擊管內(nèi)元件表面產(chǎn)生材料放氣，用管內(nèi)的消氣劑吸收該材料放氣，同時(shí)使發(fā)射的電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞電離產(chǎn)生的離子轟擊電極或陰極中心以外的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法，其特征在于陰極射線管施加的外磁場為交流磁場，使電子槍金屬部件產(chǎn)生渦流發(fā)熱，形成材料的熱除氣。
全文摘要
降低陰極發(fā)射跌落和殘余氣體水平的方法涉及采用浸漬陰極的大尺寸、高亮度彩色顯像管中降低陰極發(fā)射跌落并降低其對白場平衡影響的生產(chǎn)工藝技術(shù)。在對陰極射線管老煉的過程中，對陰極射線管的陰極加電壓，使其發(fā)射電子，同時(shí)，在陰極射線管外的電子槍部位向管內(nèi)施加外磁場，使電子槍發(fā)射的電子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使電子轟擊管內(nèi)元件表面產(chǎn)生材料放氣，用管內(nèi)的消氣劑吸收該材料放氣，同時(shí)使發(fā)射的電子與管內(nèi)的氣體分子發(fā)生碰撞電離所產(chǎn)生的離子轟擊電極或陰極中心以外的區(qū)域。對陰極射線管所施加外磁場為交流磁場，使電子槍金屬部件產(chǎn)生渦流發(fā)熱，形成材料的熱除氣。本發(fā)明可以使該器件中真空度提高，并且不損害器件中的材料特性和器件性能。
文檔編號H01J9/02GK1463020SQ0313189
公開日2003年12月24日 申請日期2003年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月16日
發(fā)明者張曉兵, 童林夙, 雷威 申請人:東南大學(xué)