專利名稱：低壓發(fā)光高壓不打火的變像管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電子成像器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到低壓發(fā)光高壓不打火的變像管及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前廣泛應(yīng)用的微光變像管，能將α射線、β射線、中性粒子以及X射線、真空紫外線、陰極射線等不可見射線圖像增強(qiáng)，并轉(zhuǎn)變成可見圖像。微光變像管的一主要零部件是熒光屏，熒光屏的襯底是光纖面板(FOP)或光學(xué)玻璃，通過沉淀、離心沉降、蒸發(fā)或晶體生長等手段，在襯底上沉積一層熒光粉層，熒光粉層的顆粒度在2.5um以下，光纖面板或光學(xué)玻璃是熒光粉的栽體，能將熒光粉所發(fā)熒光圖像信息，以少量的能力和對(duì)比度損失，提供給輸出端，熒光粉層按電致發(fā)光的原理工作，在高能電子轟擊下，發(fā)出所需的可見光。為了達(dá)到在光纖面板表面既要加載電壓又要透光目的，目前在光纖面板或光學(xué)玻璃表面熒光粉層上采用真空蒸鍍的方法鍍制厚度約為1000厚的鋁膜層作為電極，電極構(gòu)成電子束器件中的陽極，用于消除熒光粉層(電介質(zhì))上的電子電荷積累，確保電子光學(xué)系統(tǒng)陽極區(qū)電位不致于發(fā)生畸變，鋁膜層是透電子而不透光子的反射膜，使發(fā)回陰極方向的熒光反回，從而提高了熒光屏發(fā)光亮度，鋁膜層阻擋了反回陰極的熒光，消除了熒光屏所造成的光致背景，改善了器件的成像對(duì)比度。這種鋁膜電極存在以下缺點(diǎn)1)由于熒光粉層與鋁膜層之間有間隙，間隙的原因是光纖面板表面不平，在表面不平的光纖面板上制作了熒光粉層，在熒光粉層上滴有機(jī)膜，再在有機(jī)膜上鍍導(dǎo)電鋁膜，此時(shí)的鋁膜層處于懸空狀態(tài)而強(qiáng)度低，局部接觸電阻發(fā)生變化，在使用中易發(fā)生鋁膜電極打火現(xiàn)象，一旦微光變像管發(fā)生鋁膜電極打火，鋁膜層被撕裂，破壞了微光變像管的結(jié)構(gòu)，使得微光變像管再無法使用；2)鋁膜層的透光率較低，一般只有10～20％，甚至更低，在電壓低的時(shí)候圖像的亮度完全被鋁層吸收。
此外，上述的微光變像管鋁膜電極與微通道板的距離比較大，微光變像管在工作時(shí)電子加速運(yùn)動(dòng)的距離增大，熒光屏到微通道板的電子彌散增加，微光變像管的空間分辨率降低，鋁膜層的電阻率低、平均透光率低，在低電壓時(shí)，熒光屏上圖像的清晰度差，使圖像失真。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的一個(gè)技術(shù)問題在于克服上述微光變像管的缺點(diǎn)，提供一種低壓發(fā)光高壓不打火的變像管。
本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)問題在于提供一種制備低壓發(fā)光高壓不打火的變像管的方法。
解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是在變像管殼體內(nèi)的下部設(shè)置有光纖面板或光學(xué)玻璃、上部設(shè)置有微通道板，在光纖面板或光學(xué)玻璃的上表面設(shè)置有在其上表面覆蓋有一層熒光粉層的導(dǎo)電膜，在微通道板的微通道板輸入面上設(shè)置有光電陰極，熒光粉層的上表面與微通道板的微通道板輸出面的距離為200～800μm。
本發(fā)明的導(dǎo)電膜為透明導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜的厚度為0.3～0.5μm。本發(fā)明的熒光粉層的厚度為100～150μm。
本發(fā)明的制備方法包括下述步驟(1)加工光纖面板按熒光屏襯底的幾何尺寸要求加工光纖面板，對(duì)光纖面板進(jìn)行雙面拋光。
(2)導(dǎo)電膜的制備a.配置導(dǎo)電膜溶液稱取22～30g的SnCl4·5H2O于燒杯中，加入體積比為8∶1～12∶1的H2O和CH3OH混和液至固體剛好溶解，再加入1g～6g NH4F水溶液，攪拌均勻，配置成導(dǎo)電膜溶液，倒入超聲霧化發(fā)生器內(nèi)。
b.導(dǎo)電膜的制備工藝將光纖面板放入真空加熱爐，打開真空加熱爐的電源開關(guān)，升溫到380℃～450℃，對(duì)光纖面板加熱，移動(dòng)超聲霧化發(fā)生器的霧化噴嘴，使霧化噴嘴與光纖面板間的距離為6～12mm，開啟步進(jìn)電機(jī)和超聲霧化器，步進(jìn)電機(jī)行進(jìn)速度為0.5m/s～2.5m/s、霧化量為1800dm3h-1～2500dm3h-1及載氣氣壓為1.2×105Pa～2.0×105Pa，超聲霧化發(fā)生器的壓電陶瓷換能器產(chǎn)生超聲振動(dòng)將所配制好的導(dǎo)電膜溶液霧化，由載氣攜帶至超聲霧化器的噴嘴，在步進(jìn)電機(jī)的控制下，導(dǎo)電膜溶液霧滴被均勻地噴到被加熱的光纖面板襯底上，在380℃～450℃高溫下，導(dǎo)電膜溶液在襯底上發(fā)生化學(xué)CVD反應(yīng)，即可在襯底上淀積出均勻的SnO2:F薄膜，關(guān)閉真空加熱爐的電源開關(guān)，真空加熱爐冷卻至室溫，取出光纖面板。
(3)導(dǎo)電膜熒光屏的制備a.用洗潔劑或去污粉清洗光纖面板，然后放入熒光屏制備罐內(nèi)。
b.配置熒光粉液體和熒光屏粉液。
200ml熒光粉液體的配置如下20％K2SiO3溶液40ml熒光粉2.3kg水加至200ml500ml熒光屏粉混合液的配置如下熒光粉液體 20ml4.2％Sr(NO3)2溶液 1.7ml～2.2ml水加至500ml(4)將混合好的熒光屏粉混合液裝入熒光屏制備罐內(nèi)。
(5)用天平稱裝有水的平衡罐和裝有熒光屏混合液的熒光屏制備罐，兩罐的重量相同。
(6)將熒光屏制備罐和平衡罐安裝在離心機(jī)上，打開離心機(jī)電源開關(guān)，用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速從2800轉(zhuǎn)/分鐘上升到3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后再用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)/分鐘，穩(wěn)定3～4分鐘后，關(guān)閉離心機(jī)電源開關(guān)。
(7)取下熒光屏制備罐，用管子吸干凈熒光屏制備罐內(nèi)的水，待熒光粉全部干以后，取出光纖面板1，用干凈的布擦干凈光纖面板1上表面邊沿部位的熒光粉，然后把光纖面板1放入馬福爐進(jìn)行60℃的低溫烘烤。
(8)將20％的K2SiO3溶液直接用過濾紙過濾到培養(yǎng)皿里，熒光屏浸入20％的K2SiO3溶液內(nèi)10秒鐘，然后取出，待熒光屏干后放入馬福爐內(nèi)，在380℃烘烤1小時(shí)，自然冷卻到常溫，從馬福爐中取出。
(9)在微通道板7上真空鍍黃金光電陰極(10)裝配與檢驗(yàn)在變像管殼體8內(nèi)的下部將(3)制備的熒光屏與變像管殼體8焊接，在變像管殼體8內(nèi)的上部安裝微通道板7，熒光屏與微通道板7之間保持距離為200～800μm，抽真空撿漏，按本發(fā)明產(chǎn)品的技術(shù)條件進(jìn)行檢驗(yàn)。
本發(fā)明采用透明導(dǎo)電膜，薄膜方阻小于30Ω/□，透光率大于90％，電阻率低，導(dǎo)電膜與光纖面板表面結(jié)合緊密，從根本上消除了高壓打火現(xiàn)象。透明導(dǎo)電膜均勻，可在CCD相機(jī)上記錄下清晰的圖像。熒光屏與微通道板之間的距離縮短，由于變像管空間距離小，變像管在工作時(shí)電子加速運(yùn)動(dòng)的距離大大縮短，結(jié)果熒光屏到微通道板的電子幾乎沒有彌散，從而變像管的空間分辨率得到了提高。本發(fā)明具有耐酸堿腐蝕、穩(wěn)定性好、電阻率低、平均透光率高、圖像清晰度高、圖像失真小、相機(jī)的分辨率高等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜可替代現(xiàn)有的條紋相機(jī)和微光夜視儀等儀器中的Al薄膜電極。采用本發(fā)明方法制備的本發(fā)明產(chǎn)品，所需設(shè)備簡單、制備工藝簡單、工藝條件易于控制、鍍有導(dǎo)電膜的光纖面板可以反復(fù)使用。


圖1.是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1在圖1中，本實(shí)施例的低壓發(fā)光高壓不打火的變像管是由光纖面板1、導(dǎo)電膜2、熒光粉層3、微通道板輸入面4、光電陰極5、微通道板輸出面6、微通道板7、變像管殼體8聯(lián)接構(gòu)成。
在變像管殼體8內(nèi)的下部安裝有光纖面板1，光纖面板1也可用光學(xué)玻璃板代替，作為襯底，在光纖面板1的上表面采用高溫?zé)峤夥ㄖ谱饔幸粚油该鞯膶?dǎo)電膜2，導(dǎo)電膜2的厚度為0.4μm，導(dǎo)電膜2作為本發(fā)明的陽極。本發(fā)明的這種透明的導(dǎo)電膜2與光纖面板1襯底的結(jié)合緊密，解決了電極在高壓時(shí)的打火現(xiàn)象，使得本發(fā)明具有非常好的耐壓性能，高壓可以從幾千伏提高到幾十千伏，在低電壓時(shí)就提高了圖像的清晰度，減小了圖像的失真，提高了變像管的空間分辨率。導(dǎo)電膜2具有耐酸堿腐蝕、耐摩擦、耐水洗、穩(wěn)定性好、膜層薄等優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)測(cè)試，導(dǎo)電膜2的方阻小于30Ω/□，平均透光率高于90％。在光纖面板1上導(dǎo)電膜2的上表面上鍍一層熒光粉層3，熒光粉層3的材料為P20熒光粉，熒光粉層3的厚度為120μm，電壓在800V時(shí)熒光粉層3開始發(fā)光。熒光粉層3在12～15kv工作場(chǎng)強(qiáng)下，其熒光轉(zhuǎn)換效率為7％～10％，發(fā)光效率為80～1001m/w。在變像管殼體8內(nèi)的上部安裝有微通道板7，熒光粉層3的上表面與微通道板7的微通道板輸出面6的距離為500μm，由于本發(fā)明的熒光粉層3與微通道板7的距離小，使本發(fā)明在工作時(shí)電子加速運(yùn)動(dòng)的距離大大縮短，從熒光粉層3到微通道板7的電子幾乎沒有彌散，提高了本發(fā)明的增益亮度和空間分辨率。在微通道板7的微通道板輸入面4上鍍有光電陰極5，光電陰極5將通過導(dǎo)線與電源負(fù)極相連接。
其制備方法如下(1)加工光纖面板按熒光屏襯底的幾何尺寸要求加工光纖面板1，對(duì)光纖面板1進(jìn)行雙面拋光；(2)導(dǎo)電膜的制備a.配置導(dǎo)電膜溶液稱取25g的SnCl4·5H2O于燒杯中，加入體積比為10∶1的H2O和CH3OH混和液至固體剛好溶解，再加入3g NH4F水溶液，攪拌均勻，配置成導(dǎo)電膜溶液，倒入超聲霧化發(fā)生器內(nèi)；b.導(dǎo)電膜的制備工藝將光纖面板1放入真空加熱爐，打開真空加熱爐的電源開關(guān)，升溫到380℃～450℃，對(duì)光纖面板1加熱，移動(dòng)超聲霧化發(fā)生器的霧化噴嘴，使霧化噴嘴與光纖面板1間的距離為6～12mm，開啟步進(jìn)電機(jī)和超聲霧化器，步進(jìn)電機(jī)行進(jìn)速度為1.5m/s、霧化量為2200dm3h-1及載氣氣壓為1.6×105Pa，超聲霧化發(fā)生器的壓電陶瓷換能器產(chǎn)生超聲振動(dòng)將所配制好的導(dǎo)電膜溶液霧化，由載氣攜帶至超聲霧化器的噴嘴，在步進(jìn)電機(jī)的控制下，導(dǎo)電膜溶液霧滴被均勻地噴到被加熱的光纖面板1襯底上，在380℃～450℃高溫下，導(dǎo)電膜溶液在襯底上發(fā)生化學(xué)CVD反應(yīng)，即可在襯底上淀積出均勻的SnO2:F薄膜；(3)導(dǎo)電膜熒光屏的制備a.用洗潔劑或去污粉清洗鍍有導(dǎo)電膜的光纖面板，然后放入熒光屏制備罐內(nèi)；b.配置熒光粉液體和熒光屏粉液200ml熒光粉液體的配置如下20％K2SiO3溶液 4ml
熒光粉 2.3kg水 加至200ml500ml熒光屏粉混合液的配置如下熒光粉液體 20ml4.2％Sr(NO3)2溶液 2ml水加至500ml(4)將混合好的熒光屏粉混合液裝入熒光屏制備罐內(nèi)；(5)用天平稱裝有水的平衡罐和裝有熒光屏混合液的熒光屏制備罐，兩罐的重量相同；(6)將熒光屏制備罐和平衡罐安裝在離心機(jī)上，打開離心機(jī)電源開關(guān)，用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速從2800轉(zhuǎn)/分鐘上升到3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后再用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)/分鐘，穩(wěn)定3～4分鐘后，關(guān)閉離心機(jī)電源開關(guān)；(7)取下熒光屏制備罐，用管子吸干凈熒光屏制備罐內(nèi)的水，待熒光粉全部干以后，取出光纖面板1，用干凈的布擦干凈光纖面板1上表面邊沿部位的熒光粉，然后把光纖面板1放入馬福爐進(jìn)行60℃的低溫烘烤；(8)將20％的K2SiO3溶液直接用過濾紙過濾到培養(yǎng)皿里，熒光屏浸入20％的K2SiO3溶液內(nèi)10秒鐘，然后取出，待熒光粉干后放入馬福爐內(nèi)，在380℃烘烤1小時(shí)，自然冷卻到常溫，從馬福爐中取出；(9)在微通道板7上真空鍍黃金光電陰極；(10)裝配與檢驗(yàn)在變像管殼體8內(nèi)的下部將(3)制備的熒光屏與變像管殼體8焊接，在變像管殼體8內(nèi)的上部安裝微通道板7，熒光屏與微通道板7之間保持距離為500μm，裝配好后，對(duì)變像管抽真空撿漏，按本發(fā)明產(chǎn)品的技術(shù)條件進(jìn)行檢驗(yàn)。
實(shí)施例2在本實(shí)施例中，導(dǎo)電膜2的厚度為0.3μm，熒光粉層3的厚度為100μm，熒光粉層3的上表面與微通道板7的微通道板輸出面6的距離為200μm。其它零部件以及零部件的聯(lián)接關(guān)系與實(shí)施例1相同。其制備方法與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例3在本實(shí)施例中，導(dǎo)電膜2的厚度為0.5μm，熒光粉層3的厚度為150μm，熒光粉層3的上表面與微通道板7的微通道板輸出面6的距離為800μm。其它零部件以及零部件的聯(lián)接關(guān)系與實(shí)施例1相同。其制備方法與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例4在以上實(shí)施例1～3的制備方法中(2)導(dǎo)電膜的制備a.配置導(dǎo)電膜溶液稱取22g的SnCl4·5H2O于燒杯中，加入體積比為8∶1的H2O和CH3OH混和液至固體剛好溶解，再加入1g NH4F水溶液，攪拌均勻，配置成導(dǎo)電膜溶液。
b.導(dǎo)電膜的制備工藝將光纖面板1放入真空加熱爐，打開真空加熱爐的電源開關(guān)，升溫到380℃～450℃，對(duì)光纖面板1加熱，移動(dòng)超聲霧化發(fā)生器的霧化噴嘴，使霧化噴嘴與光纖面板1間的距離6～12mm，開啟步進(jìn)電機(jī)和超聲霧化器，步進(jìn)電機(jī)行進(jìn)速度為0.5m/s、霧化量為1800dm3h-1及載氣氣壓為1.2×105Pa，超聲霧化發(fā)生器的壓電陶瓷換能器產(chǎn)生超聲振動(dòng)將所配制好的導(dǎo)電膜溶液霧化，由載氣攜帶至超聲霧化器的噴嘴，在步進(jìn)電機(jī)的控制下，導(dǎo)電膜溶液霧滴被均勻地噴到被加熱的光纖面板1襯底上，在380℃～450℃高溫下，導(dǎo)電膜溶液在襯底上發(fā)生化學(xué)CVD反應(yīng)，即可在襯底上淀積出均勻的SnO2:F薄膜，關(guān)閉真空加熱爐的電源開關(guān)，真空加熱爐冷卻至室溫，取出光纖面板1。
(3)導(dǎo)電膜熒光屏的制備500ml熒光屏粉混合液的配置如下熒光粉液體 20ml4.2％Sr(NO3)2溶液 1.7ml水 加至500ml制備方法中的其它工藝過程與實(shí)施例1相同。零部件的幾何形狀以及零部件的聯(lián)接關(guān)系與相應(yīng)的實(shí)施例相同。
實(shí)施例5在以上實(shí)施例1～3的制備方法中(2)導(dǎo)電膜的制備a.配置導(dǎo)電膜溶液稱取30g的SnCl4·5H2O于燒杯中，加入體積比為12∶1的H2O和CH3OH混和液至固體剛好溶解，再加入6g NH4F水溶液，攪拌均勻，配置成導(dǎo)電膜溶液。
b.導(dǎo)電膜的制備工藝將光纖面板1放入真空加熱爐，打開真空加熱爐的電源開關(guān)，升溫到380℃～450℃，對(duì)光纖面板1加熱，移動(dòng)超聲霧化發(fā)生器的霧化噴嘴，使霧化噴嘴與光纖面板1間的距離6～12mm，開啟步進(jìn)電機(jī)和超聲霧化器，步進(jìn)電機(jī)行進(jìn)速度為2.5m/s、霧化量為2500dm3h-1及載氣氣壓為2.0×105Pa，超聲霧化發(fā)生器的壓電陶瓷換能器產(chǎn)生超聲振動(dòng)將所配制好的導(dǎo)電膜溶液霧化，由載氣攜帶至超聲霧化器的噴嘴，在步進(jìn)電機(jī)的控制下，導(dǎo)電膜溶液霧滴被均勻地噴到被加熱的光纖面板1襯底上，在380℃～450℃高溫下，導(dǎo)電膜溶液在襯底上發(fā)生化學(xué)CVD反應(yīng)，即可在襯底上淀積出均勻的SnO2:F薄膜，關(guān)閉真空加熱爐的電源開關(guān)，真空加熱爐冷卻至室溫，取出光纖面板1。
(3)導(dǎo)電膜熒光屏的制備500ml熒光屏粉混合液的配置如下熒光粉液體 20ml4.2％Sr(NO3)2溶液 2.2ml水加至500ml制備方法中的其它工藝過程與實(shí)施例1相同。零部件的幾何形狀以及零部件的聯(lián)接關(guān)系與相應(yīng)的實(shí)施例相同。
為了驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果，發(fā)明人采用本發(fā)明實(shí)施例1制作的低壓發(fā)光高壓不打火的變像管與目前應(yīng)用的微光變像管進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試，測(cè)試情況如下一、測(cè)試設(shè)備1、真空系統(tǒng)2、10KV的正高壓電源3、1.2KV的負(fù)高壓電原4、測(cè)量儀5、萬用表6、紫外燈7、屏幕亮度計(jì)ST-86LA(北京師范大學(xué)儀器廠)
二、測(cè)試方法將本發(fā)明放入真空系統(tǒng)，用萬用表測(cè)量本發(fā)明的熒光屏和微通道板無短路現(xiàn)象，封接好觀察窗發(fā)蘭，開真空泵抽低真空，低真空達(dá)到70格以后打開渦輪分子泵待真空抽到4*10-4p以上開始測(cè)量。測(cè)量步驟如下1、打開10KV正高壓電源開關(guān)2、打開1.2KV負(fù)高壓電源開關(guān)3、開紫外燈4、在微通道板電壓固定不變、熒光屏電壓變化的情況下，用屏幕亮度計(jì)分別測(cè)量本發(fā)明熒光屏的光強(qiáng)和微光變像管鍍鋁熒光屏的光強(qiáng)。
5、計(jì)算兩種熒光屏光強(qiáng)差別。
三、測(cè)試結(jié)果測(cè)試結(jié)果見表1。
表1 本發(fā)明熒光屏光強(qiáng)與鍍鋁熒光屏光強(qiáng)對(duì)比測(cè)試結(jié)果表

表2 本發(fā)明熒光屏光強(qiáng)與鍍鋁熒光屏光強(qiáng)對(duì)比測(cè)試結(jié)果表(續(xù))

四、測(cè)試結(jié)論從測(cè)試結(jié)果可看出，本發(fā)明的熒光粉層與微通道板的近貼距離為400μm，導(dǎo)電膜熒光屏的透光率達(dá)90％以上，鍍鋁熒光屏的透光率為40％，熒光屏輸出的發(fā)光強(qiáng)度導(dǎo)電膜與鋁膜的對(duì)比非常明顯，從低電壓到高電壓都表示出光強(qiáng)的差別，特別突出了變像管在低電壓下發(fā)光、高電壓下不打火的特點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種低壓發(fā)光高壓不打火的變像管，其特征在于在變像管殼體[8]內(nèi)的下部設(shè)置有光纖面板[1]或光學(xué)玻璃、上部設(shè)置有微通道板[7]，在光纖面板[1]或光學(xué)玻璃的上表面設(shè)置有在其上表面覆蓋有一層熒光粉層[3]的導(dǎo)電膜[2]，在微通道板[7]的微通道板輸入面[4]上設(shè)置有光電陰極[5]，熒光粉層[3]的上表面與微通道板[7]的微通道板輸出面[6]的距離為200～800μm。
2.按照權(quán)利要求1所述的低壓發(fā)光高壓不打火的變像管，其特征在于所說的導(dǎo)電膜[2]為透明導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜[2]的厚度為0.3～0.5μm；所說的熒光粉層[3]的厚度為100～150μm。
3.一種低壓發(fā)光高壓不打火的變像管的制備方法，其特征在于它包括下述步驟(1)加工光纖面板按熒光屏襯底的幾何尺寸要求加工光纖面板[1]，對(duì)光纖面板[1]進(jìn)行雙面拋光；(2)導(dǎo)電膜的制備a.配置導(dǎo)電膜溶液稱取22～30g的SnCl4·5H2O于燒杯中，加入體積比為8∶1～12∶1的H2O和CH3OH混和液至固體剛好溶解，再加入1g～6g NH4F水溶液，攪拌均勻，配置成導(dǎo)電膜溶液，倒入超聲霧化發(fā)生器內(nèi)；b.導(dǎo)電膜的制備工藝將光纖面板[1]放入真空加熱爐，打開真空加熱爐的電源開關(guān)，升溫到380℃～450℃，對(duì)光纖面板[1]加熱，移動(dòng)超聲霧化發(fā)生器的霧化噴嘴，使霧化噴嘴與光纖面板[1]間的距離為6～12mm，開啟步進(jìn)電機(jī)和超聲霧化器，步進(jìn)電機(jī)行進(jìn)速度為0.5m/s～2.5m/s、霧化量為1800dm3h-1～2500dm3h-1及載氣氣壓為1.2×105Pa～2.0×105Pa，超聲霧化發(fā)生器的壓電陶瓷換能器產(chǎn)生超聲振動(dòng)將所配制好的導(dǎo)電膜溶液霧化，由載氣攜帶至超聲霧化器的噴嘴，在步進(jìn)電機(jī)的控制下，導(dǎo)電膜溶液霧滴被均勻地噴到被加熱的光纖面板[1]襯底上，在380℃～450℃高溫下，導(dǎo)電膜溶液在襯底上發(fā)生化學(xué)CVD反應(yīng)，即可在襯底上淀積出均勻的SnO2:F薄膜，關(guān)閉真空加熱爐的電源開關(guān)，真空加熱爐冷卻至室溫，取出光纖面板[1]；(3)導(dǎo)電膜熒光屏的制備a.用洗潔劑或去污粉清洗光纖面板[1]，然后放入熒光屏制備罐內(nèi)；b.配置熒光粉液體和熒光屏粉液200ml熒光粉液體的配置如下20％K2SiO3溶液 40ml熒光粉 2.3kg水 加至200ml500ml熒光屏粉混合液的配置如下熒光粉液體 20ml4.2％Sr(NO3)2溶液1.7ml～2.2ml水 加至500ml(4)將混合好的熒光屏粉混合液裝入熒光屏制備罐內(nèi)；(5)用天平稱裝有水的平衡罐和裝有熒光屏混合液的熒光屏制備罐，兩罐的重量相同；(6)將熒光屏制備罐和平衡罐安裝在離心機(jī)上，打開離心機(jī)電源開關(guān)，用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速從2800轉(zhuǎn)/分鐘上升到3000轉(zhuǎn)/分鐘，然后再用調(diào)速器調(diào)整離心機(jī)的轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)/分鐘，穩(wěn)定3～4分鐘后，關(guān)閉離心機(jī)電源開關(guān)；(7)取下熒光屏制備罐，用管子吸干凈熒光屏制備罐內(nèi)的水，待熒光粉全部干以后，取出光纖面板[1]，用干凈的布擦干凈光纖面板[1]上表面邊沿部位的熒光粉，然后把光纖面板[1]放入馬福爐進(jìn)行60℃的低溫烘烤；(8)將20％的K2SiO3溶液直接用過濾紙過濾到培養(yǎng)皿里，熒光屏浸入20％的K2SiO3溶液內(nèi)10秒鐘，然后取出，待熒光屏干后放入馬福爐內(nèi)，在380℃烘烤1小時(shí)，自然冷卻到常溫，從馬福爐中取出；(9)在微通道板[7]上真空鍍黃金光電陰極；(10)裝配與檢驗(yàn)在變像管殼體[8]內(nèi)的下部將(3)制備的熒光屏與變像管殼體[8]焊接，在變像管殼體[8]內(nèi)的上部安裝微通道板[7]，熒光屏與微通道板[7]之間保持距離為200～800μm，抽真空撿漏，按本發(fā)明產(chǎn)品的技術(shù)條件進(jìn)行檢驗(yàn)。
全文摘要
一種低壓發(fā)光高壓不打火的變像管，在變像管殼體內(nèi)下設(shè)光纖面板或光學(xué)玻璃、上設(shè)微通道板，在光纖面板或光學(xué)玻璃的上設(shè)在其上覆蓋有熒光粉層的導(dǎo)電膜，在微通道板的微通道板輸入面上設(shè)光電陰極，熒光粉層與微通道板的距離為200～800μm。其制備方法包括加工光纖面板、制備導(dǎo)電膜、制備導(dǎo)電膜熒光屏、將混合好的熒光屏粉混合液裝入熒光屏制備罐內(nèi)、用天平稱裝有水的平衡罐和裝有熒光屏混合液的熒光屏制備罐、用離心機(jī)離心、低溫烘烤、高溫烘烤、制作光電陰極、裝配與檢驗(yàn)步驟。本發(fā)明具有耐酸堿腐蝕、穩(wěn)定性好、電阻率低、透光率高、圖像清晰度高、圖像失真小等優(yōu)點(diǎn)。制備工藝簡單、工藝條件易于控制等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01J9/00GK1527348SQ0313459
公開日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2003年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月22日
發(fā)明者劉秀琴, 白曉紅, 劉百玉, 趙衛(wèi), 施衛(wèi), 侯磊, 任有來, 高勝琛, 王琛, 白永林 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所