專利名稱：等離子顯示面板及用于制造其的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，并且特別涉及一種等離子顯示面板及用于制造其的方法，其中改善了電子放電特性，并保證了電壓裕度。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下稱為“PDP”)適于通過具有在諸如He+Xe、Ne+Xe、或He+Ne+Xe的惰性混合氣體放電過程中產(chǎn)生的147nm紫外線的發(fā)光熒光粉來顯示包括字符或圖形的圖像。該P(yáng)DP能夠容易地被制薄而大，并且通過相關(guān)技術(shù)的最近發(fā)展它可提供很大程度上改善的圖像質(zhì)量。具體地，三電極AC表面放電型PDP具有較低驅(qū)動電壓和較長產(chǎn)品壽命的優(yōu)點(diǎn)，并且壁電荷(wall charge)積累在放電中的表面，并且保護(hù)電極免受由放電引起的濺射(sputtering)。
在PDP的放電單元中，如果在數(shù)據(jù)電極X和維持電極(sustainelectrode)Y之間發(fā)生相反放電，則通過該相反放電產(chǎn)生的被噴射進(jìn)入放電空間的氣體被電離，以變成為其中正離子與電子共存的等離子狀態(tài)。在該等離子狀態(tài)中，當(dāng)熒光粉被通過由碰撞所激發(fā)的粒子發(fā)射的紫外線激發(fā)/發(fā)光時，產(chǎn)生可見光線。此后，維持電極對之間的表面放電使得存在于放電空間中的等離子粒子通過加速動能來濺射電介質(zhì)膜的表面。由于這一點(diǎn)，電介質(zhì)膜被損壞。為防止這種損壞，在電介質(zhì)膜上形成有保護(hù)膜。該保護(hù)膜典型地使用氧化鎂(MgO)來形成。
但是，構(gòu)成保護(hù)膜的氧化鎂(MgO)具有強(qiáng)共價鍵結(jié)構(gòu)，并且從而它容易與包含濕氣和一氧化碳(CO)的雜質(zhì)結(jié)合。因此，由于等離子粒子的震動使得在保護(hù)膜表面產(chǎn)生細(xì)裂縫。因此，存在的問題是，保護(hù)膜的壽命縮短，并且在相反放電時發(fā)射由保護(hù)膜產(chǎn)生的二次電子的可能性降低。
而且，近來，為提高放電效率，放電氣體Xe的比率增加，而放電氣體Ne的比率降低。即，在將諸如Ne+Xe的惰性混合氣體噴射到常規(guī)PDP中的情況下，Ne的量為約95％，而Xe的量為約5％。相反，目前，噴射到PDP中的Xe的量為約14％。
如上所述，由于與現(xiàn)有技術(shù)相比Xe的量顯著高于Ne的量，因此，如果Xe的量增加，則電子路徑受到限制。因此，需要增加用于產(chǎn)生放電的電壓。換言之，如果Xe的量增加，則在掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生擊穿，且維持電壓增加。
而且，即使在驅(qū)動PDP中，由于增加了Xe的量使得電子的冷卻效應(yīng)增加。即，由于Xe的量相對顯著高于Ne的量，因此，電子運(yùn)動相應(yīng)變得困難。因此，存在的問題是出現(xiàn)了其中放電引發(fā)被延遲的時間延遲。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮到上述問題而作出本發(fā)明，并且本發(fā)明的一個目的是提供一種等離子顯示面板，其中改善了電子的發(fā)射特性，并且保證了電壓裕度。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在放電單元中，用于提供電子到放電空間。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供了一種用于制造等離子顯示面板的方法，該等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該方法包括以下步驟形成若干具有放電空間的放電單元；以及在每一放電單元中形成堿金屬層，用于提供電子到放電空間。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，其中該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在每一放電單元中，用于提供電子到放電空間，以及在放電空間中的Xe濃度為10％或以上。
在根據(jù)本發(fā)明的PDP和用于制造其的方法中，提供充足電子給放電單元的堿金屬層形成在保護(hù)膜上。因此，為提高被現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)膜缺陷所降低的二次電子和放電效率而相對降低放電氣體Ne比率并增加放電氣體Xe比率所引起的維持電壓的增加被由堿金屬產(chǎn)生的充足電子所補(bǔ)償。由于防止了維持電壓(Vs)增加，從而容易地保證了電壓裕度。


從以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述使本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)得到全面理解，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子顯示面板的橫截面圖；圖2是示出如圖1所示的堿金屬層和保護(hù)膜之間特性比較結(jié)果的表；圖3a到圖3e是示出用于制造如圖1所示的等離子顯示面板上極板的方法的視圖；以及圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示面板的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
第一實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在放電單元中，用于提供電子到放電空間。
另外，每一放電單元包括保護(hù)膜，并且堿金屬層形成在該保護(hù)膜上。
另外，每一放電單元包括上電介質(zhì)層和保護(hù)膜，并且堿金屬層形成在該上電介質(zhì)層和該保護(hù)膜之間。
另外，堿金屬層具有5到1000的厚度。
另外，放電空間中的Xe濃度為10％或以上。
另外，堿金屬層包括從由銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)構(gòu)成的組中選擇的至少其中之一。
另外，堿金屬層形成在下極板上。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供了一種用于制造等離子顯示面板的方法，該等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該方法包括以下步驟形成若干具有放電空間的放電單元；以及在每一放電單元中形成堿金屬層，用于提供電子到放電空間。
另外，該方法都進(jìn)一步包括以下步驟在每一放電單元中形成保護(hù)膜。
另外，堿金屬層形成在該保護(hù)膜上。
另外，該方法都進(jìn)一步包括以下步驟在每一放電單元中形成上電介質(zhì)層，并形成保護(hù)膜，其中堿金屬層形成在該上電介質(zhì)層和該保護(hù)膜之間。
另外，堿金屬層包括從由銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)構(gòu)成的組中選擇的至少其中之一。
另外，堿金屬層具有凹凸(embossing)形狀。
另外，堿金屬層具有5到1000的厚度。
另外，堿金屬層形成在下極板上。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子顯示面板的橫截面圖。
圖1所示的PDP的放電單元包括形成在上基片10上的維持電極對，即掃描電極Y和維持電極Z，以及形成在下基片18上的數(shù)據(jù)電極X。
維持電極對的掃描電極Y包括透明電極12Y和匯流電極(buselectrode)13Y，其具有小于透明電極12Y行寬的行寬且其形成在透明電極的一個邊緣上。同時，維持電極對的維持電極Z包括透明電極12Z以及匯流電極13Z，其具有小于透明電極12Z行寬的行寬且其形成在透明電極的一個邊緣上。
典型地使用氧化銦錫(ITO)將透明電極12Y和12Z形成在的基片10上。使用諸如鉻(Cr)的金屬將匯流電極13Y和13Z分別形成在透明電極12Y和12Z上，從而它們與間隔壁24相重疊。匯流電極13Y和13Z用作減小由具有高電阻的透明電極12Y和12Z引起的電壓下降。
上電介質(zhì)層14、保護(hù)膜16和堿金屬層20形成在上基片10上，在該上基片10上形成維持電極對Y和Z。當(dāng)?shù)入x子放電時產(chǎn)生的壁電荷在上電介質(zhì)層14上積累。保護(hù)膜16用作防止上電介質(zhì)層14被等離子放電時產(chǎn)生的濺射所損壞。在上述情況中，保護(hù)膜16可以由氧化鎂(MgO)制成。
堿金屬層20用作提高電子發(fā)射的效率。這將在以下進(jìn)行詳細(xì)描述。由于堿金屬(在周期表中的一族元素)具有小的電離能量，因此，它們?nèi)菀资ニ鼈兊碾娮?，從而由于它們滿足八角定則(octet rules)而變成穩(wěn)定的正離子。因此，由于堿金屬具有強(qiáng)的失去其電子的屬性，因此，充足的電子被提供給放電單元，并且可進(jìn)行PDP的低電壓驅(qū)動。即，當(dāng)堿金屬層20的堿金屬被電離時，發(fā)射出充足電子并且因此提高了放電效率。如上所述，堿金屬的實(shí)例可以包括銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)及類似物。
此時，優(yōu)選的是，堿金屬層20形成為5到1000的厚度。如果堿金屬層20的厚度超過1000，則在該單元內(nèi)產(chǎn)生電場失真，從而不利地影響放電。而且，存在通過放電期間的離子濺射可作為污染源的可能性。
數(shù)據(jù)電極X形成在與掃描電極Y和維持電極Z交叉的方向。用于積累壁電荷的下電介質(zhì)層22形成在下基片18上，在該下基片18上形成有數(shù)據(jù)電極X。間隔壁24形成在下電介質(zhì)層22上。將熒光粉26涂敷在下電介質(zhì)層22和間隔壁24上。間隔壁24形成為平行于數(shù)據(jù)電極X，并用作防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見光線泄漏到相鄰的放電單元。熒光粉26被等離子放電時產(chǎn)生的紫外線所激發(fā)，從而產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)可見光線之一。將用于氣體放電的惰性氣體噴射到形成在上/下基片10和18與間隔壁24之間的放電空間中。
在通過數(shù)據(jù)電極X和維持電極Y之間的相反放電選擇了如上構(gòu)造的放電單元之后，通過維持電極對Y和Z之間的表面放電來將放電維持在所選放電單元中。
在這種放電單元中，當(dāng)熒光粉26通過進(jìn)行維持放電時所產(chǎn)生的紫外線發(fā)光時，向外發(fā)射出可見光線。結(jié)果，可通過調(diào)整其中維持放電的周期來實(shí)現(xiàn)灰度電平，并且其放電單元布置為矩陣形狀的PDP操作用于顯示圖像。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，優(yōu)選的是堿金屬層20形成在保護(hù)膜16上。但是，應(yīng)當(dāng)理解，該堿金屬層20可以形成在上電介質(zhì)層14上，且保護(hù)膜16可以形成在堿金屬層20上。
堿金屬層20由于電離能量低而容易失去其電子，從而由于它滿足八角定則而變成穩(wěn)定的正離子。因此，由于堿金屬具有強(qiáng)的容易失去其電子的屬性，因此，它提供充足的電子給放電單元，并且可進(jìn)行PDP的低電壓驅(qū)動，提高了放電效率。
換言之，為提高放電效率由增加放電氣體Xe比率并降低放電氣體Ne比率所引起的維持電壓的增加被由堿金屬產(chǎn)生的充足電子所補(bǔ)償。
由于通過由堿金屬層20提供的充足電子來阻止維持電壓(Vs)增加，因此可以更容易地保證電壓裕度。
由于通過由本發(fā)明的堿金屬層20提供的充足電子能夠容易地保證電壓裕度，因此放電氣體Xe的比率可超過10％。
另外，如圖2所示，在保護(hù)膜由氧化鎂(MgO)制成的情況中，PDP的抖動特性為約1.2?；蛞陨?，這是相對高的。相反，在其中堿金屬層20形成在保護(hù)膜16上的情況中，PDP的抖動特性為約0.5?；蛞韵拢@是相對低的。即，其中根據(jù)本發(fā)明堿金屬層20形成在根據(jù)本發(fā)明由有氧化鎂(MgO)組成的保護(hù)膜16上的PDP的電子發(fā)射時間點(diǎn)的延遲 距離小于僅具有由有氧化鎂(MgO)組成的保護(hù)膜的常規(guī)PDP的電子發(fā)射時間點(diǎn)的延遲距離。因此，可以以高速度驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的具有堿金屬層20的PDP。
圖3a到圖3e是示出用于制造如圖1所示的等離子顯示面板的上極板的方法的視圖。
參考圖3a，透明導(dǎo)電金屬放置在上基片10上且然后被構(gòu)圖，由此形成透明電極12Y和12Z。
匯流電極材料放置在上基片10上，在該上基片10上形成有透明電極12Y和12Z，且然后將該匯流電極構(gòu)圖。因此，匯流電極13Y和13Z形成在透明電極12Y和12Z上，如圖3b所示。
參考圖3c，電介質(zhì)層14形成在上基片10上，在該上基片10上通過屏幕打印方法等形成有匯流電極13Y和13Z。
作為構(gòu)成保護(hù)層材料的氧化鎂(MgO)被涂敷在電介質(zhì)層14上，由此形成保護(hù)膜16，如圖3d所示。
參考圖3e，包含堿金屬的堿金屬層20形成在上基片10上，在該上基片10上形成有保護(hù)膜16。在上述情況中，堿金屬的實(shí)例包括銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)及類似物。
此時，優(yōu)選的是堿金屬層20形成為5到1000的厚度。
第二實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁(barrier rib)，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在每一放電單元中，用于提供電子到放電空間，以及在放電空間中的Xe濃度為10％或以上。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示面板的橫截面圖。
如圖4所示的PDP放電單元包括形成在上基片10上的維持電極對，即掃描電極Y和維持電極Z，以及形成在下基片18上的數(shù)據(jù)電極X。
維持電極對的每一掃描電極Y和維持電極Z都具有小于透明電極12Y和12Z以及透明電極12Y和12Z行寬的行寬。每一掃描電極Y和維持電極Z都包括匯流電極13Y和13Z，其每一個都形成在每一透明電極12Y和12Z的一側(cè)邊緣。
上電介質(zhì)層14、保護(hù)膜16和堿金屬層20’形成在上基片10上，在該上基片10上形成維持電極對Y和Z。此時，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，堿金屬層20’不是如同在上述第一實(shí)施例中那樣形成在整個保護(hù)膜16上，而是凹凸(embossing)形狀的堿金屬層20形成在保護(hù)膜16上。
具有凹凸形狀的堿金屬20’用作提高電子的發(fā)射效率。此時，堿金屬的實(shí)例可以包括銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)及類似物。
在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP中，堿金屬層20’形成在保護(hù)膜16上。
堿金屬層20’由于電離能量低而容易失去其電子，從而由于它滿足八角定則而變成穩(wěn)定的正離子。因此，由于堿金屬具有強(qiáng)的失去其電子的屬性，因此，它提供充足的電子給放電單元。因此可進(jìn)行PDP的低電壓驅(qū)動，提高了放電效率。
換言之，為提高放電效率而相對增加放電氣體Xe比率并降低放電氣體Ne比率所引起的維持電壓的增加被由堿金屬產(chǎn)生的充足電子所補(bǔ)償。
由于通過由堿金屬層20提供的充足電子來防止維持電壓(Vs)增加，因此可以更容易地保證電壓裕度。
由于通過由本發(fā)明的堿金屬層20提供的充足電子能夠容易地保證電壓裕度，因此放電氣體Xe的比率可超過10％。
另外，其中根據(jù)本發(fā)明堿金屬層20’形成在根據(jù)本發(fā)明由有氧化鎂(MgO)組成的保護(hù)膜16上的PDP的電子發(fā)射時間點(diǎn)的延遲距離小于僅具有由氧化鎂(MgO)組成的保護(hù)膜的常規(guī)PDP的電子發(fā)射時間點(diǎn)的延遲距離。因此，可以以高速度驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的具有堿金屬層20’的PDP。
根據(jù)本發(fā)明第一和第二實(shí)施例的堿金屬層可以形成在下基片上。
以上描述了本發(fā)明，很明顯本發(fā)明可以作出很多改變。這些改變不應(yīng)被認(rèn)為是偏離了本發(fā)明的精神和范圍，并且對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是顯而易見的所有這些修改都意圖包括在所附權(quán)利要求的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，其中該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在放電單元中，用于提供電子到放電空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中每一放電單元包括保護(hù)膜，并且堿金屬層形成在該保護(hù)膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中每一放電單元包括上電介質(zhì)層和保護(hù)膜，并且堿金屬層形成在該上電介質(zhì)層和該保護(hù)膜之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中堿金屬層具有5到1000的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中放電空間中的Xe濃度為10％或以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中堿金屬層包括從由銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)構(gòu)成的組中選擇的至少其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板，其中堿金屬層形成在下極板上。
8.一種用于制造等離子顯示面板的方法，該等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該方法包括以下步驟形成若干具有放電空間的放電單元；以及在每一放電單元中形成堿金屬層，用于提供電子到放電空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在每一放電單元形成保護(hù)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中堿金屬層形成在該保護(hù)膜上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在每一放電單元中形成上電介質(zhì)層，并形成保護(hù)膜，其中堿金屬層形成在該上電介質(zhì)層和該保護(hù)膜之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中堿金屬層包括從由銣(Rb)、鉀(K)、銫(Cs)構(gòu)成的組中選擇的至少其中之一。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中堿金屬層具有凹凸形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中堿金屬層具有5到1000的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中堿金屬層形成在下極板上。
16.一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，其中該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在每一放電單元中，用于提供電子到放電空間，以及在放電空間中的Xe濃度為10％或以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板及用于制造其的方法，其中改善了電子放電特性，并且保證了電壓裕度。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，一種等離子顯示面板包括多個顯示電極對，其形成在上極板上并與該上極板平行布置；多個選址電極，其形成在下極板上并布置成與顯示電極相交叉；間隔壁，其限定下極板上的放電空間；以及形成在該間隔壁之間的熒光體，該等離子顯示面板進(jìn)一步包括若干具有放電空間的放電單元；以及堿金屬層，其形成在放電單元中，用于提供電子到放電空間。
文檔編號H01J11/26GK1599009SQ20041008250
公開日2005年3月23日 申請日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月18日
發(fā)明者李相國, 金重均 申請人:Lg電子株式會社