專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)，特別涉及用于改進PDP中電極與基板之間粘接性的結構和方法。
背景技術：
PDP是通過使用電流放電激發(fā)熒光物質或是特殊氣體來發(fā)光的。在PDP中，兩個電極被設置在充有氣體的密封的空間中。當預定的電壓提供給電極時發(fā)生輝光放電，通過輝光放電產生紫外線來激發(fā)熒光層，該熒光層以特定的模式形成，從而產生圖像。
根據(jù)如何被驅動來產生放電，PDP可分為直流PDP，交流PDP，或是混合PDP。PDP還可以根據(jù)其擁有的電極的數(shù)目分類，例如，PDP可以使用兩個或三個電極。在直流PDP的情況下，包括輔助電極用以引發(fā)額外放電。在交流PDP的情況下，包括尋址電極以便通過允許單獨尋址和維持放電來提高尋址率。
另外，根據(jù)電極的排布，PDP可分為面對表面放電PDP或是表面放電PDP。在面對表面放電的PDP的情況下，提供兩個維持電極，一個電極被置于前基板上，另外一個電極設置在后基板上，以便垂直于面板形成放電。在表面放電PDP的情況下，兩個維持電極被設置在同一基板上以便在基板的表面上形成放電。
在上述的PDP中，通過阻擋壁將前基板與后基板之間形成的放電空間分隔，而阻擋壁一般是通過絲網(wǎng)印刷術或噴砂磨蝕技術(sand blasting)形成。在附圖1中展示了在傳統(tǒng)的PDP中形成阻擋壁的典型的噴砂磨蝕技術。
如圖1所示，尋址電極12采用條形以一預定的間隔被設置在后基板11上，并且被后介電層13覆蓋。每個尋址電極12都被覆蓋以便在后介電層13的一側上暴露尋址電極12的一端的預定長度。尋址電極12的暴露末端形成端子12a。例如柔性的印刷電纜(FPC)的導電膜被壓在端子12a上使它能夠接收來自外部電路的電壓。(圖1中所示的結構包括幾個尋址電極12以及幾個端子12a。)在尋址電極12和后介電層13在后基板11上形成之后，有預定高度的阻擋壁層21形成在后介電層13之上。包含光致抗蝕劑材料的光致抗蝕劑膜形成在阻擋壁層21之上，完全覆蓋阻擋壁層21。光致抗蝕劑圖案層22通過曝光和顯影光致抗蝕劑膜以對其構圖來形成。如圖1所示，形成條狀的光致抗蝕劑圖案層22，允許在尋址電極12之間形成阻擋壁23。當光致抗蝕劑圖案層22被形成以后，使用噴砂磨蝕方法，向位于光致抗蝕劑圖案層22之間的阻擋壁層21上噴射研磨劑31，以拋光阻擋壁層21以便形成具有預定的高度和寬度的阻擋壁23。
為了拋光阻擋壁層21以形成預定的深度，向阻擋壁層21噴射研磨劑31，這樣，每個尋址電極的端子12a都會由于端子12的暴露而受到來自研磨劑31的噴射壓力的影響。如圖2所示，因為尋址電極12的端子12a與后基板11有小的接觸表面，所以尋址電極12的端子12a由于受到來自研磨劑31的噴射壓力而能夠從后基板11上脫落。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一方面提供一種等離子體顯示板。等離子體顯示板包括以預定的間隔設置維持電極的前基板，覆蓋維持電極的前介電層；面對前基板設置的后基板，并且后基板上包括與所述維持電極垂直的尋址電極；覆蓋在尋址電極上的后介電層；分隔形成在前后基板之間的放電空間的阻擋壁以及在阻擋壁之間形成的熒光層；以及在后基板與每個尋址電極之間的接觸表面上提供的結合部分以增強后基板與尋址電極之間的粘接性。
本發(fā)明的另一方面提供一種等離子體顯示板。該等離子體顯示板包括前基板，前基板包括以預定間隔設置的維持電極；覆蓋維持電極的前介電層；面向前基板設置的后基板，并且后基板包括與維持電極相垂直設置的尋址電極；覆蓋在尋址電極上的后介電層；分隔形成在前后基板之間的放電空間的阻擋壁；結合部分，它包括在后基板上尋址電極的每一個端子相對應的位置上形成的第一結合部分，以及在尋址電極的每一個端子一側上形成的第二結合部分，所述第二結合部分與第一結合部分相連接。在第一和第二結合部分的一側上形成凹槽，而在另一側上形成用于插入所述凹槽中的凸起。
本發(fā)明所提供的等離子體顯示板的另一個方面，等離子體顯示板包括帶有以預定的間隔設置的維持電極的前基板；與前基板相對設置的后基板；并且后基板包括尋址電極，該尋址電極與前基板上的維持電極相垂直設置；分隔在前基板和后基板之間形成的放電空間的阻擋壁，并且阻擋壁具有在其中形成的熒光材料。在后基板和每個尋址電極之間提供結合部分。每一個結合部分都有非平面的結合表面。


本發(fā)明的上述特征以及其它特征和優(yōu)點將通過參考附圖對典型的實施例的描述將會變得更為明顯，其中圖1是傳統(tǒng)等離子體顯示板中形成阻擋壁過程的局部透視圖；圖2是在圖1所示的后基板上形成的尋址電極以及后介電層的橫截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的PDP的分解透視圖；圖4是圖3所示的形成在后基板上的尋址電極以及后介電層的一個例子的橫截面圖；圖5是圖3所示的形成在后基板上的尋址電極以及后介電層的另外一個例子的橫截面圖；以及圖6是根據(jù)后基板與尋址電極之間的接觸表面的故障率的曲線圖。
具體實施例方式
圖3中示出了根據(jù)本發(fā)明第一個實施例的等離子體顯示板(PDP)。圖3中所示的PDP 100包括前基板111和后基板121，該前基板可由玻璃或是其它的透明材料構成，該后基板與前基板111相對設置。
多個維持電極112以條狀設置，總線電極113在前基板111的下面形成。維持電極112可以由透明的導電材料組成，例如，氧化銦錫(ITO)膜。
總線電極113由導體材料組成，其寬度要比維持電極112的寬度小，并且其排布在每一個維持電極112的下方與維持電極112平行設置以減少線路電阻。在這一實施例中，總線電極113由金屬或是金屬化合物組成并且具有極好的導電性，例如銀膏。然而，在其它的實施例中其它的化合物也可以用來形成總線電極113。
維持電極112包括共用電極112a和掃描電極112b，它們彼此交替排布。因此，一個總線電極113連接共用電極112a而另一個相鄰的總線電極113連接掃描電極112b。
維持電極112和總線電極113被埋在前介電層114中，該前介電層形成在前基板111的底表面上。保護層115，例如，MgO層，可以形成在前介電層114的下面。
后基板121面向前基板111設置并且通常位于前基板之下。后基板121通過熔結玻璃與前基板111相連接，并且在兩基板111、121之間形成的空間中填充惰性氣體。
在后基板121的頂部上，形成尋址電極122并在其上覆蓋后介電層123。特別地，條狀設置多個尋址電極122并且與總線電極113垂直設置。尋址電極122以預定的間隔分開設置。
每個尋址電極122的至少一端的預定長度暴露在后介電層123的一側上。被暴露的尋址電極122構成端子122a。諸如FPC這樣的導電膜被壓在尋址電極122的端子122a之上，以使該端子接收來自外部電路的電壓。
在后介電層123的頂部上，阻擋壁124以規(guī)則的間隔被設置。阻擋壁124將位于前基板111與后基板121之間的放電空間分隔成多個單獨的放電單元130。
阻擋壁124有預定的高度和寬度并且在尋址電極122之間彼此平行地形成。每個尋址電極122都被設置在兩個阻擋壁124之間。阻擋壁的形狀不限于圖中所示的形狀。能將放電空間分隔成像素對準模式的任何形狀的阻擋壁都能被使用。
在通過阻擋壁124分隔的每一個放電單元130中，形成包含有紅、綠、藍熒光物質中任一種的熒光層125。特別地，熒光層125形成在阻擋壁124的側面以及后介電層123的頂表面上。每個熒光層125是紅、綠或藍。
在本發(fā)明的一個實施例中，分隔放電空間130的阻擋壁124是通過噴砂磨蝕方法來形成。下面將描述這種形成阻擋壁124的方法。
作為第一步，在后介電層123的頂部上形成阻擋壁層。該阻擋壁層具有預定的高度并且由常用的阻擋壁材料構成。阻擋壁埋住了尋址電極122。接著形成具有預定厚度的光致抗蝕劑層以完全覆蓋在阻擋壁層的頂表面。光致抗蝕劑圖案層通過包括在光致抗蝕劑膜的頂部上布置圖形掩模、曝光掩蔽的光致抗蝕劑膜以及顯影該光致抗蝕劑膜的光刻法過程來形成條狀的圖案。光致抗蝕劑圖案層被形成在阻擋壁124將被形成的位置上。換句話說，光致抗蝕劑圖案層被形成在與每一個阻擋壁124的頂表面相對應的位置。研磨劑被噴向沒有形成光致抗蝕劑層的部分上，從而拋光阻擋壁124以便使它們有預定的高度和寬度并且與尋址電極122平行設置。在阻擋壁124形成之后，通過本領域的技術人員公知的典型的光致抗蝕劑去除方法將光致抗蝕劑圖案層去除。
當使用噴砂磨蝕的方法利用研磨劑拋光阻擋壁時，研磨劑不僅被噴到阻擋壁層上而且還會噴到除了阻擋壁層以外的部分上，例如尋址電極122的端子122a，這些端子暴露在后介電層123的下部。
在根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例中，在后基板121與尋址電極122之間設置結合部分140以防止由于研磨劑的高壓噴射造成的尋址電極122的端子122a從后基板121上脫落。
正如圖4中所示，結合部分140位于后基板121與尋址電極122的端子122a之間。結合部分提高了后基板121與端子122a之間的粘接力。結合部分140包括位于后基板121的頂表面上的第一結合部分141和位于尋址電極122的端子122a的底表面上的與第一結合部分141相對應的第二結合部分142。
第一結合部分141包括多個V形的凹槽141a，該凹槽形成在后基板121上。隨著凹槽141a的形成，凸起141b形成在凹槽141a之間。凹槽141a可以通過使用諸如刻蝕、噴砂磨蝕以及研磨的方法在后基板121上形成。
在一個實施例中，第一結合部分141的凹槽141a具有不小于5微米并且不超過30微米的高度。在該實施例中，例如，凹槽141a的寬度(W)將會具有不小于大約凹槽141a的高度(h)并且不超過大約所述高度(h)的三倍的尺寸。換句話說，凹槽141a的高度(h)在大約5μm≤h≤30μm的范圍內，凹槽141a的寬度(W)在大約h≤W≤3h的范圍內。作為本領域的普通技術人員來說可以認識到，作為這一個實施例給出上述這些尺寸，而在本發(fā)明的其它實施例中可以使用其它的尺寸。
第二結合部分142，在上面提到的形成的凹槽141a處與第一結合部分141接合，并且第二結合部分142包括用力地插入到凹槽141a中的凸起142b。如圖4中所示，以顛倒的V形狀與第一結合部分141中的每個凹槽141a相對應地形成凸起142b，以便當?shù)谝唤Y合部分141與第二結合部分142結合時，凹槽142a被設置在兩個凸起142b之間。
第二結合部分142中的凹槽142a的高度和寬度與第一結合部分141中的凹槽141a的深度和寬度相同。典型地，第一結合部分141的凸起141b被用力地壓進到第二結合部分142的凹槽142a中。
例如，第二結合部分142的凸起142b可以通過相對第一結合部分141的凹槽141a壓力印刷用于形成尋址電極122的材料以便利用該尋址電極材料填充該凹槽141a來形成。
隨著第一結合部分141與第二結合部分142開始接合，后基板121與尋址電極122的端子122a的接觸表面增加了，使得后基板121與端子122a之間的粘接性以及接合更強了。因此，可以阻止由于研磨劑噴射的壓力所造成的尋址電極122的端子122a從后基板121上脫離。
正如本領域的技術人員會意識到的，第一結合部分141以及第二結合部分142的形狀不限于上面所描述的V形，任何能夠提高后基板121與尋址電極122的端子122a之間接觸表面的結構或外形都可以被采用。另外，在兩個結合部分141、142中哪一個凸起和哪一個凹陷也沒有限制；只要該結構中形成帶有凸起的第一結合部分以及帶有凹槽的第二結合部分就可以接受。
如圖5中所示，結合部分150可以在后基板121的表面與尋址電極122之間排布。更具體的是，第一結合部分151形成在與尋址電極122相對應的位置，第二結合部分152形成在尋址電極122的下面與第一結合部分151相對應的位置。
第二結合部分152的凸起可以通過相對第一結合部分151的凹槽壓力印刷用于形成尋址電極122的材料以便利用該尋址電極材料填充該凹槽來形成表1顯示了傳統(tǒng)PDP與具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的結合部分的PDP的故障率之間的對照。另外，表1中也展示了根據(jù)后基板與尋址電極之間接觸表面的不同，在兩種PDP的故障率之間的對照。圖6展示了根據(jù)后基板與尋址電極之間的接觸表面的故障率。
在表1和圖6中，根據(jù)本發(fā)明的接觸表面是當假定現(xiàn)有技術中的后基板與尋址電極之間接觸表面積為1時由后基板與尋址電極之間的接觸表面確定的一個相對值。根據(jù)形成在后基板上的第一和第二結合部分的凹槽的高度和寬度，接觸表面的值是變化的。
正如表1中所示，當處于后基板與尋址電極之間的接觸表面積大于1時所述故障率減小，如在表1以及附圖6中所示，隨著后基板與尋址電極之間的接觸表面積的增加，故障率逐漸降低。
表1

正如上面描述的，根據(jù)本發(fā)明的PDP中，當使用噴砂磨蝕的方法形成用于分隔放電空間的阻擋壁時，由于在后基板與尋址電極之間提供結合部分，所以阻止每個尋址電極的末端從后基板上脫落。因此，故障率降低，產量得到提高。
雖然參考典型的實施例已經(jīng)具體地展示及描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員可以理解，在不背離本發(fā)明附屬的權利要求所限定的精神和范圍的情況下可以在形式和細節(jié)上進行各種改變。
權利要求
1.一種等離子體顯示板，包括包括以預定間隔設置的維持電極的前基板；覆蓋維持電極的前介電層；與前基板相對的后基板，該后基板包括與維持電極相垂直形成的尋址電極；覆蓋尋址電極的后介電層；分隔前基板與后基板之間的放電空間的阻擋壁，該阻擋壁具有形成在其內的熒光層；以及在后基板與每個尋址電極之間的接觸表面上提供的結合部分，用于增強后基板與尋址電極之間的粘接性。
2.權利要求1中所述的等離子體顯示板，其中結合部分包括在與后基板上的尋址電極的每個端子相對應的位置上形成的一個或多個第一結合部分；以及在尋址電極的每個端子的一側上形成的一個或多個第二結合部分，該第二結合部分與第一結合部分互補并且與第一結合部分相結合。
3.權利要求2中所述的等離子體顯示板，其中所述的第一結合部分和所述的第二結合部分的其中一個包括凹槽，而所述的第一結合部分和所述的第二結合部分的另外一個包括插入到凹槽中的凸起。
4.權利要求3中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的高度在大約5μm到大約30μm之間。
5.權利要求3中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的寬度在大約一個凹槽高度到大約三倍的凹槽高度之間的數(shù)值范圍的值。
6.權利要求1中所述的等離子體顯示板，其進一步包括在每個尋址電極的一端處提供一個或多個端子，一個或多個端子由于后介電層而被暴露在后基板上；其中結合部分被提供在后基板與尋址電極之間的接觸表面上，并從后介電層的邊緣向一個或多個端子延伸。
7.權利要求6中所述的等離子體顯示板，其中結合部分包括在相對應于后基板上的尋址電極的每個端子的位置上形成的一個或多個第一結合部分；以及在尋址電極的每個端子的一側上形成的一個或多個第二結合部分，該第二結合部分與第一結合部分互補并且與第一結合部分結合在一起。
8.權利要求7中所述的等離子體顯示板，其中所述第一結合部分和所述第二結合部分的其中一個包括凹槽，而所述第一結合部分和所述第二結合部分的另一個包括用于插入到凹槽中的凸起。
9.權利要求8中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的高度在大約5μm到大約30μm之間。
10.權利要求9中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的寬度在大約一個凹槽高度到大約三倍的凹槽高度的數(shù)值范圍之間。
11.權利要求1中所述的等離子體顯示板，其中阻擋壁通過噴砂磨蝕的方法形成。
12.一種等離子體顯示板，包括包括以預定間隔設置的維持電極的前基板；覆蓋維持電極的前介電層；與前基板相對的后基板，該后基板具有在與維持電極相垂直的方向上形成的尋址電極；覆蓋尋址電極的后介電層；用于分隔在前基板與后基板之間的放電空間的阻擋壁；以及結合部分，其包括在與后基板的尋址電極的每個端子相對應的位置上形成的第一結合部分，以及在尋址電極的每個端子的一側上形成的第二結合部分，第二結合部分與第一結合部分相連接，其中在第一和第二結合部分的一側上形成凹槽，在第一和第二結合部分的另外一側上形成凸起，該凸起插入到凹槽中。
13.權利要求12中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的高度在大約5μm到大約30μm之間。
14.權利要求13中所述的等離子體顯示板，其中凹槽的寬度在具有大約一個凹槽高度到大約三倍的凹槽高度之間的值的范圍之間。
15.權利要求12中所述的等離子體顯示板，其中位于尋址電極的端子上的第二結合部分是通過壓力印刷用于相對在后基板上形成的第一結合部分而形成尋址電極的材料來形成。
16.權利要求12中所述的等離子體顯示板，其中阻擋壁通過噴砂磨蝕的方法形成。
17.一種等離子體顯示板，包括以預定間隔設置的維持電極的前基板；與前基板相對的后基板，該后基板具有與維持電極相垂直形成的尋址電極；分隔在前基板與后基板之間的放電空間的阻擋壁，該阻擋壁具有形成在其內的熒光層；以及在后基板與每個尋址電極之間提供的結合部分，每個結合部分都具有非平面的結合表面。
18.權利要求17中所述的等離子體顯示板，其中結合部分包括在后基板上提供的第一結合部分以及在每個各自的尋址電極上提供的第二結合部分。
19.權利要求18中所述的等離子體顯示板，其中非平面的結合表面包括其上形成的凹槽。
20.權利要求19中所述的等離子體顯示板，其中第一結合部分的非平面的結合表面上的凹槽與第二結合部分的非平面的結合表面的凹槽互補。
全文摘要
一種等離子體顯示板(PDP)。該PDP包括在前和后基板上提供的相對應的多個維持電極和尋址電極。以規(guī)則的間隔形成阻擋壁以將基板分成單個的放電單元。在尋址電極和基板上設置各自的結合部分以使尋址電極連接在基板上，使得基板與尋址電極之間的粘接性增強。在一個實施例中，結合部分是具有一組相互補的凹槽的部分。
文檔編號H01J17/49GK1599011SQ20041008997
公開日2005年3月23日 申請日期2004年8月26日 優(yōu)先權日2003年8月26日
發(fā)明者權泰正 申請人:三星Sdi株式會社