專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及用于壁掛式電視機(jī)、大型監(jiān)視器的等離子體顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為AC(交流)型代表性的交流面放電型等離子體顯示面板(以下，稱為PDP)，為如下的構(gòu)成。使進(jìn)行面放電的、由把掃描電極及維持電極排列而形成的玻璃基板所構(gòu)成的前面基板，和由排列數(shù)據(jù)電極而形成的玻璃基板所構(gòu)成的背面基板，對向配置而使兩電極組成矩陣。在前面基板和背面基板的間隙中形成放電空間，并由玻璃熔料(glass frit)等密封材料密封其外周部。在放電空間中，設(shè)置由間隔壁而劃分出的放電單元。在該放電單元中形成熒光體層。
在如此構(gòu)成的PDP中，由氣體放電而產(chǎn)生紫外線，通過以該紫外線激發(fā)R、G、B各色熒光體使其發(fā)光而進(jìn)行彩色顯示。
該P(yáng)DP，使1場期間分割成多個子場，并通過發(fā)光的子場的組合而進(jìn)行灰度等級顯示。各子場具有初始化期間、尋址(address)期間及維持期間。而且，為了顯示圖像數(shù)據(jù)，在各電極上施加在初始化期間、尋址期間及維持期間分別不相同的信號波形。在初始化期間，例如，在全部掃描電極上施加正的脈沖電壓，并在覆蓋掃描電極及維持電極的電介質(zhì)層上的保護(hù)膜及熒光體層上蓄積所需的壁電荷。在尋址期間，在全部的掃描電極上，進(jìn)行按順序施加負(fù)的掃描脈沖的掃描。當(dāng)有顯示數(shù)據(jù)時，在掃描掃描電極期間，如在數(shù)據(jù)電極上施加正的數(shù)據(jù)脈沖，則在掃描電極和數(shù)據(jù)電極之間發(fā)生放電，在掃描電極上的保護(hù)膜的表面上形成壁壘電荷。
在接著的維持期間，在一定的期間內(nèi)，在掃描電極和維持電極之間施加足夠用于維持放電的電壓。由此，在掃描電極和維持電極之間生成放電等離子體，而在一定的期間內(nèi)，使熒光體層受激發(fā)光。而在尋址期間內(nèi)未施加數(shù)據(jù)脈沖的放電空間，不發(fā)生放電，不產(chǎn)生熒光體層的受激發(fā)光。
在如此的PDP中，存在以下問題在尋址期間的放電中發(fā)生大的放電延遲而尋址工作變得不穩(wěn)定，如果為了完全地進(jìn)行尋址工作而使尋址時間設(shè)定得長，則在尋址期間中所花費(fèi)的時間變長而必須減少在維持期間中所花費(fèi)的時間，而難于確保亮度。
為了解決這些問題，提出了，通過在前面基板上設(shè)置輔助放電電極而通過由前面基板側(cè)的面內(nèi)輔助放電所產(chǎn)生的觸發(fā)(priming)放電而減小放電延遲的PDP及其驅(qū)動方法。
可是，在該P(yáng)DP中，存在不能充分地縮短尋址時的放電延遲，輔助放電的工作寬余量小，誘發(fā)誤放電而工作不穩(wěn)定等問題。并且，還存在因?yàn)樵谇懊婊宓拿鎯?nèi)進(jìn)行輔助放電，所以向相鄰的放電單元供給多于等于觸發(fā)所需粒子的觸發(fā)粒子而產(chǎn)生串?dāng)_等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種PDP，其具有配置成在第1基板上互相平行的第1電極及第2電極；在隔著放電空間而與第1基板對向配置的第2基板上沿與第1電極及第2電極正交的方向配置的第3電極；在第2基板上與第1電極及第2電極平行并且比第3電極接近第1電極及第2電極而配置的第4電極；和形成在第2基板上，而劃分由第1電極及第2電極和第3電極所形成的多個主放電單元，與由第1電極或第2電極和第4電極所形成的多個觸發(fā)放電單元的間隔壁；至少用第1電介質(zhì)層覆蓋第3電極，并在第1電介質(zhì)層上設(shè)置第4電極，用軟化點(diǎn)溫度比第1電介質(zhì)層低的材料構(gòu)成第4電極。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的PDP的剖面圖。
圖2是模式地表示對應(yīng)的PDP的前面基板側(cè)的電極排列的平面圖。
圖3是模式地表示對應(yīng)的PDP的背面基板側(cè)的立體圖。
圖4是表示用于驅(qū)動對應(yīng)的PDP的驅(qū)動波形的一例的波形圖。
圖5是對應(yīng)的PDP的背面基板的制造步驟的流程圖。
圖6是表示現(xiàn)有的觸發(fā)電極的變形的剖面圖。
圖7是表示在現(xiàn)有的第1電介質(zhì)層中產(chǎn)生氣泡的剖面圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的PDP的背面基板的同時焙燒的制造步驟的流程圖。
圖9是表示通過本發(fā)明的實(shí)施方式2中的PDP的背面基板的同時焙燒的制造步驟流程的其他的例的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，關(guān)于本發(fā)明的一個實(shí)施方式的PDP，利用附圖進(jìn)行說明。
實(shí)施方式1以下，關(guān)于實(shí)施方式1中的PDP及其制造方法，用圖1～圖5進(jìn)行說明。還有，本發(fā)明的實(shí)施的形態(tài)不限定于此。
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的PDP的剖面圖，圖2是模式地表示作為第1基板的前面基板側(cè)的電極排列的平面圖，圖3是模式地表示作為第2基板的背面基板側(cè)的立體圖。
如圖1中所示地，使作為第1基板的玻璃制的前面基板1，和作為第2基板的玻璃制的背面基板2夾著放電空間3對向配置。在放電空間3中密封進(jìn)氖(Ne)及氙(Xe)等，作為因放電而放射紫外線的氣體。在前面基板1上，使以作為第1電極的掃描電極6和作為第2電極的維持電極7成對的帶狀的電極組互相平行地配置。該掃描電極6和維持電極7，分別由透明電極6a、7a，和重疊到該透明電極6a、7a之上而形成的由用于提高導(dǎo)電性的銀(Ag)等構(gòu)成的金屬母線6b、7b構(gòu)成。然后，形成前面基板電介質(zhì)層4以覆蓋掃描電極6和維持電極7，并以保護(hù)膜5覆蓋其上。并且，如圖1、圖2中所示地，掃描電極6和維持電極7，每2根交替地排列成掃描電極6-掃描電極6-維持電極7-維持電極7。然后，在相鄰的2根掃描電極6和掃描電極6之間及維持電極7和維持電極7之間分別設(shè)置用于提高發(fā)光時的對比度的光吸收層8。在掃描電極6和掃描電極6之間的光吸收層8上設(shè)置輔助電極9。輔助電極9在PDP的非顯示部(端部)與相鄰的掃描電極6的其中之1連接。
并且，如圖1、圖3中所示地，在背面基板2之上，在與掃描電極6及維持電極7正交的方向上，使作為第3電極的多個帶狀數(shù)據(jù)電極10互相平行地配置。然后，形成第1電介質(zhì)層17以覆蓋數(shù)據(jù)電極10。在第1電介質(zhì)層17之上，在與設(shè)置于前面基板1上的輔助電極9對應(yīng)的位置上，形成與輔助電極9平行的，作為第4電極的觸發(fā)電極15。進(jìn)而在第1電介質(zhì)層17之上，形成第2電介質(zhì)層18以覆蓋觸發(fā)電極15。在第2電介質(zhì)層18之上，形成用于劃分以掃描電極6及維持電極7和數(shù)據(jù)電極10形成的多個放電單元的間隔壁11。間隔壁11，由縱壁部11a和橫壁部11b構(gòu)成?？v壁部11a，在與設(shè)置于前面基板1上的掃描電極6及維持電極7正交的方向上，即與數(shù)據(jù)電極10平行的方向上形成。橫壁部11b，與縱壁部11a交叉地設(shè)置。然后，通過縱壁部11a和橫壁部11b，形成主放電單元12和相鄰于主放電單元12的間隙部13及具有觸發(fā)電極15的觸發(fā)放電單元16。從而，間隙部13及觸發(fā)放電單元16，使主放電單元12夾在中間，而交替地排列。在主放電單元12中形成熒光體層14。
并且，如圖3中所示地，以第1電介質(zhì)層17覆蓋數(shù)據(jù)電極10，在第1電介質(zhì)層17之上形成觸發(fā)電極15，并進(jìn)而在其之上形成第2電介質(zhì)層18。從而，觸發(fā)放電單元16中的觸發(fā)電極15和保護(hù)膜5的距離，比主放電單元12中的數(shù)據(jù)電極10和保護(hù)膜5的距離，正好短第1電介質(zhì)層17的厚度。
其次，對在PDP上使圖像數(shù)據(jù)顯示的方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，使1場期間分割成具有基于2進(jìn)制的發(fā)光期間的加權(quán)重的多個子場，并通過發(fā)光的子場的組合而進(jìn)行灰度等級顯示。各子場具有初始化期間，尋址期間及維持期間。
圖4，是表示用于驅(qū)動本發(fā)明的實(shí)施方式1中的PDP的驅(qū)動波形的一例的波形圖。首先，在初始化期間中，在形成有觸發(fā)電極Pr(圖1的觸發(fā)電極15)的觸發(fā)放電單元(圖1的觸發(fā)放電單元16)中，在全部的掃描電極Y(圖1的掃描電極6)上施加正的脈沖電壓，在輔助電極(圖1的輔助電極9)和觸發(fā)電極Pr之間進(jìn)行初始化。在接著的尋址期間中，在觸發(fā)電極Pr上一直施加正的電位。在接下來的維持期間中，在一定的期間內(nèi)，在掃描電極和維持電極之間施加足夠維持放電的交變電壓。由此，在掃描電極Y和維持電極X(圖1的維持電極7)之間生成放電等離子體，而在一定的期間內(nèi)，使熒光體層受激發(fā)光。而在尋址期間內(nèi)未施加數(shù)據(jù)脈沖的放電空間，不發(fā)生放電不產(chǎn)生熒光體層的受激發(fā)光。
因此，在觸發(fā)放電單元中，在掃描電極Yn上施加了掃描脈沖SPn時，在觸發(fā)電極Pr和輔助電極之間發(fā)生觸發(fā)放電，向主放電單元中(圖1的主放電單元12)中供給觸發(fā)粒子。接著，雖在第n+1個主放電單元的掃描電極Yn+1上施加掃描脈沖SPn+1，但因?yàn)榇藭r之前剛剛發(fā)生過觸發(fā)放電，已經(jīng)供給觸發(fā)粒子，所以能減小下一個的尋址時的放電延遲。還有，在此，雖然進(jìn)行了僅某1場的驅(qū)動順序的說明，但其他的子場中的工作原理也是同樣。在圖4中所示的驅(qū)動波形中，通過在尋址期間中在觸發(fā)電極Pr上施加正的電壓，能使上述的工作更加可靠地發(fā)生。還有，尋址期間的觸發(fā)電極Pr的施加電壓，優(yōu)選設(shè)定成，比施加在數(shù)據(jù)電極D(圖1的數(shù)據(jù)電極10)上的數(shù)據(jù)電壓值大的值。
在如此的構(gòu)成中，因?yàn)樵谟|發(fā)放電單元16中，觸發(fā)電極15形成于第1電介質(zhì)層17上，所以如果適當(dāng)?shù)匦纬傻?電介質(zhì)層17，則能以第1電介質(zhì)層17確保數(shù)據(jù)電極10和觸發(fā)電極15間的絕緣耐壓，能使觸發(fā)放電和尋址放電穩(wěn)定發(fā)生。并且，因?yàn)樵谠撚|發(fā)放電單元16中，觸發(fā)電極15設(shè)置在第1電介質(zhì)層17上，所以使觸發(fā)電極15和輔助電極9的距離比主放電單元12中的數(shù)據(jù)電極10和掃描電極6的距離短。因此，能使對應(yīng)于與輔助電極9連接的掃描電極6的主放電單元12中的觸發(fā)放電，在該主放電單元12中的尋址放電之前可靠穩(wěn)定發(fā)生，能減小在該主放電單元12中的放電延遲。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的PDP的背面基板的制造過程流程圖。
如圖5中所示地，在步驟1中，準(zhǔn)備作為背面基板2的背面玻璃基板。在步驟2及步驟3中，形成數(shù)據(jù)電極10。在步驟2中，在背面玻璃基板上涂敷銀(Ag)糊劑后，用光刻法，形成寬度150μm的銀(Ag)線。構(gòu)成數(shù)據(jù)電極10的玻璃成分之中的至少1種的軟化點(diǎn)溫度是590℃。在步驟3中，通過以600℃焙燒使該銀(Ag)線固化，而形成數(shù)據(jù)電極10。
其次在步驟4及步驟5中，形成第1電介質(zhì)層17。在第1電介質(zhì)層17的材料中，使用ZnO-B2O3-SiO2類的混合物，PbO-B2O3-SiO2類的混合物，PbO-B2O3-SiO2-Al2O3類的混合物，PbO-ZnO-B2O3-SiO2類的混合物，Bi2O3-B2O3-SiO2類的混合物等。在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，使PbO-B2O3-SiO2類的混合物，以PbO65wt％～70wt％-B2O35wt％-SiO225wt％～30wt％的組成且軟化點(diǎn)溫度580℃的材料用于第1電介質(zhì)層17的材料中。軟化點(diǎn)溫度可以由增減PbO的含有量而適當(dāng)設(shè)定。在步驟4中，使第1電介質(zhì)層17的材料成糊劑狀，并覆蓋數(shù)據(jù)電極10而涂敷。涂敷方法不特別限定，能用公知的涂敷方法及印刷方法。該方法中，例如，有滾動涂敷法(roll coating)，狹縫模涂敷法(slit die coating)，刮刀涂敷法(doctor blade method)，絲網(wǎng)印刷法(screen printing)，平版印刷法(off-set printing)等。在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度，優(yōu)選5μm～40μm。并且，通過使第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度大于或等于5μm，能緩和由焙燒后的數(shù)據(jù)電極10所引起的凹凸不平。還有，第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度根據(jù)糊劑中的無機(jī)成分含有量而不同。在步驟5中，以溫度585℃焙燒使第1電介質(zhì)層17的糊劑固化，形成第1電介質(zhì)層17。這樣，由于第1電介質(zhì)層17的焙燒溫度比數(shù)據(jù)電極10的軟化點(diǎn)溫度低，因此可以抑制第1電介質(zhì)層17的焙燒時的數(shù)據(jù)電極10的變質(zhì)和變形。
其次，在步驟6及步驟7中，形成觸發(fā)電極15。在步驟6中，用與步驟2的數(shù)據(jù)電極10的形成方法大致相同的方法在第1電介質(zhì)層17上涂敷銀(Ag)糊劑。構(gòu)成觸發(fā)電極15的玻璃成分之中的至少1種的軟化點(diǎn)是570℃。在步驟7中，以575℃焙燒使其固化而形成觸發(fā)電極15。此時的焙燒溫度575℃，因?yàn)楸鹊?電介質(zhì)層17的軟化點(diǎn)溫度580℃低并且大于或等于構(gòu)成觸發(fā)電極15的材料的軟化點(diǎn)溫度570℃，所以能抑制觸發(fā)電極15的焙燒時的第1電介質(zhì)層17的變質(zhì)、變形。
現(xiàn)有技術(shù)，不必一定設(shè)定為觸發(fā)電極15的軟化點(diǎn)溫度比第1電介質(zhì)層17的軟化點(diǎn)溫度低。因此，觸發(fā)電極15的焙燒溫度有時超過第1電介質(zhì)層17的軟化點(diǎn)溫度。該情形下，如圖6的表示現(xiàn)有的觸發(fā)電極的變形的剖面圖中所示地，當(dāng)焙燒觸發(fā)電極15而發(fā)生熱變形時，下層的第1電介質(zhì)層17軟化。那樣一來，觸發(fā)電極15容易下沉到第1電介質(zhì)層17中，不能保證觸發(fā)電極15和數(shù)據(jù)電極10的絕緣距離。圖7是表示在現(xiàn)有的第1電介質(zhì)層17中產(chǎn)生的氣泡的剖面圖。并且如圖7中所示地，因?yàn)榕c焙燒觸發(fā)電極15而發(fā)生熱變形的同時，第1電介質(zhì)層17也軟化，所以在觸發(fā)電極15之下的第1電介質(zhì)層17部分中有時產(chǎn)生氣泡。依照本發(fā)明的實(shí)施方式1，因?yàn)槟苋缟鲜龅?，在觸發(fā)電極15的焙燒時抑制第1電介質(zhì)層17的變質(zhì)、變形，所以能消除絕緣破壞的因素，能實(shí)現(xiàn)可靠性高的PDP。
其次在步驟8及步驟9中，形成第2電介質(zhì)層18。第2電介質(zhì)層18的形成方法與步驟4及步驟5的第1電介質(zhì)層17的形成方法相同。第2電介質(zhì)層18的材料是從第1電介質(zhì)層17的組成使PbO的含有量增加5wt％左右的材料。并且，第2電介質(zhì)層18的軟化點(diǎn)溫度設(shè)定成從第1電介質(zhì)層17下降20℃左右的560℃。在步驟8中，用絲網(wǎng)印刷法等前述的方法，在第1電介質(zhì)層17上，涂敷糊劑以覆蓋觸發(fā)電極15。在步驟9中，以565℃焙燒使其固化，形成第2電介質(zhì)層18。此時的焙燒溫度565℃，比構(gòu)成下層的觸發(fā)電極15的材料的軟化點(diǎn)溫度570℃、構(gòu)成第1電介質(zhì)層17的材料的軟化點(diǎn)溫度580℃以及構(gòu)成數(shù)據(jù)電極10的材料的軟化點(diǎn)溫度590℃低，并且大于等于構(gòu)成第2電介質(zhì)層18的材料的軟化點(diǎn)溫度。從而能抑制第2電介質(zhì)層18的焙燒時的觸發(fā)電極15，第1電介質(zhì)層17，數(shù)據(jù)電極10的變質(zhì)、變形，能消除對于觸發(fā)電極15的絕緣破壞的因素。
其次，在步驟10及步驟11中，形成間隔壁11及熒光體層14。首先，在步驟10中，在第2電介質(zhì)層18上涂敷包含玻璃成分及感光性有機(jī)成分的感光性糊劑并干燥。然后，采用光處理等，形成構(gòu)成主放電單元12的空間和觸發(fā)放電單元16的空間及間隙部13的空間的縱壁部11a和橫壁部11b的圖形。進(jìn)而在主放電單元12內(nèi)，涂敷填充R、G、B的熒光體層14。間隔壁11及熒光體層14的軟化點(diǎn)溫度小于等于550℃。在步驟11中，通過以焙燒溫度555℃同時焙燒固化間隔壁11和熒光體層14而形成間隔壁11及熒光體層14。此時，因?yàn)橄聦拥牡?電介質(zhì)層18、觸發(fā)電極15、第1電介質(zhì)層17、數(shù)據(jù)電極10的軟化點(diǎn)溫度比該焙燒溫度高，所以能抑制這些下層的變質(zhì)、變形。而且，這些構(gòu)成要素成為位于最上部的間隔壁11的基座，因?yàn)橐种七@些構(gòu)成要素的變形所以能使間隔壁11的尺寸精度穩(wěn)定，能實(shí)現(xiàn)尺寸精度優(yōu)良的PDP。
通過以上的步驟完成背面基板2。
實(shí)施方式2其次，用圖8關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式2進(jìn)行說明。
在實(shí)施方式1中示出了按數(shù)據(jù)電極10、第1電介質(zhì)層17、觸發(fā)電極15、第2電介質(zhì)層18、間隔壁11的順序降低設(shè)定軟化點(diǎn)溫度而分別地焙燒，并盡可能地防止全部構(gòu)成部位發(fā)生變質(zhì)、變形。但是，通過用于僅防止特別大地影響絕緣破壞的第1電介質(zhì)層17的變形而采用如下的方法，能簡化制造工序。即，關(guān)于第1電介質(zhì)層17、觸發(fā)電極15、第2電介質(zhì)層18這3層按該順序降低設(shè)定軟化點(diǎn)溫度，且關(guān)于數(shù)據(jù)電極10和第1電介質(zhì)層17使兩者的軟化點(diǎn)溫度相等而同時焙燒，且關(guān)于第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14使3層的軟化點(diǎn)溫度相等而同時焙燒。
在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中，關(guān)于該同時焙燒數(shù)據(jù)電極10和第1電介質(zhì)層17、同時焙燒第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14的制造工序進(jìn)行說明。
圖8，是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的PDP的背面基板的同時焙燒的制造過程流程圖。
如圖8中所示地，在步驟1中，準(zhǔn)備作為背面基板2的背面玻璃基板。在步驟2中，涂敷銀(Ag)糊劑后，用光刻法，形成寬度150μm的銀(Ag)線，并形成數(shù)據(jù)電極10的前驅(qū)體(precursor)。構(gòu)成數(shù)據(jù)電極10的玻璃成分之中的至少1種的軟化點(diǎn)溫度是580℃。
其次在步驟3中，形成第1電介質(zhì)層17的前驅(qū)體層。作為第1電介質(zhì)層17的材料，采用ZnO-B2O3-SiO2類的混合物，PbO-B2O3-SiO2類的混合物，PbO-B2O3-SiO2-Al2O3類的混合物，PbO-ZnO-B2O3-SiO2類的混合物，Bi2O3-B2O3-SiO2類的混合物等。在本實(shí)施方式中，使用PbO-B2O3-SiO2類的混合物，以PbO65wt％～70wt％-B2O35wt％-SiO225wt％～30wt％的組成、與數(shù)據(jù)電極10的軟化點(diǎn)溫度相同軟化點(diǎn)溫度的材料。軟化點(diǎn)溫度可以由增減PbO的含有量而適當(dāng)設(shè)定。使第1電介質(zhì)層17的材料成糊劑狀，覆蓋數(shù)據(jù)電極10的前驅(qū)體而涂敷。涂敷方法不特別限定，能用公知的涂敷、印刷方法。在該方法中，例如，有滾動涂敷法，狹縫模涂敷法，刮刀涂敷法，絲網(wǎng)印刷法，平版印刷法等。在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度，優(yōu)選5μm～40μm。并且，通過使第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度大于等于5μm，能緩和由焙燒后的數(shù)據(jù)電極10所引起的凹凸不平。還有，第1電介質(zhì)層17的糊劑涂敷厚度根據(jù)糊劑中的無機(jī)成分含有量而不同。
其次在步驟4中，通過以溫度585℃同時焙燒使數(shù)據(jù)電極10的前驅(qū)體及第1電介質(zhì)層17的前驅(qū)體層固化，形成數(shù)據(jù)電極10及第1電介質(zhì)層17。
其次，在步驟5及步驟6中，形成觸發(fā)電極15。在步驟5中，用與步驟2的數(shù)據(jù)電極10的前驅(qū)體的形成方法大致相同的方法，在第1電介質(zhì)層17上涂敷銀(Ag)糊劑。構(gòu)成觸發(fā)電極15的玻璃成分之中的至少1種的軟化點(diǎn)是570℃。在步驟6中，以575℃焙燒使其固化而形成觸發(fā)電極15。此時的焙燒溫度575℃，比構(gòu)成第1電介質(zhì)層17的材料的軟化點(diǎn)溫度580℃及構(gòu)成數(shù)據(jù)電極10的材料的軟化點(diǎn)溫度580℃中的任何一種都低并且大于等于構(gòu)成觸發(fā)電極15的材料的軟化點(diǎn)溫度570℃。從而，因?yàn)槟芤种朴|發(fā)電極15的焙燒時的第1電介質(zhì)層17的變質(zhì)、變形，能消除對于觸發(fā)電極15的絕緣破壞的因素，所以能實(shí)現(xiàn)可靠性高的PDP。
其次，在步驟7中，形成第2電介質(zhì)層18的前驅(qū)體層。形成方法與步驟3的第1電介質(zhì)層17的前驅(qū)體層的形成方法相同。用前述的絲網(wǎng)印刷法等方法，在第1電介質(zhì)層17上，涂敷糊劑以覆蓋觸發(fā)電極15，形成第2電介質(zhì)層18的前驅(qū)體層。第2電介質(zhì)層18的材料，是從第1電介質(zhì)層17的組成使PbO的含有量增加5wt％左右的材料。并且，第2電介質(zhì)層18的軟化點(diǎn)溫度設(shè)定成，從第1電介質(zhì)層17下降了20℃左右的小于等于560℃的溫度。
其次，在步驟8中，形成間隔壁11及熒光體層14的前驅(qū)體層。首先，在第2電介質(zhì)層18上涂敷包含玻璃成分及感光性有機(jī)成分的感光性糊劑并干燥。然后，采用光處理等，形成構(gòu)成主放電單元12的空間和觸發(fā)放電單元16的空間及間隙部13的空間的縱壁部11a和橫壁部11b的圖形。進(jìn)而在主放電單元12內(nèi)，涂敷填充R、G、B的熒光體層14。間隔壁11及熒光體層14的軟化點(diǎn)溫度是與第2電介質(zhì)層18的軟化點(diǎn)溫度相同的溫度。
其次，在步驟9中，以565℃同時焙燒固化第2電介質(zhì)層18的前驅(qū)體層和間隔壁11及熒光體層14的前驅(qū)體層。這樣一來，形成第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14。此時的焙燒溫度565℃，因?yàn)楸葮?gòu)成觸發(fā)電極15的材料的軟化點(diǎn)溫度570℃及構(gòu)成第1電介質(zhì)層17、數(shù)據(jù)電極10的材料之中的軟化點(diǎn)溫度較低一方的材料的軟化點(diǎn)溫度580℃低，并且大于等于構(gòu)成第2電介質(zhì)層18、間隔壁11、熒光體層14的材料之中的軟化點(diǎn)溫度最高的材料的軟化點(diǎn)溫度，所以能抑制觸發(fā)電極15、第1電介質(zhì)層17及數(shù)據(jù)電極10的變質(zhì)、變形。而且，這些構(gòu)成要素成為位于最上部的間隔壁11的基座，因?yàn)橐种七@些構(gòu)成要素的變形，所以能使間隔壁11的尺寸精度穩(wěn)定，能實(shí)現(xiàn)尺寸精度優(yōu)良的PDP。
如以上說明地，由同時焙燒數(shù)據(jù)電極10和第1電介質(zhì)層17，并同時焙燒第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14，能簡化制造工序的過程，完成背面基板2。
并且，由同時焙燒觸發(fā)電極15和第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14，還能進(jìn)一步簡化制造工序的過程。
圖9，是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的PDP的背面基板的同時焙燒的制造過程流程的其他的例的圖。在圖9中，從步驟1到步驟4與圖8是同樣的。
在步驟5中，形成觸發(fā)電極15的前驅(qū)體。構(gòu)成觸發(fā)電極15的玻璃成分之中的至少1種的軟化點(diǎn)是560℃。
其次，在步驟6中，形成第2電介質(zhì)層18的前驅(qū)體層。在此，將第2電介質(zhì)層18的軟化點(diǎn)溫度設(shè)定成為，與觸發(fā)電極15的軟化點(diǎn)溫度相同的溫度。
其次，在步驟7中，形成間隔壁11及熒光體層14的前驅(qū)體層。使間隔壁11及熒光體層14的軟化點(diǎn)溫度也設(shè)定成為與觸發(fā)電極15的軟化點(diǎn)溫度相同的溫度。
其次，在步驟8中，由以565℃同時焙燒觸發(fā)電極15的前驅(qū)體層和第2電介質(zhì)層18的前驅(qū)體層和間隔壁11及熒光體層14的前驅(qū)體層而使之固化，形成觸發(fā)電極15和第2電介質(zhì)層18和間隔壁11及熒光體層14。
此時的焙燒溫度565℃，比構(gòu)成數(shù)據(jù)電極10及第1電介質(zhì)層17的材料之中的軟化點(diǎn)溫度較低一方的材料的軟化點(diǎn)溫度580℃低，并且大于等于構(gòu)成觸發(fā)電極15及第2電介質(zhì)層18及間隔壁11及熒光體層14的材料之中的軟化點(diǎn)溫度最高的材料的軟化點(diǎn)溫度560℃。從而，能抑制焙燒時的第1電介質(zhì)層17的變質(zhì)、變形。
如此地，由與第2電介質(zhì)層18等同時焙燒觸發(fā)電極15，還能進(jìn)一步簡化制造工序的過程。并且，因?yàn)榇藭r的焙燒溫度，比第1電介質(zhì)層17的軟化點(diǎn)溫度低，所以能抑制焙燒時的第1電介質(zhì)層17的變質(zhì)、變形。其結(jié)果，能消除對于在第1電介質(zhì)層17上所形成的觸發(fā)電極15的絕緣破壞的因素，能實(shí)現(xiàn)可靠性高的PDP。
在上述的實(shí)施方式中示出了使用鉛(Pb)類的混合物作為第1電介質(zhì)層17、第2電介質(zhì)層18的材料的例。但是，在鋅(Zn)類、鉍(Bi)類的混合物材料的情形下也能由增減鋅(Zn)或鉍(Bi)的含有量而任意地設(shè)定軟化點(diǎn)溫度。
另外，所謂本發(fā)明中的相同軟化點(diǎn)溫度是實(shí)質(zhì)的同溫度，同時焙燒的材料中的軟化點(diǎn)溫度的差，在可以得到作為本發(fā)明的目的的效果的范圍內(nèi)允許。
如以上說明地，依照本發(fā)明，因?yàn)槭蔷哂性谇懊婊搴捅趁婊彘g進(jìn)行觸發(fā)放電的觸發(fā)放電單元的PDP，在觸發(fā)放電單元中的放電距離比在主放電單元中的放電距離小，所以能在主放電(尋址放電)之前可靠地進(jìn)行觸發(fā)放電。而且，可以得到能確保數(shù)據(jù)電極和觸發(fā)電極的絕緣耐壓而使PDP的可靠性提高的有利的效果。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，其特征在于，具有在第1基板上配置成互相平行的第1電極和第2電極；在夾著放電空間而與上述第1基板對向配置的第2基板上，沿與上述第1電極及上述第2電極正交的方向配置的第3電極；在上述第2基板上，與上述第1電極及上述第2電極平行，并且比上述第3電極接近上述第1電極及上述第2電極而配置的第4電極；和在上述第2基板上所形成的，用于劃分由上述第1電極及上述第2電極和上述第3電極所形成的多個主放電單元，和由上述第1電極或上述第2電極和上述第4電極所形成的多個觸發(fā)放電單元的間隔壁；用第1電介質(zhì)層至少覆蓋上述第3電極，并在上述第1電介質(zhì)層上設(shè)置有上述第4電極，用軟化點(diǎn)溫度比上述第1電介質(zhì)層低的材料構(gòu)成上述第4電極。
2.按照權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于第4電極由第2電介質(zhì)層覆蓋，構(gòu)成上述第2電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度小于或等于構(gòu)成上述第4電極的材料的軟化點(diǎn)溫度。
3.按照權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于構(gòu)成第1電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度小于或等于構(gòu)成第3電極的材料的軟化點(diǎn)溫度。
4.按照權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于在第2電介質(zhì)層上設(shè)置有間隔壁，構(gòu)成上述間隔壁的材料的軟化點(diǎn)溫度小于或等于構(gòu)成上述第2電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度。
5.一種等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，包括形成在第1基板上配置成互相平行的第1電極和第2電極的工序；形成在夾著放電空間而與上述第1基板對向配置的第2基板上、沿與上述第1電極及第2電極正交的方向所配置的第3電極的工序；覆蓋上述第3電極而形成第1電介質(zhì)層的工序；形成在上述第1電介質(zhì)層上，與上述第1電極及上述第2電極平行、并且比上述第3電極接近上述第1電極及上述第2電極而配置的第4電極的工序；覆蓋上述第4電極而形成第2電介質(zhì)層的工序；和形成在上述第2電介質(zhì)層上，用于劃分由上述第1電極及上述第2電極和上述第3電極所形成的多個主放電單元、與由上述第1電極或上述第2電極和上述第4電極所形成的多個觸發(fā)放電單元的間隔壁的工序；至少形成上述第1電介質(zhì)層、上述第4電極、上述第2電介質(zhì)層的工序包括焙燒固化各自的糊劑材料的焙燒工序；上述第4電極的焙燒工序中的焙燒溫度，比構(gòu)成上述第1電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度低、并且比構(gòu)成上述第4電極的材料的軟化點(diǎn)溫度高；上述第2電介質(zhì)層的焙燒工序中的焙燒溫度，比構(gòu)成上述第4電極的材料的軟化點(diǎn)溫度低、并且比構(gòu)成上述第2電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度高。
6.按照權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于包括在第2電介質(zhì)層上圖形化形成間隔壁的工序，和焙燒上述間隔壁使之固化的焙燒工序，上述間隔壁的焙燒工序中的焙燒溫度小于或等于構(gòu)成上述第2電介質(zhì)層的材料的軟化點(diǎn)溫度。
7.一種等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，包括形成在第1基板上配置成互相平行的第1電極和第2電極的工序；形成在夾著放電空間而與上述第1基板對向配置的第2基板上、沿與上述第1電極及上述第2電極正交的方向所配置的第3電極的工序；覆蓋上述第3電極而形成第1電介質(zhì)層的工序；形成在上述第1電介質(zhì)層上與上述第1電極及上述第2電極平行、并且比上述第3電極接近上述第1電極及上述第2電極而配置的第4電極的工序；覆蓋上述第4電極而形成第2電介質(zhì)層的工序；和形成在上述第2電介質(zhì)層上，用于劃分由上述第1電極及上述第2電極和上述第3電極所形成的多個主放電單元、與由上述第1電極或上述第2電極和上述第4電極所形成的多個觸發(fā)放電單元的間隔壁的工序；至少形成上述第3電極、上述第1電介質(zhì)層、上述第4電極、上述第2電介質(zhì)層、上述間隔壁的工序，包括焙燒各自的糊劑材料使之固化的焙燒工序，同時進(jìn)行上述第3電極和上述第1電介質(zhì)層的焙燒工序，其后，進(jìn)行上述第4電極的焙燒工序，其后，同時進(jìn)行上述第2電介質(zhì)層和上述間隔壁的焙燒工序；上述第4電極的焙燒工序中的焙燒溫度，比構(gòu)成上述第3電極及上述第1電介質(zhì)層的任何一種材料的軟化點(diǎn)溫度都低、并且大于或等于構(gòu)成上述第4電極的材料的軟化點(diǎn)溫度；上述第2電介質(zhì)層和上述間隔壁的焙燒工序中的焙燒溫度，比構(gòu)成上述第4電極的材料的軟化點(diǎn)溫度低、并且大于或等于構(gòu)成上述第2電介質(zhì)層及上述間隔壁的材料中的軟化點(diǎn)溫度最高的材料的軟化點(diǎn)溫度。
8.一種等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，具有形成在第1基板上配置成互相平行的第1電極和第2電極的工序；形成在夾著放電空間而與上述第1基板對向配置的第2基板上、沿與上述第1電極及上述第2電極正交的方向所配置的第3電極的工序；覆蓋上述第3電極而形成第1電介質(zhì)層的工序；形成在上述第1電介質(zhì)層上與上述第1電極及上述第2電極平行、并且比上述第3電極接近上述第1電極及上述第2電極而配置的第4電極的工序；覆蓋上述第4電極而形成第2電介質(zhì)層的工序；和形成在上述第2電介質(zhì)層上，用于劃分由上述第1電極及上述第2電極和上述第3電極所形成的多個主放電單元、與由上述第1電極或上述第2電極和上述第4電極所形成的多個觸發(fā)放電單元的間隔壁的工序；至少形成上述第3電極、上述第1電介質(zhì)層、上述第4電極、上述第2電介質(zhì)層、上述間隔壁的工序，包括焙燒各自的糊劑材料使之固化的焙燒工序，同時進(jìn)行上述第3電極和上述第1電介質(zhì)層的焙燒工序，其后，同時進(jìn)行上述第4電極和上述第2電介質(zhì)層和上述間隔壁的焙燒工序；上述第4電極和上述第2電介質(zhì)層和上述間隔壁的焙燒工序中的焙燒溫度，比構(gòu)成上述第3電極及上述第1電介質(zhì)層的任何一種材料的軟化點(diǎn)溫度都低、并且大于或等于構(gòu)成上述第4電極和上述第2電介質(zhì)層和上述間隔壁的材料中的軟化點(diǎn)溫度最高的材料的軟化點(diǎn)溫度。
全文摘要
本發(fā)明提供提高能使尋址特性穩(wěn)定的等離子體顯示面板的可靠性的構(gòu)成和制造方法。本發(fā)明的等離子體顯示面板及其制造方法，在與形成有掃描電極(6)和維持電極(7)的前面基板(1)對向的背面基板(2)上，按順序形成數(shù)據(jù)電極(10)、覆蓋其的第1電介質(zhì)層(17)、觸發(fā)電極(15)和覆蓋其的第2電介質(zhì)層(18)，并按該順序降低設(shè)定軟化點(diǎn)溫度，由此防止制造時的第1電介質(zhì)層(17)的變質(zhì)、變形，使數(shù)據(jù)電極(10)和觸發(fā)電極(15)的絕緣耐壓提高。
文檔編號H01J17/49GK1791957SQ20048001366
公開日2006年6月21日 申請日期2004年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月21日
發(fā)明者藤谷守男, 住田圭介, 三船達(dá)雄, 石野真一郎, 橘弘之 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社