專利名稱：用于離子束的靜電平行透鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及離子束注入機(jī)，更特別涉及具有透鏡的離子束注入機(jī)，組成離子束的離子穿過透鏡以在離子和工件之間形成一受控撞擊角度。
背景技術(shù)：
本發(fā)明的受讓人Axcelis Technologies公司銷售用于在集成電路制造過程中處理硅晶片的產(chǎn)品。一種這樣的產(chǎn)品或工具可產(chǎn)生離子束，該離子束能改變置于離子束內(nèi)的晶片的物理性質(zhì)。這種過程例如可用于對(duì)制成未處理晶片的硅進(jìn)行摻雜，以形成半導(dǎo)體材料。在進(jìn)行離子注入之前以及在晶片內(nèi)形成不同摻雜圖案的疊層之前，按受控方式用抗蝕材料進(jìn)行掩模以制成適用于各種用途之一的集成電路。
現(xiàn)有技術(shù)中King等人的美國專利No.5177366和Dykstra等人的美國專利No.5091655討論了使用兩對(duì)靜電掃描電極來產(chǎn)生平行離子束的方法。該’366號(hào)專利涉及一種離子束注入系統(tǒng)，其中當(dāng)離子束通過由控制電路施加偏壓的間隔平行板時(shí)，離子束可控地偏轉(zhuǎn)出初始軌道。一旦偏轉(zhuǎn)后，該離子束穿過沿離子束行進(jìn)路徑設(shè)置的電極，該電極不但再次偏轉(zhuǎn)該已偏轉(zhuǎn)的離子束，而且將離子加速至預(yù)期的最終能量。該離子束中的離子離開加速器，并且由于離子聚焦在一掃描平面以及一正交交叉平面內(nèi)，而以相同的受控撞擊角度撞擊工件。
該’655號(hào)專利涉及一種離子束，當(dāng)該離子束通過由控制電路施加偏壓的間隔平行板時(shí)，該離子束可控地偏轉(zhuǎn)出初始軌道。一旦偏轉(zhuǎn)后，該離子束進(jìn)入加速器，該加速器不但再次偏轉(zhuǎn)該已偏轉(zhuǎn)的離子束，而且將離子加速至預(yù)期的最終能量。當(dāng)離子束離開加速器時(shí)，它沿著會(huì)撞擊工件的軌道移動(dòng)。組成離子束的離子均以相同的受控撞擊角度撞擊工件。
Nagai等人的題為“The Nissin NH-20SP medium-current ionimplanter”的印刷出版物描述了一種中度電流離子注入機(jī)。該注入機(jī)具有一對(duì)所謂的回掃(kickback)電極H2，其可補(bǔ)償由一組初始電極所引入的逐側(cè)掃描。施加到H1和H2電極的掃描電壓波形是由數(shù)字波形發(fā)生器或波形控制器產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
一種離子注入機(jī)包括用于發(fā)射從源材料產(chǎn)生的離子的離子源，以及用于使離子離開該離子源的結(jié)構(gòu)。掃描電極按照一控制方式逐側(cè)掃描離子，以形成具有一寬度的離子束。透鏡結(jié)構(gòu)限定了離子經(jīng)過的區(qū)域，以便在離子進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)將離子偏轉(zhuǎn)出處于掃描電極下游處的初始軌道。
該透鏡結(jié)構(gòu)包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一和第二電極，該第一和第二電極跨過離子束的寬度而在離子束路徑的相對(duì)側(cè)上延伸，以偏轉(zhuǎn)進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子。在該透鏡結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例中，離子首先遇到用于減速離子的第一電極，然后遇到用于加速離子的第二電極。這些電極的組合作用使得進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子以大約相同的離開軌道離開該透鏡結(jié)構(gòu)，而與離子進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)的軌道無關(guān)。在一種可選構(gòu)造中，該透鏡結(jié)構(gòu)包括沿著離子束路徑用于加速離子的第一電極，以及在第一電極下游處用于減速離子的第二電極。這種可選實(shí)施例也使得進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的離子以大約相同的離開軌道離開該透鏡結(jié)構(gòu)，而與離子進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)的軌道無關(guān)。
下面參考附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征，其中附圖用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
附圖的簡要說明

圖1是應(yīng)用本發(fā)明的離子注入機(jī)的總體示意圖；圖2是用在本發(fā)明示例性實(shí)施例中的透鏡結(jié)構(gòu)的平面圖；圖3是用在本發(fā)明可選示例性實(shí)施例中的可選透鏡結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4是圖2透鏡結(jié)構(gòu)的剖面圖，其示出了透鏡結(jié)構(gòu)的垂直聚焦效果。
本發(fā)明的示例性可選實(shí)施例圖1是離子注入機(jī)10的示意性描述，諸如由本發(fā)明受讓人銷售的Axcelis型MC-3中度電流離子注入機(jī)。這種離子注入機(jī)用于諸如硅晶片工件的離子束處理，以對(duì)那些晶片進(jìn)行選擇性摻雜。在這種離子注入機(jī)中，正離子在經(jīng)過從離子源到離子注入機(jī)臺(tái)的粒子束路徑后撞擊工件。盡管圖1描述的該離子注入機(jī)10是中電流離子注入機(jī)，但是本發(fā)明也能使用其他類型的離子注入機(jī)，包括帶有用于加速離子束中離子的直線加速器的高能離子注入機(jī)。
該離子注入機(jī)10包括離子源12，其用于發(fā)射由源材料產(chǎn)生的離子。典型的源材料是注入源室14中的氣體，或是在源室中被氣化以產(chǎn)生等離子體離子的固體。正如現(xiàn)有技術(shù)中眾所周知的，該源12典型地包括引出電極，其使得離子沿著一離子束路徑離開該室14而遠(yuǎn)離該源。
圖1所描述的離子注入機(jī)10還包括質(zhì)量區(qū)分磁體20，以使離子沿著處于離子源下游的離子行進(jìn)路徑而偏轉(zhuǎn)出一軌道。在源12中產(chǎn)生相同離子的不同種類，且該磁體可區(qū)分這些種類。不合需要的質(zhì)量的離子被該磁體過濾，使得離開該質(zhì)量分析磁體20的離子是應(yīng)用在工件的離子束處理中的單一種類離子。
該離子注入機(jī)10還包括離子束掃描結(jié)構(gòu)30，其放置在質(zhì)量區(qū)分磁體20之后以攔截離子，并按照一控制方式逐側(cè)地掃描離子以形成具有一寬度的離子束。掃描電極30具有兩個(gè)長約20厘米且間隔2.5厘米的掃描板。在這兩個(gè)掃描電極的出口端，這種間隔向外擴(kuò)張至約7.5厘米的間隔。受控幅度高達(dá)+/-20千伏的電壓被施加到各個(gè)板所聯(lián)接的適當(dāng)放大器，以獲得總量為40千伏的板間電壓差。
在圖2中更詳細(xì)示出的透鏡結(jié)構(gòu)40設(shè)在這兩個(gè)掃描電極的下游。該透鏡結(jié)構(gòu)40接受沿發(fā)散路徑移動(dòng)的離子，并偏轉(zhuǎn)離子以便為離開透鏡結(jié)構(gòu)40的離子形成平行的離子軌道。正如圖2和圖3所示，該透鏡結(jié)構(gòu)限定了一區(qū)域42，離子在離開掃描電極30的區(qū)域之后進(jìn)入該區(qū)域42。離子在進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)沿著初始軌道移動(dòng)，而由透鏡結(jié)構(gòu)40所建立的電場(chǎng)將離子從其初始軌道偏轉(zhuǎn)到一最終軌道。
圖2的透鏡結(jié)構(gòu)40包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一和第二電壓間隙44和46。這些間隙由在第一間隙上的電極61和62與第二間隙上的電極63和64之間形成。這些電極具有槽狀開口以允許粒子束通過。電極62和63在電性方面是相同結(jié)構(gòu)的部件，并且處于由電源110確定的相同電位。電極61和64可以處于按地電位。在該示例性實(shí)施例中，電極由鋁構(gòu)成。圖2中示出了x-y坐標(biāo)系統(tǒng)以幫助描述透鏡結(jié)構(gòu)的構(gòu)造。每個(gè)電極都在中央離子束路徑48的相對(duì)側(cè)的y方向上延伸，并跨過掃描離子束的寬度。在所述實(shí)施例中，每個(gè)電極都在掃描平面(即紙張平面)上方和下方的z方向上延伸。電極里的槽狀開口(z方向窄而y方向?qū)?允許掃描離子束穿過這四個(gè)電極。電極61至64關(guān)于離子束中心線48對(duì)稱。圖2的透鏡結(jié)構(gòu)包括使離子減速的第一間隙44和使離子加速的第二間隙46。這四個(gè)電極所建立的電場(chǎng)的組合作用使得進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)40的離子以這樣的方式離開該透鏡結(jié)構(gòu)，即所有軌道都基本上平行于該中心線48。
圖3的透鏡結(jié)構(gòu)40’包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一和第二電壓間隙44’和46’。每個(gè)間隙在離子束路徑的相對(duì)側(cè)延伸并跨過該離子束的寬度，以偏轉(zhuǎn)進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的離子。圖3的透鏡結(jié)構(gòu)包括用于加速離子的第一間隙44’和用于減速離子的第二間隙46’。在該實(shí)施例中，離子束中的離子在遇到激勵(lì)電極之后經(jīng)過間隙44’的接地電極，以便在正x方向上具有產(chǎn)生正電場(chǎng)(用于加速離子)的部件。若入射軌道起始于掃描頂點(diǎn)的近似位置，則由這兩個(gè)間隙建立的電場(chǎng)的組合作用使得進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)40的離子近似平行于中心線48而離開該透鏡結(jié)構(gòu)。
在離開圖2和圖3的透鏡結(jié)構(gòu)40、40’之后，組成離子束的離子以基本平行的方向移動(dòng)，并進(jìn)入離子注入室50。封裝在離子注入室50里的是晶片支架52。晶片借助裝載鎖(load lock)54插入室52中。在室50的外部，晶片由機(jī)械臂56操作，該機(jī)械臂從存儲(chǔ)盒58中抽取未處理的晶片，并將處理過的晶片返送到第二盒60，或者可替代地將已處理的晶片返送到與取出時(shí)相同的盒。
在圖2的實(shí)施例中，第一電極或入口電極為進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子產(chǎn)生第一區(qū)域的電場(chǎng)。該入口電極從進(jìn)入透鏡的離子區(qū)域觀察是凹入的。第二電極或出口電極為已經(jīng)穿過入口電極的離子產(chǎn)生第二電場(chǎng)。該出口電極從入口電極包圍的區(qū)域觀察是凸出的。
該透鏡結(jié)構(gòu)40能改變離子離開該結(jié)構(gòu)的角度而不會(huì)改變離子束能量。每個(gè)電極62和63聯(lián)接到共同的電源110，該電源110具有聯(lián)接到導(dǎo)體112和114的輸出端，這些導(dǎo)體穿過相對(duì)于離子束而支撐電極62和63的絕緣體116和118，并且聯(lián)接到電極62和63上以便電激勵(lì)該電極。借助由低于150千伏的電源所施加的直流信號(hào)，該透鏡結(jié)構(gòu)40能夠來校正經(jīng)掃描的600keV的離子束的掃描角度。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，從掃描結(jié)構(gòu)的中心到第一或入口電極的距離大約是97厘米。兩個(gè)間隙44、46的形狀粗略地為拋物線形，且接近于2*S焦距的兩個(gè)薄透鏡的形狀，其中S是到掃描頂點(diǎn)的距離，在這個(gè)例子中對(duì)第一電極62而言S是97厘米。由電極61、62和63、64構(gòu)成的減速和加速間隙的理想形狀依電場(chǎng)和軌道的靜電模型而定，以獲得最佳的離子束方向校正。在每個(gè)間隙中沿離子束中心線的電極間隔大約為5厘米的，而在中心線上電極62和63之間的間隔大約為10厘米。
117千伏的透鏡電極電壓適合于600keV的離子束。對(duì)減速間隙而言，Ep＝Ein-R*Ein，其中Ep是在間隙之間的能量，R*Ein是穿過該間隙后的能量變化，在本例中R＝0.195＝117/600。對(duì)加速間隙而言，Ein＝Ep+R*Ein。從交匯于電極61前緣的點(diǎn)到電極64的后緣而經(jīng)過該透鏡結(jié)構(gòu)的路徑長度在25到43厘米之間改變，這取決于離子束內(nèi)的離子的y方向位置。z方向上由電極構(gòu)成的垂直開口約5厘米。在掃描板和透鏡結(jié)構(gòu)的進(jìn)入端和輸出端上需要抑制器(未示出)，以使施加在這些裝置上的正電位不會(huì)從離子束中取走電子，這將導(dǎo)致增強(qiáng)的空間電荷效應(yīng)。
在圖3的實(shí)施例中，第一電極或入口電極62與接地電極61組合起來為進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子產(chǎn)生第一區(qū)域的電場(chǎng)。從進(jìn)入透鏡的離子的區(qū)域觀察，該進(jìn)入電極是凸出的。第二電極63或出口電極為已經(jīng)穿過入口電極的離子產(chǎn)生第二區(qū)域的電場(chǎng)。從入口電極所包圍的區(qū)域觀察，該出口電極是凹入的。
應(yīng)當(dāng)注意，有可能利用兩個(gè)或更多串連的如圖2或圖3的組件，以便在每個(gè)間隙處以較小的校正(用該間隙上較小的電壓)來實(shí)現(xiàn)角度校正，從而在透鏡結(jié)構(gòu)上用適度電壓上為較高能量離子束實(shí)現(xiàn)平行軌道。
也應(yīng)該注意，當(dāng)離子束穿過這些電極時(shí)，它將由于電極的邊緣場(chǎng)而聚焦在正交于掃描平面的平面中。參考圖4。該焦距由間隙上相對(duì)于離子束能量的電壓、開口的高度(z方向上)、間隙的寬度(沿行進(jìn)方向，x方向)來決定。該結(jié)構(gòu)的靜電模型能用于實(shí)現(xiàn)垂直聚焦，這在透鏡后所有的y向位置處都是大約相同的。也應(yīng)該注意，對(duì)于電極61、62和63、64基本彼此平行的間隙來說，也會(huì)產(chǎn)生垂直聚焦。這將為掃描離子束或帶狀離子束形成具有垂直聚焦的透鏡。
兩個(gè)可選實(shí)施例的每個(gè)都是用兩個(gè)激勵(lì)電極和兩個(gè)接地電極來描述，這些電極沿離子束的行進(jìn)路徑放置，以構(gòu)成供離子穿過的加速和減速間隙。也可能使用更多較低電壓的電極來形成兩個(gè)以上的間隙。因此，例如該結(jié)構(gòu)可以這樣實(shí)現(xiàn)，即，由一較低電壓的電極限定一加速間隙，沿該離子束路徑而緊隨其后的是限定了一減速間隙的電極，隨后是第二加速間隙，再后為第二減速間隙，這些間隙是用具有類似拋物線形狀的適當(dāng)電極來實(shí)現(xiàn)。在此雖然按照某種程度的特性來描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，然而本發(fā)明意欲涵蓋落入所附權(quán)利要求的精神或范圍內(nèi)的對(duì)所公開示例性設(shè)計(jì)進(jìn)行的所有變型和改造。
權(quán)利要求
1.一種離子注入裝置，包括離子源，用于發(fā)射從源材料產(chǎn)生的離子；質(zhì)量區(qū)分磁體，用于使離子沿著處于離子源下游的離子行進(jìn)路徑而偏轉(zhuǎn)出一軌道；掃描電極，其放置在質(zhì)量區(qū)分磁體之后以攔截離子，以便按照一控制方式逐側(cè)掃描離子以形成具有一寬度的離子束；以及透鏡結(jié)構(gòu)，其限定了離子經(jīng)過的區(qū)域，以便在離子進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)將離子偏轉(zhuǎn)出處于掃描電極下游處的初始軌道；所述透鏡結(jié)構(gòu)包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一和第二電極，該第一和第二電極跨過離子束的寬度而在離子束路徑的相對(duì)側(cè)上延伸，以偏轉(zhuǎn)進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子；所述透鏡結(jié)構(gòu)包括一個(gè)用于加速離子的電極和一個(gè)用于減速所述離子的電極，使得進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的離子以大約相同的離開軌道離開所述透鏡結(jié)構(gòu)，而與離子進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的軌道無關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括電源，其施加靜電壓給第一和第二電極中的每一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，該電源給每個(gè)電極供應(yīng)相同的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第一電極包括用于為進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子產(chǎn)生第一區(qū)域電場(chǎng)的入口電極，并且其中，從進(jìn)入該透鏡的離子區(qū)域觀察時(shí)，該入口電極是凹入的，再其中，所述第二電極包括用于為已經(jīng)穿過入口電極的離子產(chǎn)生第二區(qū)域電場(chǎng)的出口電極，并且其中，從入口電極所包圍的區(qū)域觀察時(shí)，該出口電極是凸出的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第一電極包括用于為進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子產(chǎn)生第一區(qū)域電場(chǎng)的入口電極，并且其中，從進(jìn)入該透鏡的離子區(qū)域觀察時(shí)，該入口電極是凸出的，再其中，所述第二電極包括用于為已經(jīng)穿過入口電極的離子產(chǎn)生第二區(qū)域電場(chǎng)的出口電極，并且其中，從入口電極所包圍的區(qū)域觀察時(shí)，該出口電極是凹入的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，沿離子束路徑運(yùn)動(dòng)的離子所遇到的第一電極是加速電極，而該離子所遇到的第二電極是減速電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，沿離子束路徑運(yùn)動(dòng)的離子所遇到的第一電極是減速電極，而該離子所遇到的第二電極是加速電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，該第一和第二電極相對(duì)于與第一和第二電極間隔開的第一和第二固定的、低電位電極而設(shè)置，以產(chǎn)生限定了間隙的第一和第二電場(chǎng)，離子穿過該間隙移動(dòng)。
9.一種透鏡結(jié)構(gòu)，其用在具有離子束的離子注入機(jī)上，該離子束在處理工件之前先被逐側(cè)偏轉(zhuǎn)，該透鏡結(jié)構(gòu)限定了離子經(jīng)過的區(qū)域，以便在離子進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)將離子偏轉(zhuǎn)出初始軌道；所述透鏡結(jié)構(gòu)包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一激勵(lì)電極和第二激勵(lì)電極，該第一和第二激勵(lì)電極跨過離子束的寬度而在離子束路徑的相對(duì)側(cè)上延伸，以偏轉(zhuǎn)進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子；其中，所述第一激勵(lì)電極和第二激勵(lì)電極中的一個(gè)電極加速離子，所述第一激勵(lì)電極和第二激勵(lì)電極中的另一個(gè)電極減速所述離子，使得進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的離子以大約相同的離開軌道離開所述透鏡結(jié)構(gòu)，而與離子進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的軌道無關(guān)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透鏡結(jié)構(gòu)，還包括第一和第二參考電極，該第一和第二參考電極保持在比第一和第二激勵(lì)電極低的電位，并且與該激勵(lì)電極間隔開，以產(chǎn)生限定了間隙的電場(chǎng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透鏡結(jié)構(gòu)，包括電源，其用于將第一激勵(lì)電極和第二激勵(lì)電極激勵(lì)到相同的電位。
12.一種用于形成在離子注入機(jī)上使用的離子束的方法，包括將源材料所產(chǎn)生出的離子加速，以形成離子束；按照一控制方式逐側(cè)掃描所述離子束中的離子，以形成具有一寬度的薄離子束；以及通過沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔設(shè)置第一和第二激勵(lì)電極以形成一透鏡，并且激勵(lì)該電極從而產(chǎn)生電場(chǎng)來偏轉(zhuǎn)進(jìn)入偏轉(zhuǎn)區(qū)域的離子，使得組成薄離子束的離子進(jìn)入該偏轉(zhuǎn)區(qū)域時(shí)被偏轉(zhuǎn)出初始軌道；其中，由所述第一和第二激勵(lì)電極中的一個(gè)電極產(chǎn)生的電場(chǎng)加速離子，由所述第一和第二激勵(lì)電極中的一個(gè)電極產(chǎn)生的電場(chǎng)減速離子，使得進(jìn)入該偏轉(zhuǎn)區(qū)域的離子以大約相同的離開軌道離開所述偏轉(zhuǎn)區(qū)域，而與離子進(jìn)入該偏轉(zhuǎn)區(qū)域的初始軌道無關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，第一和第二激勵(lì)電極在跨過薄離子束的寬度的方向上是彎曲的，以產(chǎn)生跨過所述離子束寬度的非均勻電場(chǎng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括相對(duì)于每個(gè)所述第一和第二激勵(lì)電極設(shè)置的第一和第二參考電極，以產(chǎn)生間隙，該間隙在離子移動(dòng)經(jīng)過間隙時(shí)加速或減速離子。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，第一和第二激勵(lì)電極被激勵(lì)到相同的靜電位，以在所述間隙中產(chǎn)生加速和減速電場(chǎng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，第一和第二激勵(lì)電極與第一和第二參考電極之間的相對(duì)偏壓是受控制的，使得離子在所述間隙中首先經(jīng)歷一加速過程，隨后又經(jīng)歷一減速過程。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，第一和第二激勵(lì)電極與第一和第二參考電極之間的相對(duì)偏壓是受控制的，以便離子在所述間隙中首先經(jīng)歷一減速過程，隨后又經(jīng)歷一加速過程。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括沿離子束路徑設(shè)置另外的激勵(lì)電極，以在離子束中加速和減速離子。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，每個(gè)第一、第二和另外的激勵(lì)電極都具有相關(guān)參考電極，這限定了離子通過的相關(guān)間隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，就離子束而言，該另外的激勵(lì)電極的構(gòu)造類似于第一和第二激勵(lì)電極，以提供多個(gè)成組構(gòu)造的透鏡部分，并且其中，耦合到該另外的激勵(lì)電極以及第一和第二激勵(lì)電極的激勵(lì)電壓比僅僅具有所述第一和第二激勵(lì)電極的單個(gè)透鏡部分所需的電壓水平降低了。
全文摘要
一種用在離子束注入機(jī)上的透鏡結(jié)構(gòu)。該透鏡結(jié)構(gòu)包括沿離子運(yùn)動(dòng)方向間隔開的第一和第二電極。該透鏡結(jié)構(gòu)跨過離子束的寬度而在離子束路徑的相對(duì)側(cè)上延伸，以偏轉(zhuǎn)進(jìn)入該透鏡結(jié)構(gòu)的離子。該透鏡結(jié)構(gòu)包括用于減速離子的第一電極和用于加速離子的第二電極，以使進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)的離子以大約相同的離開軌道離開所述透鏡結(jié)構(gòu)，而與離子進(jìn)入透鏡結(jié)構(gòu)時(shí)的軌道無關(guān)。在一種可選構(gòu)造中，該透鏡結(jié)構(gòu)包括用于加速離子的第一電極和用于減速離子的第二電極。
文檔編號(hào)H01J37/10GK1813331SQ200480018009
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2004年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月26日
發(fā)明者R·拉斯梅爾, V·班威尼斯特 申請(qǐng)人:艾克塞利斯技術(shù)公司