專利名稱：具有格柵電極的電子發(fā)射裝置以及電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置和一種電子發(fā)射顯示器，更具體而言，涉及一種具有附著到下板上的作為下柵極結構(under gate structure)的格柵電極(grid electrode)的電子發(fā)射裝置以及具有該裝置的電子發(fā)射顯示器。
背景技術：
通常把電子發(fā)射裝置分成熱陰極型或冷陰極型，其中熱陰極型和冷陰極型分別采用熱陰極和冷陰極作為電子發(fā)射源。冷陰極型電子發(fā)射裝置包括諸如場發(fā)射器陣列(FEA)、表面?zhèn)鲗Оl(fā)射器(SCE)、金屬-絕緣體-金屬(MIM)、金屬-絕緣體-半導體(MIS)以及彈道電子表面發(fā)射器(BSE)的結構。
具有FEA結構的電子發(fā)射裝置基于以下原理，即具有低功函數和高β函數的材料容易由于電場差異而發(fā)射電子，以作為真空中的電子發(fā)射源。這種具有FEA結構的電子發(fā)射裝置已得到發(fā)展，其使用尖端結構、碳材料或者納米材料作為電子發(fā)射源。
具有SCE結構的電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射器，其中導電層設置在兩個互相面對的電極之間的板上并且形成有微小的裂紋或間隙，由此形成電子發(fā)射器。這種電子發(fā)射裝置是基于以下原理，即當由于在兩個電極之間施加的電壓所致的電流流過導電層表面時，由微小的裂紋或間隙所形成的電子發(fā)射器發(fā)射出電子。
具有MIM或MIS結構的電子發(fā)射裝置包括具有金屬-絕緣體-金屬結構或金屬-絕緣體-半導體結構的電子發(fā)射源，其基于以下原理，即，當將電壓分別施加在金屬和金屬之間或者金屬和半導體之間時，電子從高電勢的金屬或半導體向低電勢的金屬移動并加速，由此發(fā)射出電子。
具有BSE結構的電子發(fā)射裝置是基于以下原理，即，當半導體的尺寸小于包含在半導體中的電子的平均自由程時，電子行進而不發(fā)生飛濺。這種電子發(fā)射裝置包括由金屬或半導體制成并形成在歐姆電極上的電子供給層，形成在電子供給層上的絕緣體，和形成在絕緣體上的薄金屬層，從而當在歐姆電極和薄金屬層之間施加電壓時，發(fā)射出電子。
前述的電子發(fā)射裝置可用于電子發(fā)射顯示器、各種背光以及光刻電子束。其中，電子發(fā)射顯示器包括設置有電子發(fā)射裝置以發(fā)射電子的電子發(fā)射區(qū)以及其中所發(fā)射出的電子與熒光材料碰撞從而發(fā)光的圖像顯示區(qū)。通常，電子發(fā)射顯示器包括形成在第一板上的多個電子發(fā)射裝置；控制電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射的驅動電極；形成在第二板上的熒光層，其與從第一板所發(fā)射的電子碰撞；以及聚焦電極，其有效地使電子加速射向熒光層。
此外，在具有陰極電極、陽極電極和柵電極(gate electrode)的三極管結構的電子發(fā)射顯示器的情況下，由施加在陰極電極和柵電極之間的預定電壓差所引起的電場導致電子發(fā)射器發(fā)射出電子，并且朝向熒光層加速電子。這種電子發(fā)射顯示器具有類似于陰極射線管(CRT)的高亮度和寬視角。
下面將參考圖1描述具有下柵極結構的常規(guī)電子發(fā)射顯示器。電子發(fā)射顯示器包括后板11和透明前板12，它們相對并且通過設置在其間的隔離物13間隔預定距離。在后板11上，按順序形成具有條狀圖案的柵電極14，介電層15，和具有橫穿柵電極14的條狀圖案的陰極電極16。此外，電子發(fā)射器17與陰極電極16連接并發(fā)射出電子。在與電子發(fā)射器17相連的陰極電極16和相鄰的陰極電極18之間設置反電極(counter electrode)19。反電極19通過形成在介電層15中的孔與柵電極14相連。這樣，將把柵電極14布置在陰極電極16之下的結構稱為“下柵極結構”。陽極電極20形成在透明前板12的內表面上。熒光層21分立地形成在陽極電極20上。在陰極電極16和陽極電極20之間設置格柵電極22，其用于對由電子發(fā)射器17發(fā)射的電子進行控制以使其集中。格柵電極22由預定位置的隔離物13支撐。
但是，在具有前述結構的常規(guī)電子發(fā)射顯示器中，需要退火工藝以使格柵電極22、隔離物13和透明前板12互相連接。在退火工藝期間，由于殘余應力，格柵電極22可能扭曲。此外，由于其自身的重量，格柵電極22可能下陷。扭曲和下陷導致由電子發(fā)射器17所發(fā)射的電子與熒光層不是在目標區(qū)而是在鄰近區(qū)相撞，由此惡化了電子發(fā)射顯示器的色純度。因此，難以獲得高分辨率。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明，提供一種具有柵極的電子發(fā)射裝置和具有該裝置的下柵極結構的電子發(fā)射顯示器，其中格柵電極附著到后板上而沒有扭曲或下陷，由此滿足預定范圍的亮度和預定范圍的色純度。
本發(fā)明的前述和其它方面通過提供以下電子發(fā)射裝置而實現，該電子發(fā)射裝置包括板；彼此絕緣并設置為具有預定形狀的第一和第二電極；與第一和第二電極之一相連的電子發(fā)射器；以及，形成有孔的第三電極，由電子發(fā)射器所發(fā)射的電子穿過該孔，其中第三電極的孔寬度與電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。
本發(fā)明的其它方面通過提供以下的電子發(fā)射顯示器而實現，該電子發(fā)射顯示器包括彼此面對的第一板和第二板；第一電極和第二電極，其彼此絕緣并設置為在第一板上彼此橫穿，第一電極和第二電極具有預定形狀；與第一電極和第二電極之一相連的電子發(fā)射器；形成有孔的第三電極，從電子發(fā)射器發(fā)射的電子穿過該孔；以及，包括第二板上的陽極電極和熒光層的圖像顯示部分，其中第三電極的孔寬度與電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于0.5并且等于或小于1.0。
依據本發(fā)明的一個方面，第三電極的孔寬度與電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于0.69并且等于或小于1.0。
依據本發(fā)明的另一方面，第一電極和第四電極形成在同一平面上，第四電極通過絕緣層耦合到第二電極。
依據本發(fā)明的又一方面，電子發(fā)射器包括如碳納米管(CNT)的納米管、納米線(nano wire)、石墨、類金剛石的碳(diamond-like carbon)、硅(Si)、碳化硅(SiC)或者其組合。


圖1是具有下柵極結構的常規(guī)電子發(fā)射顯示器的截面圖；圖2是依據本發(fā)明第一實施例的具有電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射顯示器的截面圖，該電子發(fā)射裝置具有格柵電極；圖3是用于圖2的電子發(fā)射顯示器中的電子發(fā)射裝置的平面圖；圖4是用于圖2的電子發(fā)射顯示器中的前板的平面圖；圖5是用于圖2的電子發(fā)射顯示器中的格柵電極的平面圖；圖6是表示對應于格柵電極的水平孔寬度Sw與電子發(fā)射器的水平寬度Ew的比率的陽極電流密度變化和其他顏色界限(other color margin)變化實驗結果的曲線圖；圖7、8、9、10、11和12是說明用于圖2的電子發(fā)射顯示器的電子發(fā)射裝置制造工藝的視圖。
具體實施例方式
現將參考圖2至5描述根據本發(fā)明第一實施例的電子發(fā)射顯示器，其具有附著到后板組件上的帶有格柵電極的下柵極結構。根據本發(fā)明第一實施例的電子發(fā)射裝置包括板31；彼此絕緣并設置為在板31上具有預定形狀的柵電極34和陰極電極36；與第一和第二電極34和36之一相連的電子發(fā)射器35；以及，形成有孔52a的格柵電極52，由電子發(fā)射器35所發(fā)射的電子穿過該孔。格柵電極52的水平孔寬度與電子發(fā)射器35的水平寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。所述各個寬度是在陰極的方向上，即圖中所示的Y方向上。
此外，根據本發(fā)明第一實施例的電子發(fā)射顯示器包括互相面對的后板31和前板41。柵電極32和陰極電極34彼此絕緣并設置為在后板31上彼此橫穿，柵電極32和陰極電極34具有預定形狀。電子發(fā)射器35與陰極電極34相連。格柵電極52形成有孔，由電子發(fā)射器35所發(fā)射的電子穿過該孔。圖像顯示部分包括在前板41上的陽極電極42和熒光層44，其中格柵電極52的水平孔寬度與電子發(fā)射器35的水平寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。
更具體而言，電子發(fā)射顯示器包括后板31和透明前板41，它們互相面對并通過隔離物51彼此間隔預定距離。柵電極32由導電材料制成并且形成在后板31上，其具有條狀圖案。后板31可以是玻璃板。介電層33形成在柵電極32上。陰極電極34由導電材料制成并形成在介電層33上，其具有橫穿過柵電極32的條狀圖案。電子發(fā)射器35由電子發(fā)射材料制成并形成在陰極電極34的橫向側。此外，反電極36由導電材料制成并形成在具有電子發(fā)射器35的陰極電極34和鄰近的陰極電極34之間。反電極36通過形成在介電層33中的孔與柵電極32相連。電子發(fā)射器35可以包括諸如碳納米管(CNT)的納米管、納米線、硅(Si)、碳化硅(SiC)、石墨、類金剛石的碳，或者其組合。在一示例性實施例中，電子發(fā)射器35可以是碳納米管(CNT)。
形成在前板41上的陽極電極42是由諸如氧化銦錫(ITO)的透明電極形成，其在光透射率方面極佳。形成在前板41上的熒光層44包括紅、綠和藍色熒光層。將紅、綠和藍色熒光層依次排列成條狀或矩陣形狀，在它們之間留有預定的間隔。此外，光學攔截膜(optical interception film)(或黑色層)43形成在各個熒光層44之間以增強對比度。此外，由鋁或類似材料制成的金屬反射膜46形成在熒光層44和光學攔截膜43兩者之上。金屬反射膜有助于提高能承受的電壓量以及其亮度。前板41、陽極42、光學攔截膜43、熒光層44以及金屬反射膜46可被認為是前板組件45。
但是，前板組件45并不僅局限于圖2所示的前述結構。光學攔截膜和熒光層是用于形成前板的可選擇的元件?？梢詫晒鈱雍凸鈱W攔截膜直接形成在前板上，并且可將金屬反射膜形成在熒光層和光學攔截膜上，其中當對其施加高電壓時，金屬反射膜起到陽極電極的作用。在這種情況下，由于將較高的電壓施加給金屬反射膜，所以與使用透明電極時相比亮度增加得更多。
將格柵電極52設置在后板31和前板41之間，其具有孔52a。此外，格柵電極52形成有隔離物插入孔52b，將隔離物51的一端插入其中。在格柵電極52的頂側和底側上設置介電膜53，但是也可以僅在格柵電極52的底側上設置介電膜53。如在附圖中所示，在格柵電極52的整個區(qū)域之上形成介電膜53，但是也可以僅在格柵電極52和陰極電極34相遇的預定區(qū)域處形成介電膜53。將由介電膜53覆蓋的格柵電極52通過玻璃料(frit)54附著到后板組件上。即，將格柵電極52附著到陰極電極34和/或介電層33上。
與常規(guī)的具有附著到隔離物上的格柵電極的電子發(fā)射顯示器相反，依據本發(fā)明一實施例的電子發(fā)射顯示器包括由介電膜53覆蓋并通過玻璃料54直接附著到后板組件上的格柵電極52，從而防止格柵電極52在退火工藝期間扭曲并防止由于其自身重量所致的下陷。
依據本發(fā)明一實施例的電子發(fā)射顯示器如下操作。當在陰極電極34和柵電極32之間施加預定電壓時，通過量子隧道效應從電子發(fā)射器35發(fā)射出電子。接著，通過高于施加在陰極電極34和柵電極32之間的電壓的陽極電極42的電壓，使電子朝向陽極電極42而被加速，由此與形成在陽極電極42上的熒光層44相碰撞。結果，使在熒光層44中的原子的電子進入激發(fā)態(tài)，從而在受激的熒光層電子進入到較低的能量狀態(tài)時使熒光層44發(fā)光。
在前述的電子發(fā)射顯示器中，格柵電極52使由電子發(fā)射器35所發(fā)出的電子集中，由此防止電子與鄰近熒光層的區(qū)域而不是與目標區(qū)域相撞。在格柵電極52的水平孔寬度“Sw”(如圖5所示)比電子發(fā)射器35的水平寬度“Ew”(如圖3所示)窄得多的情況下，格柵電極52將攔截大多數電子而僅有少數的電子將到達熒光層44。在這種情況下，由于熒光層44僅發(fā)出少量的光，所以亮度將降低。另一方面，在格柵電極52的水平孔寬度“Sw”比電子發(fā)射器35的水平寬度“Ew”大得多的情況下，由電子發(fā)射器35所發(fā)射的電子將不朝向熒光層44的目標區(qū)域集中并且將部分地與熒光層44的鄰近不相關區(qū)域相撞。在這種情況下，熒光層44的不相關區(qū)域將發(fā)光，從而將降低色純度。因此，格柵電極52的水平孔寬度“Sw”與電子發(fā)射器35的水平寬度“Ew”的比率是影響電子發(fā)射顯示器整體性能的重要因素。
現將參考圖6，對利用了根據本發(fā)明第一實施例的電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射顯示器的性能進行描述，圖6是表示對應于格柵電極的水平孔寬度“Sw”與電子發(fā)射器的水平寬度“Ew”比率的陽極電流密度變化和其他顏色界限變化的實驗結果曲線圖。在此，測量了陽極電流密度變化和其他顏色界限變化，關于128μm的水平寬度“Ew”，將水平孔寬度“Sw”從50μm變化到195μm。陰極電極具有70cm2的面積并被施加-80V的電壓。此外，對陽極電極施加4kV的電壓。另外，對柵電極和格柵電極中的每一個施加70V的電壓。
在此，陽極電流指的是流到陽極電極中的電流，即，由電子所產生的電流從與陰極電極相連的電子發(fā)射器發(fā)射并在與熒光層相撞之后進入陽極電極。陽極電流是影響電子發(fā)射顯示器亮度的重要因素，因此大的陽極電流密度和小的陽極電流密度分別意味著高亮度和低亮度。電子發(fā)射顯示器需要3.5μA/em2或更大的陽極電流密度。
其它顏色界限是影響色純度的重要因素，其是指從被發(fā)射的電子沒有到達的區(qū)域至鄰近目標區(qū)域的不相關熒光區(qū)域的距離。在其它顏色界限較小的情況下，由電子發(fā)射器所發(fā)射的電子很可能與鄰近的不相關熒光區(qū)域相撞，從而發(fā)射出其它顏色的光，由此使色純度惡化。另一方面，在其它顏色界限較大的情況下，由電子發(fā)射器所發(fā)射的電子僅與熒光層的目標區(qū)域相撞，因此增強色純度。電子發(fā)射顯示器需要具有0μm或者更大的其它顏色界限。
當格柵電極的水平孔寬度“Sw”與電子發(fā)射器的水平寬度“Ew”的比率，即比率Sw/Ew等于或者大于約0.5并且等于或小于約1.0時，陽極電流密度和其它顏色界限都是令人滿意的。在一示例性實施例中，當比率Sw/Ew是0.69～1.0時，陽極電流密度和其它顏色界限都是令人滿意的。如果比率Sw/Ew小于0.5，則使陽極電流密度降低，由此降低電子發(fā)射顯示器的亮度。如果比率Sw/Ew大于1.0，則使其它顏色界限降低，由此降低電子發(fā)射顯示器的色純度。另一方面，在比率Sw/Ew等于或者大于約0.5并且等于或小于約1.0的情況下，陽極電流密度和其它顏色界限都適合于電子發(fā)射顯示器。
現將參照圖2、4、5和7至12更詳細描述依據本發(fā)明第一實施例的電子發(fā)射裝置和使用該電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射顯示器。首先，參考圖7至12，對電子發(fā)射裝置的制造工藝進行描述。
參考圖7和8，在后板31上形成柵電極32，其具有沿X軸方向的條狀圖案。在此，可以采用玻璃板作為后板31。此外，可以采用透明ITO電極作為柵電極32，其中通過使用ITO漿料的厚膜印刷方法或者通過在淀積之后構圖ITO來構圖柵電極32。
參考圖9和10，形成具有孔37的介電層33。通過厚膜印刷方法將介電層33涂敷到后板31上的柵電極32上，然后對介電層進行干燥和退火。之后，通過光刻工藝和蝕刻工藝來蝕刻介電層33，由此形成孔37，通過它部分地暴露出柵電極32。
現在參考圖11和12，淀積并構圖金屬層，由此形成陰極電極34。在于后面的工藝中將形成電子發(fā)射器35的區(qū)域處去除金屬層的一部分。與陰極電極34相連的電子發(fā)射器35可以是CNT。為了使用CNT形成電子發(fā)射器35，通過厚膜印刷方法涂敷CNT，然后對其進行干燥。此后，除了位于將形成電子發(fā)射器35的區(qū)域的CNT之外，通過后側曝光和顯影來去除CNT。這里可以認為形成了后板組件39。
現將參考圖2和4描述形成前板組件的過程。在前板41上形成陽極電極42。在此，可以采用具有良好光透射率的諸如氧化銦錫(ITO)的透明電極來作為陽極電極42。然后，在陽極電極42上形成熒光層44和光學攔截膜43。熒光層44包括紅、綠和藍色熒光層。將紅、綠和藍色熒光層依次排列成條狀或矩陣形狀，在它們之間留有預定的間隔。此外，在各個熒光層44之間形成光學攔截膜43以增加對比度。另外，將由鋁或者類似材料制成的金屬反射膜(未示出)形成在熒光層44和光學攔截膜43上。金屬反射膜有助于提高其能承受的電壓量以及其亮度。
此外，可將熒光層和光學攔截膜直接形成在前板上，并且在熒光層和光學攔截膜上形成金屬反射膜，其中當對其施加高電壓時，金屬反射膜起到陽極電極的作用。在這種情況下，由于將較高的電壓施加給金屬反射膜，所以與當將透明電極用作前板上的陽極電極時相比，亮度增加得更多。
下面將參考圖5描述形成格柵電極的工藝。格柵電極52可以由不銹鋼制成，如Sus鋼或Invar鋼。Invar鋼的熱膨脹系數遠小于Sus鋼的熱膨脹系數，因此，對于降低后續(xù)退火工藝期間所引起的熱應力是有效的。將格柵電極52構圖為具有逐一對應于熒光層44的彩色區(qū)域的孔52a。此外，格柵電極52形成有隔離物插入孔52b，隔離物51的一端插入其中。
現將參考圖2對后板組件39、前板組件45、隔離物51和格柵電極52的裝配過程進行描述。將玻璃料54涂覆在由介電層53所覆蓋的格柵電極52的背側，然后將格柵電極52排列在后板31上，其中在涂敷有玻璃料54的部分將格柵電極52附著到陰極電極34。然后，將其一端涂敷有玻璃料54的隔離物51插入到隔離物插入孔52b中。接著，對玻璃料54進行退火，由此將格柵電極52和隔離物51分別附著到陰極電極34和格柵電極52上。此后，對后板組件39、前板組件45和它們之間的部件進行封裝，由此完成電子發(fā)射顯示器。
在前述的實施例中，電子發(fā)射顯示器包括柵電極、陰極電極和在后板上的反電極，但其并不限于這些實施例而是可以具有各種結構，只要其允許電子由電子發(fā)射器發(fā)射并且與形成在前板上的熒光層碰撞。
如上所述，本發(fā)明提供了一種具有格柵電極的電子發(fā)射裝置和具有上述裝置的下柵極結構的電子發(fā)射顯示器，其中將格柵電極附著到后板組件而不產生扭曲或下陷，由此滿足所需的亮度和色純度水平。
盡管已經示出并描述了本發(fā)明的示例性實施例，但本領域技術人員將會理解的是，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的前提下可以對實施例進行變化，本發(fā)明的范圍由權利要求及其等同物限定。
本申請要求2004年3月31日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.2004-21940的優(yōu)先權，其全部內容在此引入作為參考。
權利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括板；至少一個第一電極和至少一個第二電極，所述至少一個第一電極和至少一個第二電極彼此絕緣并且在所述板上設置為具有預定的形狀；電子發(fā)射器，其連接到所述至少一個第一電極；以及第三電極，其形成有孔，從所述電子發(fā)射器發(fā)射的電子穿過該孔，其中在所述至少一個第一電極方向上的所述第三電極的孔寬度與在所述至少一個第一電極方向上的所述電子發(fā)射器的孔寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。
2.根據權利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述至少一個第一電極和至少一個第四電極形成在同一平面上，所述至少一個第四電極通過絕緣層耦合到所述至少一個第二電極。
3.根據權利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第三電極的上表面涂敷有介電層。
4.根據權利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第三電極包括不銹鋼。
5.根據權利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中利用玻璃料將所述第三電極附著到所述第一電極。
6.根據權利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第三電極的孔寬度與所述電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于約0.69并且等于或小于約1.0。
7.根據權利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第三電極形成有隔離物插入孔，支撐前板組件使其遠離后板組件的隔離物的一端插入到該插入孔中。
8.一種電子發(fā)射顯示器，包括彼此面對的第一板和第二板；第一電極和第二電極，其彼此絕緣并在所述第一板上設置為彼此橫穿；電子發(fā)射器，其與所述第一電極中的一個相連；第三電極，其形成有孔，從所述電子發(fā)射器所發(fā)射的電子穿過該孔；以及圖像顯示組件，其具有在所述第二板上的陽極電極和熒光層，其中在所述第一電極方向上的所述第三電極的孔寬度與在所述第一電極方向上的所述電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。
9.根據權利要求8所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一電極和第四電極形成在同一平面上，所述第四電極通過絕緣層與所述第二電極耦合。
10.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，還包括設置在所述第二板的內表面上的光學攔截膜。
11.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，還包括設置在所述第二板的內表面上的金屬反射膜。
12.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第三電極的上表面涂敷有介電層。
13.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第三電極包括不銹鋼。
14.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中利用玻璃料將所述第三電極附著到所述第一電極。
15.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第三電極的孔寬度與所述電子發(fā)射器的寬度的比率等于或大于約0.69并且等于或小于約1.0。
16.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，還包括隔離物，該隔離物支撐所述第一板和第二板并將所述第一板和第二板以預定距離彼此隔開。
17.根據權利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第三電極形成有隔離物插入孔，支撐所述第一板使其遠離所述第二板的隔離物的一端插入到該插入孔中。
18.一種防止電子發(fā)射裝置的格柵電極在退火期間下陷和扭曲的方法，所述電子發(fā)射裝置具有形成為后板組件的陰極電極和柵電極，形成為前板組件的陽極電極和熒光層，以及通過隔離物支撐在所述后板組件和所述前板組件之間的格柵電極，該方法包括以下步驟提供具有隔離物插入孔的格柵電極，所述隔離物的一端插入該插入孔中；至少在靠近所述陰極電極的所述格柵電極的區(qū)域之上形成介電膜；以及利用玻璃料將所述格柵電極附著到所述后板組件。
19.根據權利要求20所述的方法，還包括在所述陰極電極處利用玻璃料將所述格柵電極附著到所述后板組件。
20.一種在電子發(fā)射裝置中聚焦所發(fā)射的電子的方法，所述電子發(fā)射裝置具有形成為后板組件的陰極電極和柵電極，形成為前板組件的陽極電極和熒光層，以及通過隔離物支撐在所述后板組件和所述前板組件之間的格柵電極，該方法包括以下步驟提供耦合到所述陰極的發(fā)射器，該發(fā)射器適合于使得來自所述發(fā)射器的電子加速到所述前板組件的相應熒光層；利用玻璃料將所述格柵電極安裝到所述后板組件上，所述格柵電極具有孔，當使電子朝向所述相應熒光層加速時，來自所述發(fā)射器的電子穿過該孔；以及調整在陰極方向上所述孔的寬度以及在陰極方向上所述發(fā)射器寬度的大小，使得陽極電流密度和其它顏色界限最優(yōu)化。
全文摘要
公開了一種電子發(fā)射裝置，包括板；彼此絕緣并設置為具有預定形狀的第一和第二電極；與第一和第二電極之一相連的電子發(fā)射器；以及，形成有孔的第三電極，由電子發(fā)射器所發(fā)射的電子穿過該孔。第三電極的孔寬度與電子發(fā)射器寬度的比率等于或大于約0.5并且等于或小于約1.0。使用該結構，沒有扭曲或下陷，由此使亮度和色純度達到預定標準。
文檔編號H01J3/00GK1702801SQ200510076218
公開日2005年11月30日 申請日期2005年3月31日 優(yōu)先權日2004年3月31日
發(fā)明者宣亨來 申請人:三星Sdi株式會社