專利名稱：自發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光元件(self-luminous element)，各元件包括氣密外殼中具有熒光物質(zhì)的熒光物質(zhì)層，其中由于電子束的激勵引起熒光物質(zhì)發(fā)光。更具體地，本發(fā)明涉及自發(fā)光元件，各元件具有用于吸留多余氣體的新氣體吸留材料(occlusion material)，其設(shè)置在外殼內(nèi)以產(chǎn)生并維持外殼內(nèi)部的高真空度。
背景技術(shù)：
在自發(fā)光元件中，將外殼氣密地密封以維持其內(nèi)部處于氣密狀態(tài)。將該密閉空間維持在小于1×10-3Pa的高真空度。為了實(shí)現(xiàn)該狀態(tài)，已使用諸如Ti、Mo、Ba、Zr等高熔點(diǎn)金屬材料作為吸氣劑材料(getter material)(下文稱吸氣劑)，每種該材料具有吸收殘留氣體并將其自氣相除去的功能。
如圖14所示的熒光顯示管(fluorescent display tube)是一種自發(fā)光元件，其發(fā)光，電子束激勵諸如熒光物質(zhì)的發(fā)光材料。熒光顯示管包括設(shè)置于真空氣密外殼中的電子源600，及具有熒光物質(zhì)層400的陽極，其上涂布由于自電子源發(fā)射的電子的碰撞而引起發(fā)光的熒光物質(zhì)。
需要將真空氣密外殼的內(nèi)部維持在氣密狀態(tài)，并將真空外殼的內(nèi)表面和熒光物質(zhì)的表面維持在清潔的狀態(tài)。
在使用電子束激勵發(fā)射的常規(guī)自發(fā)光元件中，使用具有充填有例如Ba-Al合金的吸氣劑材料的金屬容器的昂貴吸氣劑環(huán)110，來將真空氣密外殼的內(nèi)表面維持在高真空度，并將外殼的內(nèi)表面和熒光物質(zhì)的表面維持在清潔的狀態(tài)。
在作為自發(fā)光元件的等離子體顯示裝置中，將外殼抽空為高真空度之后，除了諸如等離子體激勵氣體的顯示氣體之外，所產(chǎn)生和侵入的多余氣體有害地影響了器件的工作壽命。由此，需要移除等離子體顯示裝置內(nèi)部的多余氣體。
為了維持自發(fā)光元件的EL顯示裝置的發(fā)光特性，當(dāng)將發(fā)光元件密封在外殼內(nèi)部后，其內(nèi)部必須維持在不存在無多余氣體。
圖14示出了用于作為電子束激勵發(fā)光元件之一的熒光顯示管的吸氣劑。以高頻感應(yīng)加熱昂貴的吸氣劑環(huán)110以形成蒸發(fā)膜(evaporation film)，該吸氣劑環(huán)具有充填有例如Ba-Al合金的吸氣劑材料的金屬容器。關(guān)于用于熒光顯示管的吸氣劑，已開發(fā)了各種技術(shù)來防止由于高頻感應(yīng)加熱引起的有害效果。例如，在高頻感應(yīng)加熱芯803周圍設(shè)置磁芯(magnetic core)802，以防止磁場的擴(kuò)散。(例如，參照日本專利特開特開號特開-平7-282728和日本專利特開公開號特開2001-76653)。
但是，問題在于上述吸氣劑環(huán)很昂貴并且需要用于安裝在真空外殼中的空間和并需要用于裝配吸氣劑環(huán)的工時(shí)。
公開了用于防止通過吸氣劑環(huán)的高頻感應(yīng)加熱形成蒸發(fā)膜的常規(guī)技術(shù)的問題和有效地使用人力及空間的問題(例如，參照專利公開No.WO00/54307)。在該技術(shù)中，在構(gòu)成顯示裝置元件的絕緣襯底的上表面上由一種或多種金屬或其合金形成的非蒸發(fā)型吸氣劑(NEG)，通過印刷法或?yàn)R射法來制造。金屬選自由Ti、Cr、Al、V、Nb、Ta、W、Mo、Th、Ni、Fe和Mn構(gòu)成的組。
但是，非蒸發(fā)型吸氣劑(NEG)是昂貴的，而且需要活化可使用性(activation workability)。
另外，存在用于防止當(dāng)通過高頻加熱作為用于熒光顯示管的吸氣劑材料的吸氣劑環(huán)而形成蒸發(fā)膜時(shí)產(chǎn)生的麻煩并有效地使用人力和空間的技術(shù)。在該技術(shù)中，不包含諸如Ni的添加金屬的Ba-Al合金或Mg-Al合金，被壓模為圓盤狀、橢圓狀或矩形吸氣劑。然后，使用金屬線或燒結(jié)玻璃(fritted glass)，將吸氣劑安裝在諸如熒光顯示管的電子管中。已公開了通過激光束加熱來清洗吸氣劑并由此形成吸氣劑鏡面膜(mirror film)的技術(shù)(例如，參照日本專利特開公開號特開-平No.2002-343233)。
除了使用具有吸氣劑作用的金屬并在真空外殼中維持清潔的氣氛的技術(shù)以外，如下所述公開了使用TiO2或ZnO2作為輔助吸氣劑材料的技術(shù)。
TiO2和ZnO2用做吸氣劑材料。但是，如果材料吸收O或H，則在吸氣劑材料中可混合其它化學(xué)物質(zhì)。將該材料溶解在定影液中以制成溶液，然后將溶液涂布在支撐構(gòu)件上。將涂布溶液中吸氣劑材料的濃度設(shè)置為2-5wt％。但是，在密封步驟期間，定影液蒸發(fā)且被吸出。最后，二氧化鈦?zhàn)鳛槲鼩鈩┎牧媳Ａ簟?br> 為有效地得到定影材料10中混合的吸氣劑的吸收效果，在至少400℃以上烘烤襯底是有效的。即，公開了經(jīng)過烘焙步驟(參考日本專利特開公開號特開第2000-340140號)通過將TiO2還原到TiO或Ti來改進(jìn)吸氣劑效果的技術(shù)。
但是，由于僅僅證實(shí)了產(chǎn)生和維持高真空度的輔助效果，在實(shí)際應(yīng)用中該技術(shù)存在問題。
為了在例如本發(fā)明的真空顯示裝置的封閉空間中維持1×10-3Pa的高真空度，已經(jīng)使用具有吸收殘留氣體分子并將其自氣相移去的功能的材料作為吸氣劑材料，例如，諸如Ti、Mo、Ba、Zr的高熔點(diǎn)金屬材料。
將Ba系列吸氣劑實(shí)際地應(yīng)用為通常在140℃至120℃的溫度范圍內(nèi)有效的吸氣劑。但是，諸如Ti、Mo或Zr的高熔點(diǎn)金屬材料還沒有實(shí)際地用做吸氣劑材料。
作為吸氣劑材料，高熔點(diǎn)金屬的粉末通常不穩(wěn)定，因?yàn)槠渑c空氣接觸時(shí)會燃著。此外，金屬粉末不常具有足夠的氣體吸留(occlusion)能力。已開發(fā)了各種技術(shù)以獲得安全而且容易處理的吸氣劑材料并改進(jìn)吸氣劑材料的殘留氣體吸留效率(occlusion efficiency)。
但是，問題在于本領(lǐng)域技術(shù)人員需要用于設(shè)置吸氣劑材料的空間，并且當(dāng)將該吸氣劑材料置于外殼中后，需要通過h-f感應(yīng)加熱或電阻加熱來激活金屬吸氣劑材料的表面的步驟。

發(fā)明內(nèi)容
進(jìn)行本發(fā)明以解決上述問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種氣體吸留材料，其安全、易于處理、節(jié)省空間且吸收氣密外殼內(nèi)的殘留氣體以將氣密外殼維持在高真空度，替代常規(guī)金屬吸氣劑。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用氣體吸留材料以解決下述問題的顯示裝置。
在使用電子束激發(fā)發(fā)射的自發(fā)光元件中，將真空氣密外殼維持在高真空度，同時(shí)保持外殼的內(nèi)表面和熒光物質(zhì)的表面清潔。
在自發(fā)光元件的等離子體顯示裝置中，據(jù)說除了用于顯示的氣體例如等離子體發(fā)生氣體以外，將外殼抽高真空以后產(chǎn)生并侵入的多余氣體不利地影響器件的工作壽命。由此，移去等離子體顯示裝置內(nèi)多余的氣體。
為了維持EL顯示裝置或自發(fā)光元件的發(fā)光特性，維持清潔度從而在將發(fā)光元件密封于外殼中之后排除內(nèi)部的多余氣體。
為了解決上述問題，本發(fā)明使用了相對安全的ZrOx(1≤x≤2)。依照本發(fā)明，將包含二氧化鋯的氣體吸留材料設(shè)置于氣密外殼內(nèi)，從而暴露于密封外殼內(nèi)的氣氛中。由此，氣體吸留材料吸收自發(fā)光元件的氣密外殼內(nèi)的不希望有的氣體，由此改進(jìn)自發(fā)光元件的可靠性。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，自發(fā)光元件包括包含二氧化鋯的氣體吸留材料；其上涂布有氣體吸留材料的構(gòu)件，將該構(gòu)件設(shè)置于氣密外殼中從而暴露于氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
在本發(fā)明的又一個(gè)方面，自發(fā)光元件包括真空氣密外殼；設(shè)置于真空氣密外殼內(nèi)的電子源；設(shè)置于真空氣密外殼內(nèi)的熒光物質(zhì)層，其用于響應(yīng)自電子源發(fā)射的電子而發(fā)光；和設(shè)置于真空外殼內(nèi)的氣體吸留材料，該氣體吸留材料包含ZrOx(1≤x≤2)；設(shè)置氣體吸留材料從而暴露于氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
在依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，電子源包括絲狀電子源。
在依照本發(fā)明的電子管中，電子源包括場致發(fā)射電子源。
在依照本發(fā)明的電子管中，將具有導(dǎo)電性且包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料暴露在氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料以膜態(tài)形成在氣密外殼的內(nèi)表面之上。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料以膜態(tài)形成在覆蓋于氣密外殼的內(nèi)表面上的絕緣層的上表面上。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料形成為設(shè)置于熒光物質(zhì)層之上的柵格構(gòu)件。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料涂布在設(shè)置于氣密外殼的內(nèi)表面上的燈絲(filament)支撐構(gòu)件上。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料涂布在設(shè)置于氣密外殼的內(nèi)表面上的空間中的芯線(core line)上。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料包括形成在氣密外殼的內(nèi)表面上的作為基極電極(base electrode)的陽極電極。
依照本發(fā)明的自發(fā)光元件中，包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料形成為圍繞熒光層設(shè)置的平面柵格(flat grid)的間隔物構(gòu)件。
本發(fā)明的另一個(gè)方面，用來制造自發(fā)光元件的方法包括以下步驟在部分真空外殼處設(shè)置包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料；形成包含氣體吸留材料的顯示裝置外殼；將顯示裝置外殼升高到120℃到600℃的溫度。
本發(fā)明的又一個(gè)方面，用來制造自發(fā)光元件的方法包括步驟在部分真空外殼處設(shè)置包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料；形成包含氣體吸留材料的顯示裝置外殼；以及在300℃到400℃的溫度的真空中氣密地密封顯示裝置外殼。
本發(fā)明可提供氣體吸留材料，其比常規(guī)金屬吸氣劑更安全、易于處理、節(jié)省空間且吸收氣密外殼中的殘留氣體從而將氣密外殼維持在高真空度。包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料是安全材料，可作為各種構(gòu)件設(shè)置，構(gòu)成氣密外殼內(nèi)的自發(fā)光元件。由此，在氣密外殼的氣氛中，氣體吸留材料可有效地將氣密外殼的內(nèi)部維持在清潔的狀態(tài)。
在使用電子束激發(fā)發(fā)射的自發(fā)光元件中，氣體吸留材料可將真空氣密外殼的內(nèi)部維持在高真空度，且可清潔外殼的內(nèi)表面和熒光物質(zhì)表面。
在自發(fā)光元件的等離子體顯示裝置中，通常認(rèn)為，將外殼的內(nèi)部抽高真空后，除了例如等離子體發(fā)生氣體的顯示所需的氣體外，氣體的產(chǎn)生和/或侵入有害地影響了熒光顯示器的工作壽命。必須移去等離子顯示裝置內(nèi)不希望的氣體以維持安全的器密外殼氣氛。
為了維持自發(fā)光元件的EL顯示裝置的發(fā)光特性，當(dāng)將發(fā)光元件密封于外殼內(nèi)之后，氣體吸留材料可有效地將外殼維持在無內(nèi)部多余氣體存在的狀態(tài)。


通過閱讀下述詳細(xì)說明和附圖，本發(fā)明的這些及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見，其中圖1是示出依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖2是示出依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖3是示出依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；
圖4是示出依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖5是示出依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖6是示出依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖7是示出依照本發(fā)明的第七實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖8是示出依照本發(fā)明的第八實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖9是示出依照本發(fā)明的第九實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖10是示出依照本發(fā)明的第十實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖11是示出依照本發(fā)明的第十一實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖12(a)和12(b)示出依照本發(fā)明第十二實(shí)施例的自發(fā)光元件的示意圖；圖13是示出常規(guī)二極管的靜態(tài)特性的示意圖；圖14是示出常規(guī)實(shí)施例的示意圖；圖15是示出比較例1、2和實(shí)施例1的熒光顯示管的電子發(fā)射特性的比率的圖；圖16是示出比較例1、2和實(shí)施例1的熒光顯示管的氣體電流的比率的圖；圖17是示出在常溫產(chǎn)生的氣體類型和在85℃產(chǎn)生的氣體類型的圖；圖18是當(dāng)在25℃驅(qū)動熒光顯示管500小時(shí)時(shí)，標(biāo)繪壽命特性的圖；圖19是當(dāng)在85℃的環(huán)境下驅(qū)動熒光顯示管500小時(shí)時(shí)，標(biāo)繪壽命特性的圖。
具體實(shí)施例方式
公知分布型吸氣劑(distributed type getter)和接觸型吸氣劑作為使用吸氣劑得到高真空度的方式。利用主要是通過蒸發(fā)或?yàn)R射Ba、Mg、Ca等而產(chǎn)生的吸氣劑蒸汽，通過與氣體分子反應(yīng)并結(jié)合以及然后通過將其蒸發(fā)到固體表面上，從而分布型吸氣劑吸收氣體分子。在接觸型吸氣劑中，將吸氣劑蒸發(fā)到例如Ti、Ta、Zr或V的固體表面上，然后所得到的清潔的吸氣劑表面捕獲氣體分子。
用做接觸型吸氣劑材料的金屬Zr，在空氣中在其表面上形成顯示出強(qiáng)耐蝕性的氧化膜。但是Zr的特征是其粉末容易燃著。
據(jù)知分布型吸氣劑和接觸型吸氣劑中的任一種可作為氣體吸留材料，其通過金屬或金屬合金與氣體分子的化學(xué)反應(yīng)吸留氣體分子和原子。
氧化鋯具有兩種類型，即，低溫型(單斜晶系)和高溫型(棱錐正方晶系)。公知在1000℃附近可逆地(reversibly)和吸熱地(endothermically)發(fā)生轉(zhuǎn)變溫度。
此外，公知鋯具有高氧缺陷。由于該原因，本發(fā)明人提出，由于氧缺陷在高溫下傳送氧離子，其將具有吸收氣體分子的機(jī)制?？紤]到使用ZrOx(1≤x≤2)作為氣體吸留材料等效于用于顯示裝置的吸氣劑材料。
制造使用吸氣劑環(huán)作為氣體吸留材料的熒光顯示管作為對比物，該氣體吸留材料用做分布型吸氣劑和接觸型吸氣劑。
作為物理的氣體吸留材料，用作具有高物理吸收能力例如潮氣吸氣劑或二氧化碳的吸收材料的沸石系分子篩(Zeolite series molecular sieve)(由Linde公司工業(yè)性制造的具有4nm的細(xì)孔的合成沸石)是公知的。
在熒光顯示管中構(gòu)造使用沸石系分子篩的吸氣劑材料。由此，可以評估試驗(yàn)吸氣劑材料是否能夠用做用于熒光顯示管的氣體吸留材料。
比較例1比較例1是使用常規(guī)吸氣劑環(huán)的熒光顯示管的例子。
如圖14所示，在玻璃襯底000的上表面上形成鋁薄膜，其具有25mm的寬度和50mm的長度。然后，通過光刻工藝構(gòu)圖鋁薄膜以形成布線導(dǎo)體圖案(未示出)。在布線導(dǎo)體圖案的上表面上形成主要包括低熔點(diǎn)玻璃的絕緣層200。在絕緣層200中形成通孔以與布線導(dǎo)體連接。在絕緣襯底的上表面上形成并烘焙包含石墨作為主要成分的陽極導(dǎo)體300，由此堵塞通孔(如果必要，通孔中填充導(dǎo)電材料)。
此后，通過絲網(wǎng)印刷工藝，在陽極導(dǎo)體的上表面上形成用于低速電子束的熒光物質(zhì)層400。接著，在450℃烘焙中間結(jié)構(gòu)以完成陽極襯底。
集成陽極襯底、常規(guī)吸氣劑環(huán)110、燈絲600和柵格電極500。以玻璃襯底000(25mm寬×50mm長)裝配船形容器(boat container)700。通過在400℃到500℃環(huán)境中用低熔點(diǎn)玻璃密封25mm寬×50mm長×3mm高的船形容器，來制成完整的外殼。
接著，在400℃到500℃環(huán)境中吸出外殼中的剩留氣體，由此制成氣密地密封于真空的熒光顯示管。此后，通過h-f感應(yīng)加熱來加熱吸氣劑，由此制成高真空態(tài)的例子。此外，在100℃到300℃的爐中存儲氣密地密封于真空的熒光顯示管，然后進(jìn)行老化。由此，完全地制成了熒光顯示管。
比較例2比較例2示出一例子，其中在陽極襯底的絕緣層的上表面上，設(shè)置包含沸石系分子篩的氣體吸留材料作為吸留層(occlusion layer)。
使用沸石系分子篩(Zeolite series molecular sieve)(由Linde公司工業(yè)性制造的具有4nm的細(xì)孔的合成沸石)作為具有高物理吸收能力如潮氣吸氣劑或二氧化碳的吸收材料。依照細(xì)孔的尺寸使用各種產(chǎn)品。
制備用于比較的下列熒光顯示管，從而測試上述材料是否可以用做熒光顯示管的氣體吸留材料。
具體地，在圖14所示的熒光顯示管中，省略了吸氣劑環(huán)110。在絕緣層的上表面的空白區(qū)域(不包括陽極導(dǎo)體)中的玻璃襯底000(25mm寬×50mm長)的上表面上，印刷15mm×30mm的包含沸石系分子篩的氣體吸留材料形成膠(paste)。接著，在大約450℃的空氣氣氛中烘焙中間結(jié)構(gòu)。烘焙之后，氣體吸留層100的重量大約為6mg。
此后，以低熔點(diǎn)玻璃在400℃到500℃氣氛中氣密地密封船形容器(25mm寬×50mm長×3mm高)來制造熒光顯示管。
使用下列例子3A、4A、5A和13X作為沸石系分子篩。
通過在溶解有乙基纖維素(ethyl cellulose)的媒介物中混合丁基-卡必醇和松油醇的混合溶劑，制備包含沸石系分子篩的氣體吸留材料形成膠。
3A具有小于0.3nm的有效直徑的產(chǎn)品，其吸收H2O、NH3和He。
4A具有小于0.4nm的有效直徑的產(chǎn)品，其吸收H3S、CO2、C2H2、C3H3OH和C6H6。
5A具有小于1.0nm的有效直徑的產(chǎn)品，其吸收n-石蠟，n-鏈烯烴、以及n-C4H9OH、C3H3OH和C6H6。
13X具有小于1.0nm的有效直徑的產(chǎn)品，其吸收iso-石蠟、iso-鏈烯烴、以及2-正丁胺(2-n-butylamin)芳香烴系。
實(shí)施例1實(shí)施例1中示出本發(fā)明的熒光顯示管，其中在熒光顯示管中的陽極襯底的上表面上設(shè)置包含二氧化鋯的氣體吸留材料作為氣體吸留層。
如圖1所示，在25mm寬×50mm長的玻璃襯底000的上表面上形成鋁薄膜。接著，通過光刻工藝構(gòu)圖鋁薄膜從而形成布線圖案(未示出)。在布線圖案的上表面上形成包含低熔點(diǎn)玻璃作為主要成分的絕緣導(dǎo)體400，其具有用于連接布線圖案至陽極導(dǎo)體400的通孔。在絕緣層的上表面上形成并烘焙包含石墨作為主要成分的陽極導(dǎo)體300(如果必要，可在通孔中設(shè)置導(dǎo)電材料)。
此后，通過絲網(wǎng)印刷工藝，在陽極導(dǎo)體的上表面上形成用于低速電子束的熒光物質(zhì)層400。接著在大約450℃烘焙中間結(jié)構(gòu)從而完成陽極襯底。
此后，通過絲網(wǎng)印刷工藝，在陽極導(dǎo)體的上表面上形成用于低速電子束的熒光物質(zhì)層400。接著，在未設(shè)置陽極導(dǎo)體的區(qū)域和在25mm寬×50mm長的玻璃襯底000的上表面上印刷包含二氧化鋯的15mm×30mm的氣體吸留材料形成膠。接著，在大約450℃的空氣氣氛中烘焙印刷的結(jié)構(gòu)。烘焙之后，氣體吸留層100的重量大約為6mg。
此后，以低熔點(diǎn)玻璃在400℃到500℃氣氛中將25mm寬×50mm長×3mm高的船形容器密封在真空中從而制造熒光顯示管。
通過在溶解有乙基纖維素的媒介物中混合丁基-卡必醇和松油醇的混合溶劑，制備包含沸石系分子篩的氣體吸留材料形成膠。
依照下述方法來評定比較例1和2以及實(shí)施例中制造的熒光顯示管。
關(guān)于熒光顯示管中燈絲的電子發(fā)射能力圖13示出了常規(guī)二極管的靜態(tài)特性，解釋熒光顯示管中的燈絲的電子發(fā)射能力。參照圖13，區(qū)I稱為初速度電流區(qū)，其中從陰極發(fā)射的電子中具有克服負(fù)陽極電壓的能量的電子進(jìn)入陽極。
隨著陽極電壓從負(fù)值升高到正值，更多從陰極發(fā)射的電子朝著陽極加速。陽極和陰極之間的空間充滿發(fā)射的電子，由此陰極通過電子屏蔽的狀態(tài)達(dá)到平衡。區(qū)II稱為空間電荷限制區(qū)。隨著陽極電壓進(jìn)一步升高，狀態(tài)變?yōu)闇囟认拗茀^(qū)III，其中陽極電流由于陰極的電子發(fā)射能力而受到限制。來自陰極的總電流Is由下述Richardson和Dushman等式(I)表示。
Is＝SATnexp(-eΦ/KT)(1)由此，通過在溫度限制區(qū)中的常溫T測量Is，可評估陰極的質(zhì)量。把測量的電流Is用作脈沖發(fā)射值來評估熒光顯示管的燈絲的電子發(fā)射能力。通常，指標(biāo)定為相對于通過正常操作的燈絲熒光顯示管(等等)得到的值的標(biāo)準(zhǔn)值，測量的電流值超過100％。
關(guān)于氣體電流這里，將說明熒光顯示裝置中的燈絲的電子發(fā)射能力。在熒光顯示裝置中，必須將氣密外殼的內(nèi)部維持在小于1×10-3Pa的高真空度，但是少量的氣體仍存在于外殼中。在用于測量維持熒光顯示管的功能的必要真空度的方式中，當(dāng)把預(yù)定正電壓施加到熒光顯示管中的柵格而從通電的燈絲發(fā)射電子時(shí)，產(chǎn)生了微量離子。
當(dāng)把預(yù)定正電壓施加到熒光顯示管中設(shè)置的陽極上時(shí)，測量由于熒光顯示管中的微量離子而引起的電流。該值相應(yīng)于評估真空度的數(shù)值并稱為離子電流(ion current)。通常，把由正常操作的熒光顯示裝置得到值設(shè)置為標(biāo)準(zhǔn)值。把相對于標(biāo)準(zhǔn)值小于100％的離子電流作為熒光顯示管(等等)的真空度的指標(biāo)。
在實(shí)施例1的熒光顯示管中，作為燈絲的電子發(fā)射能力的指標(biāo)值的脈沖發(fā)射的初始值為標(biāo)準(zhǔn)熒光顯示管的值的120％。但是，在比較例1中，當(dāng)把電壓施加到燈絲上且以熱電子進(jìn)行發(fā)光100小時(shí)時(shí)，電子發(fā)射能力為脈沖發(fā)射的大約60％。但是，關(guān)于使用標(biāo)準(zhǔn)Ba-AL吸氣劑的熒光顯示管的脈沖發(fā)射，電子發(fā)射能力為大約200％。該值對于Ba-Al吸氣劑是可替代的。
在實(shí)施例1的熒光顯示管中，作為真空度的指標(biāo)的氣體電流的原始值，是標(biāo)準(zhǔn)熒光顯示管的值的110％。但是，當(dāng)以電壓驅(qū)動熒光顯示管中的燈絲且發(fā)射熱電子于100小時(shí)時(shí)，原始值下降到大約80％。這等同于使用標(biāo)準(zhǔn)Ba-Al吸氣劑110的熒光顯示管中的值。
在外殼的部分處設(shè)置包含二氧化鋯的氣體吸留層100。由此確定存在可以得到接近于常規(guī)Ba-Al吸氣劑110的氣體吸留效果的可能。
下面，在比較例1、比較例2和實(shí)施例1中使用熒光顯示裝置，評估作為燈絲的電子發(fā)射能力的指標(biāo)的脈沖發(fā)射和作為真空度指標(biāo)的氣體電流。由此確認(rèn)二氧化鋯和沸石系分子篩是否可以用做熒光顯示管的氣體吸留材料。
參照圖15，表示使用二氧化鋯氣體吸留材料的實(shí)施例1中的熒光顯示管中的燈絲的電子發(fā)射能力的脈沖發(fā)射，相對于最小所需值為250％。但是，脈沖發(fā)射為比較例1中常規(guī)Ba-Al吸氣劑的一半。與使用稱為物理吸氣劑的沸石系分子篩(4A)的熒光顯示管相比較，比較例2中，脈沖發(fā)射為大約30％或更小。確定實(shí)施例1不能用做熒光顯示管的氣體吸留材料。
圖16示出了表示熒光顯示管中的微量氣體的氣體電流值以評估熒光顯示管的真空特性。與常規(guī)Ba-Al吸氣劑相比，實(shí)施例1中使用二氧化鋯氣體吸留材料的熒光顯示管中的氣體電流值與比較例1中熒光顯示管的相同。但是應(yīng)理解，與比較例2中使用稱為物理吸氣劑的沸石系分子篩(4A)的熒光顯示管中的氣體電流值相比，氣體電流值為大約10％到大約2.5％或更小。
從上述數(shù)據(jù)判斷，應(yīng)理解實(shí)施例1中的其中在真空外殼內(nèi)的部分處設(shè)置二氧化鋯氣體吸留材料的熒光顯示管可以提供接近于比較例1中使用常規(guī)Ba-Al吸氣劑的熒光顯示管的氣體吸收效果。
通常在室溫(大約25℃)使用熒光顯示管，但是依照規(guī)格書，通常在85℃或更高存儲。在實(shí)施例1的熒光顯示管中，在25℃、50℃、85℃和120℃測量氣體電流，且在25℃評估。
實(shí)施例1中表示熒光顯示管的真空度的在25℃、50℃、85℃和120℃的氣體電流，與比較例1中使用常規(guī)Ba-Al吸氣劑的熒光顯示管相比較。在25℃，氣體電流大約為比較例1的100％。在50℃，氣體電流大約為比較例1的150％。在85℃，氣體電流大約為比較例1的200％。在120℃，氣體電流大約為比較例1的200％。但是，當(dāng)將其置于120℃的環(huán)境后，當(dāng)熒光顯示管固定在25℃時(shí)，氣體電流為比較例1中的大約90％。
從結(jié)果判斷，確定常溫下用做氣體吸留材料的二氧化鋯可提供與常規(guī)Ba-Al吸氣劑相同的效果。確定當(dāng)儲藏在50℃或更高溫度之后，當(dāng)把熒光顯示管固定在25℃的室溫時(shí)，可提供與比較例1中的熒光顯示管的相同的氣體吸留效果。
當(dāng)把熒光顯示管通常儲藏在85℃時(shí)，引起以下問題由于從熒光顯示管的熒光物質(zhì)表面釋放的氣體而亮度下降。當(dāng)在常溫(25℃)下驅(qū)動使用常規(guī)Ba-Al吸氣劑的熒光顯示管時(shí)，Ba-Al吸氣劑吸收熒光顯示管多余的氣體，由此恢復(fù)了穩(wěn)定的顯示裝置。
將實(shí)施例1中表示熒光顯示管的電子發(fā)射能力的脈沖發(fā)射與比較例1中使用Ba-Al吸氣劑的熒光顯示管的相比較。在25℃的常溫，脈沖發(fā)射值為大約20％。當(dāng)把熒光顯示管留在120℃的氣氛中24小時(shí)后，脈沖發(fā)射值為大約110％。當(dāng)在25℃下熒光顯示管照明4小時(shí)后，脈沖發(fā)射值為大約90％。當(dāng)進(jìn)一步在25℃下熒光顯示管照明16小時(shí)后，脈沖發(fā)射值為大約130％。
通過在部分真空外殼中設(shè)置二氧化鋯，應(yīng)當(dāng)理解可以得到接近于常規(guī)Ba-Al吸氣劑的氣體吸留效果的可能性。
二氧化鋯的氣體吸留的確定在實(shí)施例1中的熒光顯示管中，確定主要吸收的氣體類型，是否可以使用包含二氧化鋯的氣體吸留層作為用于熒光顯示管的氣體吸留材料。
參照圖17，可以理解，實(shí)施例1中設(shè)置有二氧化鋯氣體吸留層的熒光顯示管中釋放的氣體電流值比使用常規(guī)Ba-Al吸氣劑的比較例1中的小。
此外，在實(shí)施例1的熒光顯示管中，有害地影響熒光顯示管的真空管特性的H2O與CO2，在85℃具有大的值。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在25℃，H2O與CO2的量很小，25℃是熒光顯示管實(shí)際使用時(shí)的溫度。
從以上說明判斷，通過在部分真空外殼中設(shè)置二氧化鋯作為氣體吸留層，可以理解，可以得到接近于常規(guī)Ba-Al吸氣劑的氣體吸留效果。
當(dāng)在常溫下驅(qū)動比較例1中的熒光顯示管和實(shí)施例1中的熒光顯示管500小時(shí)時(shí)，確定工作壽命特性。此外，當(dāng)在85℃的氣氛中驅(qū)動比較例1中的熒光顯示管和實(shí)施例1中的熒光顯示管500小時(shí)時(shí)，確定工作壽命特性。
參照圖1 8和19，實(shí)施例1中的熒光顯示管，其中設(shè)置二氧化鋯作為本發(fā)明的氣體吸留材料，即使在500小時(shí)的照明之后，相對于初始亮度顯示出100％或更高的足夠特性。與使用常規(guī)Ba-Al吸氣劑的比較例1中的熒光顯示管的110％相比，初始亮度下降了大約10％。應(yīng)當(dāng)理解，可以用本發(fā)明的氣體吸留材料替代常規(guī)吸氣劑。
確定了用做包含二氧化鋯的氣體吸留材料的氣體吸留層，可用來作為常規(guī)Ba-Al吸氣劑的替代。
作為催化劑的一氧化鋯ZrO在細(xì)則上有許多未解決點(diǎn)。最近，作為穩(wěn)定的氧化物的一氧化鋯ZrO已經(jīng)被討論作為催化劑應(yīng)用，并且可考慮作為有效的氣體吸留材料。公知二氧化鋯具有高氧缺陷。據(jù)說，由于二氧化鋯具有在高溫下傳送氧離子的特性，可能存在氧缺陷吸收氣體分子的機(jī)制。由此，可以認(rèn)為二氧化鋯作為氣體吸留材料是有效的。
下面將描述使用燈絲電子源的熒光顯示管或自發(fā)光元件的實(shí)施例，其中設(shè)置有二氧化鋯。此外，下面將描述使用場致發(fā)射電子源的熒光顯示管或自發(fā)光元件的實(shí)施例，其中在真空氣密外殼中設(shè)置了二氧化鋯。
實(shí)施例2圖2示出了在包含低熔點(diǎn)玻璃作為主要成分的絕緣層的上表面上設(shè)置的氣體吸留材料。
參照圖2，在玻璃襯底000的上表面上形成鋁薄膜的陽極300。包含低熔點(diǎn)玻璃作為主要成分的絕緣層200形成在陽極的上表面上且在顯示圖案中具有開口。在陽極的上表面上形成每個(gè)熒光物質(zhì)層400。使用絲網(wǎng)印刷工藝，熒光物質(zhì)層周圍和缺少熒光物質(zhì)層的區(qū)域中設(shè)置的絕緣層200的上表面上涂布實(shí)施例1中使用的二氧化鋯膠。由此，形成作為氣體吸留材料的氣體吸收層100。此后，制造類似于實(shí)施例1中的熒光顯示管。
實(shí)施例2中，設(shè)置氣體吸留層使得其表面暴露在真空氣氛中。由此，得到類似于實(shí)施例1中的效果。
實(shí)施例3圖3示出了氣體吸留材料，替代包含低熔點(diǎn)玻璃作為主要成分的絕緣層。
參照圖3，在玻璃襯底000的上表面上的顯示圖案中形成鋁薄膜的陽極300。在每個(gè)陽極的上表面上形成熒光物質(zhì)層400。使用絲網(wǎng)印刷工藝，顯示圖案中具有開口沒有陽極的部分處和絕緣玻璃襯底的上表面上，涂布用于實(shí)施例1中的二氧化鋯膠。由此，形成用做氣體吸留材料的氣體吸留層100。此后，制造類似于實(shí)施例1中的熒光顯示管。
在實(shí)施例3中，實(shí)施例2中的熒光顯示管示出類似于實(shí)施例1的效果，其不使用Ba-Al吸氣劑且設(shè)置使得氣體吸留層的表面暴露于真空氣氛中。
實(shí)施例4圖4是在構(gòu)成氣密外殼的框架構(gòu)件的內(nèi)表面上設(shè)置的氣體吸留材料的示例。
如圖4所示，在實(shí)施例1中的框架構(gòu)件702上涂布并形成用做氣體吸留材料的氣體吸留層。把框架構(gòu)件702、前板701和玻璃襯底000結(jié)合在一起。由此，制成其外殼包含陽極、柵格和燈絲的熒光顯示管。此后，制造類似于實(shí)施例1中的熒光顯示管。
實(shí)施例4中的熒光顯示管顯示出類似于實(shí)施例1中的效果。
實(shí)施例5圖5是在構(gòu)成氣密外殼的前板的內(nèi)表面上設(shè)置的氣體吸留材料的示例。
如圖5所示，把玻璃襯底000、前板701-其上通過利用絲網(wǎng)印刷工藝來印刷包含二氧化鋯的膠而形成氣體吸留層100、以及框架構(gòu)件702裝配在一起。由此，制造了容納在外殼中的包括陽極、柵格和燈絲的熒光顯示管。此后，制造類似于實(shí)施例1中的熒光顯示管。
實(shí)施例5中，將通過混合1wt％至30wt％的作為導(dǎo)電材料的石墨和例如ZrO2的固體成分制成的溶劑，與其中在丁基卡必醇和松油醇的混合溶劑中溶解有乙基纖維素的媒介物混合，來制備膠。
實(shí)施例6通過形成如圖6所示的圖案，可任意地形成實(shí)施例5中的氣體吸留層。
在實(shí)施例5和6中，可得到類似于實(shí)施例1中的效果。
實(shí)施例7通過將1wt％至30wt％的作為導(dǎo)電材料的石墨和例如二氧化鋯的固體成分，與其中在有機(jī)鈦、丁基卡必醇和松油醇的混合溶劑中溶解有乙基纖維素的媒介物混合，來制備膠。如圖7所示，通過絲網(wǎng)印刷工藝涂布膠，形成具有氣體吸留特性的陽極導(dǎo)體301。當(dāng)在覆蓋陽極襯底的陽極的上表面上形成用于低速電子束的熒光物質(zhì)層400之后，在大約450℃烘焙中間結(jié)構(gòu)。通過向其它元件施加類似于實(shí)施例1中的方法，制造熒光顯示管。
實(shí)施例7中，得到類似于實(shí)施例1中的效果。
在實(shí)施例7中，依照應(yīng)用，可通過把0.01wt％到99.99wt％的ZrO2混合到石墨中而制備的膠可用作陽極導(dǎo)體。
實(shí)施例8圖8是本發(fā)明的設(shè)置到燈絲支撐構(gòu)件601的氣體吸留材料的示例。
如圖8所示的顯示元件中，本發(fā)明的作為氣體吸留材料的二氧化鋯設(shè)置到熒光顯示管中的燈絲支撐構(gòu)件601，其包括類似于實(shí)施例1中的作為電子源的燈絲。
為了涂布二氧化鋯，通過把二氧化鋯散布到乙醇、丙酮、水或其它溶劑中來制備氣霧劑(aerosol)。把氣霧劑噴到燈絲支撐構(gòu)件601并烘干。
在實(shí)施例8中，得到類似于實(shí)施例1的效果。
實(shí)施例9圖9示出了在柵格500上設(shè)置的本發(fā)明的氣體吸留材料的示例。
如圖9所示，制造熒光顯示管，其中設(shè)置了類似于實(shí)施例1中的燈絲電子源(filament electron source)。但是，在與燈絲相對的且在熒光物質(zhì)層400側(cè)的柵格500上設(shè)置了本發(fā)明的用做氣體吸留材料的二氧化鋯。
為了涂布二氧化鋯，通過把二氧化鋯散布到乙醇、丙酮、水或其它溶劑中來制備氣霧劑。把氣霧劑噴到燈絲支撐構(gòu)件601上并烘干。
可使用柵格，該柵格上實(shí)施例1和5中的膠被印刷、涂布并烘干。
在實(shí)施例9中，得到類似于實(shí)施例1中的效果。
實(shí)施例10圖10是在壁間隔物(rib spacer)511上設(shè)置的本發(fā)明的氣體吸留材料的示例。
如圖10所示，制造類似于實(shí)施例1中的包括燈絲電子源的熒光顯示管。但是，在熒光物質(zhì)層500周圍分別設(shè)置柵格，且把用做本發(fā)明的氣體吸留材料的二氧化鋯混合在每一個(gè)壁間隔物中。
通過印刷膠形成其中混合了二氧化鋯的壁間隔物511。通過把30wt％到50wt％的低熔點(diǎn)玻璃和例如ZrO2的固體成分混合到媒介物中來制備膠。媒介物通過在有機(jī)鈦、丁基卡必醇和松油醇的混合溶劑中溶解諸如乙基纖維素的有機(jī)粘結(jié)劑(organic binder)而制成。
實(shí)施例10中，得到了類似于實(shí)施例1的效果。
實(shí)施例11圖11是在維持平行于燈絲陰極的芯線上形成的本發(fā)明的氣體吸留材料的示例。
如圖11所示，制備了通過將氧化鋯分散在其中丙烯酸粘結(jié)劑溶解到丙酮中的溶劑中而制備的分散液。通過電沉積工藝在鎢或其它金屬上電沉積二氧化鋯從而形成氣體吸留層100。
把其上電沉積有二氧化鋯的金屬材料裝配到熒光顯示管中，例如平行于燈絲陰極。在其它結(jié)構(gòu)中，以類似于實(shí)施例1中的方式制造熒光顯示管。具有在完成的熒光顯示管中電沉積的氣體吸留層100的金屬材料，與燈絲分離，并且由此通過例如電導(dǎo)的電阻加熱來外部激活。
在實(shí)施例11中，金屬材料和Ba-Al吸氣劑的結(jié)合做成具有比實(shí)施例1高的可靠性的熒光顯示管。
實(shí)施例12圖12是在使用斯賓特型(Spint-type)場致發(fā)射元件作為電子源的熒光顯示管中設(shè)置的氣體吸留材料的示例。
如圖12(a)和12(b)所示，熒光顯示管包括薄的盒型(box-like)外殼，其由通過絕緣間隔物構(gòu)件(spacer member)整合密封的絕緣且半透明的陽極襯底以及絕緣陰極襯底形成。把襯底之間的間隔物設(shè)置為例如500μm或更小。
在陰極襯底2的角上形成排氣孔(未示出)以排出外殼中剩留的氣體。當(dāng)排空后，密封排氣孔，并將外殼2的內(nèi)部維持在1×10-3Pa或更低的高真空度。
外殼中，在面對陽極襯底的陰極表面上形成每一個(gè)作為電子源的垂直場致發(fā)射元件620。每個(gè)場致發(fā)射元件620具有在陰極襯底的內(nèi)表面上形成的陰極電極、在陰極電極上形成的電阻層、在電阻層上形成的例如氧化硅的絕緣層、在絕緣層上形成的柵極電極、及在穿過絕緣層和柵極電極形成的開口內(nèi)的陰極電極上形成的錐形發(fā)射極(cone emitter)。某些場致發(fā)射器件(FED)不具有陰極電極5和絕緣層之間的電阻層。
在外殼3中的陽極的內(nèi)表面上且面對場致發(fā)射構(gòu)件的位置處形成用做顯示部分的陽極電極。陽極電極由在陽極襯底1上形成的例如ITO的半透明陽極導(dǎo)體300和在陽極導(dǎo)體上以例如點(diǎn)矩陣的預(yù)定形狀涂布的熒光物質(zhì)層400來形成。
把以小間隔隔開的氣體吸留層100涂布在外殼中陽極襯底的內(nèi)表面上并在分別形成顯示部分的熒光物質(zhì)層周圍。每個(gè)氣體吸留層100的表面暴露于外殼3中的氣氛中。氣體吸留層100吸收外殼中釋放的氣體，或具體地，當(dāng)熒光物質(zhì)層400響應(yīng)來自場致發(fā)射元件的電子的碰撞而發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的氣體。
在第12實(shí)施例中，當(dāng)從場致發(fā)射元件620發(fā)熱而發(fā)射的電子撞擊陽極電極上的熒光物質(zhì)層400時(shí)，由此產(chǎn)生激發(fā)光發(fā)射。通過陽極導(dǎo)體并通過半透明陽極襯底觀察發(fā)光。當(dāng)電子撞擊熒光物質(zhì)層400時(shí)，部分能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊?，同時(shí)分解熒光物質(zhì)層400從而產(chǎn)生氣體。圍繞相關(guān)熒光物質(zhì)層400的氣體吸留層100吸留產(chǎn)生的氣體。此時(shí)，當(dāng)從陽極襯底側(cè)觀看熒光物質(zhì)層400的光發(fā)射時(shí)，氣體吸留層100用做屏蔽構(gòu)件。
依照第12實(shí)施例，在通過熒光物質(zhì)層400的激發(fā)的光發(fā)射期間，利用圍繞熒光物質(zhì)層400的氣體吸留層100，有效地吸收了漂在顯示部分上方的氣體。由此，氣體吸留層400可均勻地吸收外殼中所有顯示區(qū)域上方的氣體，由此維持外殼的內(nèi)部于高真空度。顯示部分上方漂的氣體的減少能夠減小由氣體引起的場致發(fā)射元件的發(fā)射體(emitter)的污染。結(jié)果，可維持發(fā)射和發(fā)光亮度，由此與常規(guī)熒光顯示裝置相比，可延長熒光顯示裝置的工作壽命。
在第1 2實(shí)施例中，在陽極襯底的內(nèi)表面上以小的間隔形成氣體吸留層100，由此圍繞熒光物質(zhì)層400。但是，可把氣體吸留層100形成為與陽極導(dǎo)體接觸，且不具有任何間隔，使得當(dāng)向陽極導(dǎo)體施加正電壓時(shí)，氣體吸留材料100與陽極導(dǎo)體具有相同的電勢。在該情況下，以電子的碰撞激發(fā)氣體吸留材料層100，由此可改進(jìn)氣體吸留能力。
實(shí)施例13把其中以二氧化鋯用做本發(fā)明的氣體吸留材料的顯示元件制造為使用碳型電子發(fā)射元件的顯示元件，每一個(gè)都具有碳電子源，替代斯賓特型電子源。該結(jié)構(gòu)顯示出類似于第12實(shí)施例的效果。
實(shí)施例14把其中以二氧化鋯作為本發(fā)明的氣體吸留材料的顯示元件形成為使用MIM型電子發(fā)射元件的顯示元件，每一個(gè)具有金屬/絕緣薄膜/金屬結(jié)構(gòu)，替代斯賓特型電子源。該構(gòu)造顯示出類似于第12實(shí)施例的效果。
在上述實(shí)施例中，把氣體吸留材料應(yīng)用到在真空氣密外殼中具有電子源和熒光物質(zhì)層的顯示元件。這里，作為顯示元件，列舉了包括燈絲陰極作為電子源的熒光顯示管、斯賓特型場致發(fā)射顯示裝置、使用碳電子發(fā)射源的顯示元件和使用MIM型電子發(fā)射元件的顯示元件。但是，除了外殼的內(nèi)部維持在真空的情況外，還可把依照本發(fā)明的包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料應(yīng)用到其中必須把氣密外殼中的氣氛維持在初始狀態(tài)的顯示裝置中。
工業(yè)實(shí)用性不象使用Ba-Al吸氣劑的常規(guī)熒光顯示管，電子束激發(fā)熒光物質(zhì)作為一種使用本發(fā)明的新氣體吸留材料的自發(fā)光元件，可提供便宜的、長壽命的熒光顯示管，沒有Ba-Al吸氣劑的安裝空間的限制。因此，其工業(yè)應(yīng)用性在于，可擴(kuò)大熒光顯示管更易于使用的新應(yīng)用。
如上所述，把依照本發(fā)明的包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料制與各種材料一起制成膠?？砂涯z設(shè)置為自發(fā)光元件的氣體吸留層。此外，通過在乙醇、丙酮、水或其它溶劑中分布膠來制備氣霧劑。由此，可在顯示元件的柱形支撐(column support)或其它部件的表面上施加氣霧劑。
即便在需要真空氣密容器的例如熒光顯示管、等離子體顯示裝置、EL元件的元件中，新氣體吸留材料可用做便宜的、長壽命的氣體吸留材料。不必說，這可擴(kuò)大自發(fā)光元件的新應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光元件，包括包含二氧化鋯的氣體吸留材料，其被設(shè)置為暴露于氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
2.一種自發(fā)光元件，包括包含二氧化鋯的氣體吸留材料；其上涂布有所述氣體吸留材料的構(gòu)件，所述構(gòu)件設(shè)置在氣密外殼中從而暴露于所述氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
3.一種自發(fā)光元件，包括真空氣密外殼；設(shè)置在所述真空氣密外殼內(nèi)的電子源；設(shè)置在所述真空氣密外殼內(nèi)的熒光物質(zhì)層，用來響應(yīng)從所述電子源發(fā)射的電子而發(fā)光；和設(shè)置在所述真空外殼內(nèi)的氣體吸留材料，所述氣體吸留材料包含ZrOx(1≤x≤2)；所述氣體吸留材料設(shè)置為暴露于所述氣密外殼內(nèi)的氣氛。
4.如權(quán)利要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中所述電子源包括燈絲樣電子源。
5.如權(quán)利要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中所述電子源包括場致發(fā)射電子源。
6.如權(quán)利要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中具有導(dǎo)電性且包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料暴露于所述氣密外殼內(nèi)的氣氛中。
7.如權(quán)利要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中在所述氣密外殼的內(nèi)表面之上，包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料形成為膜狀。
8.如權(quán)利要求1、2或3中限定的自發(fā)光元件，其中在覆蓋所述氣密外殼的內(nèi)表面的絕緣層的上表面上，包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料形成為膜狀。
9.如權(quán)利要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料形成為設(shè)置在所述熒光物質(zhì)層之上的柵格構(gòu)件。
10.如權(quán)要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料涂布在設(shè)置在所述氣密外殼的內(nèi)表面上的燈絲支撐構(gòu)件上。
11.如權(quán)要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料涂布在設(shè)置在所述氣密外殼的內(nèi)表面上的空間中的芯線上。
12.如權(quán)要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料構(gòu)成在所述氣密外殼的內(nèi)表面上形成的用作基極電極的陽極電極。
13.如權(quán)要求1、2或3限定的自發(fā)光元件，其中包含ZrOx(1≤x≤2)的所述氣體吸留材料形成為圍繞所述熒光層設(shè)置的平面柵格的間隔物構(gòu)件。
14.一種用于制造自發(fā)光元件的方法，包括步驟在部分真空外殼處設(shè)置包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料；形成包含所述氣體吸留材料的顯示裝置外殼；和將所述顯示裝置外殼升高至120℃到600℃的溫度。
15.一種用于制造自發(fā)光元件的方法，包括步驟在部分真空外殼處設(shè)置包含ZrOx(1≤x≤2)的氣體吸留材料；形成包含所述氣體吸留材料的顯示裝置外殼；和在300℃到400℃溫度的真空中氣密地密封所述顯示裝置外殼。
全文摘要
本發(fā)明涉及自發(fā)光元件。提供了一種安全、易于處理、節(jié)省空間且吸收密封外殼內(nèi)的殘留氣體以維持氣密外殼于高真空度的真空保持劑，替代常規(guī)的金屬吸氣劑。提供了包括真空保持劑的顯示裝置。在氣密外殼中設(shè)置包含ZrO
文檔編號H01J31/12GK1684219SQ200510076290
公開日2005年10月19日 申請日期2005年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月26日
發(fā)明者白神崇生, 高梨浩和, 鵜澤良正, 鹿川能孝 申請人:雙葉電子工業(yè)株式會社