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      速度調(diào)變線圈裝置和陰極射線管裝置的制作方法

      文檔序號(hào):2966066閱讀:143來源:國知局
      專利名稱:速度調(diào)變線圈裝置和陰極射線管裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種用于電視接收機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器和類似裝置的陰極射線管裝置。本發(fā)明還涉及一種將安裝在所述陰極射線管裝置上的速度調(diào)變線圈裝置。
      背景技術(shù)
      作為用于在電視接收機(jī)中實(shí)現(xiàn)較高圖像質(zhì)量的一種方法,例如,圖像邊緣的增強(qiáng)已為人們所公知。為了增強(qiáng)圖像邊緣,使用了速度調(diào)變線圈。所述速度調(diào)變線圈設(shè)在陰極射線管的管頸上或其附近,并且產(chǎn)生豎直方向的磁場,以調(diào)變電子束的水平掃描速度,從而,可增強(qiáng)圖像邊緣(例如,見日本實(shí)公昭57-45650號(hào)公報(bào)和日本特開平6-283113號(hào)公報(bào))。
      在彩色陰極射線管裝置中,隨著由于近年來屏幕的擴(kuò)大所導(dǎo)致的熒光屏上的電子束光點(diǎn)的直徑的增加,為實(shí)現(xiàn)較高亮度所需要的陽極電壓的增加,或前面板的平直度的增加,需要強(qiáng)度更為較高的磁場來增強(qiáng)圖像邊緣。
      為了滿足上述要求,已經(jīng)有人提出了一種彩色陰極射線管裝置,其可在不增加流過速度調(diào)變線圈的電流量和速度調(diào)變線圈的匝數(shù)的情況下增加作用于電子束的磁場的強(qiáng)度(例如,日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)和日本特開2003-116019號(hào)公報(bào))。
      在日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)中所描述的所述彩色陰極射線管裝置中,一對(duì)磁性體放置在設(shè)于電子槍的第五柵極(G5電極)上的R、G和B的各電子束通過孔眼的上下部中,其中,所述電子槍容納在管頸中,并且一對(duì)速度調(diào)變線圈放置在所述管頸的外周面中的與G5電極對(duì)應(yīng)的位置上。
      在日本特開2003-116019號(hào)公報(bào)中,一對(duì)速度調(diào)變線圈和一對(duì)磁性體以在豎直方向上彼此相對(duì)的方式放置在管頸的外周面上。在此,所述磁性體放置在所述速度調(diào)變線圈的環(huán)路(loop)的中心附近。
      在日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)和日本特開2003-116019號(hào)公報(bào)中,由于上述結(jié)構(gòu),一對(duì)速度調(diào)變線圈所產(chǎn)生的磁通會(huì)被一對(duì)磁性體聚集起來而集中于電子束通過區(qū)域。因此,用于電子束的速度調(diào)變的磁場的強(qiáng)度就會(huì)降低。
      然而,在上述日本實(shí)公昭57-45650號(hào)公報(bào)中所描述的所述彩色陰極射線管裝置中,所述速度調(diào)變線圈以及水平偏轉(zhuǎn)線圈和豎直偏轉(zhuǎn)線圈以在射線管軸向上彼此重疊的方式放置。因此,由所述速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁場和由所述水平偏轉(zhuǎn)線圈和所述豎直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)磁場會(huì)相互干涉,從而,會(huì)使圖像質(zhì)量下降(所謂的跳動(dòng))。
      而且,在日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)中所描述的所述彩色陰極射線管裝置中,由于在為金屬元件的電極(G5電極)的表面上產(chǎn)生的渦電流會(huì)造成損失,因此,在G5電極中的電子束通過區(qū)域產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度就會(huì)很低。因此,即使所述磁性體連接在G5電極上以聚集原來很弱的磁通,但還是不能期望磁場強(qiáng)度獲得令人滿意的增加。換言之,在日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)中,速度調(diào)變的靈敏度(相對(duì)于輸入所述速度調(diào)變線圈的電流而言的電子束的速度調(diào)變量)不能得到足夠地提高。此外,所述磁性體放置在構(gòu)成管頸內(nèi)的電子槍的G5電極上,因此,元件組裝工時(shí)會(huì)增加,從而,會(huì)導(dǎo)致成本增加。
      另外,即使所述磁性體如上述日本特開2003-116019號(hào)公報(bào)中所述那樣放置在所述速度調(diào)變線圈的環(huán)路的中心,相對(duì)于由所述速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁場的磁阻不能得到充分地降低。因此,無法獲得足夠好的速度調(diào)變效果。
      另一方面,強(qiáng)磁場也可通過增加所述速度調(diào)變線圈的匝數(shù)獲得,而不是像日本特開平6-283113號(hào)公報(bào)和日本特開2003-116019號(hào)公報(bào)中那樣放置磁性體。然而,在這種情況下,所述速度調(diào)變線圈的阻抗會(huì)增大,從而,必須向所述速度調(diào)變線圈施加大功率,這樣會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路的成本增加。
      因此,在不增大驅(qū)動(dòng)功率的情況下通過速度調(diào)變線圈改善圖像邊緣的增強(qiáng)效果的方法還沒有實(shí)現(xiàn)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明解決了上述傳統(tǒng)問題,其目的是提供一種速度調(diào)變線圈裝置,其可在抑制驅(qū)動(dòng)功率增大(即,阻抗增大)的情況下通過簡單結(jié)構(gòu)提高速度調(diào)變的靈敏度。本發(fā)明的另一目的是提供一種陰極射線管裝置,其中,由于這種速度調(diào)變線圈裝置圖像質(zhì)量可在成本不過大的情況下通過增強(qiáng)圖像邊緣得到改善。
      本發(fā)明的速度調(diào)變線圈裝置包含一對(duì)用于調(diào)變從一個(gè)電子槍發(fā)出的電子束的水平偏轉(zhuǎn)速度的速度調(diào)變線圈和一對(duì)磁性體,并且放置在一個(gè)陰極射線管的錐體的外周面上。所述一對(duì)速度調(diào)變線圈以下述方式放置,即一個(gè)包含所述陰極射線管的射線管軸線的水平面位于它們之間,所述一對(duì)磁性體以下述方式放置,即一個(gè)包含所述陰極射線管的所述射線管軸線的豎直面位于它們之間。所述速度調(diào)變線圈包含一個(gè)直線部,其大致平行于所述陰極射線管的所述射線管軸線延伸,并且所述直線部放置在所述磁性體與所述陰極射線管的所述射線管軸線之間。所述磁性體與所述直線部之間的間隔D為1至3mm。假定所述陰極射線管的所述射線管軸線為Z軸,所述速度調(diào)變線圈的位于熒光屏相反側(cè)的端部在射線管軸向上的位置為Z=0,所述速度調(diào)變線圈的位于熒光屏側(cè)的端部在所述射線管軸向上的位置為Z=L,則所述磁性體在所述射線管軸向上的中心點(diǎn)的坐標(biāo)ZM滿足以下關(guān)系0.2×L≤ZM≤0.9×L。
      此外,本發(fā)明的陰極射線管裝置包含陰極射線管,其包含一個(gè)在內(nèi)表面上形成有熒光屏的面板、一個(gè)與所述面板連接的錐體和一個(gè)容納在所述錐體的管頸中的電子槍;水平偏轉(zhuǎn)線圈和豎直偏轉(zhuǎn)線圈,它們設(shè)在所述錐體的外周面上,用于使從所述電子槍發(fā)出的電子束在水平和豎直方向上偏轉(zhuǎn),以使所述電子束掃描所述熒光屏;以及速度調(diào)變線圈裝置,其設(shè)在所述錐體的所述外周面上。所述速度調(diào)變線圈裝置為本發(fā)明的上述速度調(diào)變線圈裝置。


      圖1是局部剖視圖,示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的彩色陰極射線管裝置的示意性結(jié)構(gòu);圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的所述彩色陰極射線管裝置中的管頸及管頸附近的放大剖視圖;圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的速度調(diào)變線圈裝置的示意性透視圖;圖3B是沿著射線管軸線看時(shí)的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的所述速度調(diào)變線圈裝置的主視圖;以及圖3C是一個(gè)速度調(diào)變線圈的展開視圖;圖4A示出了在沒有設(shè)置一對(duì)磁性體的情況下一對(duì)速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁通的狀態(tài);以及圖4B示出了在設(shè)有一對(duì)磁性體的本發(fā)明的所述速度調(diào)變線圈裝置中一對(duì)速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁通的狀態(tài);圖5示出了所述速度調(diào)變線圈和所述磁性體之間的間隔D與屏幕的縱線細(xì)線化率之間的關(guān)系;圖6示出了所述磁性體在射線管軸向上相對(duì)于所述速度調(diào)變線圈的相對(duì)位置與屏幕的縱線細(xì)線化率之間的關(guān)系;圖7是側(cè)視圖,示出了圖6中的所述磁性體在射線管軸向上相對(duì)于所述速度調(diào)變線圈的相對(duì)位置的定義;圖8示出了一對(duì)磁性體之間的開放部相對(duì)于射線管軸線的角度θ與屏幕的縱線細(xì)線化率之間的關(guān)系;圖9示出了一對(duì)磁性體之間的開放部相對(duì)于射線管軸線的角度θ與屏幕的T/B失真變化量之間的關(guān)系;圖10示出了一對(duì)磁性體之間的開放部相對(duì)于射線管軸線的角度θ與屏幕的VCR變化量之間的關(guān)系;以及圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的彩色陰極射線管裝置中的管頸及管頸附近的放大剖視圖。
      具體實(shí)施例方式
      根據(jù)本發(fā)明,相對(duì)于由一對(duì)速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁通的磁阻由于一對(duì)磁性體而得到降低。因此,所述管頸內(nèi)的電子束通過區(qū)域的磁通密度可得到增大。因此,可在不增加驅(qū)動(dòng)功率的情況下提高速度調(diào)變的靈敏度,從而,圖像質(zhì)量會(huì)由于圖像邊緣的增強(qiáng)而得到改善。
      在本發(fā)明中,優(yōu)選地,所述一對(duì)磁性體之間的一個(gè)開放部相對(duì)于所述陰極射線管的所述射線管軸線的角度θ為50°至90°。根據(jù)上述結(jié)構(gòu),速度調(diào)變的靈敏度可得到進(jìn)一步提高,同時(shí)可減小由于存在所述一對(duì)磁性體而引起的新的圖像失真和失聚。
      優(yōu)選地,所述磁性體在所述射線管軸向上的長度H為2至5mm。當(dāng)所述磁性體在所述射線管軸向上的長度H大于上述范圍時(shí),成本會(huì)增加,并且所述陰極射線管裝置在所述射線管軸向上的尺寸也會(huì)增大。當(dāng)所述磁性體在所述射線管軸向上的長度H小于上述范圍時(shí),所述磁性體的機(jī)械強(qiáng)度又會(huì)降低。
      假定所述磁性體在所述射線管軸向上的長度為H,所述磁性體在一條穿過所述射線管軸線的水平軸線的方向上的厚度為T,優(yōu)選滿足以下關(guān)系T/H≥1。這樣,可進(jìn)一步增加所述管頸內(nèi)的電子束通過區(qū)域的磁通密度。
      優(yōu)選地,所述磁性體為以下一組材料中的至少一種的磁粉燒結(jié)體Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體以及Ni-Zn鐵氧體。這樣,可使磁性體具有高的磁導(dǎo)率,從而,速度調(diào)變的靈敏度可得到提高。
      作為一種替代性方法,所述磁性體也可由混入了以下一組材料中的至少一種的磁粉的樹脂制成Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體以及Ni-Zn鐵氧體。這樣,可低成本地提供磁性體。而且,一對(duì)磁性體被放置得可作為形成一個(gè)會(huì)聚純度單元(Convergenceand Purity Unit,CPU)的磁體之間的分隔器,從而,CPU在所述射線管軸向上的尺寸可得到縮短。
      優(yōu)選地,一對(duì)速度調(diào)變線圈相對(duì)于所述水平偏轉(zhuǎn)線圈和所述豎直偏轉(zhuǎn)線圈放置在所述管頸側(cè)。當(dāng)所述一對(duì)速度調(diào)變線圈被放置得在所述射線管軸向上與所述水平偏轉(zhuǎn)線圈和所述豎直偏轉(zhuǎn)線圈重疊時(shí),由所述速度調(diào)變線圈產(chǎn)生的磁通和由所述水平和豎直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁通就會(huì)彼此相互干涉,從而會(huì)引起跳動(dòng)(ringing),這樣,就會(huì)降低圖像質(zhì)量和速度調(diào)變的靈敏度。
      優(yōu)選地,所述一對(duì)磁性體在射線管軸向上的位置與所述電子槍的兩個(gè)電極之間的間隙在所述射線管軸向上的位置相一致,其中,所述兩個(gè)電極在所述射線管軸向上彼此分開布置,并且形成一個(gè)主透鏡。這樣,就可防止所述一對(duì)速度調(diào)變線圈所產(chǎn)生的磁場由于電極引起的渦電流損失而遭到消耗,進(jìn)而可防止速度調(diào)變的靈敏度的降低。
      下面,將參看附圖描述本發(fā)明。
      圖1是局部剖視圖,示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的彩色陰極射線管裝置1的示意性結(jié)構(gòu)。為了便于以下描述,假定射線管軸線為Z軸,水平(熒光屏長邊方向)軸線為X軸,豎直(熒光屏短邊方向)軸線為Y軸。X軸、Y軸與Z軸相互垂直。在圖1中,Z軸上側(cè)示出的是剖視圖,Z軸下側(cè)示出的是外觀圖。
      如圖1所示,彩色陰極射線管裝置1由一個(gè)彩色陰極射線管10、一個(gè)偏轉(zhuǎn)軛30、一個(gè)CPU 40、一個(gè)速度調(diào)變線圈裝置50以及類似物構(gòu)成。
      彩色陰極射線管10包含一個(gè)通過將一個(gè)面板11連接在錐體12上形成的玻殼以及容納在所述玻殼內(nèi)的一個(gè)蔭罩15和直列式電子槍(以下,僅稱為“電子槍”)16。
      在面板11的內(nèi)表面上形成一個(gè)熒光屏14,其中,紅、綠和藍(lán)的各熒光點(diǎn)(或熒光條紋)周期性地布置。蔭罩15離熒光屏14以大致恒定間隔設(shè)置。多個(gè)電子束通過孔眼設(shè)在蔭罩15中。從電子槍16發(fā)出的三個(gè)電子束18(三個(gè)電子束成與X軸平行的一列布置,因此,圖1中僅示出了前側(cè)的一個(gè)電子束)通過設(shè)在蔭罩15中的所述電子束通過孔眼,以撞擊預(yù)期的熒光體。
      偏轉(zhuǎn)軛30設(shè)在錐體12的外周面上。偏轉(zhuǎn)軛30包含一個(gè)鞍形水平偏轉(zhuǎn)線圈32和一個(gè)環(huán)形豎直偏轉(zhuǎn)線圈34,并且豎直偏轉(zhuǎn)線圈34纏繞在一個(gè)鐵磁芯36上。從電子槍16發(fā)出的三個(gè)電子束受由水平偏轉(zhuǎn)線圈32產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場和由豎直偏轉(zhuǎn)線圈34產(chǎn)生的豎直偏轉(zhuǎn)磁場的作用而在水平和豎直方向上偏轉(zhuǎn),并且通過光柵掃描系統(tǒng)掃描熒光屏13。一個(gè)樹脂框架38設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)線圈32和豎直偏轉(zhuǎn)線圈34之間。樹脂框架38使水平偏轉(zhuǎn)線圈32與豎直偏轉(zhuǎn)線圈34之間保持著電絕緣狀態(tài),并且支承著上述兩個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈32和34。
      圖2是放大剖視圖,示出了錐體12中的為圓筒形形狀的管頸13的附近部分。
      電子槍16容納在管頸13中。電子槍16由三個(gè)將由三個(gè)加熱器(未示出)分別單獨(dú)加熱的陰極K(圖2中僅示出了沿著X軸成一列布置的三個(gè)陰極中的位于前側(cè)的一個(gè)陰極)、在從陰極K向著熒光屏14的方向上沿著射線管軸線依次以預(yù)定間隔放置的各個(gè)電極G1、G2、G3、G4、G5A、G5B和G6、一個(gè)連接在電極G6上的屏蔽杯罩SC以及類似物構(gòu)成。在電子槍16中,一個(gè)主透鏡17形成在電極G5B和電極G6之間。主透鏡17將各個(gè)電子束18聚集在熒光屏14上。
      CPU 40以在射線管軸向上與電子槍16重疊的方式放置在管頸13的外周面上,并且調(diào)節(jié)電子束18的靜態(tài)會(huì)聚和純度。CPU 40包含一個(gè)純度(色純化)磁體44、一個(gè)四極磁體46以及一個(gè)連接在圓筒形樹脂框架42上的六極磁體48。純度磁體44、四極磁體46和六極磁體48分別由兩個(gè)一組的環(huán)形形狀的磁體構(gòu)成。
      圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的速度調(diào)變線圈裝置50的示意性透視圖。圖3B是沿著射線管軸線看時(shí)的速度調(diào)變線圈裝置50的主視圖。圖3C是速度調(diào)變線圈的展開視圖。
      速度調(diào)變線圈裝置50包含一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b和一對(duì)磁性體54a、54b,其中,速度調(diào)變線圈52a、52b以下述方式放置,即一個(gè)包含射線管軸線的水平面(XZ面)位于它們之間,磁性體54a、54b以下述方式放置,即一個(gè)包含射線管軸線的豎直面(YZ面)位于它們之間。在以下描述中,一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b可總體上稱為速度調(diào)變線圈52,一對(duì)磁性體54a、54b也可總體上稱為磁性體54。
      速度調(diào)變線圈52a、52b以相對(duì)于Z軸大致對(duì)稱的方式連接在CPU 40的樹脂框架42上。具體地講,一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b整體連接在CPU 40上。根據(jù)通過對(duì)視頻信號(hào)進(jìn)行微分所獲得的速度調(diào)變信號(hào),向一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b供給相應(yīng)的電流。
      在平面展開的狀態(tài)下,速度調(diào)變線圈52a、52b均為呈大致方形的環(huán)線圈。在構(gòu)成所述環(huán)線圈的四邊中,一對(duì)彼此相對(duì)的邊(直線部)53a以與Z軸大致平行的方式放置,另外一對(duì)彼此相對(duì)的邊(彎曲部)53b以這種方式大致沿著XY面放置,即依照樹脂框架42的外周面的曲率以大致弧形形狀彎曲。
      在一個(gè)示例中,速度調(diào)變線圈52a、52b通過纏繞四匝涂覆著聚氨酯涂層的銅線(線徑0.4[mm])形成。在速度調(diào)變線圈52a、52b如圖3C所示處于平面展開的狀態(tài)下,沿著直線部53a的尺寸L設(shè)為25[mm],沿著彎曲部53b的寬度W1(在處于平面展開的狀態(tài)下)設(shè)為35[mm]。當(dāng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b在彎曲部53b被彎曲成大致弧形形狀的情況下連接在樹脂框架42上時(shí),它們的外徑Dc為φ33.5[mm],X軸方向上的尺寸W2大約為30[mm]。在此,一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的外徑Dc是指與速度調(diào)變線圈52a、52b外接的假想圓柱面的直徑。
      磁性體54a、54b兩者均呈大致弧形形狀,并且在這種位置上連接于樹脂框架42上,即在這種位置上,它們相對(duì)于Z軸大致對(duì)稱且在Z軸方向上與一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b重疊。如圖3B所示,速度調(diào)變線圈52a、52b的每個(gè)直線部53a分別放置在磁性體54a(或54b)與Z軸之間。具體地講,磁性體54a、54b的弧長和連接位置以這種方式設(shè)定,即一條穿過Z軸和直線部53a且垂直于Z軸的直線與磁性體54a(或54b)相交。因此,一對(duì)磁性體54a、54b占由一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b產(chǎn)生的磁通的磁路的比率會(huì)增大,從而,磁阻會(huì)降低,這樣就可提高速度調(diào)變的靈敏度。
      在一個(gè)示例中,磁性體54a、54b均由Mg-Zn鐵氧體的磁粉燒結(jié)體制成,并且電阻率均為1×105[Ω·m]。當(dāng)一對(duì)磁性體54a、54b連接在樹脂框架42上時(shí),它們的內(nèi)徑DM1為φ36.8[mm],外徑DM2為φ46.8[mm],沿著X軸的厚度T為5[mm],Z軸方向上的長度H(見圖7)為2.5[mm]。而且,一對(duì)磁性體54a、54b之間的開放部55相對(duì)于Z軸的角度θ(分開角度)設(shè)為70°。磁性體54a(或54b)與速度調(diào)變線圈52a(或52b)的直線部53a之間在XY面內(nèi)的間隔D為1.65[mm]。在Z軸方向上,一對(duì)磁性體54a、54b相對(duì)于一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b大致對(duì)稱放置。
      上述速度調(diào)變線圈裝50可使一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b在管頸13中產(chǎn)生的磁通密度增大,從而,可使磁通作用于電子束18。
      下面,將參看圖4A和4B進(jìn)行描述。圖4A示出了在沒有設(shè)置一對(duì)磁性體54a、54b的情況下一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b產(chǎn)生的磁通的狀態(tài)。圖4B示出了在設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b產(chǎn)生的磁通的狀態(tài)。圖4A和4B分別示出了一個(gè)穿過速度調(diào)變線圈52a、52b的直線部53a且垂直于Z軸的平面上的磁通。
      從圖4A和4B可以理解,當(dāng)設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b時(shí),在管頸13外側(cè)的磁路中一對(duì)磁性體54a、54b所處的部分上,磁通會(huì)通過一對(duì)磁性體54a、54b,因此,磁阻可得到降低。從而,在管頸13內(nèi)電子束通過的區(qū)域中,由一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b產(chǎn)生的磁通密度就會(huì)增大。
      下面,將參看圖5描述磁性體54a(或54b)與速度調(diào)變線圈52a(或52b)的直線部53a在垂直于射線管軸線的XY面上的間隔D與速度調(diào)變的靈敏度之間的關(guān)系。
      在圖5中,橫軸表示上述間隔D,縱軸表示所述陰極射線管裝置的屏幕上的縱線的細(xì)線化率(thinning ratio)。在此,所述縱線細(xì)線化率通過如下方式獲得。在使用上述示例中的所述速度調(diào)變線圈裝置以4.0W的驅(qū)動(dòng)功率驅(qū)動(dòng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的情況下,利用NTSC信號(hào)在屏幕上顯示剖面線式圖案(crosshatching pattern)。獲得在沒有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的縱線寬度A和在設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的縱線寬度B,并且將(B/A)×100[%]設(shè)為縱線細(xì)線化率。所述縱線細(xì)線化率通過多次不同地改變間隔D獲得。當(dāng)速度調(diào)變的靈敏度提高時(shí),縱線寬度會(huì)變窄,并且邊緣會(huì)得到增強(qiáng),從而,可改善圖像質(zhì)量的清晰度(銳度)。一般而言,當(dāng)縱線細(xì)線化率為80%以下(圖5中的斜線區(qū)域)時(shí),可以認(rèn)為,可從視覺上識(shí)別出速度調(diào)變對(duì)圖像質(zhì)量的改善效果。
      以下描述可通過圖5理解。圖像質(zhì)量可通過提供一對(duì)磁性體54a、54b得到改善。特別地,當(dāng)間隔D為1至3mm時(shí),縱線細(xì)線化率變?yōu)?0%以下,并且速度調(diào)變的靈敏度可得到提高,在這種情況下,就可獲得令人滿意的圖像。
      下面,將參看圖6描述一對(duì)磁性體54a、54b和一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b在射線管軸向上的相對(duì)位置與速度調(diào)變的靈敏度之間的關(guān)系。
      在圖6中,縱軸表示以與圖5相似的方式定義的縱線細(xì)線化率。橫軸表示一對(duì)磁性體54a、54b相對(duì)于一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b在射線管軸向上的相對(duì)位置,其以如下方式定義。
      如圖7所示,假定速度調(diào)變線圈52a、52b在Z軸方向上的尺寸為L,速度調(diào)變線圈52a、52b在Z軸方向上與熒光屏相反的一側(cè)的一端的位置為原點(diǎn)(Z=0),速度調(diào)變線圈52a、52b在熒光屏側(cè)的一端的位置為Z=L,熒光屏側(cè)為Z軸的正方向。一對(duì)磁性體54a、54b在射線管軸向上相對(duì)于一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的相對(duì)位置通過以下方式獲得,即用L表示出Z軸方向上的長度為H的磁性體54a、54b的Z軸方向的中心點(diǎn)的Z軸坐標(biāo)ZM。
      縱線細(xì)線化率在使用上述示例中的所述速度調(diào)變線圈裝置以4.0W的驅(qū)動(dòng)功率驅(qū)動(dòng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的情況下通過多次不同地改變上述相對(duì)位置獲得(圖6中的“一對(duì)左右磁性體”)。相似地,通過在ZM=0.6×L的位置上將一對(duì)磁性體54a、54b繞著Z軸轉(zhuǎn)動(dòng)90°以使它們在豎直方向上彼此相對(duì)獲得(圖6中的“一對(duì)上下磁性體”)獲得這種情況下的縱線細(xì)線化率。
      從圖6可以理解,當(dāng)表示一對(duì)磁性體54a、54b在射線管軸向上相對(duì)于一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的相對(duì)位置的ZM滿足以下關(guān)系0.2×L≤ZM≤0.9×L時(shí),縱線細(xì)線化率就會(huì)變?yōu)?0%以下(圖6中的斜線區(qū)域),并且可提高速度調(diào)變的靈敏度,在這種情況下,可獲得令人滿意的圖像。在一對(duì)磁性體54a、54b被放置成在豎直方向上彼此相對(duì)的情況下,即使它們也放置在上述范圍內(nèi),速度調(diào)變的靈敏度的提高效果還會(huì)降低。
      下面,將參看圖8描述一對(duì)磁性體54a、54b之間的開放部55相對(duì)于射線管軸線的角度θ與速度調(diào)變的靈敏度之間的關(guān)系。
      在圖8中,橫軸表示上述角度θ,縱軸表示所述陰極射線管裝置的屏幕上的縱線細(xì)線化率。在此,所述縱線細(xì)線化率通過如下方式獲得。在使用上述示例中的所述速度調(diào)變線圈裝置以4.0W的驅(qū)動(dòng)功率驅(qū)動(dòng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的情況下,利用NTSC信號(hào)在屏幕上顯示剖面線式圖案。獲得在沒有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的縱線寬度C和在設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的縱線寬度E,并且將(E/C)×100[%]設(shè)為縱線細(xì)線化率。所述縱線細(xì)線化率通過多次不同地改變角度θ獲得。當(dāng)速度調(diào)變的靈敏度提高時(shí),縱線寬度會(huì)變窄,并且邊緣會(huì)得到增強(qiáng),從而,可改善圖像質(zhì)量的清晰度。一般而言,當(dāng)縱線細(xì)線化率為80%以下(圖8中的斜線區(qū)域)時(shí),可以認(rèn)為,可從視覺上識(shí)別出速度調(diào)變對(duì)圖像質(zhì)量的改善效果。
      以下描述可通過圖8理解。圖像質(zhì)量可通過提供一對(duì)磁性體54a、54b得到改善。特別地,當(dāng)角度θ為90°以下時(shí),縱線細(xì)線化率變?yōu)?0%以下,并且速度調(diào)變的靈敏度可得到提高,在這種情況下,就可獲得令人滿意的圖像。
      下面,將參看圖9描述一對(duì)磁性體54a、54b之間的開放部55相對(duì)于射線管軸線的角度θ與T/B失真之間的關(guān)系。
      在圖9中,橫軸表示上述角度θ,縱軸表示T/B失真變化量。T/B失真指屏幕的上下部中的光柵的枕形失真,其是光柵失真的一種類型。T/B失真變化量通過如下方式獲得。在使用上述示例中的所述速度調(diào)變線圈裝置以4.0W的驅(qū)動(dòng)功率驅(qū)動(dòng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的情況下,利用NTSC信號(hào)在屏幕上顯示剖面線式圖案。獲得在沒有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的T/B失真F[%]和在設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的T/B失真G[%],并且將G-F[%]設(shè)為T/B失真變化量。所述T/B失真變化量通過多次不同地改變角度θ獲得。T/B失真根據(jù)EIAJED-2101B“設(shè)有偏轉(zhuǎn)軛的布朗管的試驗(yàn)方法”(日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)格)的枕形失真試驗(yàn)測量。一般而言,當(dāng)T/B失真變化0.1[%]以上時(shí),可以認(rèn)為,可從視覺上識(shí)別出圖像失真的變化。
      以下描述可通過圖9理解。如果角度θ處于50°至90°的范圍內(nèi)(圖9中的斜線區(qū)域),一對(duì)磁性體54a、54b的有無所對(duì)應(yīng)的T/B失真變化量的絕對(duì)值為0.1[%]以下,因此,一對(duì)磁性體54a、54b的存在幾乎不會(huì)引起新的圖像失真。
      下面,將參看圖10描述一對(duì)磁性體54a、54b之間的開放部55相對(duì)于射線管軸線的角度θ與VCR之間的關(guān)系。
      在圖10中,橫軸表示上述角度θ,縱軸表示VCR變化量。VCR指在Y軸與屏幕的外周邊緣的交點(diǎn)(Y軸端)處兩側(cè)電子束與中心電子束之間在Y軸方向上的失聚。VCR變化量通過如下方式獲得。在使用上述示例中的所述速度調(diào)變線圈裝置以4.0W的驅(qū)動(dòng)功率驅(qū)動(dòng)一對(duì)速度調(diào)變線圈52a、52b的情況下,利用NTSC信號(hào)在屏幕上顯示剖面線式圖案。獲得在沒有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的VCR值H[mm]和在設(shè)有一對(duì)磁性體54a、54b的情況下的VCR值J[mm],并且將J-H[mm]設(shè)為VCR變化量。所述VCR變化量通過多次不同地改變角度θ獲得。VCR根據(jù)EIAJED-2101B“設(shè)有偏轉(zhuǎn)軛的布朗管的試驗(yàn)方法”(日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)格)的會(huì)聚試驗(yàn)測量。一般而言,當(dāng)VCR變化0.1[mm]以上時(shí),可以認(rèn)為,可從視覺上識(shí)別出會(huì)聚變化。
      以下描述可通過圖10理解。當(dāng)角度θ為90°以下(圖10中的斜線區(qū)域)時(shí),一對(duì)磁性體54a、54b的有無所對(duì)應(yīng)的VCR變化量的絕對(duì)值為0.1[mm]以下,因此,一對(duì)磁性體54a、54b的存在幾乎不會(huì)引起新的失聚。
      從圖8至10可以理解,當(dāng)角度θ為50°至90°時(shí),速度調(diào)變的靈敏度得到了提高,并且圖像質(zhì)量由于圖像邊緣的增強(qiáng)可得到改善,而且不會(huì)引起新的圖像失真和失聚。
      當(dāng)磁性體54a、54b在射線管軸向上的長度H變得較長時(shí),會(huì)增強(qiáng)磁通密度的增大效果。然而,磁性體的材料成本的增加以及模具的增大會(huì)導(dǎo)致成本增加。而且,安裝著磁性體54a、54b的CPU 40的射線管軸向上的尺寸也會(huì)增大,這樣就會(huì)導(dǎo)致CPU 40的材料成本增加和樹脂框架42的模制產(chǎn)量降低。從而,會(huì)大大地增加總體成本。因此,優(yōu)選長度H的上限為大約5mm。相反,當(dāng)磁性體54a、54b在射線管軸向上的長度H變得小于2mm時(shí),機(jī)械強(qiáng)度就會(huì)降低,從而,在用于固定每個(gè)磁體以將其放置于CPU 40中的與熒光屏相反的一側(cè)的螺釘式固定元件的緊固負(fù)載(例如49N以上)的作用下,磁性體54a、54b會(huì)遭到破壞。因此,磁性體54a、54b在射線管軸向上的長度H優(yōu)選處于2mm至5mm的范圍內(nèi)。這樣可低成本地提高圖像質(zhì)量的清晰度。
      假定磁性體54a、54b在射線管軸向上的長度為H,磁性體54a、54b在穿過射線管軸線的水平軸線方向上的厚度為T,優(yōu)選滿足以下關(guān)系T/H≥1。當(dāng)厚度T大于長度H時(shí),管頸內(nèi)的電子束通過區(qū)域中的磁通密度可得到進(jìn)一步提高。
      本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例和示例,而是可如下所述以不同方式改變。
      (1)例如,在上述實(shí)施例中,速度調(diào)變線圈52和磁性體54連接在CPU 40的樹脂框架42上。本發(fā)明并不局限于此,它們也可連接在偏轉(zhuǎn)軛30上。圖11示出了這樣一種實(shí)施例。
      如圖11所示,在本實(shí)施例中,偏轉(zhuǎn)軛30中的將水平偏轉(zhuǎn)線圈32與豎直偏轉(zhuǎn)線圈36絕緣開來且支承著偏轉(zhuǎn)軛32、36的樹脂框架39延伸至管頸13,并且速度調(diào)變線圈52和磁性體54連接在呈圓筒形狀的延伸部39a上。具體地講,在圖11所示的實(shí)施例中,速度調(diào)變線圈52和磁性體54整體連接在偏轉(zhuǎn)軛30上。
      在本實(shí)施例中,構(gòu)成CPU 40的純度磁體44、四極磁體46和六極磁體48也連接在樹脂框架39的延伸部39a上。在這點(diǎn)上,在本實(shí)施例中,可以認(rèn)為,CPU 40和偏轉(zhuǎn)軛30被以整體方式提供。
      (2)與圖2中所示的實(shí)施例相比,在圖11所示的實(shí)施例中,速度調(diào)變線圈52向水平偏轉(zhuǎn)線圈32側(cè)延伸得更遠(yuǎn),在這種情況下,速度調(diào)變線圈52的熒光屏側(cè)的端部從屏蔽杯罩SC的熒光屏側(cè)的端部向熒光屏側(cè)凸出。源于速度調(diào)變線圈52凸出的部分的磁通可在幾乎不被金屬元件例如電子槍16的電極和屏蔽杯罩SC吸收的情況下作用于電子束。因此,速度調(diào)變的靈敏度可得到提高。
      在此,應(yīng)當(dāng)注意,不要使速度調(diào)變線圈52的熒光屏側(cè)的端部過分地凸出,即不要使速度調(diào)變線圈52太接近于水平偏轉(zhuǎn)線圈32。當(dāng)速度調(diào)變線圈52太接近于水平偏轉(zhuǎn)線圈32時(shí),由速度調(diào)變線圈52產(chǎn)生的磁場和由水平偏轉(zhuǎn)線圈32產(chǎn)生的磁場就會(huì)過度地產(chǎn)生相互干涉,從而,會(huì)使所述熒光屏上的圖像產(chǎn)生所謂的跳動(dòng)。在一個(gè)示例中,確認(rèn)了以下情況。如果速度調(diào)變線圈52的熒光屏側(cè)的端部與水平偏轉(zhuǎn)線圈32的電子槍側(cè)的端部之間的距離L1設(shè)為8mm以上時(shí),引起問題的跳動(dòng)就不會(huì)發(fā)生。
      (3)在上述實(shí)施例中,磁性體54在射線管軸向上的位置與G5電極和G6電極之間的間隙在射線管軸向上的位置大致一致(匹配)。這是由于,一個(gè)主透鏡形成在上述這兩個(gè)電極之間的間隙中,并且,一般而言(即使在本示例中),形成主透鏡的電極之間的間隙大于任何其他電極之間的間隙。因此,由速度調(diào)變線圈52產(chǎn)生的磁通可集中于所述寬的間隙中,從而,由構(gòu)成所述電極的金屬材料吸收和由渦電流消耗的磁通可得到降低。
      然而,磁性體54在射線管軸向上的位置也可與其他電極之間的間隙一致(匹配),而不是與上述電極之間的間隙一致(匹配)。原因如下。只要磁性體54被放置成這樣,即與射線管軸向上彼此相鄰的兩個(gè)電極之間的間隙相對(duì)應(yīng),渦電流損失就可得到降低,在這種情況下,磁通可集中于電子束通過區(qū)域。
      而且,磁性體的數(shù)目不必為一對(duì)。也可準(zhǔn)備多對(duì)磁性體和將它們分別放置在電極之間的多個(gè)間隙中。因此,在整個(gè)電子束通過區(qū)域中磁通均會(huì)增加,從而,速度調(diào)變的靈敏度可得到進(jìn)一步提高。
      (4)在上述實(shí)施例中,盡管磁性體54被形成為弧形,但不必具有純弧形。磁性體54可具有通過沿著兩個(gè)切斷面將一個(gè)橢圓形或多邊形(優(yōu)選為五邊以上的多邊形)的環(huán)狀體分割成兩部分所獲得的形狀。在任何情況下,為了使產(chǎn)生于管頸13中的磁通保持對(duì)稱性,優(yōu)選地,磁性體54以相對(duì)于包含射線管軸線的豎直面對(duì)稱的方式形成。
      (5)在上述實(shí)施例中,磁性體為Mg-Zn鐵氧體的磁粉燒結(jié)體。本發(fā)明并不局限于此,所述磁性體也可為Ni-Zn鐵氧體或Mn-Zn鐵氧體的磁粉燒結(jié)體。
      作為一種替代性方法,所述磁性體還可用這樣形成的磁性體替代燒結(jié)體,即在樹脂中混入任何上述磁粉然后再模制成型。這樣,與使用燒結(jié)體的情況相比,可降低成本。
      (6)在上述實(shí)施例中,已作為示例說明了彩色陰極射線管裝置。本發(fā)明并不局限于此,其也適用于單色陰極射線管例如投影型陰極射線管和陰極射線管裝置。
      本發(fā)明的適用領(lǐng)域并沒有特殊限制,本發(fā)明可廣泛地用于電視接收機(jī)、計(jì)算機(jī)顯示器和類似裝置。
      本發(fā)明在不脫離其精神或基本特征的情況下可以其他方式實(shí)現(xiàn)。本申請(qǐng)書中所公開的實(shí)施例在所有方面均應(yīng)認(rèn)為是示例性的,而非限定性的。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書而不是由前面所作的描述限定,在此包含在權(quán)利要求書的等同意思和范圍內(nèi)所進(jìn)行的所有改變。
      權(quán)利要求
      1.一種設(shè)在陰極射線管的錐體的外周面上的速度調(diào)變線圈裝置,包括一對(duì)速度調(diào)變線圈,它們用于調(diào)變從電子槍發(fā)出的電子束的水平偏轉(zhuǎn)速度;以及一對(duì)磁性體,其中,所述一對(duì)速度調(diào)變線圈以下述方式放置,即一個(gè)包含所述陰極射線管的射線管軸線的水平面位于它們之間,所述一對(duì)磁性體以下述方式放置,即一個(gè)包含所述陰極射線管的所述射線管軸線的豎直面位于它們之間,所述速度調(diào)變線圈包含一個(gè)直線部,其大致平行于所述陰極射線管的所述射線管軸線延伸,所述直線部放置在所述磁性體與所述陰極射線管的所述射線管軸線之間,所述磁性體與所述直線部之間的間隔D為1至3mm,以及假定所述陰極射線管的所述射線管軸線為Z軸,所述速度調(diào)變線圈的位于熒光屏相反側(cè)的端部在射線管軸向上的位置為Z=0,所述速度調(diào)變線圈的位于熒光屏側(cè)的端部在所述射線管軸向上的位置為Z=L,則所述磁性體在所述射線管軸向上的中心點(diǎn)的坐標(biāo)ZM滿足以下關(guān)系0.2×L≤ZM≤0.9×L。
      2.如權(quán)利要求1所述的速度調(diào)變線圈裝置,其特征在于,所述一對(duì)磁性體之間的一個(gè)開放部相對(duì)于所述陰極射線管的所述射線管軸線的角度θ為50°至90°。
      3.如權(quán)利要求1所述的速度調(diào)變線圈裝置,其特征在于,所述磁性體在所述射線管軸向上的長度H為2至5mm。
      4.如權(quán)利要求1所述的速度調(diào)變線圈裝置,其特征在于,假定所述磁性體在所述射線管軸向上的長度為H,所述磁性體在一條穿過所述射線管軸線的水平軸線的方向上的厚度為T,則滿足以下關(guān)系T/H≥1。
      5.如權(quán)利要求1所述的速度調(diào)變線圈裝置,其特征在于,所述磁性體為以下一組材料中的至少一種的磁粉燒結(jié)體Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體和Ni-Zn鐵氧體。
      6.如權(quán)利要求1所述的速度調(diào)變線圈裝置,其特征在于,所述磁性體由混入了以下一組材料中的至少一種的磁粉的樹脂制成Mg-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體和Ni-Zn鐵氧體。
      7.一種陰極射線管裝置,包括陰極射線管,其包含一個(gè)在內(nèi)表面上形成有熒光屏的面板、一個(gè)與所述面板連接的錐體和一個(gè)容納在所述錐體的管頸中的電子槍;水平偏轉(zhuǎn)線圈和豎直偏轉(zhuǎn)線圈,它們設(shè)在所述錐體的外周面上,用于使從所述電子槍發(fā)出的電子束在水平和豎直方向上偏轉(zhuǎn),以使所述電子束掃描所述熒光屏;以及速度調(diào)變線圈裝置,其設(shè)在所述錐體的所述外周面上,其中,所述速度調(diào)變線圈裝置為如權(quán)利要求1至6中任一所述的速度調(diào)變線圈裝置。
      8.如權(quán)利要求7所述的陰極射線管裝置,其特征在于,一對(duì)所述速度調(diào)變線圈相對(duì)于所述水平偏轉(zhuǎn)線圈和所述豎直偏轉(zhuǎn)線圈放置在所述管頸側(cè)。
      9.如權(quán)利要求7所述的陰極射線管裝置,其特征在于,所述一對(duì)磁性體在射線管軸向上的位置與所述電子槍的兩個(gè)電極之間的間隙在所述射線管軸向上的位置相一致,所述兩個(gè)電極在所述射線管軸向上彼此分開布置,并且形成一個(gè)主透鏡。
      全文摘要
      一對(duì)速度調(diào)變線圈(52a,52b)以下述方式放置,即一個(gè)包含射線管軸線的水平面位于它們之間,一對(duì)磁性體(54a,54b)以下述方式放置,即一個(gè)包含射線管軸線的豎直面位于它們之間。速度調(diào)變線圈中的與射線管軸線大致平行延伸的直線部(53a)放置在磁性體與射線管軸線之間。磁性體與直線部(53a)之間的間隔D為1至3mm。假定射線管軸線為Z軸,速度調(diào)變線圈在射線管軸向上的尺寸為L,速度調(diào)變線圈在射線管軸向上與熒光屏相反的一側(cè)的端部的位置為Z=0,則一對(duì)磁性體(54a,54b)的射線管軸向上的中心點(diǎn)位于Z=0.2×L至0.9×L的范圍內(nèi)。因此,可在抑制驅(qū)動(dòng)功率增大的情況下通過簡單結(jié)構(gòu)提高速度調(diào)變的靈敏度。
      文檔編號(hào)H01J29/76GK1707737SQ20051007657
      公開日2005年12月14日 申請(qǐng)日期2005年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月11日
      發(fā)明者谷輪賢一郎, 佐藤明, 巖崎勝世 申請(qǐng)人:松下東芝映象顯示株式會(huì)社
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