專利名稱：顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到顯示器件，更確切地說是涉及到具有改進了的視角特性的自發(fā)光顯示器件。
背景技術(shù)：
利用來自電致發(fā)光元件(發(fā)光元件)的光發(fā)射的發(fā)光器件作為具有廣闊視角和低功耗的顯示器件，已經(jīng)受到了注意。
作為主要用于圖象顯示的發(fā)光器件的驅(qū)動方法，存在著有源矩陣驅(qū)動方法和無源矩陣驅(qū)動方法。至于采用有源矩陣驅(qū)動方法的發(fā)光器件，能夠在各個象素中控制發(fā)光元件的發(fā)射/不發(fā)射等。因此，能夠以低于無源矩陣發(fā)光器件的功耗被驅(qū)動。于是，發(fā)光器件能夠被適當(dāng)?shù)匕惭b作為諸如便攜式電話以及大屏幕電視接收機之類的小型電子器具的顯示部分。
在有源矩陣發(fā)光器件中，為各個發(fā)光元件提供了用來控制各個發(fā)光元件的驅(qū)動的電路。此電路和發(fā)光元件被提供在襯底上，使向外發(fā)射的光不被電路阻擋。此外，在重疊發(fā)光元件的部分中，透光的絕緣膜被提供在疊層中，光通過其中行進而被向外發(fā)射。這種絕緣膜被用來形成諸如晶體管和電容器之類的作為主要電路組成部分的電路元件，或布線。
當(dāng)光通過層疊的絕緣膜行進時，可能存在著各個層之間的界面上反射的光由于各個絕緣膜的折射率差異而彼此干涉(稱為多干涉)的情況。結(jié)果，發(fā)射譜就依賴于從發(fā)射側(cè)觀察的角度而改變，導(dǎo)致不良的視角特性。
例如，專利文獻1公開了一種響應(yīng)于可見度和視角特性由于發(fā)光元件發(fā)射的光通過其中行進的各個層的折射率差異而退化的問題所提出的一種發(fā)光器件。借助于確定各個層之間的折射率關(guān)系，此發(fā)光器件能夠避免這種問題。
日本專利公開No.2003-133062專利文獻2公開了一種作為顯示元件的發(fā)光元件，它是響應(yīng)于視角特性在具有由電極和發(fā)光層構(gòu)成的諧振結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中退化的問題而提出的。借助于改善諧振結(jié)構(gòu)，此發(fā)光元件能夠解決這一問題。
日本專利公開No.2002-367770但在專利文獻1的結(jié)構(gòu)中，由于折射率對于各種材料是一個本征數(shù)值，故要選擇能夠滿足所需折射率以及各個層諸如絕緣性質(zhì)和鈍化性質(zhì)之類的功能二者的材料，是相當(dāng)困難的。
此外，在專利文獻2的結(jié)構(gòu)中，僅僅集中注意到了由面對的電極和插入在其間的有機層構(gòu)成的發(fā)光元件。因此，在諸如光除了通過發(fā)光元件之外還通過多個層向外發(fā)射的有源矩陣發(fā)光器件之類的發(fā)光器件中，存在著視角特性退化無法被充分地抑制的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述情況，本發(fā)明的主要目的是提供一種能夠容易地改善視角特性的有源矩陣顯示器件。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯示器件，它具有其上制作薄膜晶體管和發(fā)光元件的襯底。多個光學(xué)層被形成在襯底與發(fā)光元件之間，這些光學(xué)層包括折射率為n1的層、折射率為n2的層、以及折射率為n3的層組成的相繼層疊的層。n1、n2、n3滿足下列關(guān)系n1＜n2＞n3或n1＞n2＜n3，且根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為入的假設(shè)，折射率為n2的層的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
周來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在透光襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，第一基底絕緣膜由折射率比襯底和與第一基底絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成，且第一絕緣膜由折射率比與第一絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的每一光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在透光襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，第一基底絕緣膜由折射率比襯底和與第一基底絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成，且第一絕緣膜由折射率比與第一絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ，第二基底絕緣膜和柵絕緣膜的總光學(xué)厚度為L1，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度為L2，且m是不小于1的整數(shù)的假設(shè)，基本上滿足L1＝-L2+(2m-1)λ/4。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在透光襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，且各個第一基底絕緣膜和第一絕緣膜由包含氮化硅作為其主要組分的材料組成，而第二基底絕緣膜和柵絕緣膜由包含氧化硅作為其主要組分的材料組成。此外，第一基底絕緣膜的物理厚度在120-162nm范圍內(nèi)，第一絕緣膜的物理厚度在120-162nm范圍內(nèi)，且柵絕緣膜和第二基底絕緣膜的總物理厚度在132-198nm范圍內(nèi)。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在透光襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，且第一基底絕緣膜由折射率比襯底和與第一基底絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，第一基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在襯底上的基底絕緣膜；以及形成在基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，基底絕緣膜由折射率比襯底和與基底絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成，且第一絕緣膜由折射率比與第一絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，基底絕緣膜和第一絕緣膜的各光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在襯底上的基底絕緣膜；以及形成在基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，且基底絕緣膜由折射率比襯底和與基底絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在襯底上的基底絕緣膜；以及形成在基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，且第一絕緣膜由折射率比與第一絕緣膜接觸的各個膜更大或更小的材料組成。此外，根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，第一絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光。第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜在光學(xué)上是一個層，在光學(xué)上是一個層的第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜的折射率比第一基底絕緣膜和第二絕緣膜的折射率更大或更小，且根據(jù)發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，光學(xué)上是一個層的第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍。
用來解決上述問題的本發(fā)明的顯示器件包含形成在襯底上的第一基底絕緣膜；形成在第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；以及形成在第二基底絕緣膜上的包括半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的顯示器件包含覆蓋薄膜晶體管而形成的第一絕緣膜；覆蓋第一絕緣膜而形成的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及電連接到布線的發(fā)光元件。襯底側(cè)上發(fā)光元件的電極透光，且各個第一基底絕緣膜和第二絕緣膜由包含氮化硅作為其主要組分的材料組成，而第二基底絕緣膜、柵絕緣膜以及第一絕緣膜中的每一個由包含氧化硅作為其主要組分的材料組成。第一基底絕緣膜的物理厚度在120-162nm范圍內(nèi)，第二絕緣膜的物理厚度在120-162nm范圍內(nèi)，且第二基底柵絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜的總物理厚度在132-198nm范圍內(nèi)。
本發(fā)明的顯示器件是一種結(jié)構(gòu)簡單的具有改進了的視角特性的顯示器件。由于本發(fā)明的顯示器件具有改進了的視角特性，故能夠提供良好的圖象顯示。此外，能夠制造本發(fā)明的顯示器件而無需額外的步驟或材料，從而能夠容易地提供具有改進了的視角特性的顯示器件。


圖1是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖3是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖4是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖6A-6E是剖面圖，示出了本發(fā)明的顯示器件的制造工藝。
圖7A-7D是剖面圖，示出了本發(fā)明的顯示器件的制造工藝。
圖8A是本發(fā)明的顯示器件的俯視圖，而圖8B是其剖面圖。
圖9A-9E是本發(fā)明的電子器具圖。
圖10A-10F是用于本發(fā)明的顯示器件的象素電路的電路圖。
圖11是用于本發(fā)明的顯示器件的保護電路的電路圖。
圖12A-12C曲線示出了采用單色光的反射率模擬結(jié)果。
圖13曲線示出了全色顯示器中的反射率模擬結(jié)果。
圖14A和14B示出了發(fā)射譜的測量數(shù)據(jù)，示出了視角特性。
圖15是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
圖16A和16B是本發(fā)明的顯示器件的剖面圖。
具體實施例方式
雖然下面將參照附圖以實施方案模式和實施方案的形式來充分地描述本發(fā)明，但要理解的是，各種改變和修正對于本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員是顯而易見的。因此，除非這種改變和修正偏離了以下定義的本發(fā)明的范圍，否則就應(yīng)該被認為是包括在其中的。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在光沿其上制作薄膜晶體管的襯底的方向被發(fā)射的有源矩陣顯示器件中，當(dāng)關(guān)注在用來制作薄膜晶體管的膜上被反射的從發(fā)光元件發(fā)射的光所引起的多重干涉時，借助于形成特定厚度的反射膜，能夠大幅度降低對多重干涉的作用。
注意，在本發(fā)明中，即使彼此接觸的二個或多個膜通過不同的步驟被制造，若它們由相同的材料或者折射率相同或基本上相同的材料組成，則這些膜在光學(xué)上都被認為是一個層。此外，涉及到的膜的物理厚度意味著實際厚度，而光學(xué)厚度意味著根據(jù)特定波長的光通過此膜行進的假設(shè)而由膜的物理厚度乘以此膜在此光波長下的折射率所得到的膜厚度。此外，中心波長是從涉及到的發(fā)光元件發(fā)射的光之中發(fā)光強度最大的波長?；蛘撸行牟ㄩL可以是專業(yè)人員希望從發(fā)光元件得到的波長。
在光通過多個層疊的層行進的情況下，其中，光通過折射率不同的各個層之間的界面行進，反射就成了問題。在薄膜晶體管的制造過程中，常常出現(xiàn)這種疊層結(jié)構(gòu)。例如，氧化硅膜和氮化硅膜的疊層結(jié)構(gòu)就是典型的例子。當(dāng)層疊的各層之間的折射率差異達到氧化硅膜與氮化硅膜之間那樣大的折射率差異時，光反射造成的多重干涉就成了問題此外，用于半導(dǎo)體器件的材料由于絕緣性質(zhì)、膜質(zhì)量、阻擋性質(zhì)、與半導(dǎo)體層的親和性等而受到限制。因此，不可避免地常常采用大約二種材料的反復(fù)疊層結(jié)構(gòu)。此外，用于半導(dǎo)體器件其它組成部分的材料常常具有基本上與上述材料之一相同的折射率。
在本發(fā)明中，在發(fā)光元件發(fā)射的光向外發(fā)射之前通過折射率n大或小的一個層行進的情況下，具體地說是在光通過按光行進方向順序滿足折射率關(guān)系n1＜n2＞n3或n1＞n2＜n3的疊層結(jié)構(gòu)行進的情況下，層(折射率為n2的層)的光學(xué)厚度L被設(shè)定為λm/2(m是不小于1的整數(shù))。當(dāng)此光學(xué)厚度被轉(zhuǎn)換成物理厚度d時，根據(jù)形成此層的膜的折射率是n，且發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長是λ的假設(shè)，滿足λm/2n。
采用這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)光進入此層(折射率為n2的層)時出現(xiàn)的反射和當(dāng)光從此層發(fā)射時出現(xiàn)的反射能夠彼此抵消，從而能夠降低由于此層的存在而引起的反射。反射的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，從而能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。注意，為了得到具有良好視角特性的顯示器件，此層的反射率可以是1％或以下，且具有這種反射率的層的光學(xué)厚度L約為λ/2的±6％。因此，本發(fā)明和說明書中的術(shù)語“基本上”意味著提供了±6％的裕度。
此外，在本發(fā)明中，在發(fā)光元件發(fā)射的光向外發(fā)射之前通過折射率n分別為大或小的二個層行進的情況下，具體地說是在光通過按光行進方向順序滿足折射率關(guān)系n1＜n2＞n3＜n4＞n5或n1＞n2＜n3＞n4＜n5的疊層結(jié)構(gòu)行進的情況下，二個層(折射率分別為n2和n4的層)的光學(xué)厚度L各為λm/2(m為不小于1的整數(shù))。當(dāng)此光學(xué)厚度轉(zhuǎn)換成物理厚度d時，根據(jù)諸層的各折射率是n，且發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長是λ的假設(shè)，滿足λm/2n。
注意，二種層(折射分別為n2和n4的層)優(yōu)選由相同的材料或折射率相同或基本上相同的材料組成。采用此結(jié)構(gòu)，當(dāng)光進入這些層產(chǎn)生的反射和當(dāng)光從這些層發(fā)射時產(chǎn)生的反射可彼此抵消，從而能夠降低這些層的反射率。反射率的降低能抑止駐波的產(chǎn)生，從而能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。注意，為了得到具有良好視角特性的顯示器件，各層的反射率可以是1％或以下，且具有這種反射率的各層的光學(xué)厚度約為λ/2的±6％。
此外，在本發(fā)明中，在發(fā)光元件發(fā)射的光向外發(fā)射之前通過折射率n分別為大或小的二個層行進的情況下，具體地說是在光通過按光行進方向順序滿足折射率關(guān)系n1＜n2＜n3＜n4＜n5或n1＞n2＞n3＞n4＜n5的疊層結(jié)構(gòu)行進的情況下，根據(jù)二個層(折射率分別為n2和n4的層)的各個光學(xué)厚度為L1，插入在二個層之間的層(手射率為n3的層)的光學(xué)厚度為L2，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，滿足L2＝-L1+(2m-1)λ/4。
注意，二種層(折射率為n2和n4的層)優(yōu)選由相同的材料或者折射率基本上相同的材料來組成。插入在二個層之間的層(折射率為n3的層)被要求在光學(xué)上是一個層。采用這種結(jié)構(gòu)，出現(xiàn)在折射率分別為n1和n2的層之間界面上的反射被出現(xiàn)在折射率分別為n3和n4的層之間界面上的反射抵消。同樣，出現(xiàn)在折射率分別為n2和n3的層之間界面上的反射被出現(xiàn)在折射率分別為n4和n5的層之間界面上的反射抵消。于是，能夠降低各層疊膜的反射率。反射率的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，從而能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。注意，為了得到具有良好視角特性的顯示器件，各層的反射率可以是1％或以下，且具有這種反射率的各層的物理厚度d分別約為L1的±6％和L2的±6％。
此外，在本發(fā)明中，當(dāng)發(fā)光元件發(fā)射的光在向外發(fā)射之前通過折射率各約為1.8的二個層以及其間的折射率約為1.5的一個層的疊層結(jié)構(gòu)行進時，折射率約為1.8的各個層的物理厚度被設(shè)定為120-162nm，而折射率約為1.5的層的物理厚度被設(shè)定為132-198nm。采用這種結(jié)構(gòu)，能夠降低層的反射率，且能夠抑制駐撥的發(fā)生，從而能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。注意，為了得到具有良好視角特性的顯示器件，各層的反射率可以是1％或以下，且利用上述的物理厚度能夠得到這種反射率。
此外，本發(fā)明可以被用于包含底部發(fā)射型發(fā)光器件和雙向發(fā)射型發(fā)光器件中任何一種的顯示器件。
在本實施方案模式中，參照圖1來描述本發(fā)明顯示器件的一個例子。
在本實施方案模式的顯示器件中，第一基底絕緣膜101和第二基底絕緣膜102依此順序被形成在透光襯底100上。半導(dǎo)體層103被形成在第二基底絕緣膜102上，且柵絕緣膜104被形成覆蓋半導(dǎo)體層103和第二基底絕緣膜102。以部分地重疊半導(dǎo)體層103的方式，柵電極105被形成在柵絕緣膜104上。柵電極105和柵絕緣膜104被第一絕緣膜106覆蓋，且第一絕緣膜106被第二絕緣膜107覆蓋。在第二絕緣膜107上，電極108和109被提供成通過滲透第二絕緣膜107、第一絕緣膜106、以及柵絕緣膜104而形成的接觸孔電連接到半導(dǎo)體層103。半導(dǎo)體層103、柵絕緣膜104、柵電極105、以及電極108和109構(gòu)成了象素部分內(nèi)的薄膜晶體管110。
以部分地重疊薄膜晶體管110的一個電極109的方式，來形成發(fā)光元件的第一電極111。在第一電極111上，第三絕緣膜(也稱為分隔壁)112被形成為具有暴露第一電極111的窗口，覆蓋著第二絕緣膜107和至少第一電極111的端部。然后，發(fā)光疊層113被形成為至少覆蓋窗口，且發(fā)光元件的第二電極114被形成為覆蓋分隔壁112和發(fā)光疊層113，從而完成具有第一電極111、發(fā)光疊層113、以及第二電極114的發(fā)光元件115。
可以用透光的玻璃、石英、塑料(例如聚酰亞胺、丙烯酸的、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、或聚醚砜)之類來形成襯底100。這種襯底在按需要用CMP之類拋光之后可以被使用。
為了防止諸如堿金屬和堿土金屬之類的對半導(dǎo)體膜可能有不利影響的元素被擴散進入到半導(dǎo)體層中，提供了第一基底絕緣膜101和第二基底絕緣膜102。典型地可以采用氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅之類。已知包含氮化硅作為其主要成分的膜在阻擋雜質(zhì)元素(離子)的性質(zhì)方面是優(yōu)異的。同時，與包含氮化硅作為其主要成分的膜相比，包含氧化硅作為其主要成分的膜的優(yōu)點在于，它具有更寬的帶隙、優(yōu)異的絕緣性質(zhì)、以及更低的陷阱能級。在本實施方案模式中，第一基底絕緣膜101由包含氮化硅作為其主要成分的膜組成，而第二基底絕緣膜102由包含氧化硅作為其主要成分的膜組成。于是能夠同時得到良好的抗雜質(zhì)的勢壘性質(zhì)和薄膜晶體管的優(yōu)異性能。
在本實施方案模式中，根據(jù)發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ，且第一基底絕緣膜101在中心波長下的折射率為n的假設(shè)，第一基底絕緣膜101的物理厚度d被設(shè)定為λm/2n(m是不小于0的整數(shù))。
本發(fā)明的顯示器件是一種有源矩陣顯示器件，它具有象素部分，其中在第二基底絕緣膜上制作了多個薄膜晶體管，圖1中的薄膜晶體管110示出了其中之一。注意，薄膜晶體管也可以被制作在顯示器件象素部分之外的部分內(nèi)，以便構(gòu)成驅(qū)動電路、信號處理電路、音頻電路、CPU等。
可以用熟知的方法來制作薄膜晶體管110?？梢杂冒枳鳛槠渲饕煞值哪硇纬傻谝唤^緣膜106，但材料不受限制。第一絕緣膜106可以被用作鈍化膜來防止雜質(zhì)滲透進入到半導(dǎo)體層103中，或用作氫化膜，以便用包含在膜中的大量氫來終止半導(dǎo)體層103中的懸掛鍵。
在本實施方案模式中，根據(jù)發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ，且第一絕緣膜106在中心波長下的折射率為n的假設(shè)，第一絕緣膜106的物理厚度d被設(shè)定為λm/2n(m是不小于0的整數(shù))。
在本實施方案模式中，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102由相同的材料或者折射率基本上相同的材料組成。由于第二基底絕緣膜102由包含氧化硅作為其主要成分的膜組成，故柵絕緣膜104也由包含氧化硅作為其主要成分的膜組成，致使這些膜在光學(xué)上可以被認為是一個層。
為了改善發(fā)光元件115的孔徑比，第二絕緣膜107由能夠緩解下方層不規(guī)則性的具有自平整性的膜組成。這種絕緣膜可以由丙烯酸、聚酰亞胺、所謂硅氧烷之類的材料組成。硅氧烷由硅-氧鍵(Si-O鍵)構(gòu)成的骨架組成，它包含至少含有氫的有機原子團(例如烷基或芳基)作為取代基?；蛘撸訄F可以被用作取代基，或氟原子團和至少包含氫的有機原子團二者可以被用作取代基。在本實施方案模式中，由硅氧烷組成的膜被用作第二絕緣膜107。
發(fā)光元件115由第一電極111、第二電極114、以及插入在其間的發(fā)光疊層113構(gòu)成。第一電極111和第二電極114之一用作陽極，而另一用作陰極。各個發(fā)光元件被分隔壁(也稱為堤壩)112隔離于其它的發(fā)光元件。分隔壁112被形成為至少覆蓋第一電極111的端部，且緊靠發(fā)光元件位置處的分隔壁112的端部本身具有曲率，最好具有曲率連續(xù)可變的錐形形狀。
可以利用諸如光敏或非光敏的丙烯酸、聚酰亞胺、硅氧烷、包含氧化硅作為其主要成分的膜、以及包含氮化硅作為其主要成分的膜之類的有機材料或無機材料，來形成分隔壁112。
第一電極111最好由諸如氧化銦錫(ITO)之類的透光的導(dǎo)電材料組成。注意，除了ITO之外，可以采用包含氧化硅的ITO、是為氧化銦與2-20％的氧化鋅的混合物的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅本身、包含鎵的氧化鋅(GZO)等。
發(fā)光疊層113包含發(fā)光物質(zhì)，并由單層或多層組成。注意，發(fā)光疊層113可以由有機材料或無機材料組成?；蛘呖梢杂蔁o機材料和有機材料二者組成。
在具有這種結(jié)構(gòu)的本實施方案模式的顯示器件中，從發(fā)光元件115發(fā)射的光在向外發(fā)射之前通過第二絕緣膜107、第一絕緣膜106、柵絕緣膜104、第二基底絕緣膜102、第一基底絕緣膜101、以及襯底100行進。其中，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的折射率與插入第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101之間的其它膜的折射率之間，具有很大的差異。于是，在本實施方案模式中，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度d被設(shè)定為λm/2n(m是不小于0的整數(shù))，亦即，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自光學(xué)厚度L被設(shè)定為λm/2(m是不小于0的整數(shù))。因此，在膜的入射界面上反射的光能夠被在膜的發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這些膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。
圖12A-12C示出了本實施方案模式的模擬結(jié)果，其中，第一基底絕緣膜101由包含氧的氮化硅膜組成，第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104各由包含氮的氧化硅膜組成，由包含氧的氮化硅膜組成的第一絕緣膜106、由硅氧烷組成的第二絕緣膜107、以及發(fā)光元件115，依此順序被形成在襯底100上。利用Fresnel系數(shù)來進行此模擬，以便檢查當(dāng)柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度、第一絕緣膜106的厚度、以及第一基底絕緣膜101的厚度被改變時，第二絕緣膜107與第一絕緣膜106之間界面的反射率(這相當(dāng)于第一絕緣膜106與柵絕緣膜104之間界面上反射的光、第二基底絕緣膜102與第一基底絕緣膜101之間界面上反射的光、以及第一基底絕緣膜101與襯底100之間界面上反射的光的組合反射率)的改變。注意，在本實施方案模式中，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102由相同的材料組成，從而能夠在光學(xué)上被認為是一個層。因此，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度被用于模擬。
這些曲線示出了第一絕緣膜106的反射率分布，其中，橫軸表示由包含氧的氮化硅組成的膜的物理厚度(第一基底絕緣膜101和第一絕緣膜106的各個厚度)，而縱軸表示由包含氮的氧化硅組成的膜的物理厚度(第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的總厚度)，它被插入在上述二個膜之間。圖12A-12C示出了單色顯示器中的反射率改變，而圖13示出了波長為400-700nm的光的平均反射率。
圖12A示出了用對應(yīng)于藍色發(fā)射的中心波長λ＝450nm的光進行的模擬結(jié)果?？梢钥吹?，在對應(yīng)于光學(xué)厚度L＝λ/2的第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101各為125nm的物理厚度d附近，反射率是低的。認為第一絕緣膜106與第二絕緣膜107之間界面上1％或以下的反射率對視角特性的不利影響很小。在此曲線中，中心為125nm的115-133nm范圍內(nèi)的物理厚度d，對應(yīng)于具有這種反射率的區(qū)域。這種厚度范圍能夠提供1％或以下的反射率，而不管柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度如何，從而能夠提供視角特性良好的顯示器件。
圖12B示出了用對應(yīng)于綠色發(fā)射的中心波長λ＝540nm的光進行的模擬結(jié)果。可以看到，在對應(yīng)于光學(xué)厚度L＝λ/2的第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101各為152nm的物理厚度附近，反射率是低的。認為第一絕緣膜106與第二絕緣膜107之間界面上1％或以下的反射率對視角特性的不利影響很小。在此曲線中，138-162nm范圍內(nèi)的物理厚度d，對應(yīng)于具有這種反射率的區(qū)域。這種厚度范圍能夠提供1％或以下的反射率，而不管柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度如何，從而能夠提供視角特性良好的顯示器件。
圖12C示出了用對應(yīng)于紅色發(fā)射的中心波長λ＝620nm的光進行的模擬結(jié)果?？梢钥吹?，在對應(yīng)于光學(xué)厚度L＝λ/2的第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101各為175nm的物理厚度附近，反射率是低的。認為第一絕緣膜106與第二絕緣膜107之間界面上1％或以下的反射率對視角特性的不利影響很小。在此曲線中，160-186nm范圍內(nèi)的物理厚度d，對應(yīng)于具有這種反射率的區(qū)域。這種厚度范圍能夠提供1％或以下的反射率，而不管柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度如何，從而能夠提供視角特性良好的顯示器件。
以這種方式，當(dāng)中心波長明確時，亦即制造的顯示器件是單色顯示器類型或采用濾色器的多色顯示器，以及從發(fā)光元件發(fā)射的光具有單個最大波長，或中心波長之外的最大波長強度足夠小的情況下，借助于將第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各物理厚度設(shè)定為基本上相當(dāng)于光學(xué)厚度L＝λ/2，能夠?qū)⒌谝唤^緣膜106與第二絕緣膜107之間界面上的反射抑制得低。注意，在此情況下，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總厚度不受限制。
此模擬數(shù)據(jù)還示出了各處于λ/2的±6％范圍內(nèi)的第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的光學(xué)厚度能夠在允許范圍內(nèi)提供小的反射率，從而能夠提供視角特性良好的顯示器件。因此，在本說明書中，對于物理厚度d和光學(xué)厚度L二者的術(shù)語“基本上”意味著提供±6％的裕度。
此外，當(dāng)L2(柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總光學(xué)厚度)和L1(第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自厚度)滿足L2＝-L1+(2m-1)λ/4(m是不小于1的整數(shù))時，也能夠?qū)⒎瓷渎室种频玫停瑥亩赏纳埔暯翘匦?。在這種情況下，要求控制厚度L2和L1二者。由于出現(xiàn)在第二絕緣膜107與第一絕緣膜106之間界面上的反射被出現(xiàn)在第二基底絕緣膜102與第一基底絕緣膜101之間界面上的反射抵消，且出現(xiàn)在第一絕緣膜106與柵絕緣膜104之間界面上的反射被出現(xiàn)在第一基底絕緣膜101與襯底100之間界面上的反射抵消，故認為能夠降低反射。
注意，由于用±6％范圍內(nèi)的裕度取得的光學(xué)厚度L2和L1提供了視角特性允許范圍內(nèi)的小的反射率。因此，借助于設(shè)定厚度以滿足此條件，故能夠進行良好圖象顯示的顯示器件能夠具備改進了的視角特性。
圖13示出了400-700nm厚度范圍內(nèi)膜的平均反射率。滿足反射率為1％或以下的厚度范圍是第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度在120-162nm的范圍內(nèi)，且柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總物理厚度d在132-198nm的范圍內(nèi)。借助于將膜的物理厚度設(shè)定在這種范圍內(nèi)，即使在具有諸如RGB分離類型的全色顯示器件和采用白色發(fā)光元件的之類的具有不同中心波長的多種發(fā)光元件的顯示器件中，或即使在采用一種類型其發(fā)射譜包括多個強極大波長的發(fā)光元件的顯示器件中，也能夠提供良好的視角特性。
此外，即使當(dāng)中心波長明確時，視角特性良好的顯示器件也能夠具備任何波長，只要第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度d被設(shè)定在120-162nm的范圍內(nèi)，且柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的總物理厚度被設(shè)定在132-198nm的范圍內(nèi)即可。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，至少要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖2來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但未提供實施方案模式1中的第一絕緣膜106。在此情況下，在從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到外部的各個層中，僅僅第一基底絕緣膜101具有不同于其它膜的折射率。
因此，借助于根據(jù)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，將第一基底絕緣膜101的光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，在此膜入射界面上反射的光能夠被在此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
注意，在本實施方案模式中，第二基底絕緣膜102、柵絕緣膜104、以及第二絕緣膜107必需由折射率基本上相同的材料組成。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，至少要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖3來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但未提供實施方案模式1中的第二基底絕緣膜102，僅僅提供了基底絕緣膜116作為基底絕緣膜。此實施方案模式示出了基底絕緣膜116由包含氧的氮化硅組成的例子。在此情況下，在從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到外部的各個層中，是為第一絕緣膜106和基底絕緣膜116的二個層具有彼此不同的折射率。
此處，假設(shè)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ，借助于將第一絕緣膜106和基底絕緣膜116的各自光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，此膜入射界面上反射的光能夠被此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
或者，根據(jù)第一絕緣膜106和基底絕緣膜116的各自光學(xué)厚度為L1，且提供在第一絕緣膜106和基底絕緣膜116之間的柵絕緣膜104的光學(xué)厚度為L2的假設(shè)，膜厚度被設(shè)定為滿足L2＝-L1+(2m-1)λ/4。因此，能夠大幅度減小反射光，這又能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
或者，第一絕緣膜106和基底絕緣膜116的各個物理厚度d被設(shè)定在120-162nm的范圍內(nèi)，且柵絕緣膜104的物理厚度d被設(shè)定在132-198nm的范圍內(nèi)。因此，能夠大幅度減小反射光，這又能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖4來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但未提供實施方案模式1中的第二基底絕緣膜102和第一絕緣膜106，僅僅提供了基底絕緣膜116作為基底絕緣膜。此實施方案模式示出了基底絕緣膜116由包含氧的氮化硅組成的例子。在此情況下，在從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到外部的各個層中，僅僅基底絕緣膜116具有不同于其它各層的折射率。
此處，根據(jù)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，借助于將基底絕緣膜116的光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，此膜入射界面上反射的光能夠被此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
注意，在本實施方案模式中，主要的是柵絕緣膜104和第二絕緣膜107由折射率基本上相同的材料組成。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖5來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但未提供實施方案模式1中的第一基底絕緣膜101，僅僅提供了基底絕緣膜117作為基底絕緣膜。此實施方案模式示出了基底絕緣膜117由包含氮的氧化硅組成的例子。在此情況下，在從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到外部的各個層中，僅僅第一絕緣膜106具有不同于其它各層的折射率。
此處，根據(jù)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，借助于將第一絕緣膜106的光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，此膜入射界面上反射的光能夠被此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖15來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但第四絕緣膜120被提供在實施方案模式1所示的柵絕緣膜104和柵電極105與第一絕緣膜106之間。此第四絕緣膜120由相同于第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的材料組成，或由折射率基本上相同的各個材料組成，致使第二基底絕緣膜102、柵絕緣膜104、以及第四絕緣膜120的疊層能夠在光學(xué)上被認為是一個層。而且，光學(xué)上被認為一個層的第二基底絕緣膜102、柵絕緣膜104、以及第四絕緣膜120的疊層的物理厚度d被設(shè)定在132-198nm的范圍內(nèi)，而第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度d被設(shè)定在120-162nm的范圍內(nèi)。
根據(jù)圖13所示實施方案模式1的模擬結(jié)果，光學(xué)上被認為一個層的第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的疊層的物理厚度d最好在132-198nm的范圍內(nèi)。但已知就薄膜晶體管110的工作而言，第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的厚度有一個優(yōu)選數(shù)值，而從晶體管特性的觀點看，晶體管工作的優(yōu)選數(shù)值不總是完全等同于能夠改善視角特性的數(shù)值。因此，本實施方案模式示出了一種配備有第四絕緣膜120的結(jié)構(gòu)，用來改善視角特性，同時保持第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104具有薄膜晶體管110工作的優(yōu)選厚度。具體地說，根據(jù)本實施方案模式的結(jié)構(gòu)，第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104被控制成具有薄膜晶體管工作優(yōu)選的厚度，且借助于提供第四絕緣膜120來補充其厚度的不足。因此，能夠有利地保持薄膜晶體管特性和視角特性二者。
借助于將光學(xué)上視為一個層的第二基底絕緣膜102、柵絕緣膜104、以及第四絕緣膜120的疊層控制成具有132-198nm范圍內(nèi)的物理厚度d，以及借助于將第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101中的每一個控制成具有120-162nm范圍內(nèi)的物理厚度d，能夠大幅度降低反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
本實施方案模式的結(jié)構(gòu)具有一個額外的層作為絕緣膜；但光學(xué)層的數(shù)目不會由于提供這一由相同于第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的材料或折射率相同或基本上相同的各個材料組成的絕緣膜(第四絕緣膜120)而改變。于是，在本實施方案模式中，第二基底絕緣膜102、柵絕緣膜104、以及第四絕緣膜120的疊層能夠相似于實施方案模式1中的第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的疊層被處理。此外，具有另外額外層的其它疊層可以相似地被處理，只要在光學(xué)上能夠被視為一個層即可。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖16A來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但實施方案模式1中的由具有自平整性的膜組成的第二絕緣膜107被不具有自平整性的其它絕緣材料組成的第五絕緣膜121取代?？梢杂醚趸琛难趸柚悂硇纬傻谖褰^緣膜121。
在具有這種結(jié)構(gòu)的顯示器件中，從發(fā)光元件115發(fā)射的光在發(fā)射到顯示器件外部之前，通過第五絕緣膜121、第一絕緣膜106、柵絕緣膜104、第二基底絕緣膜102、第一基底絕緣膜101、以及襯底100行進。其中，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的折射率非常不同于插入第一絕緣膜106與第一基底絕緣膜101之間的其它各個膜的折射率。在本實施方案模式中，借助于將第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度d設(shè)定為λm/2n(m是不小于0的整數(shù))，亦即借助于將第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的光學(xué)厚度L設(shè)定為λm/2(m是不小于0的整數(shù))，此膜入射界面上反射的光能夠被此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
或者，根據(jù)第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自光學(xué)厚度為L1，且提供在第一絕緣膜106與第一基底絕緣膜101之間的柵絕緣膜104的光學(xué)厚度為L2的假設(shè)，膜厚度被設(shè)定為滿足L2＝-L1+(2m-1)λ/4。因此，能夠大幅度減小反射光，這又能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
或者，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的各自物理厚度d被設(shè)定在120-162nm的范圍內(nèi)，且光學(xué)上視為一個層的第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的疊層的物理厚度d被設(shè)定在132-198nm的范圍內(nèi)。因此，能夠大幅度減小反射光，這又能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖16B來描述本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)。本實施方案模式中的顯示器件具有與實施方案模式1的顯示器件基本上相同的結(jié)構(gòu)；但實施方案模式1中的由具有自平整性的膜組成的第二絕緣膜107被不具有自平整性的其它絕緣材料組成的第六絕緣膜122取代，而且不提供第一絕緣膜106。此外，第七絕緣膜123被提供成與發(fā)光元件的第一電極111接觸。第六絕緣膜122可以由氧化硅、包含氮的氧化硅之類組成，而第七絕緣膜123可以由氮化硅、包含氧的氮化硅之類組成。
在具有這種結(jié)構(gòu)的顯示器件中，從發(fā)光元件115發(fā)射的光在發(fā)射到顯示器件外部之前，通過第七絕緣膜123、第六絕緣膜122、柵絕緣膜104、第二基底絕緣膜102、第一基底絕緣膜101、以及襯底100行進。
在此情況下，可以認為在從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到外部的各個層之中，僅僅第一基底絕緣膜101具有不同的折射率。
此處，根據(jù)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，借助于將第一基底絕緣膜101的光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，此膜入射界面上反射的光能夠被此膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這種膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。
上述結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)相似于實施方案模式1中的結(jié)構(gòu)；因此要參照實施方案模式1。
注意，各個膜的厚度被控制成膜厚度能夠在完成半導(dǎo)體器件的階段得到。當(dāng)實際制造半導(dǎo)體器件時，可能有位于半導(dǎo)體層103、柵電極104、電極108和109、發(fā)光元件的第一電極111等下方的膜由于用來形成這些膜的腐蝕而減小厚度的情況。在此情況下，要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光從中行進到顯示器件外部的各個層被設(shè)定為具有考慮到厚度減小的預(yù)定厚度，這能夠由操作人員任意控制。亦即，僅僅要求從發(fā)光元件115發(fā)射的光通過其中行進到顯示器件外部的各個層被控制成具有上述的厚度。
在本實施方案模式中，參照圖6A-6E和7A-7D來描述具有實施方案模式1所示結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的發(fā)光器件的方法。
第一基底絕緣膜101和第二基底絕緣膜102依此順序被形成在其上進一步形成半導(dǎo)體膜的襯底100上(圖6A)。
可以用透光的玻璃、石英、塑料(例如聚酰亞胺、丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、或聚醚砜)之類來形成襯底100。這種襯底在按需要用CMP之類拋光之后可以被使用。在本實施方案模式中使用了玻璃襯底。
為了防止諸如堿金屬和堿土金屬之類的對半導(dǎo)體膜的特性可能有不利影響的元素被擴散進入到半導(dǎo)體層中，提供了第一基底絕緣膜101和第二基底絕緣膜102。典型地可以采用氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅之類。
如上所述，為了防止諸如堿金屬和堿土金屬之類的對半導(dǎo)體膜的特性可能有不利影響的雜質(zhì)元素(離子)被擴散進入到半導(dǎo)體層中，提供了第一基底絕緣膜101和第二基底絕緣膜102。已知包含氮化硅作為其主要成分的膜在阻擋這些雜質(zhì)元素(離子)的性質(zhì)方面是優(yōu)異的。同時，與包含氮化硅作為其主要成分的膜相比，包含氧化硅作為其主要成分的膜的優(yōu)點在于，它具有更寬的帶隙、優(yōu)異的絕緣性質(zhì)、以及更低的陷阱能級。
因此，在本實施方案模式中，借助于依此順序?qū)盈B由包含氧的氮化硅組成的第一基底絕緣膜101和由包含氮的氧化硅組成的第二基底絕緣膜102，來形成基底絕緣膜。于是能夠同時得到良好的抗雜質(zhì)(離子)的勢壘性質(zhì)和薄膜晶體管的高度可靠性。
注意，根據(jù)從稍后要形成的發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，第一基底絕緣膜101的光學(xué)厚度L(L＝折射率n×物理厚度d)被設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍。此外，在諸如RGB分離型的全色顯示器件和采用白色發(fā)光元件的顯示器件之類的具有多種各具有不同中心波長的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，或甚至在采用一種具有包括多個強極大波長的發(fā)射譜的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，第一基底絕緣膜101的物理厚度d被優(yōu)選設(shè)定在120-160nm的范圍內(nèi)。
在本實施方案模式中，利用激光輻照方法，借助于使非晶硅膜結(jié)晶，來得到接下來形成的半導(dǎo)體膜118。厚度為25-100nm(優(yōu)選為30-60nm)的非晶硅膜被形成在第二基底絕緣膜102上?？梢杂檬熘姆椒?，例如濺射、低壓CVD、以及等離子體CVD，來淀積非晶硅膜。然后，利用500℃下1小時的熱處理，來使此膜去氫化。
隨后，用激光輻照裝置使非晶硅晶化，以便得到結(jié)晶硅膜。用準分子激光器來進行本實施方案模式的激光晶化。振蕩激光束被光學(xué)系統(tǒng)處理成線狀束，照射到非晶硅膜上，從而得到結(jié)晶硅膜，用作半導(dǎo)體膜118。
除了激光晶化之外，僅僅熱處理或利用促進晶化的催化元素的熱處理能夠使非晶硅膜晶化。作為促進晶化的元素，有鎳、鐵、鈀、錫、鉛、鈷、鉑、銅、金等。與僅僅利用熱處理的晶化相比，利用這些元素，能夠在更低的溫度下和更短的時間內(nèi)執(zhí)行晶化，從而對玻璃襯底等的損傷作用更少。在僅僅用熱處理的晶化情況下，要求襯底100是高度抗熱的石英襯底等。
隨后，為了按需要控制閾值，借助于用少量雜質(zhì)對半導(dǎo)體膜118進行摻雜，來執(zhí)行所謂溝道摻雜。為了得到所需的閾值，用離子摻雜方法之類來摻雜N型或P型雜質(zhì)(磷或硼)。
然后，如圖6B所示，半導(dǎo)體膜118被圖形化成所希望的形狀，以便得到半導(dǎo)體層103。借助于用光抗蝕劑涂敷半導(dǎo)體膜118，將膜曝光并烘焙成預(yù)定的掩模形狀以便在半導(dǎo)體層上形成抗蝕劑掩模，以及利用此掩模對膜進行腐蝕，來執(zhí)行圖形化。
隨后，柵絕緣膜104被形成為覆蓋半導(dǎo)體層103。利用等離子體CVD或濺射方法，用厚度為40-150nm的包含硅的絕緣膜，來形成柵絕緣膜104。在本實施方案模式中，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102由相同的材料或折射率相同的或基本上相同的材料形成；因此，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102在光學(xué)上能夠被視為一個單層。在本實施方案模式中，相似于第二基底絕緣膜102，利用包含氮的氧化硅來形成柵絕緣膜104。
注意，在本實施方案模式中，第一基底絕緣膜101和第一絕緣膜106的各自光學(xué)厚度L基本上等于λ/2的整數(shù)倍；因此，在制造的顯示器件是單色顯示器類型的或采用濾色器的彩色顯示器類型的情況下，柵絕緣膜104和第二基底絕緣膜102的厚度不受限制，且從發(fā)光元件發(fā)射的光具有單個極大波長，即中心波長之外的極大波長的強度足夠小，在此情況下，視角特性不受有害影響。
但在諸如RGB分離型的全色顯示器件和采用白色發(fā)光元件的顯示器件之類的具有多個各具有不同中心波長的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，或甚至在采用一種具有包括多個強極大波長的發(fā)射譜的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的總厚度最好被在130-200nm的范圍內(nèi)。
隨后，柵電極105被形成在柵絕緣膜104上?？梢杂眠x自Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Nd的元素、或包含這些元素作為其主要成分的合金材料或化合物材料，來形成柵電極105。或者，可以用典型為摻有諸如磷的雜質(zhì)元素的多晶硅膜的半導(dǎo)體膜來形成柵電極105。或者可以采用AgPdCu合金。
雖然在本實施方案模式中柵電極105被形成為單層，但也可以采用二層或多層的疊層結(jié)構(gòu)，例如具有鎢底部層和鉬頂部層的結(jié)構(gòu)。為了將柵電極形成為具有疊層結(jié)構(gòu)，可以采用上述材料。可以適當(dāng)?shù)剡x擇這些材料的組合。
利用有光抗蝕劑掩模的腐蝕方法，來形成柵電極105。
隨后，利用柵電極105作為掩模，用高濃度的雜質(zhì)對半導(dǎo)體層103進行摻雜。
在本實施方案模式中，采用激光輻照晶化的結(jié)晶硅膜的頂柵薄膜晶體管，被用于象素部分；但采用非晶半導(dǎo)體膜的底柵薄膜晶體管也可以被使用。不僅可以用硅，而且也可以用硅鍺，來形成非晶半導(dǎo)體。在采用硅鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選約為0.01-4.5原子百分比。
非晶半導(dǎo)體可以包括微晶(μc)半導(dǎo)體膜(半非晶半導(dǎo)體)，其中能夠觀察到0.5-20nm的晶粒。
借助于用輝光放電方法分解硅源氣體，能夠得到作為半非晶半導(dǎo)體的半非晶硅(也稱為SAS)。SiH4以及Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等，可以被用作典型的硅源氣體。當(dāng)用一種或多種選自氫、氫和氦、氬、氪和氖的稀有氣體元素稀釋硅源氣體時，采用硅源氣體能夠方便SAS的形成。硅源氣體優(yōu)選被稀釋10-1000倍。可以在0.1-133Pa的壓力下進行膜淀積的輝光放電分解。用來產(chǎn)生輝光放電的電源可以是1-120MHz，優(yōu)選為13-60MHz的RF功率。襯底優(yōu)選被加熱到不高于300℃，優(yōu)選在100-250℃的范圍內(nèi)。
以這種方式形成的SAS具有向520cm-1的低頻側(cè)偏移的拉曼譜，并能夠用X射線衍射觀察到大概由硅晶格引起的(111)和(220)處的衍射峰。此SAS包含至少1％原子百分比的氫或鹵素，以便終止懸掛鍵。作為包含在膜中的雜質(zhì)元素，諸如氧、氮、碳之類的大氣成分的雜質(zhì)的濃度最好被設(shè)定為1×1020cm-3或以下。確切地說，氧的濃度被設(shè)定為5×1019cm-3或以下，更優(yōu)選為1×1019cm-3或以下。當(dāng)此SAS被用于TFT時，μ＝1-10cm2/Vsec得到了滿足。
此外，可以用激光輻照來進一步晶化SAS。
隨后，用覆蓋柵電極105和柵絕緣膜104的包含氧的氮化硅來形成第一絕緣膜106(圖6C)。在形成第一絕緣膜106之后，借助于在480℃下加熱大約1小時，來激活摻雜在半導(dǎo)體層103中的雜質(zhì)元素。同時，用包含在第一絕緣膜106中的氫，來氫化半導(dǎo)體層103。
此處，根據(jù)從稍后要形成的發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，第一絕緣膜的光學(xué)厚度L(L＝折射率n×物理厚度d)被設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍。此外，在諸如RGB分離型的全色顯示器件和采用白色發(fā)光元件的顯示器件之類的具有多種各具有不同中心波長的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，或甚至在采用一種具有包括多個強極大波長的發(fā)射譜的發(fā)光元件的顯示器件的情況下，第一絕緣膜106的厚度被設(shè)定在120-160nm的范圍內(nèi)。
隨后，形成覆蓋第一絕緣膜106的第二絕緣膜107。優(yōu)選利用諸如丙烯酸、聚酰亞胺、硅氧烷之類的具有自平整性的膜，來形成第二絕緣膜107。在本實施方案模式中，硅氧烷膜被形成作為第二絕緣膜(圖6D)。
然后，接觸孔被形成為達及半導(dǎo)體膜103(圖6E)?？梢越柚谟每刮g劑掩模的足夠腐蝕以暴露半導(dǎo)體層103，并可以采用濕法腐蝕或干法腐蝕方法，來形成接觸孔。注意，根據(jù)腐蝕條件，可以執(zhí)行1次或多次腐蝕。在執(zhí)行多次腐蝕的情況下，可以采用濕法腐蝕或干法腐蝕。
然后，形成覆蓋接觸孔和第二絕緣膜107的導(dǎo)電層，并將導(dǎo)電層處理成所希望的形狀，以便形成電極108和109以及其它的布線。這些電極和布線可以被形成為鋁、銅之類的單層。在本實施方案模式中，采用了從襯底側(cè)依此順序為鉬、鋁、鉬的疊層結(jié)構(gòu)。作為一種變通的疊層布線，可以采用從襯底側(cè)依此順序為鈦、鋁、鈦的疊層結(jié)構(gòu)，或從襯底側(cè)依次為鈦、氮化鈦、鋁、鈦的疊層結(jié)構(gòu)(圖7A)。在此階段，就形成了薄膜晶體管110。
注意，薄膜晶體管110的制造步驟不受具體的限制，可以適當(dāng)?shù)馗淖?，使得能夠制造具有所希望的結(jié)構(gòu)的晶體管。
然后，在形成覆蓋電極108和109、布線、以及第二絕緣膜107的透光導(dǎo)電層之后，透光導(dǎo)電層被處理，以便形成局部重疊電極109的發(fā)光元件第一電極111。此處，第一電極111被電連接到電極109?？梢杂醚趸熷a(IT0)、包含氧化硅的ITO(ITSO)、是為氧化銦與2-20％的氧化鋅的混合物的氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅本身、包含鎵的氧化鋅(GZO)等，來形成第一電極111。在本實施方案模式中，ITSO被用作第一電極111(圖7B)。
然后，用有機材料或無機材料來形成絕緣膜，以便覆蓋第二絕緣膜107和第一電極111。然后，絕緣膜被處理，以便暴露部分第一電極111，從而形成分隔壁112。優(yōu)選用光敏有機材料(例如丙烯酸或聚酰亞胺)來形成分隔壁112；但也可以用非光敏有機或無機材料來形成。分隔壁112沿第一電極111方向的端面具有曲率，最好具有曲率連續(xù)可變的錐形形狀(圖7C)。
然后，發(fā)光疊層113被形成為覆蓋從分隔壁112暴露的第一電極111?？梢杂弥T如氣相淀積、噴墨、甩涂之類的任何方法，來形成發(fā)光疊層113。然后，第二電極114被形成為覆蓋發(fā)光疊層113。因此，能夠制造具有第一電極111、發(fā)光疊層113、以及第二電極114的發(fā)光元件115(圖7D)。
在具有這種結(jié)構(gòu)的本實施方案模式的顯示器件中，從發(fā)光元件115發(fā)射的光在向外發(fā)射之前，通過第二絕緣膜107、第一絕緣膜106、柵絕緣膜104、第二基底絕緣膜102、第一基底絕緣膜101、以及襯底100行進。其中，第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的折射率非常不同于插入第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101之間的其它膜的折射率。在本實施方案模式中，根據(jù)從發(fā)光元件115發(fā)射的光的中心波長為λ的假設(shè)，借助于將第一絕緣膜106和第一基底絕緣膜101的每一個的光學(xué)厚度L設(shè)定為基本上等于λ/2的整數(shù)倍，這些膜入射界面上反射的光能夠被這些膜發(fā)射界面上反射的光衰減，從而能夠大幅度降低這些膜產(chǎn)生的反射光。反射光的降低能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠提供具有改進了的視角特性的顯示器件。
隨后，可以用等離子體CVD形成用作第二鈍化膜的包含氧的氮化硅膜。在采用包含氧的氮化硅膜的情況下，可以采用借助于等離子體CVD由SiH4、N2O、NH3形成的膜，由SiH4和N2O形成的膜、或利用Ar稀釋的SiH4和N2O的混合氣體形成的膜。
或者，可以利用由SiH4、N2O、H2形成包含氮的氫化氧化硅膜，來形成第二鈍化膜。不言自明，第二鈍化膜不局限于單層結(jié)構(gòu)，也可以具有包含其它種類硅的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。作為變通，可以采用氮化碳膜和氮化硅膜的多層膜、苯乙烯聚合物的多層膜、氮化硅膜、或類金剛石碳膜來代替包含氮的氧化硅膜。
隨后，為了保護發(fā)光元件免受可能加速退化的諸如潮氣之類的物質(zhì)的影響，對顯示部分進行密封。在采用反襯底來進行密封的情況下，利用絕緣密封劑將其粘附，使外部連接部分被暴露。反襯底與元件襯底之間的空間可以用氮之類的干燥的惰性氣體填充?；蛘?，象素部分的整個表面可以用密封劑涂敷，以便用作反襯底。此密封劑優(yōu)選由可紫外線固化的樹脂之類組成。此密封劑可以與用來保持間隙恒定的干燥劑或顆?；旌?。隨后，借助于將柔性布線襯底固定到外部連接部分，就完成了發(fā)光器件。
注意，在具有顯示部分的本發(fā)明的發(fā)光器件中，可以采用模擬視頻信號或數(shù)字視頻信號。數(shù)字視頻信號可以分類成電壓視頻信號和電流視頻信號。作為發(fā)光元件發(fā)射過程中輸入到象素的視頻信號，有恒定的電壓視頻信號和恒定的電流視頻信號。恒定的電壓視頻信號可以進一步分類成其中施加到發(fā)光元件的電壓是恒定的一種以及其中饋送到發(fā)光元件的電流是恒定的一種。同樣，恒定的電流視頻信號可以分類成其中施加到發(fā)光元件的電壓是恒定的一種以及其中饋送到發(fā)光元件的電流是恒定的一種。利用施加到發(fā)光元件的恒定電壓進行的驅(qū)動被稱為恒定電壓驅(qū)動，而利用饋送到發(fā)光元件的恒定電流進行的驅(qū)動被稱為恒定電流驅(qū)動。在恒定電流驅(qū)動中，恒定電流的流動與發(fā)光元件電阻的變化無關(guān)。本發(fā)明的發(fā)光器件及其驅(qū)動方法可以采用上述驅(qū)動方法中的任何一種。
注意，借助于恰當(dāng)?shù)馗淖儽緦嵤┓桨改Ｊ剿镜闹圃旃に?，本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可以容易地得到實施方案模式1-5所示的本發(fā)明的其它結(jié)構(gòu)。

在本實施方案模式中，參照圖8A和8B來描述對應(yīng)于本發(fā)明一個模式的發(fā)光器件的外貌。圖8A是借助于用提供在襯底與反襯底4006之間的密封劑對形成在襯底上的晶體管和發(fā)光元件進行密封而得到的平板的俯視圖。圖8B是圖8A的側(cè)視圖。平板的象素部分具有實施方案模式1-5中任何一個所示的結(jié)構(gòu)。
密封劑4005被提供成環(huán)繞著襯底4001上提供的象素部分4002、信號線驅(qū)動電路4003、以及掃描線驅(qū)動電路4004。此外，反襯底4006被提供在象素部分4002、信號線驅(qū)動電路4003、以及掃描線驅(qū)動電路4004上。象素部分4002、信號線驅(qū)動電路4003、以及掃描線驅(qū)動電路4004，被襯底4001、密封劑4005、以及反襯底4006用填充劑4007嚴密密封。
提供在襯底4001上的各個象素部分4002、信號線驅(qū)動電路4003、以及掃描線驅(qū)動電路4004具有多個薄膜晶體管。圖8B示出了包括在信號線驅(qū)動電路4003中的薄膜晶體管4008和包括在象素部分4002中的薄膜晶體管4010。
參考號4011對應(yīng)于電連接到薄膜晶體管4010的發(fā)光元件。
引線布線4014對應(yīng)于用來將信號或電源電壓饋送到象素部分4002、信號線驅(qū)動電路4003、以及掃描線驅(qū)動電路4004的布線。引線布線4014通過引線布線4015被連接到連接端子4016。連接端子4016經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜4019被電連接到柔性印刷電路板(FPC)4018的端子。
注意，可以用可紫外線固化的樹脂或可熱固化的樹脂以及諸如氮和氬之類的惰性氣體來形成填充劑4007。例如，可以采用聚氯乙烯、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、或乙烯-乙酸乙烯酯。
注意，本發(fā)明的顯示器件包括其上形成具有發(fā)光元件的象素部分的平板以及對應(yīng)于安裝有IC的平板的模塊。
根據(jù)本實施方案模式所示的平板和模塊，直至從發(fā)光元件4011發(fā)射的光發(fā)射到顯示器件外部，能夠抑制入射光與反射光相互干涉所引起的駐波的產(chǎn)生。因此，能夠抑制駐波引起的視角特性的退化。此外，能夠制造具有改進了的視角特性的顯示器件。

作為安裝有實施方案模式10中示例性例子所示的模塊的本發(fā)明的電器，有攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音裝置(例如車輛組合音響)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(例如移動計算機、便攜式電話、便攜式游戲機、或電子記事本)、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體地說是重放諸如數(shù)字萬能碟盤(DVD)之類的記錄媒質(zhì)并具有用來顯示重放圖象的顯示部分的裝置)等。圖9A-9E示出了這種電器的具體例子。
圖9A示出了一種相當(dāng)于電視接收機和個人計算機監(jiān)視器之類的發(fā)光顯示器件。此發(fā)光顯示器件包括機箱2001、顯示部分2003、揚聲器部分2004等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示器件，降低了依賴于從發(fā)射側(cè)看的角度的發(fā)射譜變化，導(dǎo)致優(yōu)異的顯示質(zhì)量。為了增大反差，象素部分優(yōu)選配備有偏振片或圓偏振片。例如，反襯底可以依此順序配備有1/4λ膜、1/2λ膜、以及偏振膜。而且可以在偏振膜上提供抗反射膜。
圖9B示出了一種便攜式電話，它包括主體2101、機箱2102、顯示部分2103、音頻輸入部分2104、音頻輸出部分2105、操作鍵2106、天線2108等。根據(jù)本發(fā)明的便攜式電話，降低了依賴于從發(fā)射側(cè)看的角度的發(fā)射譜變化，導(dǎo)致優(yōu)異的顯示質(zhì)量。
圖9C示出了一種計算機，它包括主體2201、機箱2202、顯示部分2203、操作鍵2204、外部連接端口2205、鼠標2206等。根據(jù)本發(fā)明的計算機，降低了依賴于從發(fā)射側(cè)看的角度的發(fā)射譜變化，導(dǎo)致優(yōu)異的顯示質(zhì)量。雖然圖9C示出了一種膝上計算機，但本發(fā)明也能夠應(yīng)用于其中組合了硬盤和顯示部分的臺式計算機。
圖9D示出了一種移動計算機，它包括主體2301、顯示部分2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口2305等。根據(jù)本發(fā)明的移動計算機，降低了依賴于從發(fā)射側(cè)看的角度的發(fā)射譜變化，導(dǎo)致優(yōu)異的顯示質(zhì)量。
圖9E示出了一種便攜式游戲機，它包括機箱2401、顯示部分2402、揚聲器部分2403、操作鍵2404、記錄媒質(zhì)的插口2405。根據(jù)本發(fā)明的便攜式游戲機，降低了依賴于從發(fā)射側(cè)看的角度的發(fā)射譜變化，導(dǎo)致優(yōu)異的顯示質(zhì)量。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍是如此廣闊，以至于本發(fā)明能夠被應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電器。
在本實施方案模式中來描述發(fā)光疊層113的具體結(jié)構(gòu)。
發(fā)光層由包括有機化合物或無機化合物的具有電荷注入/輸運性質(zhì)的發(fā)光材料以及物質(zhì)組成。根據(jù)其分子的數(shù)目，有機化合物可以被分類成低分子量有機化合物；中等分子量有機化合物(相當(dāng)于分子數(shù)目為20或以下，或連接成鏈的分子的長度為10微米或以下不具有升華性質(zhì)的有機化合物)；以及高分子量有機化合物。發(fā)光層包括由這種有機化合物組成的一個或多個層，也可以與具有電子注入/輸運性質(zhì)或空穴注入/輸運性質(zhì)的無機化合物組合。
作為電荷注入/輸運物質(zhì)中具體具有優(yōu)異電子輸運性質(zhì)的物質(zhì)，有具有喹啉或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(bis(10-hydroxybenzo[h]-quinolinato)beryllium)(縮寫為BeBq2)、以及雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基酚-鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)-4-phenylphenolato-aluminum)(縮寫為BAlq)。作為具有優(yōu)異空穴輸運性質(zhì)的物質(zhì)，例如有芳族胺化合物(具有苯環(huán)-氮鍵的化合物)，例如4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]-聯(lián)苯(4，4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl)(縮寫為a-NPD)、N，N’-雙(3-甲苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(N，N’-bis(3-methylphenyl)-N，N’-diphenyl-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine)(縮寫為TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)-三苯胺(4，4’，4”-tris(N，N-diphenyl-amino)-triphenylamine)(縮寫為TDATA)、以及4，4’，4”-三[N-(3-甲苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(4，4’，4”-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino]-triphenylamine)(縮寫為MTDATA)。
此外，作為電荷注入/輸運物質(zhì)中具有特別優(yōu)異的電子注入性質(zhì)的物質(zhì)，有諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CeF)、以及氟化鈣(CaF2)之類的堿金屬或堿土金屬的化合物?；蛘呖梢圆捎弥T如Alq3的具有優(yōu)異電子輸運性質(zhì)的物質(zhì)和諸如鎂(Mg)之類的堿土金屬的混合物。
作為電荷注入/輸運物質(zhì)中具有優(yōu)異的空穴注入性質(zhì)的物質(zhì)，有諸如氧化鉬(MoOx)、氧化釩(VOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎢(WOx)、以及氧化錳(MnOx)之類的金屬氧化物。此外，有諸如酞菁(縮寫為H2Pc)和酞菁銅(CuPc)之類的酞菁基化合物。
作為發(fā)光層，借助于形成各個象素中具有不同發(fā)射譜的發(fā)光層，可以采用執(zhí)行彩色顯示的結(jié)構(gòu)。典型地說，形成了對應(yīng)于R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的發(fā)光層。在此情況下，借助于采用透射此發(fā)射譜的光的濾色器被提供在象素發(fā)射側(cè)上的結(jié)構(gòu)，能夠改善顏色純度以及能夠防止象素部分的鏡狀表面(眩光)。借助于提供濾色器(彩色層)，能夠省略常規(guī)要求的圓偏振片等，這能夠彌補從發(fā)光層發(fā)射的光的損失而且，能夠降低傾斜地看象素部分(顯示屏)時識別的色調(diào)變化。
作為發(fā)光材料，可以采用各種材料。作為低分子量有機發(fā)光材料，有4-雙氰亞甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙基]-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(1，1，7，7-tetramethyljulolidine-9-yl)ethenyl]-4H-pyran)(縮寫為DCJT)、4-雙氰亞甲基-2-t-丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙基]-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-2-t-butyl-6-[2-(1，1，7，7-tetramethyljulolidine-9-yl)ethenyl]-4H-pyran)(縮寫為DCJTB)、萘環(huán)-坯-噻吩(periflanthene)、2，5-雙氰-1，4-二[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙基]苯(2，5-dicyano-1，4-bis[2-(10-methoxy-1，1，7，7-tetramethylijulolidine-9-yl)ethenyl]benzene)、N，N’-二甲基喹吖酮(N，N’-dimethyl quinacridone)(縮寫為DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3)、9，9’-二蒽基、9，10-二苯基蒽(9，10-diphenylanthracene)(縮寫為DPA)、以及9，10-雙(2-萘基)蒽(9，10-di(2-naphthyl)anthracene)(縮寫為DNA)。或者可以采用其它的物質(zhì)。
另一方面，與低分子量有機發(fā)光材料相比，高分子量有機發(fā)光材料具有更高的物理強度，因而非常耐用。此外，由于能夠用涂敷方法來淀積此材料，故能夠比較方便地制造元件。采用高分子量有機發(fā)光材料的發(fā)光元件具有基本上相同于采用低分子量有機發(fā)光材料的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，其中，陰極、有機發(fā)光層、以及陽極依此順序被層疊的半導(dǎo)體層上。但在采用高分子量有機發(fā)光材料的發(fā)光層的制造中，難以相似于采用低分子量有機發(fā)光材料的發(fā)光層那樣形成疊層結(jié)構(gòu)；因此，常常采用雙層結(jié)構(gòu)。具體地說，采用陰極、發(fā)光層、空穴輸運層、以及陽極依此順序被層疊在半導(dǎo)體層上的結(jié)構(gòu)。
發(fā)射的顏色由形成發(fā)光層的材料決定；因此，借助于選擇材料，能夠形成呈現(xiàn)所需發(fā)光的發(fā)光元件。作為能夠用來形成此發(fā)光層的高分子量有機發(fā)光材料，有聚對苯乙烯、聚對苯、聚噻吩、或聚芴基化合物。
作為聚對亞苯基亞乙烯基化合物，有聚(對亞苯基亞乙烯基)[PPV]、聚(2，5-二烷氧基-1，4-亞苯基亞乙烯基)(poly(2，5-dialkoxy-1，4-phenylene vinylene))[RO-PPV]、聚[2-(2’-乙基己氧基)-5-甲氧基-1，4-亞苯基亞乙烯基)](poly[2-(2’-ethylhexoxy)-5-methoxy-1，4-phenylene vinylene])[MEH-PPV]、聚(2-(二烷氧基苯基)-1，4-亞苯基亞乙烯基)](poly(2-(dialkoxyphenyl)-1，4-phenylene vinylene)[ROPh-PPV]等的衍生物。作為聚對亞苯基化合物，有聚對亞苯[PPP]、聚(2，5-二烷氧基-1，4-亞苯基)(poly(2，5-dialkoxy-1，4-phenylene))[RO-PPP]、聚[2，5-二己氧基-1，4-亞苯基)(poly(2，5-dihexoxy-1，4-phenylene))等的衍生物。作為聚噻吩基化合物，有聚噻吩[PT]、聚(3-烷基噻吩)[PAT]、聚(3-己基噻吩)[PHT]、聚(3-環(huán)己基噻吩)[PCHT]、聚(3-環(huán)己基-4-甲基噻吩)[PCHMT]、聚(3，4-二環(huán)己基噻吩)[PDCHT]、聚[3-(4-辛基苯基)-噻吩)[POPT]、聚[3-(4-辛基苯基)-2，2-二噻吩)[PTOPT]等的衍生物。作為聚芴基化合物，有聚芴[PF]、聚(9，9-二烷基芴)[PDAF]、聚(9，9-二辛基芴)[PDOF]等的衍生物。
注意，若具有空穴輸運性質(zhì)的高分子量有機發(fā)光材料被形成為插入在陽極與高分子量有機發(fā)光材料之間，則能夠改善從陽極的空穴注入性質(zhì)。通常，用甩涂方法來涂敷具有受主材料的溶解于水中的材料。此外，由于此材料不可溶解于有機溶劑，故能夠與上述有機發(fā)光材料層疊。作為具有空穴輸運性質(zhì)的高分子量有機發(fā)光材料，有作為受主材料的PEDOT與樟腦磺酸(CSA)的混合物；聚苯胺[PANI]與作為受主材料的聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物等。
發(fā)光層可以被形成為具有發(fā)射單色光或白色光的結(jié)構(gòu)。在采用白色發(fā)光材料的情況下，采用用來透射特定波長的光的濾色器(彩色層)被提供在象素發(fā)射側(cè)上的結(jié)構(gòu)，能夠得到彩色顯示。
為了形成發(fā)射白色光的發(fā)光層，例如借助于用氣相淀積方法相繼層疊局部摻有尼羅紅的作為紅色發(fā)光材料的Alq3、Alq3、p-EtTAZ、以及TPD(芳香二胺)，能夠得到白色發(fā)射。此外，在借助于用甩涂機進行甩涂而形成EL層的情況下，最后在涂敷之后用真空加熱方法對EL層進行烘焙。例如，整個表面被聚(3，4-乙烯二羥基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液涂敷，用作空穴注入層，然后被烘焙。隨后，整個表面被摻有發(fā)光中心顏料(例如1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)、4-(雙氰亞甲基)-2-甲基-6-(p-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(4-(dicyano-methylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyrl)-4H-pyran)(DCM1)、尼羅紅、香豆素6等)的聚乙烯咔唑(PVK)溶液涂敷，用作發(fā)光層。
發(fā)光層可以被形成為單層，并可以利用分散有具有電子輸運性質(zhì)的1，3，4-惡二唑衍生物(PBD)的具有空穴輸運性質(zhì)的聚乙烯咔唑(PVK)來形成。此外，借助于分散30％的PBD作為電子輸運劑，并進一步分散適當(dāng)量的4種顏料(TPB、香豆素6、DCM1、以及尼羅紅)，能夠得到白色發(fā)射。借助于恰當(dāng)?shù)剡x擇發(fā)光層的材料，不僅能夠制造提供此處所示白色發(fā)射的發(fā)光元件，而且還能夠制造提供紅色、綠色、或藍色發(fā)射的發(fā)光元件。
注意，若具有空穴輸運性質(zhì)的高分子量有機發(fā)光材料被形成為插入在陽極與高分子量有機發(fā)光材料之間，則能夠改善從陽極的空穴注入性質(zhì)。通常，用甩涂方法來涂敷具有受主材料的溶解于水中的材料。此外，由于此材料不可溶解于有機溶劑，故能夠與上述有機發(fā)光材料層疊。作為具有空穴輸運性質(zhì)的高分子量有機發(fā)光材料，有PEDOT與作為受主材料的樟腦磺酸(CSC)的混合物、聚苯胺[PANI]與作為受主材料的聚苯乙烯磺酸[PSS]的混合物等。
而且，可以用從單重態(tài)激發(fā)得到發(fā)射的材料(以下稱為單重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料)或包括金屬絡(luò)合物的從三重態(tài)激發(fā)得到發(fā)射的材料(以下稱為三重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料)，來形成發(fā)光層。例如，在紅色發(fā)光、綠色發(fā)光、以及藍色發(fā)光的發(fā)光象素中，用三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料來形成發(fā)光半衰期(亮度衰減到其原先數(shù)值的一半所需的時間)比較短的紅色發(fā)光的發(fā)光象素，而用單重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料來形成其它的發(fā)光象素。三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料具有高的發(fā)光效率，其優(yōu)點在于為獲得相同的亮度，所要求的功耗較低。亦即，當(dāng)三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料被涂敷到紅色象素時，能夠抑制饋送到發(fā)光元件的電流量，導(dǎo)致可靠性的改善?；蛘?，可以用三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料來形成紅色發(fā)光和綠色發(fā)光的發(fā)光象素，而可以用單重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料來形成藍色發(fā)光的發(fā)光元件。當(dāng)利用三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料形成人類眼睛高度可見的綠色發(fā)光的發(fā)光元件時，能夠得到甚至更低的功耗。
作為三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料，有采用金屬絡(luò)合物作為摻雜劑的材料，它包括以第三過渡元素鉑作為中心金屬的金屬絡(luò)合物以及以銥作為中心金屬的金屬絡(luò)合物等。三重態(tài)激發(fā)的發(fā)光材料不局限于上述的化合物，也可以是以周期表中8-10族元素作為中心金屬的化合物。
用來形成發(fā)光層的上述各種物質(zhì)僅僅是一些例子，借助于恰當(dāng)?shù)貙盈B各功能層，諸如空穴注入/輸運層、空穴輸運層、電子注入/輸運層、電子輸運層、發(fā)光層、電子阻擋層、以及空穴阻擋層，能夠形成發(fā)光元件。此外，可以采用混合的層或組合這些層的混合的結(jié)型結(jié)構(gòu)。可以改變發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)，并有可能進行修正而不偏離本發(fā)明的廣泛構(gòu)思，致使沒有提供具體的電子注入?yún)^(qū)或發(fā)光區(qū)，而是提供了為達到此目的的一種替換電極，或分散一種發(fā)光材料。
當(dāng)被施加正向偏壓時，用上述材料形成的發(fā)光元件就發(fā)光?？梢杂脽o源矩陣方法或有源矩陣方法來驅(qū)動由發(fā)光元件組成的顯示器件的象素。在每種驅(qū)動情況下，借助于在規(guī)定的時標施加正向偏壓，象素被各自控制成發(fā)光，并在某些時段內(nèi)被控制成不發(fā)光。借助于在不發(fā)光周期內(nèi)施加反向偏壓，能夠改善發(fā)光元件的可靠性。作為發(fā)光元件的退化模式，有發(fā)光強度在恒定驅(qū)動條件下降低的退化，或外觀亮度由于象素中不發(fā)光區(qū)域增大而降低的退化。為此，借助于執(zhí)行其中施加正向或反向偏壓的AC驅(qū)動，能夠抑制退化速度，導(dǎo)致發(fā)光器件可靠性的改善。
在本實施方案模式中，來描述包括在實施方案模式10所示平板或模塊中的象素電路、保護電路、及其工作。注意，迄今圖1-7所示的剖面圖是驅(qū)動TFT 1403和發(fā)光元件1405的剖面圖。
圖10A所示的象素包括排列成列的信號線1410和電源線1411和1412，以及排列成行的掃描線1414。象素還包括開關(guān)TFT 1401、驅(qū)動TFT 1403、電流控制TFT 1404、電容器1402、以及發(fā)光元件1405。
圖10C所示的象素與圖10A的不同在于，驅(qū)動TFT 1403的柵電極被連接到排列成行的電源線1412，除此之外的結(jié)構(gòu)與圖10A的相同。亦即，圖10A和10C所示的象素是彼此的等效電路圖。但在電源線1412被排列成列的情況(圖10A)與電源線1412被排列成行的情況(圖10C)之間，電源線1412由不同層的導(dǎo)電膜組成。此處，集中注意了連接到驅(qū)動TFT 1403的柵電極的布線，并參照圖10A和10C進行了描述，以便示出用來形成各個布線的層的差別。
在圖10A和10C所示的象素中，驅(qū)動TFT 1403和電流控制TFT 1404被串聯(lián)連接。驅(qū)動TFT 1403的溝道長度L(1403)和溝道寬度W(1403)以及電流控制TFT 1404的溝道長度L(1404)和溝道寬度W(1404)最好被設(shè)定為滿足L(1403)/W(1403)∶L(1404)/W(1404)＝5-6000∶1。
注意，驅(qū)動TFT 1403工作于飽和區(qū)，并用來控制饋送到發(fā)光元件1405的電流值，而電流控制TFT 1404工作于線性區(qū)，并用來控制饋送到發(fā)光元件1405的電流。考慮到制造步驟，二種TFT優(yōu)選具有相同的導(dǎo)電性，且在本實施方案模式中，采用了N溝道TFT。此外，驅(qū)動TFT 1403可以是增強型TFT或耗盡型TFT。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，電流控制TFT 1404工作于線性區(qū)；因此，電流控制TFT 1404的Vgs的稍許起伏不影響發(fā)光元件1405的電流值。亦即，發(fā)光元件1405的電流值能夠由工作于飽和區(qū)的驅(qū)動TFT 1403決定。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠改善TFT特性變化導(dǎo)致的發(fā)光元件亮度不均勻性，從而能夠提供具有改善了的圖象質(zhì)量的顯示器件。
在圖10A-10D所示的象素中，開關(guān)TFT 1401控制著輸入到各個象素的視頻信號。當(dāng)開關(guān)TFT 1401被開通時，視頻信號被輸入到象素。然后，視頻信號的電壓被保持在電容器1402中。注意，圖10A和10C示出了配備有電容器1402的結(jié)構(gòu)；但本發(fā)明不局限于此，若柵電容等能夠用作保持視頻信號的電容器，則可以省略電容器1402。
除了額外提供了TFT 1406和掃描線1414之外，圖10B所示的象素具有與圖10A所示象素相同的結(jié)構(gòu)。同樣，除了額外提供了TFT 1406和掃描線1414之外，圖10D所示的象素具有與圖10C所示象素相同的結(jié)構(gòu)。
TFT 1406的開通/關(guān)斷由額外提供的掃描線來控制。當(dāng)TFT 1406被開通時，保持在電容器1402中的電荷被釋放，電流控制TFT 1404從而被關(guān)斷。亦即，TFT 1406的提供能夠強制提供沒有電流被饋送到發(fā)光元件1405的狀態(tài)。因此，TFT 1406可以被稱為擦除TFT。于是，在圖10B和10D的結(jié)構(gòu)中，發(fā)光周期能夠與寫入周期同時或緊隨其后開始而無須等待信號輸入到所有的象素，這能夠改善占空率。
在圖10E所示的象素中，信號線1410和電源線1411被排列在各列中，而掃描線1414被排列在各行中。此外，象素包括開關(guān)TFT 1401、驅(qū)動TFT 1403、電容器1402、以及發(fā)光元件1405。除了額外提供了TFT 1406和掃描線1415之外，圖10F所示的象素具有相同于圖10E所示象素的結(jié)構(gòu)。注意，在圖10F所示的結(jié)構(gòu)中，TFT 1406的提供也能夠改善占空率。
如上所述，能夠采用各種象素電路。此外，當(dāng)用非晶半導(dǎo)體膜來形成薄膜晶體管時，優(yōu)選將驅(qū)動TFT的半導(dǎo)體膜形成得大。因此，在上述象素電路中，優(yōu)選采用頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，其中，從電致發(fā)光層發(fā)射的光向密封襯底的方向被輸出。
這種有源矩陣發(fā)光器件的優(yōu)點被認為在于，當(dāng)其象素密度由于TFT被提供在各個象素中而被提高時，它能夠以低的電壓被驅(qū)動。
在本實施方案模式中，描述了TFT被提供在各個象素中的有源矩陣發(fā)光器件；但也可以制作為各個列提供TFT的無源矩陣發(fā)光器件。無源矩陣發(fā)光器件由于不在各個象素中提供TFT而具有高的孔徑比。在光被發(fā)射到電致發(fā)光層二側(cè)的發(fā)光器件的情況下，當(dāng)采用無源矩陣顯示器件時，能夠提高透射率。
根據(jù)具有這種象素電路的本發(fā)明的顯示器件，能夠提供優(yōu)異的視角特性以及優(yōu)異的薄膜晶體管特性；因此，顯示器能夠具有各個特性。
隨后，在二極管被提供作為掃描線和信號線中的保護電路的情況下，參照圖11中的等效電路圖來進行描述。
在圖11中，開關(guān)TFT 1401和1403、電容器1402、以及發(fā)光元件1405被提供在象素部分1500中。在信號線1410中，提供了二極管1561和1562。根據(jù)上述實施方案模式，各個二極管1561和1562相似于開關(guān)TFT 1401或1403而被制造，并具有柵電極、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極等。借助于將柵電極連接到漏電極或源電極，二極管1561和1562各用作二極管。
連接到各個二極管的公共電位線1554和1555由相同于柵電極的層組成。于是，為了將公共電位線1554和1555分別連接到二極管的源電極或漏電極，要求在柵絕緣膜中形成接觸孔。
提供在掃描線1414中的各個二極管具有相似的結(jié)構(gòu)。
以這種方式，根據(jù)本發(fā)明，能夠同時形成提供在輸入級處的保護二極管。注意，用來形成保護二極管的位置不局限于此，二極管也可以被提供在驅(qū)動電路與象素之間。
根據(jù)具有這種保護電路的本發(fā)明的顯示器件，能夠提供優(yōu)異的視角特性以及優(yōu)異的薄膜晶體管特性，因此，還能夠提高顯示器件的可靠性。
在本實施方案中，參照圖14A和14B來描述采用二種具有DMQd(綠色)和DNA(藍色)發(fā)光中心的發(fā)光元件的本發(fā)明的顯示器件的視角特性的測量結(jié)果。在本實施方案中，在各具有實施方案模式1所示結(jié)構(gòu)的元件上進行測量。在二種元件中，膜(對應(yīng)于實施方案模式1所示的第一基底絕緣膜101和第一絕緣膜106)的物理厚度被設(shè)定為130nm，且各個膜(對應(yīng)于第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104)的總物理厚度被設(shè)定為150nm。
作為分別采用DMQd(綠色)和DNA(藍色)的發(fā)光元件的比較例，第一基底絕緣膜101的物理厚度被設(shè)定為50nm，第一絕緣膜106的物理厚度被設(shè)定為100nm，且第二基底絕緣膜102和柵絕緣膜104的總物理厚度被設(shè)定為150nm。
圖14A示出了采用DMQd(綠色)作為發(fā)光中心的顯示器件被測量的例子，而圖14B示出了采用DNA(藍色)作為發(fā)光中心的顯示器件被測量的例子。在二個例子的理想狀態(tài)下，當(dāng)視角改變時，僅僅發(fā)光強度降低，譜的形狀不改變。但在比較例中，譜的形狀依賴于視角而大幅度改變；于是視角特性不好。但在本實施方案的結(jié)構(gòu)中，譜的形狀不依賴于視角而改變，與比較例相比，這對于改善視角特性有很大的貢獻。
以這種方式，在具有本發(fā)明結(jié)構(gòu)的顯示器件中，借助于將其折射率與其插入的其它膜折射率差別很大的、從發(fā)光元件發(fā)射的光通過其中行進到外面的膜的厚度控制成具有特定的厚度，能夠在光通過折射率差異大的膜行進時產(chǎn)生對反射光的抑制。因此，能夠抑制駐波的發(fā)生，此駐波是由入射光與反射光的相互干涉引起的，從而能夠改善視角特性。因此，能夠提供具有改進了的視角特性的能夠執(zhí)行良好圖象顯示的顯示器件。
本申請基于2004年6月25日在日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)申請No.2004-188827，其整個內(nèi)容在此處被列為參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，它包含襯底；形成在襯底上的薄膜晶體管；形成在襯底上的發(fā)光元件；以及形成在襯底與發(fā)光元件之間的光學(xué)上的多個層，它包括折射率為n1的第一層，第一層上折射率為n2的第二層，以及第二層上折射率為n3的第三層，其中，n1＜n2＞n3，其中，第二層的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
2.一種顯示器件，它包含襯底；形成在襯底上的薄膜晶體管；形成在襯底上的發(fā)光元件；以及形成在襯底與發(fā)光元件之間的光學(xué)上的多個層，它包括折射率為n1的第一層，第一層上折射率為n2的第二層，以及第二層上折射率為n3的第三層，其中，n1＞n2＜n3，其中，第二層的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中，第一層具有與第三層基本上相同的折射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中，第一層具有與第三層相同的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中，第一層由與第三層相同的材料組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中，第一層具有與第三層基本上相同的折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中，第一層具有與第三層相同的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中，第一層由與第三層相同的材料組成。
9.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率大于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率大于第二絕緣膜的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
10.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率小于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率小于第二絕緣膜的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
11.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率大于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率大于第二絕緣膜的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，第二基底絕緣膜和柵絕緣膜的總光學(xué)厚度為L1，其中，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度為L2，且其中，m是不小于1的整數(shù)，其中，基本上滿足L1＝-L2+(2m-1)λ/4，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
12.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率小于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率小于第二絕緣膜的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，第二基底絕緣膜和柵絕緣膜的總光學(xué)厚度為L1，其中，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度為L2，且其中，m是不小于1的整數(shù)，其中，基本上滿足L1＝-L2+(2m-1)λ/4，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
13.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜和第一絕緣膜中的每一個由包含氮化硅的材料組成，其中，第二基底絕緣膜和柵絕緣膜中的每一個由包含氧化硅的材料組成，其中，第一基底絕緣膜的物理厚度在120-162nm的范圍內(nèi)，其中，第一絕緣膜的物理厚度在120-162nm的范圍內(nèi)，且其中，柵絕緣膜和第二基底絕緣膜的總物理厚度在132-198nm的范圍內(nèi)。
14.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率大于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
15.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜的折射率小于襯底的折射率和第二基底絕緣膜的折射率，其中，第一基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
16.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，基底絕緣膜的折射率大于襯底的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率大于第二絕緣膜的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
17.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，基底絕緣膜的折射率小于襯底的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的折射率小于第二絕緣膜的折射率和柵絕緣膜的折射率，其中，基底絕緣膜和第一絕緣膜的各個光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
18.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，基底絕緣膜的折射率大于襯底的折射率和絕緣膜的折射率，其中，基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
19.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的絕緣膜；形成在絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，基底絕緣膜的折射率小于襯底的折射率和絕緣膜的折射率，其中，基底絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
20.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一絕緣膜的折射率大于第二絕緣膜的折射率和基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
21.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的基底絕緣膜；基底絕緣膜上的薄膜晶體管；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一絕緣膜的折射率小于第二絕緣膜的折射率和基底絕緣膜的折射率，其中，第一絕緣膜的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
22.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜在光學(xué)上是一個層，其中，該層的折射率大于第二絕緣膜的折射率和第一基底絕緣膜的折射率，其中，該層的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
23.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜在光學(xué)上是一個層，其中，該層的折射率小于第二絕緣膜的折射率和第一基底絕緣膜的折射率，其中，該層的光學(xué)厚度基本上等于λ/2的整數(shù)倍，且其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光的中心波長為λ。
24.一種顯示器件，它包含襯底；襯底上的第一基底絕緣膜；第一基底絕緣膜上的第二基底絕緣膜；第二基底絕緣膜上的薄膜晶體管，它包括半導(dǎo)體層，鄰接半導(dǎo)體層的柵絕緣膜，以及鄰接?xùn)沤^緣膜的柵電極；薄膜晶體管上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；形成在第二絕緣膜上且通過接觸孔電連接到半導(dǎo)體層的布線；以及發(fā)光元件，它包含電連接到布線的第一電極；第一電極上的發(fā)光層；以及發(fā)光層上的第二電極，其中，第一電極透光，其中，第一基底絕緣膜和第二絕緣膜中的每一個由包含氮化硅的材料組成，其中，第二基底絕緣膜、柵絕緣膜、以及第一絕緣膜中的每一個由包含氧化硅的材料組成，其中，第一基底絕緣膜的物理厚度在120-162nm的范圍內(nèi)，其中，第一絕緣膜的物理厚度在120-162nm的范圍內(nèi)，且其中，柵絕緣膜和第二基底絕緣膜的總物理厚度在132-198nm的范圍內(nèi)。
25.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
26.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
27.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
28.根據(jù)權(quán)利要求10的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
29.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
30.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
31.根據(jù)權(quán)利要求13的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
32.根據(jù)權(quán)利要求14的顯示器件，其中，顯示器件包括在選自由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的一種中。
33.根據(jù)權(quán)利要求15的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
34.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
35.根據(jù)權(quán)利要求17的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
36.根據(jù)權(quán)利要求18的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求19的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
38.根據(jù)權(quán)利要求20的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
39.根據(jù)權(quán)利要求21的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
40.根據(jù)權(quán)利要求22的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
41.根據(jù)權(quán)利要求23的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
42.根據(jù)權(quán)利要求24的顯示器件，其中，顯示器件包含選自攝像機、數(shù)碼相機、風(fēng)鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲裝置、計算機、游戲機、便攜式信息終端、配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置的一種。
全文摘要
一種能夠容易地改善視角特性的有源矩陣顯示器件。在向其上制作薄膜晶體管的襯底的方向發(fā)射光的有源矩陣顯示器件中，當(dāng)關(guān)注由從發(fā)光元件發(fā)射的光在用來制作薄膜晶體管的膜上反射所引起的多重干涉時，借助于將反射膜形成為具有基本上λ/2的光學(xué)厚度，能夠大幅度降低對多重干涉的影響，而不損失薄膜晶體管的功能。
文檔編號H01J1/00GK1713792SQ20051008093
公開日2005年12月28日 申請日期2005年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者鄉(xiāng)戶宏充, 松原友惠, 坂倉真之 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所