專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地講，涉及一種能夠降低放電點(diǎn)火電壓和提高發(fā)光效率的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)包括表面放電PDP裝置和對(duì)向電極放電PDP裝置。在表面放電結(jié)構(gòu)中，涉及維持放電的一對(duì)電極形成在在方向上垂直于前基板和后基板的同一平面上。因此，在該同一平面上的兩個(gè)部分之間發(fā)生維持放電，這兩個(gè)部分對(duì)應(yīng)于該對(duì)電極并且被相互分開(kāi)放置。然而，在對(duì)向電極結(jié)構(gòu)中，涉及維持放電的該對(duì)電極置于彼此相對(duì)的方向上。因此，在該對(duì)電極的相對(duì)表面之間發(fā)生維持放電。
三電極表面放電型PDP包括一個(gè)基板，在該基板的表面上具有維持電極和掃描電極；和另一個(gè)基板，該基板具有垂直于維持電極和掃描電極排列的尋址電極。在兩基板間形成的空間填充有放電氣體并被密封。PDP的放電通過(guò)單獨(dú)控制的尋址電極和掃描電極的放電來(lái)確定。用于顯示圖像的維持放電由維持電極和掃描電極產(chǎn)生，維持電極和掃描電極形成在同一基板上。
通常，PDP利用輝光放電來(lái)產(chǎn)生可見(jiàn)光，由輝光放電產(chǎn)生的可見(jiàn)光經(jīng)幾個(gè)階段到達(dá)人眼。當(dāng)產(chǎn)生輝光放電時(shí)，通過(guò)電子和氣體間的碰撞產(chǎn)生激發(fā)的氣體，激發(fā)的氣體產(chǎn)生紫外線(xiàn)。紫外線(xiàn)與放電室中的熒光材料碰撞以產(chǎn)生可見(jiàn)光，可見(jiàn)光穿過(guò)透明的前基板到達(dá)人眼。施加到維持電極和掃描電極的輸入功率經(jīng)過(guò)這幾個(gè)階段在相當(dāng)程度上被減小。
通過(guò)在兩個(gè)電極之間施加高于放電點(diǎn)火電壓的電壓來(lái)產(chǎn)生輝光放電。產(chǎn)生這種輝光放電需要相當(dāng)高的電壓。一旦產(chǎn)生了輝光放電，由于在陰極和陽(yáng)極周?chē)慕殡妼又邪l(fā)生空間電荷效應(yīng)，使得在陰極和陽(yáng)極之間的電壓分布發(fā)生變形。在陰極附近形成陰極鞘層區(qū)(cathode sheath region)，在該區(qū)中消耗了大部分施加到兩個(gè)電極用于產(chǎn)生放電的電壓。在陽(yáng)極附近形成陽(yáng)極鞘層區(qū)，在該區(qū)中消耗部分電壓。在陰極鞘層區(qū)和陽(yáng)極鞘層區(qū)之間形成正柱區(qū)，在正柱區(qū)幾乎不消耗電壓。電子加熱效率取決于MgO保護(hù)膜的二次電子系數(shù)，MgO保護(hù)膜形成在陰極鞘層區(qū)中的介電層的表面上。大部分輸入功率被用于在正柱區(qū)的電子加熱。
當(dāng)氙(Xe)氣從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，產(chǎn)生通過(guò)與熒光材料的碰撞來(lái)發(fā)射可見(jiàn)光的真空紫外線(xiàn)。通過(guò)氙(Xe)氣與電子之間的碰撞產(chǎn)生氙(Xe)的激發(fā)態(tài)。因此，為了提高用于產(chǎn)生可見(jiàn)光的輸入功率的比率，必須要增加氙(Xe)氣與電子之間的碰撞次數(shù)。為了增加氙(Xe)氣與電子之間的碰撞次數(shù)，必須增加電子加熱效率。
在陰極鞘層區(qū)，消耗了大部分輸入功率，但是電子加熱效率低。在正柱區(qū)，消耗少量的輸入功率，而電子加熱效率非常高。因此，通過(guò)增加正柱區(qū)(放電間隙)來(lái)獲得高發(fā)光效率是可以實(shí)現(xiàn)的。
比率(E/n)是施加到放電間隙(正柱區(qū))兩端的電場(chǎng)E與填充該間隙的氣體的氣體密度n的比率。氙激發(fā)(Xe*)消耗的電子與所有電子的比率隨著比率(E/n)而增加，所有電子包括氙激發(fā)(Xe*)、氙電離(Xe+)、氖激發(fā)(Ne*)和氖電離(Ne+)消耗的電子。另外，在相同比率(E/n)，當(dāng)電子能量減少時(shí)，氙(Xe)的分壓增加。因此，當(dāng)氙(Xe)的分壓增加時(shí)，在氙激發(fā)(Xe*)、氙電離(Xe+)、氖激發(fā)(Ne*)和氖電離(Ne+)消耗的電子中，氙(Xe)的激發(fā)消耗的電子比率增大。這樣可提高發(fā)光效率。
如上所述，通過(guò)增大正柱區(qū)來(lái)提高電子加熱效率。另外，通過(guò)加大氙(Xe)的分壓來(lái)提高氙激發(fā)(Xe*)消耗的電子的比率。因此，增大正柱區(qū)和加大氙(Xe)的分壓可提高電子加熱效率，結(jié)果為提高了發(fā)光效率。
然而，增大正柱區(qū)和加大氙(Xe)的分壓導(dǎo)致氣體放電電壓增大，導(dǎo)致PDP的制造成本增大。
因此，為了提高發(fā)光效率，需要在低放電點(diǎn)火電壓的情況下增大正柱區(qū)和氙(Xe)的分壓。
當(dāng)用于對(duì)向電極結(jié)構(gòu)和表面放電結(jié)構(gòu)的放電間隙和壓力相同時(shí)，對(duì)向電極結(jié)構(gòu)所需的放電點(diǎn)火電壓低于表面放電結(jié)構(gòu)所需的放電點(diǎn)火電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種能夠使用對(duì)向電極結(jié)構(gòu)降低放電點(diǎn)火電壓并提高發(fā)光效率的PDP。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，PDP包括第一基板和第二基板，它們?cè)谖恢蒙媳舜讼鄬?duì)并且在它們之間具有空間，在該空間處形成多個(gè)劃分的放電室。該P(yáng)DP還包括熒光體層，其形成在放電室中；尋址電極，其在第一基板和第二基板之間沿一個(gè)方向形成；第一電極和第二電極，其形成在第一基板和第二基板之間沿與尋址電極正交的方向延伸，交替地排列在相鄰的放電室之間，第一電極和第二電極中的每個(gè)由相鄰的放電室共同使用；介電層，其被形成以覆蓋尋址電極、第一電極和第二電極的外表面。尋址電極的每個(gè)具有凸出部分，其在第二電極的延伸方向上凸出并且由共享第一電極或第二電極的相鄰的放電室共同使用。
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的PDP還包括第一障肋層和第二障肋層，第一障肋層被設(shè)置在第一基板上以形成多個(gè)放電空間，第二障肋層被設(shè)置在第二基板上以形成多個(gè)與多個(gè)形成在第一基板上的放電空間對(duì)應(yīng)的放電空間。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，尋址電極、第一電極和第二電極被排列在第一障肋層和第二障肋層之間。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，在尋址期，掃描脈沖可被施加到第二電極，尋址電極的凸出部分可由共享第二電極的相鄰的放電室共同使用。
在某些實(shí)施例中，保護(hù)膜可形成在介電層上，該保護(hù)膜具有非可見(jiàn)光穿透性能。
在某些實(shí)施例中，尋址電極靠近第一基板排列，第一電極和第二電極靠近第二基板排列。此外，在某些實(shí)施例中，在尋址電極面向第二基板的邊緣形成的假想線(xiàn)與第一和第二電極面向第一基板的邊緣形成的假想線(xiàn)之間形成間隙。
在某些實(shí)施例中，在垂直于基板的方向，尋址電極的厚度小于第一電極的厚度，尋址電極的厚度小于第二電極的厚度。
在某些實(shí)施例中，由第二障肋層形成的每個(gè)放電空間的體積大于由第一障肋層形成的每個(gè)放電空間的體積。
在某些實(shí)施例中，第一障肋層包括第一障肋構(gòu)件和第二障肋構(gòu)件，第一障肋構(gòu)件平行于尋址電極形成，第二障肋構(gòu)件與第一障肋構(gòu)件交叉；第二障肋層包括第三障肋構(gòu)件和第四障肋構(gòu)件，第三障肋構(gòu)件平行于尋址電極形成，第四障肋構(gòu)件被形成以與第三障肋構(gòu)件交叉。
在某些實(shí)施例中，熒光體層包括第一熒光體層和第二熒光體層，第一熒光體層形成在放電室中的第一基板上，第二熒光體層由與第一熒光體層相同的熒光材料形成并且形成在放電室中的第二基板上。此外，在某些實(shí)施例中，第一熒光體層的厚度大于第二熒光體層的厚度。
第一和第二電極可為維持電極和掃描電極，第一和第二基板可為在PDP中的后基板和前基板。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的PDP，維持電極、掃描電極和尋址電極被設(shè)置在后基板和前基板之間。維持電極和掃描電極交替地排列在相鄰的放電室的兩側(cè)并由相鄰的放電室共同使用。尋址電極的凸出部分由相鄰的放電室共同使用。與凸出部分單獨(dú)地設(shè)置在每個(gè)放電室中的傳統(tǒng)的尋址電極結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明的這種結(jié)構(gòu)確保了放電室的較大的開(kāi)口率并提高了發(fā)光效率。
而且，根據(jù)本發(fā)明的PDP，因?yàn)榫S持電極和掃描電極以對(duì)向電極結(jié)構(gòu)布置，所以將放電點(diǎn)火電壓降低為低于傳統(tǒng)表面放電結(jié)構(gòu)的放電點(diǎn)火電壓是可實(shí)現(xiàn)的。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。
圖2是示意性地示出根據(jù)圖1中的實(shí)施例的PDP的放電室結(jié)構(gòu)和電極的局部平面圖。
圖3是沿在圖1中示出的PDP的線(xiàn)III-III截取的剖面圖。
圖4是沿在圖1中示出的PDP的線(xiàn)IV-IV截取的剖面圖。
圖5是示意性地示出根據(jù)圖1中的實(shí)施例的PDP的電極結(jié)構(gòu)的局部分解圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。該P(yáng)DP包括第一基板10(以下，稱(chēng)作“后基板”)和第二基板20(以下，稱(chēng)作“前基板”)，后基板和前基板在其間以預(yù)定的間隙彼此相對(duì)排列。后基板10和前基板20之間的空間形成放電空間。通過(guò)劃分后基板10和前基板20之間的放電空間形成了多個(gè)放電室17。每個(gè)放電室17是通過(guò)合并放電空間18和放電空間28形成的。放電空間由第一障肋層16(以下，稱(chēng)作“后板障肋”)和第二障肋層26(以下，稱(chēng)作“前板障肋”)來(lái)劃分。吸收真空紫外線(xiàn)以發(fā)射可見(jiàn)光的熒光體層19、29形成在放電室17中。放電氣體，例如氙(Xe)或氖(Ne)填充放電室17以通過(guò)等離子體放電來(lái)產(chǎn)生真空紫外線(xiàn)。
后板障肋16從后基板10向前基板20凸出。前板障肋26從前基板20向后基板10凸出。后板障肋16鄰近后基板10形成多個(gè)放電空間，在鄰近后基板10處形成后放電空間18。前板障肋26鄰近前基板20形成多個(gè)放電空間，在鄰近前基板20處形成前放電空間28。一個(gè)放電室17由在彼此相對(duì)的基板10、20上的放電空間形成。在下面所寫(xiě)的描述中，只要不是特別指出前放電空間28和后放電空間18，放電室17表示一個(gè)由兩個(gè)放電空間合并形成的放電室。
在某些實(shí)施例中，由前板障肋26形成的前放電空間28的體積可大于由后板障肋16形成的后放電空間18的體積。后放電空間18的體積與前放電空間28的體積之間的差異使得在放電室17中產(chǎn)生的可見(jiàn)光有效地穿過(guò)前基板20。
后板障肋16和前板障肋26可以放電室17具有的矩形或六邊形形狀的方式來(lái)形成。在示出的實(shí)施例中，放電室17具有矩形形狀。另外，后板障肋16包括第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件16b，二者形成在后基板10上。在示出的實(shí)施例中，第一障肋構(gòu)件16a在一個(gè)方向(圖中的y軸方向)上延伸，第二障肋16b在與第一障肋構(gòu)件16a正交的方向(圖中的x軸方向)上延伸。結(jié)果，后放電空間18被劃分為在后基板10上的放電空間。前板障肋26由第三障肋構(gòu)件26a和第四障肋構(gòu)件26b組成，二者形成在前基板20上。第三障肋構(gòu)件26a對(duì)應(yīng)于第一障肋構(gòu)件16a形成，并向后基板10凸出。第四障肋構(gòu)件26b對(duì)應(yīng)于第二障肋構(gòu)件16b形成，并向后基板10凸出。因此，前板障肋26的第三和第四障肋構(gòu)件26a、26b相互交叉，對(duì)應(yīng)于在后基板10上形成的后放電空間18，在前基板20上形成前放電空間28。
如上所述，熒光體層19、29分別形成在放電室17中。即，熒光體層19、29由形成在后基板10上的后放電空間18中的第一熒光體層19和形成在前基板20上的前放電空間28中的第二熒光體層29組成。
第一熒光體層19形成在第一和第二障肋構(gòu)件16a、16b的內(nèi)表面上和在后放電空間18中的后基板10的表面上。第二熒光體層29形成在第三和第四障肋構(gòu)件26a、26b的內(nèi)表面上和在前放電空間28中的前基板20的表面上。由后板障肋16形成的后放電空間18和由前板障肋26形成的與后放電空間18相對(duì)的前放電空間28的合并組成了一個(gè)分塊的放電室17。因此，在一個(gè)放電室17中形成的第一熒光體層19和第二熒光體層29產(chǎn)生相同顏色的可見(jiàn)光。
可通過(guò)將熒光材料應(yīng)用到具有后板障肋16的后基板10上來(lái)形成第一熒光體層19?；蛘?，可通過(guò)將后基板10蝕刻成后放電空間18的形狀并將熒光材料應(yīng)用到蝕刻的表面上來(lái)形成第一熒光體層19。同樣地，可通過(guò)將熒光材料應(yīng)用到具有前板障肋26的前基板20上來(lái)形成第二熒光體層29，或通過(guò)將前基板20蝕刻成前放電空間28的形狀并將熒光材料應(yīng)用到蝕刻的表面上來(lái)形成第二熒光體層29。
當(dāng)蝕刻后基板10以形成后板障肋16時(shí)，后基板10和后板障肋16由相同的材料制成。當(dāng)蝕刻前基板20以形成前板障肋26時(shí)，前基板20和前板障肋26由相同的材料制成。與后板障肋16和前板障肋26與后基板10和前基板20分開(kāi)形成然后在后續(xù)階段附在這些基板上的方法相比，這種蝕刻方法可降低制造成本。
在后基板10上的后放電空間18中，第一熒光體層19吸收真空紫外線(xiàn)以產(chǎn)生可見(jiàn)光，該可見(jiàn)光被發(fā)射到的前基板20。在前基板20上的前放電空間28中，第二熒光體層29吸收真空紫外線(xiàn)以產(chǎn)生可見(jiàn)光，該可見(jiàn)光被發(fā)射到前基板20。另外，第一熒光體層19反射可見(jiàn)光，第二熒光體層29透射可見(jiàn)光。因此，在某些實(shí)施例中，形成在后基板10上的第一熒光體層19的厚度t1可大于形成在前基板20上的第二熒光體層29的厚度t2(t1＞t2)。這種結(jié)構(gòu)提高了發(fā)射到前基板20的可見(jiàn)光的發(fā)光效率。
真空紫外線(xiàn)與具有上述結(jié)構(gòu)的第一和第二熒光體層19、29碰撞。為了通過(guò)等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線(xiàn)以形成圖像，與放電室17對(duì)應(yīng)的尋址電極12、第一電極31(以下，稱(chēng)作“維持電極”)和第二電極32(以下，稱(chēng)作“掃描電極”)設(shè)置在后基板10和前基板20之間。
圖2是示意性地示出圖1中的PDP的放電室結(jié)構(gòu)和電極的局部平面圖。尋址電極12在與維持電極31和掃描電極32正交的方向(y軸方向)上延伸。尋址電極12、維持電極31和掃描電極32均位于后板障肋16和前板障肋26之間。尋址電極12具有在x軸方向上凸出的凸出部分12a。凸出部分12a由沿著尋址電極12的方向(y軸方向)相鄰的后放電空間18共同使用。結(jié)果，相鄰的放電室17可被同時(shí)尋址。凸出部分12a可由相鄰的放電室17共享，該相鄰的放電室17共享同一維持電極31或共享同一掃描電極32。例如，尋址電極12和掃描電極32參與沿著尋址電極12的方向(y軸方向)彼此相鄰的放電室的尋址。另外，因?yàn)橥钩霾糠?2a設(shè)置在位于后基板10上的相鄰的放電室17中，所以減少了由凸出部分12a遮蔽的可見(jiàn)光，從而提高了發(fā)光效率。
維持電極31和掃描電極32排列在后板障肋16和前板障肋26之間，并相互平行地延伸。在圖2中，維持電極31和掃描電極32在放電室17的兩側(cè)沿著y軸方向彼此相鄰地交替地排列，并被它們的相鄰的放電室17共享。因此，維持電極31和掃描電極32參與位于它們之間的相鄰的放電室17的維持放電。因此，在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP中，維持電極31分為偶數(shù)維持電極和奇數(shù)維持電極，掃描電極32也分為偶數(shù)掃描電極和奇數(shù)掃描電極。當(dāng)對(duì)偶數(shù)電極執(zhí)行維持放電時(shí)，維持脈沖被施加到偶數(shù)維持電極31和偶數(shù)掃描電極32。另一方面，當(dāng)對(duì)奇數(shù)電極執(zhí)行維持放電時(shí)，維持脈沖被施加到奇數(shù)維持電極31和奇數(shù)掃描電極32，由此顯示圖像。
圖3是沿著通過(guò)合并圖1中所示的前基板20和后基板10形成的PDP的線(xiàn)III-III截取的剖面圖。圖4是沿著圖1中所示的線(xiàn)IV-IV截取的剖面圖。圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的尋址電極12、維持電極31、掃描電極32的局部分解圖。
參照這些圖，在后板障肋16和前板障肋26之間，尋址電極12在y軸方向上延伸。在z軸方向，尋址電極12位于后基板10和前基板20之間。尋址電極12形成在在y軸方向上延伸的第一障肋構(gòu)件16a和第三障肋構(gòu)件26a之間，并且平行于第一障肋構(gòu)件16a和第三障肋構(gòu)件26a。此外，尋址電極12以沿x軸方向與放電室17對(duì)應(yīng)的間隔相互平行地定位或形成。
凸出部分12a在x軸方向從尋址電極12凸出。凸出部分12a具有沿y軸方向的預(yù)定寬度w(在圖2中示出)。寬度w由使用公共掃描電極32的相鄰的放電室17共享。凸出部分12a的部分與在x軸方向延伸的掃描電極32對(duì)應(yīng)。從這個(gè)部分，凸出部分12a在y軸方向凸出至相鄰的放電室17中。
當(dāng)掃描脈沖和尋址脈沖被分別施加到掃描電極32和尋址電極12時(shí)，在放電室17中發(fā)生尋址放電。由相鄰的放電室17共同使用的掃描電極32和尋址電極12以這樣的方式形成，即，凸出部分12a與掃描電極32和尋址電極12相對(duì)應(yīng)。凸出部分12a使得施加到尋址電極12的尋址脈沖被供應(yīng)到放電室17。此外，作為這些凸出部分12a的結(jié)果，凸出部分12a和掃描電極32之間的放電間隙是短間隙。短間隙需要低尋址放電電壓。在示出的實(shí)施例中，每個(gè)尋址電極12沿y軸方向被設(shè)置在相鄰的放電室17之間。每個(gè)尋址電極12還位于第一障肋構(gòu)件16a和第三障肋構(gòu)件26a之間。沿y軸方向延伸的尋址電極12可被用于沿x軸方向劃分放電室17。
另外，維持電極31和掃描電極32在與尋址電極12正交的圖中的x軸方向延伸。在z軸方向，維持電極31和掃描電極32位于后板障肋16和前板障肋26之間。另外，維持電極31和掃描電極32與尋址電極12電絕緣。即，維持電極31和掃描電極32形成在第二障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b之間，并平行于障肋構(gòu)件16b、26b。維持電極31和掃描電極32交替地排列并被在尋址電極12的方向上彼此相鄰的放電室17共同使用。
在這個(gè)實(shí)施例中，因?yàn)樵诘诙侠邩?gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b之間的維持電極31和掃描電極32關(guān)于相鄰的放電室17交替地排列，所以維持電極31和掃描電極32可以成為沿尋址電極12的縱向方向劃分放電室17的標(biāo)準(zhǔn)。
在尋址期期間，掃描電極32和尋址電極12產(chǎn)生尋址放電以選擇將被導(dǎo)通的放電室17。在維持期期間，維持電極31和掃描電極32產(chǎn)生維持放電以顯示圖像。在維持期期間，維持脈沖被施加到維持電極31。此外，在維持期期間，維持脈沖還可被施加到掃描電極32，在掃描期期間，掃描脈沖也可被施加到掃描電極32。根據(jù)施加到各個(gè)電極的信號(hào)電壓，各個(gè)電極可執(zhí)行不同的功能。因此，本發(fā)明不限于示出的這種結(jié)構(gòu)。
維持電極31和掃描電極32位于兩個(gè)基板10、20之間，由此將基板10、20之間的空間劃分為放電室17。每個(gè)放電室17的兩個(gè)部分一起形成一個(gè)放電室17。以這種方式形成的對(duì)向電極結(jié)構(gòu)可降低大于表面放電結(jié)構(gòu)的維持放電的放電點(diǎn)火電壓，并可提高大于表面放電結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
此外，為了增大每個(gè)放電室17的區(qū)域，維持電極31和掃描電極32在z軸方向可采用高度hv來(lái)形成，該高度hv大于在y軸方向上的寬度hh。在較大的放電室17中發(fā)生的放電產(chǎn)生高強(qiáng)度的真空紫外線(xiàn)。高強(qiáng)度的真空紫外線(xiàn)與熒光體層19、29碰撞，該熒光體層19、29形成在放電室17的較大區(qū)域上。結(jié)果，產(chǎn)生大量的可見(jiàn)光。
尋址電極12靠近后基板10排列，維持電極31和掃描電極32靠近前基板20排列。在假想線(xiàn)L1和假想線(xiàn)L2之間存在縫隙C1，假想線(xiàn)L1是由面向前基板20的尋址電極12的邊緣的延伸形成的，假想線(xiàn)L2是由面向后基板10的維持電極31或掃描電極32的邊緣的延伸形成的。這個(gè)縫隙C1使得維持電極31、掃描電極32和尋址電極12穿過(guò)通路而無(wú)需實(shí)際交叉。
另外，在垂直于后基板10和前基板20的方向，尋址電極的厚度t3小于維持電極的厚度t4和掃描電極的厚度t5。這種結(jié)構(gòu)使得維持脈沖穩(wěn)定地施加到維持電極31和掃描電極32，該維持脈沖的電壓高于施加到尋址電極12的尋址脈沖的電壓。
因?yàn)榫S持電極31、掃描電極32和尋址電極12位于后板障肋16和前板障肋26之間的非發(fā)射區(qū)域，所以這些電極可由具有高導(dǎo)電性的金屬形成。
介電層34、35形成在維持電極31、掃描電極32和尋址電極12的外表面上。介電層34、35不僅存儲(chǔ)壁電荷，而是使電極31、32、12相互絕緣?？赏ㄟ^(guò)厚膜陶瓷片(TFCS)方法來(lái)形成維持電極31、掃描電極32、尋址電極12。在TFCS方法中，單獨(dú)制造電極單元，如維持電極31、掃描電極32、尋址電極12，然后將它們粘結(jié)到包括后板障肋16的后基板10上。
保護(hù)膜36可形成在覆蓋維持電極31、掃描電極32、尋址電極12的介電層34、35上。具體地講，保護(hù)膜36可被形成以暴露于在放電室17的放電空間中發(fā)生的等離子體放電。保護(hù)膜36保護(hù)介電層34、35，并且要求具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)。然而，保護(hù)膜36不需要具備透過(guò)可見(jiàn)光的性能。因?yàn)榫S持電極31、掃描電極32、尋址電極12不位于前基板10或后基板20上，而是位于前后基板10、20之間，所以保護(hù)膜36可由具有非可見(jiàn)光透過(guò)性能的材料形成，該保護(hù)膜36形成在覆蓋維持電極31、掃描電極32、尋址電極12的介電層34、35上。MgO膜可被用作非可見(jiàn)光透過(guò)的保護(hù)膜36的例子。MgO膜具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)，使得進(jìn)一步降低放電點(diǎn)火電壓成為可能。
另外，尋址電極12被始終具有相同介電常數(shù)的介電層35環(huán)繞。因此，在紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(L)熒光體層19、29中形成相同的放電點(diǎn)火電壓。
盡管已經(jīng)參照特定的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明作出各種修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，與所述第一基板分開(kāi)；多個(gè)劃分的放電室，形成在所述第一基板和所述第二基板之間；尋址電極，在所述第一基板和所述第二基板之間沿第一方向延伸，并平行于所述第一基板和所述第二基板；第一電極和第二電極，在所述第一基板和所述第二基板之間沿第二方向延伸并平行于所述第一基板和所述第二基板，所述第二方向與所述第一方向交叉，所述第一電極和所述第二電極與所述尋址電極分開(kāi)；凸出部分，沿所述第二方向從每個(gè)尋址電極向劃分的放電室凸出，每個(gè)凸出部分延伸到一對(duì)相鄰的放電室中，所述對(duì)的相鄰的放電室共享尋址電極的每個(gè)凸出部分以及所述第一電極之一或所述第二電極之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一障肋層，位于形成多個(gè)第一放電空間的所述第一基板上；第二障肋層，位于形成多個(gè)與所述第一放電空間對(duì)應(yīng)的第二放電空間的所述第二基板上；其中，每個(gè)劃分的放電室由一對(duì)彼此相對(duì)的一個(gè)第一放電空間和一個(gè)第二放電空間限定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極位于所述第一障肋層和所述第二障肋層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)第二放電空間的體積大于每個(gè)第一放電空間的體積。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述第一障肋層包括在所述第一方向上延伸的第一障肋構(gòu)件；所述第二障肋層包括在所述第一方向上延伸的第三障肋構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一障肋層還包括與所述第一障肋構(gòu)件交叉的第二障肋構(gòu)件；所述第二障肋層還包括與所述第二障肋構(gòu)件交叉的第四障肋構(gòu)件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二電極由金屬電極組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極在外表面上具有介電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中，保護(hù)膜形成在所述介電層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，所述保護(hù)膜具有非可見(jiàn)光透過(guò)的特性。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，所述保護(hù)膜由氧化鎂形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極位于與所述第二基板相比更靠近所述第一基板的位置，并且面向所述第二基板；所述第一和第二電極位于與所述第一基板相比更靠近所述第二基板的位置，并且面向所述第一基板；在所述尋址電極面向所述第二基板的一側(cè)與所述第一電極和所述第二電極的每個(gè)面向所述第一基板的一側(cè)之間形成了間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的厚度小于所述第一電極的厚度，厚度是沿垂直于所述第一和第二基板的方向測(cè)量的。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的厚度小于所述第二電極的厚度，厚度是沿垂直于所述第一和第二基板的方向測(cè)量的。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一熒光體層，形成在所述放電室中的所述第一基板上；第二熒光體層，具有與所述第一熒光體層相同的顏色，并形成在所述放電室中的所述第二基板上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一熒光體層的厚度大于所述第二熒光體層的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中在尋址期期間，掃描脈沖被施加到所述第一電極；所述凸出部分橫穿由所述第一電極形成的相鄰的放電室之間的界限。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中在尋址期期間，掃描脈沖被施加到所述第二電極；所述凸出部分橫穿由所述第二電極形成的相鄰的放電室之間的界限。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種能夠使用對(duì)向電極結(jié)構(gòu)降低放電點(diǎn)火電壓并提高發(fā)光效率的PDP。該P(yáng)DP包括第一基板和第二基板，第二基板與第一基板相對(duì)并在其間留有空間，在該空間處形成多個(gè)劃分的放電室；熒光體層，形成在放電室中；尋址電極，形成在第一和第二基板之間；第一和第二電極，形成在第一和第二基板之間沿與尋址電極正交的方向延伸，交替地排列在相鄰的放電室之間并且每個(gè)由相鄰的放電室共同使用；介電層，形成以覆蓋尋址電極的外表面以及第一和第二電極的外表面。尋址電極的每個(gè)具有凸出部分，其凸出至放電室中，并且由共享第一或第二電極的相鄰的放電室共同使用。
文檔編號(hào)H01J11/16GK1808674SQ20051009071
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2005年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者許民, 金在祿 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社