專利名稱：等離子體顯示面板的阻隔壁及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種等離子體顯示面板(plasma display panel，PDP)的阻隔壁制作方法，尤指一種可減少工藝步驟的PDP封閉式阻隔壁的制作方法。
背景技術(shù)：
一般而言，等離子體顯示面板是一種利用氣體放電(discharge)時產(chǎn)生真空紫外光(ultraviolet rays)，以激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生可見光的顯示面板組件，因?yàn)榈入x子體顯示面板比陰極射線管(cathode ray tube，CRT)來得更輕薄，所以成為主要被使用的顯示面板組件，再者，等離子體顯示面板具有高分辨率和大尺寸屏幕的優(yōu)點(diǎn)。
為了提升等離子體顯示面板的亮度，一種可增加熒光層覆蓋面積的封閉式阻隔壁(barrier rib)結(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。請參考圖1，圖1為習(xí)知技術(shù)中等離子體顯示面板的后基板(rear substrate)10示意圖。如圖1所示，封閉式阻隔壁12包含有多數(shù)垂直平行阻隔壁14和多數(shù)水平平行阻隔壁16設(shè)置于后基板10上，并形成多數(shù)放電空間18，例如，放電單元(discharge cell)。另外有多數(shù)尋址電極(address electrode)20彼此互相平行地設(shè)置在封閉式阻隔壁12的下方。其中，尋址電極20和維持電極(sustain electrode)(未顯示于圖1)交錯之處會產(chǎn)生尋址放電(address discharge)，另外，覆蓋在封閉式阻隔壁12上的熒光層22被放電單元內(nèi)產(chǎn)生的真空紫外光所激發(fā)，進(jìn)而發(fā)射出可見光。再者，在后基板10上及尋址電極20的表面上形成介電層24。
上述具有封閉式阻隔壁12的后基板10具有一缺點(diǎn)，就是在后基板10和前基板(未顯示于第1圖)藉由密封物質(zhì)封閉(sealing)其周圍以接合兩者后，難以進(jìn)行兩基板間的抽氣(exhausting)的步驟。
因此，發(fā)展出一種包含有多數(shù)垂直平行阻隔壁和低于垂直平行阻隔壁20微米(micron)的水平平行阻隔壁的封閉式阻隔壁，這種結(jié)構(gòu)具有更多的面積來披覆熒光層，進(jìn)而增加等離子體顯示面板的亮度，以及保留足夠的抽氣通道供抽氣工藝使用。然而，這種結(jié)構(gòu)的制作方法包含有對垂直平行阻隔壁進(jìn)行網(wǎng)版印刷(screen printing)工藝以形成垂直平行阻隔壁和水平平行阻隔壁的高度差異的額外工藝步驟，使得工藝更復(fù)雜。再者，垂直平行阻隔壁在網(wǎng)版印刷中的對位精度也是一個需考慮的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種PDP阻隔壁的工藝方法，以簡化具有足夠抽氣通道供抽氣使用的封閉式阻隔壁的工藝方法。
根據(jù)本發(fā)明提出的一種等離子體顯示面板阻隔壁的制作方法包含有提供一個基板，在基板上形成多數(shù)尋址電極，在尋址電極及基板上形成介電層，在介電層上形成阻隔壁材料層，在阻隔壁材料層上形成圖案化光阻層，其中，圖案化光阻層包含多數(shù)第一平行線和多數(shù)第二平行線，而且第二平行線與第一平行線互相交錯且垂直，且第一平行線具有的第一厚度較第二平行線具有的第二厚度厚。以及，形成多數(shù)第一平行阻隔壁和多數(shù)第二平行阻隔壁，第一平行阻隔壁具有的第三厚度較第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。
根據(jù)本發(fā)明另提出一種等離子體顯示面板阻隔壁的制作方法，包含提供一個基板，在基板上形成多數(shù)尋址電極，在尋址電極及基板上形成介電層，在介電層上形成阻隔壁材料層，在阻隔壁材料層上形成圖案化光阻層，其中，圖案化光阻層包含多數(shù)第一平行線和多數(shù)第二平行線，第二平行線與第一平行線互相交錯垂直，且第一平行線具有的第一鍵結(jié)力(bonding strength)較第二平行線具有的第二鍵結(jié)力大。以及，形成多數(shù)第一平行阻隔壁和多數(shù)第二平行阻隔壁，第一平行阻隔壁具有的第三厚度較第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。
本發(fā)明利用第一平行線和第二平行線的厚度不同或者是鍵結(jié)力不同，以形成有足夠抽氣通道供抽氣使用的封閉式阻隔壁。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是可簡化封閉式阻隔壁的工藝。


圖1為習(xí)知技術(shù)中等離子體顯示面板的后基板示意圖；圖2至6為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的等離子體顯示面板阻隔壁的工藝示意圖；圖7為多數(shù)可應(yīng)用于特定區(qū)域24的圖案示意圖。
主要組件符號說明10后基板12封閉式阻隔壁14垂直平行阻隔壁16水平平行阻隔壁18放電空間20、32尋址電極22熒光層24、34介電層30基板36阻隔壁材料層38光阻層40第一平行線42第二平行線44垂直平行阻隔壁46水平平行阻隔壁48封閉式阻隔壁50光掩模52平行線54特定區(qū)域54a斑點(diǎn)數(shù)組54b柵欄數(shù)組54c垂直狹縫數(shù)組54d水平狹縫數(shù)組54e馬賽克格狀數(shù)組54f半色調(diào)斜紋區(qū)域58圖案化光阻層具體實(shí)施方式
請參考圖2至6，圖2至6為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的等離子體顯示面板阻隔壁的工藝示意圖。如圖2所示，提供基板30，在基板30上形成多數(shù)尋址電極32。
如圖3所示，介電層34形成在基板30上，并且覆蓋住尋址電極32，另外，阻隔壁材料層36被形成在基板30上以覆蓋住介電層34，再進(jìn)行干燥(drying)步驟以干燥阻隔壁材料層36，之后，利用負(fù)光阻型態(tài)的光阻層(photoresist layer)38覆蓋在阻隔壁材料層36上，接著，利用光掩模(photo mask)50進(jìn)行曝光(exposure)工藝，其中，光掩模50包含有多數(shù)可透光的平行線52，其曝光后形成相對應(yīng)的第一平行線40在光阻層38上，光掩模50又包含多數(shù)特定區(qū)域54，其曝光后形成相對應(yīng)的第二平行線42在光阻層38上。其中，在多數(shù)第一平行線40和第二平行線42交錯的區(qū)域不具有特定區(qū)域54。
請參考圖7，圖7為多數(shù)可被應(yīng)用于特定區(qū)域54的圖案示意圖。如圖7所示，每一個特定區(qū)域54的圖案皆可設(shè)計(jì)為斑點(diǎn)(spot)數(shù)組54a、柵欄(fence)數(shù)組54b、垂直狹縫數(shù)組54c、水平狹縫數(shù)組54d、馬賽克(mosaic)格狀數(shù)組54e以及半色調(diào)(halftone)斜紋區(qū)域54f等形式。
請參考圖3，由于曝光工藝的光源會通過具有斑點(diǎn)數(shù)組54a、柵欄數(shù)組54b、垂直狹縫數(shù)組54c、水平狹縫數(shù)組54d或者馬賽克格狀數(shù)組54e圖案的特定區(qū)域54，進(jìn)而產(chǎn)生干擾的效果使得曝光能量下降。又或者當(dāng)曝光光源通過具有半色調(diào)斜紋區(qū)域54f的特定區(qū)域54時，因?yàn)榘肷{(diào)斜紋區(qū)域54f的影響，曝光能量也會下降。因此，曝光工藝中作用在第一平行線40的第一曝光能量大于作用在第二平行線42的第二曝光能量。另外，控制第二曝光能量為一精確的能量值，以使在特定區(qū)域54下的光阻層38不會在后續(xù)顯影(development)工藝中被完全移除，這個精確的能量值由光阻層的材料、曝光能量大小、特定區(qū)域54的圖案和顯影工藝的顯影時間等因素所決定。
如圖4所示，進(jìn)行顯影工藝以形成圖案化光阻層58在阻隔壁材料層36上，其中，圖案化光阻層58包含第一平行線40和與第一平行線40垂直交錯的第二平行線42，而且第一平行線40具有第一厚度，該第一厚度較第二平行線42具有的該第二厚度厚，其中，第一平行線40和第二平行線42的交錯區(qū)域也具有第一厚度。在此請注意，盡管在其它實(shí)施例中，第一厚度和第二厚度可以在顯影工藝進(jìn)行后具有相同的厚度，但第一平行線40所具有的第一鍵結(jié)力依舊大于第二平行線42所具有的第二鍵結(jié)力，其中，第一平行線40和第二平行線42的交錯區(qū)域也具有第一鍵結(jié)力。
如圖5所示，藉由蝕刻工藝或者噴砂工藝移除沒有被圖案畫光阻層58覆蓋的阻隔壁材料層36，同時，一部分第一平行線40和所有的第二平行線42都被移除，且位于第二平行線42下方的一部分阻隔壁材料層36亦被移除。
請參考圖6，利用剝除(striping)工藝移除圖案化光阻層58，以形成多數(shù)阻隔壁在基板30上，其中，阻隔壁包含有多數(shù)垂直平行阻隔壁44和多數(shù)與垂直平行阻隔壁44交錯且垂直的水平平行阻隔壁46。另外，垂直平行阻隔壁44具有第三厚度，第三厚度比水平平行阻隔壁46具有的第四厚度厚。之后，進(jìn)行燒結(jié)(firing)工藝以形成阻隔壁，最后，形成包含有垂直平行阻隔壁44和高度低于垂直平行阻隔壁44的水平平行阻隔壁46的封閉式阻隔壁48。
在第二最佳實(shí)施例中，負(fù)光阻型態(tài)的光阻層38也可替換成正光阻型態(tài)，假若光阻層是正光阻型態(tài)，則光掩模包含有多數(shù)遮蔽平行線和多數(shù)特定區(qū)域以利用來形成光阻層圖案。遮蔽平行線遮蓋住光阻層中多數(shù)對應(yīng)的第一平行線，特定區(qū)域則遮蓋光阻層中多數(shù)對應(yīng)的第二平行線。另外，每個特定區(qū)域的圖案為選擇自斑點(diǎn)數(shù)組、柵欄數(shù)組、垂直狹縫數(shù)組、水平狹縫數(shù)組、馬賽克格狀數(shù)組和半色調(diào)斜紋圖案。由于曝光工藝的光源在通過特定區(qū)域時已減弱，即曝光工藝中作用在第二平行線上的曝光能量已經(jīng)減弱，因此，經(jīng)過顯影工藝后，第一平行線的厚度較第二平行線的厚度厚，或是第一平行線的鍵結(jié)力較第二平行線的鍵結(jié)力大，其中第二較佳實(shí)施例的其它步驟和第一實(shí)施例相似。
和習(xí)知技術(shù)相較，本發(fā)明利用第一平行線和第二平行線的厚度不同或是鍵結(jié)力不同，來達(dá)到形成有足夠抽氣通道供抽氣使用的封閉式阻隔壁。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是可簡化封閉式阻隔壁的工藝。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板的阻隔壁制作方法，包含提供基板；在該基板上形成阻隔壁材料層；在該阻隔壁材料層上形成圖案化光阻層，該圖案化光阻層包含多數(shù)第一平行線和多數(shù)第二平行線，該等第二平行線與該等第一平行線互相交錯且垂直設(shè)置，且該等第一平行線具有第一厚度，該等第二平行線具有第二厚度，該第一厚度大于該第二厚度；以及形成多數(shù)第一平行阻隔壁和多數(shù)第二平行阻隔壁，該等第一平行阻隔壁具有第三厚度，該等第二平行阻隔壁具有第四厚度，該第三厚度大于該第四厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中還包含在形成該阻隔壁材料層之前，在該基板上形成多數(shù)尋址電極，以及在該等尋址電極和該基板上形成介電層。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中還包含在形成該阻隔壁材料層后，進(jìn)行干燥該阻隔壁材料層的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中還包含在該圖案化光阻層形成前，在該阻隔壁材料層上方披覆負(fù)光阻型態(tài)的光阻層。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其中該圖案化光阻層是利用第一光掩模、第一曝光工藝和第一顯影工藝所完成，其中該第一光掩模包含有多數(shù)第三平行線在曝光后形成相對應(yīng)的該等第一平行線，以及多數(shù)第一特定區(qū)域在曝光后形成相對應(yīng)的該等第二平行線。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其中作用在該等第一平行線的該第一曝光工藝的第一曝光能量大于作用在該等第二平行線的該第一曝光工藝的第二曝光能量，使得該等第一平行線的該第一厚度大于該等第二平行線的該第二厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其中各該第一特定區(qū)域具有第一圖案，其選擇自斑點(diǎn)數(shù)組、柵欄數(shù)組、垂直狹縫數(shù)組、水平狹縫數(shù)組、馬賽克格狀數(shù)組以及半色調(diào)斜紋區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中還包含在形成該圖案化光阻層之前，在該阻隔壁材料層上披覆正光阻型態(tài)的光阻層。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中該圖案化光阻層是利用第二光掩模、第二曝光工藝和第二顯影工藝所完成，其中該第二光掩模包含有多數(shù)第四平行線以遮蔽相對應(yīng)的該等第一平行線，以及多數(shù)第二特定區(qū)域以遮蔽相對應(yīng)的該等第二平行線。
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中作用在該等第二平行線的該第二曝光工藝的第三曝光能量，使得該等第一平行線的該第一厚度大于該等第二平行線的該第二厚度。
11.如申權(quán)利要求9所述的制作方法，其中各該第二特定區(qū)域具有第二圖案，其選擇自斑點(diǎn)數(shù)組、柵欄數(shù)組、垂直狹縫數(shù)組、水平狹縫數(shù)組、馬賽克格狀數(shù)組以及半色調(diào)斜紋區(qū)域。
12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成該等第一平行阻隔壁和該等第二平行阻隔壁還包含下列步驟去除未被該圖案化光阻層覆蓋的阻隔壁材料層，其中該等第二平行線被去除后，一部分位于該等第二平行線下方的該阻隔壁材料層被去除，以形成該等第一平行阻隔壁在該等第一平行線下方，以及該等第二平行阻隔壁在先前的該等第二平行線下方；去除剩余的該圖案化光阻層；以及燒結(jié)該等第一平行阻隔壁和該等第二平行阻隔壁。
13.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該阻隔壁材料層是藉由噴砂工藝所移除。
14.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該阻隔壁材料層是藉由蝕刻工藝所移除。
15.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該圖案化光阻層是藉由剝除(striping)工藝所移除。
16.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該等第一平行線具有第一鍵結(jié)力，較該等第二平行線具有的第二鍵結(jié)力大。
17.一種等離子體顯示面板的阻隔壁，包含基板；阻隔壁材料層，位于該基底上；以及形成多數(shù)第一平行阻隔壁和多數(shù)第二平行阻隔壁，該等第一平行阻隔壁具有第三厚度，較該等第二平行阻隔壁具有的第四厚度厚。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該阻隔壁材料層和該基板之間又包含多數(shù)尋址電極，以及介電層，覆蓋在該等尋址電極上。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該等第一平行線具有第一鍵結(jié)力，較該等第二平行線具有的第二鍵結(jié)力大。
20.一種等離子體顯示面板的阻隔壁，包含基板；以及多數(shù)第一平行阻隔壁和多數(shù)第二平行阻隔壁，位于該基板上，該等第一平行阻隔壁的厚度較該等第二平行阻隔壁的厚度厚。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該等第一平行阻隔壁、該等第二平行阻隔壁和該基板之間又包含多數(shù)尋址電極，以及介電層覆蓋在該等尋址電極上。
22.一種等離子體顯示面板的阻隔壁，包含基板；阻隔壁材料層，位于該基底上；光阻層，在該阻隔壁材料層上；以及光掩模，位于該光阻層上方，該光掩模包含多數(shù)平行線和多數(shù)特定圖案。
23.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該光掩模為負(fù)光阻型態(tài)。
24.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該光掩模為正光阻型態(tài)。
25.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示面板的阻隔壁，其中該特定圖案選自斑點(diǎn)數(shù)組、柵欄數(shù)組、垂直狹縫數(shù)組、水平狹縫數(shù)組、馬賽克格狀數(shù)組以及半色調(diào)斜紋區(qū)域。
全文摘要
一種等離子體顯示面板的阻隔壁制作方法，包含提供一個基板，于基板上形成阻隔壁材料層，再于阻隔壁材料層上形成圖案化光阻層，并且形成多數(shù)阻隔壁。其中，圖案化光阻層包含多數(shù)第一平行線和多數(shù)第二平行線，而且第二平行線與第一平行線互相交錯且垂直，且第一平行線的厚度較第二平行線的厚度厚。
文檔編號H01J17/04GK1862751SQ20061007785
公開日2006年11月15日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月2日
發(fā)明者簡鈺庭 申請人:中華映管股份有限公司