專(zhuān)利名稱(chēng)：電子發(fā)射源、制備該電子發(fā)射源的方法和使用該電子發(fā)射源的電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射源、制備該電子發(fā)射源的方法和使用該電子發(fā)射源的電子發(fā)射裝置，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及具有期望薄膜銳度的電子發(fā)射源、制備該電子發(fā)射源的方法和使用該電子發(fā)射源的電子發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置是一種當(dāng)電壓施加于陽(yáng)極和陰極間形成電場(chǎng)時(shí)發(fā)光的顯示設(shè)備。由電子發(fā)射源(其可排列在陰極上)發(fā)射的電子與熒光物質(zhì)(其可排列在陽(yáng)極下表面)碰撞。
碳基材料，包括碳納米管(CNT)在內(nèi)，由于優(yōu)良的導(dǎo)電性和電場(chǎng)集中(electric field concentration)效應(yīng)、低功函數(shù)和優(yōu)良的場(chǎng)致發(fā)射特性，使得電子發(fā)射裝置能夠在低壓下容易工作和使得電子發(fā)射源能夠具有大面積。因此，通常使用碳基材料作為電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射源。
含CNT的電子發(fā)射源可通過(guò)例如使用化學(xué)氣相淀積(CVD)等的CNT生長(zhǎng)法，或者使用含CNT的形成電子發(fā)射源的組合物的漿糊法(paste method)來(lái)制備。
使用漿糊法，可以更為廉價(jià)地制造電子發(fā)射源，該電子發(fā)射源也可以以大面積形成。例如美國(guó)專(zhuān)利6,436,221公開(kāi)了一種含CNT的形成電子發(fā)射源的組合物。
在制備含碳基材料如CNT的電子發(fā)射源的常規(guī)方法中，將形成電子發(fā)射源的組合物施加于電極，然后使其曝光。參考圖1，形成在透明電極10上的電子發(fā)射源11的區(qū)域A被過(guò)度曝光。因此，電子發(fā)射源層的面積超過(guò)設(shè)計(jì)值。在圖1中，箭頭表示UV輻射方向。
為了解決上述問(wèn)題，提出過(guò)一種通過(guò)控制加工條件(即曝光、顯影及其他條件)獲得具有期望的尖端銳度(tip sharpness)的電子發(fā)射源的方法。
然而，通過(guò)控制加工條件而獲得具有期望的尖端銳度的電子發(fā)射源會(huì)比較困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種由于將柵電極和電子發(fā)射源間的距離維持在設(shè)計(jì)值因而可以獲得均一的電子發(fā)射性能并且可以防止由于曝光過(guò)度而引起的電子發(fā)射源和柵電極間的短路的形成電子發(fā)射源的組合物、使用該組合物的電子發(fā)射源、制備該電子發(fā)射源的方法和使用該電子發(fā)射源的具有改進(jìn)可靠性的電子發(fā)射裝置。
本發(fā)明的其他特點(diǎn)將在隨后說(shuō)明中闡述，在某種程度上將由該說(shuō)明變得顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而獲悉。
本發(fā)明公開(kāi)一種包括碳基材料和UV屏蔽材料的電子發(fā)射源。
本發(fā)明還公開(kāi)一種制備電子發(fā)射源的方法。形成電子發(fā)射源的組合物被印制在基板上，所述形成電子發(fā)射源的組合物包括碳基材料、含樹(shù)脂和溶劑的載體和UV屏蔽材料。然后焙燒該印制的形成電子發(fā)射源的組合物。
本發(fā)明還公開(kāi)一種電子發(fā)射裝置，其包括具有碳基材料和UV屏蔽材料的電子發(fā)射源。
本發(fā)明還公開(kāi)一種形成電子發(fā)射源的組合物，其包括碳基材料、含樹(shù)脂和溶劑的載體和UV屏蔽材料。
應(yīng)將理解的是上述一般說(shuō)明及其后的詳細(xì)說(shuō)明是示范性的和說(shuō)明性的并且被用來(lái)提供進(jìn)一步的如所要求權(quán)利的本發(fā)明的解釋。


附圖被用以提供本發(fā)明的進(jìn)一步的理解并且被結(jié)合和構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，其舉例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說(shuō)明內(nèi)容一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
圖1顯示了根據(jù)常規(guī)方法形成的電子發(fā)射源的薄膜圖案。
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式形成的電子發(fā)射源的薄膜圖案。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的電子發(fā)射裝置的剖面示意圖。
圖4是SEM圖像，其顯示了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的實(shí)施例1的電子發(fā)射源的薄膜圖案。
圖5是SEM圖像，其顯示了對(duì)比例1的電子發(fā)射源的薄膜圖案。
具體實(shí)施例方式
參考顯示了本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的附圖，本發(fā)明將被更充分地描述。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)該認(rèn)為局限于本文中所述的實(shí)施方式。更確切地說(shuō)，提供的這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)是充分的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)了本發(fā)明的范圍。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能為了清楚起見(jiàn)而被放大。在附圖中相似的參考號(hào)碼表示相似的元件。
應(yīng)將理解的是當(dāng)一個(gè)元件如層、薄膜、區(qū)域或基板被稱(chēng)為是在另一個(gè)“上”時(shí)，其可以直接在該另一個(gè)元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一種元件被稱(chēng)為是“直接在(另一個(gè)元件)上”時(shí)，不存在中間元件。
本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的形成電子發(fā)射源的組合物包括碳基材料、含樹(shù)脂和溶劑的載體和UV屏蔽材料。該UV屏蔽材料可為任何防護(hù)UV的材料。因此，該UV屏蔽材料可阻擋和/或吸收UV，并且通常是黑色的。該UV屏蔽材料的實(shí)例包括V、Cr、Mn、Cu、TiO2、ZnO、炭黑、和V、Cr、Mn和Cu的氧化物。
基于1重量份的碳基材料，該UV屏蔽材料的量可為約0.1-50重量份。當(dāng)該UV屏蔽材料的量小于約0.1重量份時(shí)，可能無(wú)法獲得UV防護(hù)效果。當(dāng)該UV屏蔽材料的量超過(guò)約50重量份，曝光效率會(huì)由于過(guò)度的UV吸收而驟然降低，因此可能無(wú)法形成尖端。
基于1重量份的碳基材料，該組合物可進(jìn)一步包括約0.25-50重量份的玻璃料。玻璃料的實(shí)例包括B2O3-Bi2O3-SnO-P2O5。
UV屏蔽材料可被添加到形成電子發(fā)射源的組合物中以便使用光刻法形成具有接近于設(shè)計(jì)值的銳度的電子發(fā)射源尖端，即，以便控制該尖端銳度。因此，當(dāng)這種形成電子發(fā)射源的組合物被印制在基板上并且曝光時(shí)，可以在透明電極20上形成具有接近于設(shè)計(jì)值的尖端銳度的電子發(fā)射源21，如圖2所示。另外，可以增加曝光加工的余量，可以防止由于曝光過(guò)度而引起的電子發(fā)射源和柵電極間的短路，并且可以獲得基本上均勻的電子發(fā)射性能以及將柵電極與電子發(fā)射源尖端間的距離保持在設(shè)計(jì)值內(nèi)。
碳基材料具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和電子發(fā)射性能。因此，當(dāng)電子發(fā)射裝置工作時(shí)，它可朝陽(yáng)極的磷光體層發(fā)射電子以激發(fā)該磷光體。碳基材料的實(shí)例包括CNT、石墨、金剛石、富勒烯和碳化硅等。
形成電子發(fā)射源的組合物中的載體控制該組合物的印制性和粘度。該載體包括樹(shù)脂和溶劑。該樹(shù)脂的實(shí)例包括纖維素基樹(shù)脂如乙基纖維素、硝化纖維素等；丙烯酸樹(shù)脂如聚酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯；乙烯基樹(shù)脂如聚乙酸乙烯基酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醚等。這些樹(shù)脂中的一些也可作感光樹(shù)脂。
該溶劑可為萜品醇、丁基卡必醇(BC)、丁基卡必醇乙酸酯(BCA)、甲苯和酯醇(texanol)中的至少一種。
基于1重量份的碳基材料，該樹(shù)脂的量可為約1-20重量份，優(yōu)選為約2-10重量份。
基于1重量份的碳基材料，該溶劑的量可為約5-60重量份，優(yōu)選為約10-40重量份。當(dāng)所述樹(shù)脂和/或所述溶劑的量在上述范圍以外時(shí)，會(huì)使形成電子發(fā)射源的組合物的可印制性和流動(dòng)性下降。特別地，當(dāng)該載體的量超過(guò)上述范圍的最大限度時(shí)，會(huì)極大地延長(zhǎng)干燥時(shí)間。
如果必要的話(huà)，形成電子發(fā)射源的組合物可進(jìn)一步包括感光樹(shù)脂、光引發(fā)劑和填料中的至少一種。
該感光樹(shù)脂是使電子發(fā)射源圖案化的材料。該感光樹(shù)脂的實(shí)例包括丙烯酸酯基單體、二苯甲酮基單體、苯乙酮基單體和噻噸酮基單體。更具體地說(shuō)，可使用環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、2，4-二乙基蒽酚酮(diethyloxanthone)、或2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮?；?重量份的碳基材料，該感光樹(shù)脂的量可為約2-20重量份，優(yōu)選約5-15重量份。當(dāng)該感光樹(shù)脂的量小于約2重量份時(shí)，會(huì)使曝光敏感度下降。當(dāng)該感光樹(shù)脂的量超過(guò)約20重量份時(shí)，會(huì)難以有效地進(jìn)行顯影。
當(dāng)感光樹(shù)脂曝光時(shí)，光引發(fā)劑引發(fā)該感光樹(shù)脂的交聯(lián)。該光引發(fā)劑的實(shí)例包括二苯甲酮?；?重量份的碳基材料，該光引發(fā)劑的量可為約0.2-4重量份，優(yōu)選約1-3重量份。當(dāng)該光引發(fā)劑的量小于約0.2重量份時(shí)，會(huì)難以實(shí)現(xiàn)高效的交聯(lián)，因此會(huì)難以形成圖案。當(dāng)該光引發(fā)劑的量超過(guò)約4重量份時(shí)，會(huì)增加生產(chǎn)成本。
該填料可改進(jìn)納米級(jí)無(wú)機(jī)材料的導(dǎo)電性，其可能不會(huì)充分地沉積到基板上。該填料的實(shí)例包括銀、鋁等。
使用形成電子發(fā)射源的組合物制備電子發(fā)射源的方法將在以下描述。
首先，可以使用如上所述的組分和量來(lái)制備形成電子發(fā)射源的組合物。
其次，該制備的形成電子發(fā)射源的組合物可被印制在基板上。該基板(電子發(fā)射源將排列其上)可以根據(jù)所要形成的電子發(fā)射裝置來(lái)變化，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地選擇所述基板。例如，當(dāng)制造其中柵電極排列在陰極和陽(yáng)極間的電子發(fā)射裝置時(shí)，該基板可為陰極；或者當(dāng)制造其中柵電極排列在陰極下面的電子發(fā)射裝置時(shí)，該基板可為使陰極和柵電極絕緣的絕緣層。
印制形成電子發(fā)射源的組合物的方法可以根據(jù)形成電子發(fā)射源的組合物是否包括感光樹(shù)脂而變化。當(dāng)該組合物包括感光樹(shù)脂時(shí)，不需要單獨(dú)的光致抗蝕劑圖案。即，包含光致抗蝕劑樹(shù)脂的形成電子發(fā)射源的組合物可被施加于基板，形成電子發(fā)射源的區(qū)域可隨后被曝光和顯影。
另一方面，當(dāng)形成電子發(fā)射源的組合物不包含感光樹(shù)脂時(shí)，需要使用單獨(dú)的光致抗蝕劑圖案的光刻方法。即，使用光致抗蝕劑薄膜形成光致抗蝕劑圖案，然后使用光致抗蝕劑圖案提供形成電子發(fā)射源的組合物。
可在基本上無(wú)氧的惰性氣體氣氛下焙燒該印制的形成電子發(fā)射源的組合物。此焙燒處理可改進(jìn)碳基材料和基板間的附著力，可使載體揮發(fā)和基本上除去，可使無(wú)機(jī)粘結(jié)劑熔化和固化等，其可有助于改進(jìn)電子發(fā)射源的耐用性。
應(yīng)該根據(jù)載體的揮發(fā)溫度和揮發(fā)時(shí)間來(lái)確定焙燒溫度。該焙燒溫度可為約350-500℃，優(yōu)選為約450℃。當(dāng)焙燒溫度小于約350℃時(shí)，會(huì)不能充分地?fù)]發(fā)。當(dāng)焙燒溫度超過(guò)約500℃時(shí)，會(huì)增加生產(chǎn)成本并可能損害基板。
如果必要的話(huà)，可以對(duì)焙燒生成物進(jìn)行激活處理。在激活處理的實(shí)施方式中，例如含聚酰亞胺基聚合物的電子發(fā)射源表面處理試劑之類(lèi)的溶液(其可通過(guò)熱處理固化為薄膜形式)可被施加于被剝離的該焙燒的組合物，然后被熱處理以形成薄膜。在激活處理的另一個(gè)實(shí)施方式中，可在輥(其由某一操作源操作)表面上形成粘附部分，以某一壓力將該輥壓在焙燒的組合物的表面上。通過(guò)激活過(guò)程，納米級(jí)無(wú)機(jī)材料可被控制以便朝該電子發(fā)射源的表面或朝基本上垂直于該電子發(fā)射源的表面的方向暴露出來(lái)。
所得的電子發(fā)射源包含碳基材料和UV屏蔽材料。如果必要的話(huà)，可進(jìn)一步包括玻璃料?；?重量份的碳基材料，該玻璃料的量可為約0.25-10重量份。當(dāng)該玻璃料的量小于約0.25重量份時(shí)，該電子發(fā)射源的粘附力可能降低。當(dāng)該玻璃料的量超過(guò)約10重量份時(shí)，電子發(fā)射性能可能降低。
本發(fā)明的電子發(fā)射源的電流密度在5V/μm下可為約100-2000μA/cm2，優(yōu)選約500-1500μA/cm2。具有這種電流密度的電子發(fā)射源可適用于可用作顯示設(shè)備或背光裝置的電子發(fā)射裝置。
下面參考圖3說(shuō)明電子發(fā)射裝置的示范性實(shí)施方式，所述電子發(fā)射裝置包括本發(fā)明的電子發(fā)射源。
圖3是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的三極管電子發(fā)射裝置的示意圖。參考圖3，電子發(fā)射裝置200包括上極板201和下極板202。上極板201包括上基板190、陽(yáng)極180和磷光體層170，所述陽(yáng)極180排列在上基板190的下表面190a上，所述磷光體層170排列在陽(yáng)極180的下表面180a上。
下極板202包括下基板110、陰極120、柵電極140、絕緣層130、電子發(fā)射源孔169和電子發(fā)射源160，所述下基板110面對(duì)上基板190以預(yù)定距離配置，所述陰極120以條紋形式配置在下基板110上，所述柵電極140以條紋形式配置并橫跨陰極120，所述絕緣層130配置在柵電極140和陰極120之間，所述電子發(fā)射源孔169配置在柵電極140的一部分中。所述電子發(fā)射源160配置在電子發(fā)射源孔169中，與陰極120電耦合，并且高度低于柵電極140。電子發(fā)射源160的詳細(xì)說(shuō)明如上所述。
上極板201和下極板202保持在壓強(qiáng)低于大氣壓的真空下，并且隔板192排列在上極板201和下極板202之間以便支承上極板201和下極板202和劃分出發(fā)射空間210。
陽(yáng)極180施加所需電壓來(lái)加速?gòu)碾娮影l(fā)射源160發(fā)射出的電子以便使得電子在高速下與磷光體層170碰撞。這樣，磷光體層170被激發(fā)并且其能級(jí)下降到低水平，從而發(fā)射可見(jiàn)光線(xiàn)。
柵電極140使得電子易于從電子發(fā)射源160發(fā)射，絕緣層130劃分出電子發(fā)射源孔169并使柵電極140與電子發(fā)射源160絕緣。
圖3所示的三極管電子發(fā)射裝置僅僅是一個(gè)實(shí)例，本發(fā)明的示范性實(shí)施方式也可包括二極管及其他電子發(fā)射裝置。另外，本發(fā)明包括具有放置于陰極下的柵電極的電子發(fā)射裝置，以及具有柵格/網(wǎng)孔的電子發(fā)射裝置，所述柵格/網(wǎng)孔防止由于放電產(chǎn)生的電弧損壞柵電極和/或陰極，并保證電子發(fā)射源發(fā)射的電子的會(huì)聚。所述電子發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于顯示設(shè)備。
參考以下實(shí)施例，本發(fā)明的示范性實(shí)施方式將被更詳細(xì)地說(shuō)明，所述實(shí)施例僅僅是說(shuō)明性的目的而不意圖限制本發(fā)明的范圍。
制備實(shí)施例1將1g的CNT粉末(多壁納米管(MWNT)，ILJIN Nanotech Co.Ltd)、5g的炭黑作為UV屏蔽材料、10g的聚酯丙烯酸酯、5g的二苯甲酮、4g的乙基纖維素、10g的玻璃料和25g的金屬填料添加到40g的萜品醇中，然后攪拌該混合物以制備形成電子發(fā)射源的組合物。
制備實(shí)施例2以和制備實(shí)施例1同樣的方式制備形成電子發(fā)射源的組合物，不同的是用5g的TiO2作為UV屏蔽材料以代替5g的炭黑。
制備實(shí)施例3以和制備實(shí)施例1同樣的方式制備形成電子發(fā)射源的組合物，不同的是用5g的Cr2O3作為UV屏蔽材料以代替5g的炭黑。
對(duì)比制備例1
將1g的CNT粉末(MWNT，Iljin nanotech)、5g的聚酯丙烯酸酯和5g的二苯甲酮添加到10g的萜品醇中，然后攪拌該混合物以制備形成電子發(fā)射源的組合物。
實(shí)施例1在制備實(shí)施例1中所獲得的形成電子發(fā)射源的組合物被印制在具有Cr柵電極、絕緣層和ITO電極的基板上，然后使用圖案掩模和平行曝光系統(tǒng)用2000mJ/cm2的曝光能量對(duì)其進(jìn)行照射。然后用丙酮對(duì)該曝光的生成物進(jìn)行顯影，并且在氮?dú)庀略?50℃焙燒以形成電子發(fā)射源。
其后，將具有作為陽(yáng)極的ITO層和磷光體層的基板面對(duì)著具有形成在其上的電子發(fā)射源的基板進(jìn)行配置，并在兩個(gè)基板之間配置隔板以在基板間保持間隙，從而完成電子發(fā)射裝置。
實(shí)施例2和3以和實(shí)施例1同樣的方式制造電子發(fā)射裝置，不同的是使用在制備實(shí)施例2和3中獲得的形成電子發(fā)射源的組合物而不是在制備實(shí)施例1中獲得的形成電子發(fā)射源的組合物。
對(duì)比例1以和實(shí)施例1同樣的方式制造電子發(fā)射裝置，不同的是使用在對(duì)比制備例1中獲得的形成電子發(fā)射源的組合物而不是在制備實(shí)施例1中獲得的形成電子發(fā)射源的組合物。
使用脈沖電源和電流表測(cè)量實(shí)施例1、2和3和對(duì)比例1中制造的電子發(fā)射裝置的電流密度。
比較結(jié)果，同對(duì)比例1的電子發(fā)射裝置相比，實(shí)施例1、2和3的電子發(fā)射裝置具有改進(jìn)的電流密度和因此改進(jìn)的電子發(fā)射性能。
使用掃描電子顯微鏡(SEM)查看在實(shí)施例1和對(duì)比例1中制備的電子發(fā)射源的薄膜圖案，其結(jié)果如圖4和圖5所示。
圖4是實(shí)施例1的電子發(fā)射源的薄膜圖案的SEM圖像，圖5是對(duì)比例1的電子發(fā)射源的薄膜圖案的SEM圖像。參考圖4和圖5，可見(jiàn)同對(duì)比例1的電子發(fā)射源相比，實(shí)施例1的電子發(fā)射源具有改進(jìn)銳度的薄膜圖案。
盡管未在圖4中顯示，但同對(duì)比例1的電子發(fā)射源相比，實(shí)施例2和3的電子發(fā)射源具有改進(jìn)銳度的薄膜圖案。
本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的形成電子發(fā)射源的組合物包含UV屏蔽材料。因此，電子發(fā)射源尖端的銳度可被更容易地控制。當(dāng)使用形成電子發(fā)射源的組合物時(shí)，可增加形成電子發(fā)射源的加工余量，可將柵電極和電子發(fā)射源間的距離保持在設(shè)計(jì)值內(nèi)，可使得由該組合物產(chǎn)生的電子發(fā)射源具有基本上均勻的電子發(fā)射性能，并且可以防止由于曝光過(guò)度而引起的電子發(fā)射源和柵電極之間的短路。
當(dāng)使用本發(fā)明的電子發(fā)射源時(shí)，電子發(fā)射裝置可具有改進(jìn)的可靠性。
對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是，在不背離本發(fā)明精神或范圍的條件下，在本發(fā)明中可產(chǎn)生多種變型和變化。因此，本發(fā)明的范圍涵蓋了本發(fā)明的變型和變化，只要所述變型和變化屬于權(quán)利要求和其等價(jià)物的范圍。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射源，包括碳基材料；和UV屏蔽材料。
2.權(quán)利要求1的電子發(fā)射源，其中，基于1重量份的碳基材料，UV屏蔽材料的量是約0.1-50重量份。
3.權(quán)利要求1的電子發(fā)射源，其中UV屏蔽材料為至少一種選自V、Cr、Mn、Cu、V的氧化物、Cr的氧化物、Mn的氧化物、Cu的氧化物、TiO2、ZnO和炭黑的材料。
4.權(quán)利要求1的電子發(fā)射源，其中碳基材料包括碳納米管、石墨、金剛石、富勒烯和碳化硅中的至少一種。
5.權(quán)利要求1的電子發(fā)射源，其還包括玻璃料，其中，基于1重量份的碳基材料，玻璃料的量是約0.25-10重量份。
6.一種電子發(fā)射裝置，包括權(quán)利要求1的電子發(fā)射源。
7.權(quán)利要求6的電子發(fā)射裝置，還包括第一基板；面對(duì)所述第一基板的第二基板；配置在所述第一基板上的陰極；配置在所述第二基板上的陽(yáng)極；和磷光體層，其由于從所述電子發(fā)射源發(fā)射的電子而發(fā)光，其中所述電子發(fā)射源與所述陰極電耦合。
8.一種制備電子發(fā)射源的方法，包括將形成電子發(fā)射源的組合物印制在基板上；和焙燒該印制的形成電子發(fā)射源的組合物，其中該形成電子發(fā)射源的組合物包括碳基材料、含樹(shù)脂和溶劑的載體和UV屏蔽材料。
9.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括使形成電子發(fā)射源的區(qū)域曝光和顯影，其中所述形成電子發(fā)射源的組合物進(jìn)一步包括至少一種選自玻璃料、感光樹(shù)脂、光引發(fā)劑和填料的材料。
10.權(quán)利要求8的方法，其中所述焙燒是在約350℃-500℃的溫度下進(jìn)行的。
11.權(quán)利要求10的方法，其中所述焙燒是在約450℃的溫度下進(jìn)行的。
12.一種形成電子發(fā)射源的組合物，包括碳基材料；含樹(shù)脂和溶劑的載體；和UV屏蔽材料。
13.權(quán)利要求12的形成電子發(fā)射源的組合物，其中，基于1重量份的碳基材料，所述UV屏蔽材料的量是約0.1-50重量份。
14.權(quán)利要求12的形成電子發(fā)射源的組合物，其中所述UV屏蔽材料為至少一種選自V、Cr、Mn、Cu、V的氧化物、Cr的氧化物、Mn的氧化物、Cu的氧化物、TiO2、ZnO和炭黑的材料。
15.權(quán)利要求12的形成電子發(fā)射源的組合物，其中所述碳基材料包括碳納米管、石墨、金剛石、富勒烯和碳化硅中的至少一種。
16.權(quán)利要求15的形成電子發(fā)射源的組合物，其中所述碳基材料包括碳納米管。
17.權(quán)利要求12的形成電子發(fā)射源的組合物，還包括玻璃料，其中，基于1重量份的碳基材料，所述玻璃料的量是約0.25-50重量份。
18.權(quán)利要求12的形成電子發(fā)射源的組合物，還包括至少一種選自玻璃料、感光樹(shù)脂、光引發(fā)劑和填料的材料。
19.權(quán)利要求12形成電子發(fā)射源的組合物，其中，基于1重量份的碳基材料，所述樹(shù)脂的量是約1-20重量份；而基于1重量份的碳基材料，所述溶劑的量是約5-60重量份。
20.權(quán)利要求19的形成電子發(fā)射源的組合物，其中，基于1重量份的碳基材料，所述樹(shù)脂的量是約2-10重量份；而基于1重量份的碳基材料，所述溶劑的量是約10-40重量份。
全文摘要
一種包括碳基材料和UV屏蔽材料的電子發(fā)射源、制備該電子發(fā)射源的方法和使用該電子發(fā)射源的電子發(fā)射裝置。UV屏蔽材料被添加到形成電子發(fā)射源的組合物中以更容易地控制電子發(fā)射源尖端的銳度。電子發(fā)射源組合物可包括碳基材料、含樹(shù)脂和溶劑的載體和UV屏蔽材料。
文檔編號(hào)H01J1/304GK1862747SQ20061007987
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2006年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月14日
發(fā)明者文鐘云, 趙晟希, 河在相 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社