專利名稱：：電子發(fā)射源及應(yīng)用其的場(chǎng)發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種電子發(fā)射源，且本發(fā)明是關(guān)于一種含有上述電子發(fā)射源的場(chǎng)發(fā)射顯示器。
背景技術(shù)：
：顯示器在人們現(xiàn)今生活中的重要性日益增加，除了使用計(jì)算機(jī)或因特網(wǎng)外，電視機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)等，均須透過(guò)顯示器控制來(lái)傳遞訊息。相較于傳統(tǒng)映像管顯示器，新世代的平面顯示器具有重量輕、體積小、及符合人體健康的優(yōu)點(diǎn)。在眾多新興的平面顯示器技術(shù)中，場(chǎng)發(fā)射顯示器(fieldemissiondisplay,FED)不僅擁有傳統(tǒng)映像管高畫(huà)質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)，且相較于液晶顯示器的視角較小、使用溫度范圍過(guò)小、及反應(yīng)速度慢的缺點(diǎn)而言，場(chǎng)發(fā)射顯示器具有高發(fā)光效率、反應(yīng)時(shí)間迅速、良好的協(xié)調(diào)顯示性能、超過(guò)100ftL的高亮度、輕薄構(gòu)造、寬廣視角、工作溫度范圍大、高行動(dòng)效率等優(yōu)點(diǎn)。此外，F(xiàn)ED使用時(shí)不需背光模塊。所以即使在戶外陽(yáng)光下使用，依然能夠提供優(yōu)異的亮度表現(xiàn)。因此，目前FED己被視為相當(dāng)有機(jī)會(huì)與液晶顯示技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，甚至將其取代的新顯示技術(shù)。場(chǎng)發(fā)射顯示器的工作原理與傳統(tǒng)陰極映像管相似，須在低于IO6torr的真空環(huán)境下利用電場(chǎng)將陰極尖端的電子拉出，并且在陽(yáng)極板正電壓的加速下，撞擊陽(yáng)極板的熒光粉而產(chǎn)生發(fā)光(Luminescence)現(xiàn)象。一般場(chǎng)發(fā)射顯示器是控制施加于陰極與閘極間的電壓差的變化，而在指定的時(shí)間使每個(gè)電子發(fā)射體射出電子。為了符合場(chǎng)發(fā)射陰極的需求，場(chǎng)發(fā)射陰極的功函數(shù)與尖端幾何結(jié)構(gòu)越小越好。對(duì)于目前場(chǎng)發(fā)射顯示器的電子發(fā)射體的研究方向，多以碳材為主，主要是因?yàn)楝F(xiàn)有金屬錐電子發(fā)射組件的壽命短暫且制作不易，故現(xiàn)今多采用具有化學(xué)穩(wěn)定性、電傳導(dǎo)性、或低電子親和性的碳材作為發(fā)展對(duì)象。相關(guān)的碳材有非晶是碳薄膜(amorphouscarbonfilm)、鉆石薄膜(diamondfilm)、類(lèi)鉆碳薄膜(diamond-likecarbonfilm)、以及納米碳管(carbonnanotube)。由于納米碳管具有高的高寬比結(jié)構(gòu)特征，使其擁有低啟始電壓與高電流發(fā)射密度等性質(zhì)，即具有良好的場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子，因此成為目前熱門(mén)的場(chǎng)發(fā)射電子材料。然而，當(dāng)納米碳管面臨后續(xù)組件制程的應(yīng)用時(shí)，卻因其納米級(jí)結(jié)構(gòu)而難以均勻分散于欲配制的電子發(fā)射漿料中，導(dǎo)致電流分布不均而減少其使用壽命等問(wèn)題。此外，因納米結(jié)構(gòu)伴隨表面積大的物性，將造成其不穩(wěn)定的因素。因此，納米碳管尚須進(jìn)行表面改質(zhì)，方可增加場(chǎng)發(fā)射的穩(wěn)定性。類(lèi)鉆碳主要是由SP3立體結(jié)構(gòu)與SP2平面結(jié)構(gòu)的非晶碳所組成。由于SP3易有負(fù)電子親和能與較強(qiáng)的機(jī)械性質(zhì)，且SP2具有較佳的導(dǎo)電性質(zhì)，所以兩者所形成的類(lèi)鉆碳材料可兼具有低電子親和能以及導(dǎo)電性等特色。目前亟需一種可具有良好的場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子的類(lèi)鉆碳的電子發(fā)射材料，其不僅可具有高的高寬比結(jié)構(gòu)特征，且具有低的電子親和力的性質(zhì)。此外，因類(lèi)鉆碳具有穩(wěn)定的材料特性，可利于后續(xù)組件的制作，以成為良好的電子發(fā)射材料。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是揭示一種電子發(fā)射源以及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器，其中作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射層，是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。本發(fā)明類(lèi)鉆碳組成物中片狀結(jié)構(gòu)的高度約為微米級(jí)尺寸，片狀結(jié)構(gòu)的厚度約為納米級(jí)尺寸，所以本發(fā)明中多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物可具有高的高寬比。通過(guò)此，本發(fā)明的類(lèi)鉆碳膜可具有很良好的場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子，以便能易于發(fā)射電子而成為良好的電子發(fā)射源。此外，本發(fā)明制作上使用射頻濺鍍法沉積類(lèi)鉆碳薄膜，可實(shí)現(xiàn)大面積化制程，以降低制備時(shí)間與制作成本。本發(fā)明提供一種電子發(fā)射源，是包括一基板；以及一電子發(fā)射層，形成于基板表面；其中，電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。本發(fā)明的另一態(tài)樣，是一種電子發(fā)射源，包括一基板；一導(dǎo)電層，是形成于該基板表面；以及一電子發(fā)射層，是形成于該導(dǎo)電層表面；其中，該電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。本發(fā)明更提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示器，包括有一含有一熒光粉層與--陽(yáng)極層的上基板；以及一含有一電子發(fā)射層與一陰極層的下基板，且電子發(fā)射層緊鄰于陰極層，彼此并電性連接；其中，該電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。其中，本發(fā)明結(jié)構(gòu)中，類(lèi)鉆碳膜層的片狀結(jié)構(gòu)是以一漿料形式形成于基板表面。此外，片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度可介于0.5pm至4.0pm之間，且較佳可介于0.9pm至2.0)im之間。同時(shí)，本發(fā)明類(lèi)鉆碳膜層的片狀結(jié)構(gòu)的厚度較佳可介于0.005,i至O.lfim之間，且更佳可介于0.005pm至0.05pm之間。由于本發(fā)明結(jié)構(gòu)中類(lèi)鉆碳膜層的片狀結(jié)構(gòu)，可具有微米級(jí)的高度以及納米級(jí)的厚度，故其結(jié)構(gòu)具有高的高寬比，而易于發(fā)射電子。在本發(fā)明所提供的結(jié)構(gòu)中，使用的基板材料無(wú)限制，較佳可為半導(dǎo)體材料、或玻璃材料。為了增加本發(fā)明電子發(fā)射效果，本發(fā)明基板表面可選擇性更包含一導(dǎo)電層，介于基板與類(lèi)鉆碳膜層之間。本發(fā)明導(dǎo)電層所適用的材料可為任何可導(dǎo)電材料，較佳可為氧化銦錫、氧化鋅、氧化鋅錫、或金屬材料，如銀膠。本發(fā)明一較佳具體實(shí)施例中，所使用的基板為玻璃材時(shí)，該玻璃基板表面涂覆有一導(dǎo)電層，以使片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳膜層易形成于導(dǎo)電層表面。如此，可通過(guò)由導(dǎo)電層而提供一電流于片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳膜層，使類(lèi)鉆碳膜層可作為一電子發(fā)射源。本發(fā)明另一較佳具體例中，基板為一半導(dǎo)體材料，由于基板材料具有電導(dǎo)通性，所以片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳膜層可直接形成于基板表面，即成為一電子發(fā)射源。本發(fā)明電子發(fā)射源中的類(lèi)鑽碳膜的片狀結(jié)構(gòu)無(wú)限制，較佳可為長(zhǎng)條狀、彎曲片狀。其中，該片狀結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)為具有高的高寬比結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明的類(lèi)鉆碳薄膜可具有很大的場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子，使的成為良好的電子發(fā)射源。本發(fā)明電子發(fā)射源可應(yīng)用任何需要電子發(fā)射的
技術(shù)領(lǐng)域：
，較佳可應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射組件、場(chǎng)發(fā)射顯示器、或平面光源等的冷陰極發(fā)射源。此外，本發(fā)明場(chǎng)發(fā)射顯示器中，電子發(fā)射層組成物較佳可更包括一粘著材料，以利于結(jié)合類(lèi)鉆碳材料與導(dǎo)電材料，成為一混合均勻的組成物。其中，本發(fā)明適用的粘著材料無(wú)限制，較佳可為乙烯纖維素(ethylcellulose)。本發(fā)明場(chǎng)發(fā)射顯示器可更包括一介于上基板與下基板間的閘極層，且本發(fā)明閘極層可為現(xiàn)有的任一種場(chǎng)發(fā)射顯示器適用的閘極，較佳可為多數(shù)個(gè)具有中空孔洞的環(huán)狀閘極。通過(guò)此，本發(fā)明閘極層可于指定的時(shí)間使每個(gè)電子發(fā)射體準(zhǔn)確地射出電子。另外，本發(fā)明場(chǎng)發(fā)射顯示器的上基板可更包括一遮光層，且該遮光層可密接于熒光粉層旁，以用來(lái)遮除漏光并增加畫(huà)面對(duì)比?，F(xiàn)有利用納米碳管的場(chǎng)發(fā)射顯示器中，因納米碳管的結(jié)構(gòu)尺寸過(guò)小，所以在配制電子發(fā)射源漿料的過(guò)程中，納米碳管難以均勻分散，而導(dǎo)致所制作的電子發(fā)射源無(wú)法均勻發(fā)射電子。然而，本發(fā)明所使用的微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳較易于分散于所配制的組成物中，即能制成一均勻發(fā)射電子的場(chǎng)發(fā)射源。通過(guò)此，本發(fā)明場(chǎng)發(fā)射顯示器可輕易完成電子發(fā)射層的制作，以符合大尺寸玻璃基板的場(chǎng)發(fā)射平面顯示器的制作需求。相較于現(xiàn)有納米碳管材料，本發(fā)明所使用的微米級(jí)結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳材料的成長(zhǎng)制程溫度較低，且可直接生長(zhǎng)于基板表面，故有利于制程的應(yīng)用。此外，本發(fā)明類(lèi)鉆碳的片狀結(jié)構(gòu)具有高的高寬比特征，所以可具有很高的場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子，以應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射組件、場(chǎng)發(fā)射顯示器、或平面光源等的冷陰極發(fā)射源。圖l是本發(fā)明實(shí)施例l中制作類(lèi)鉆碳膜層時(shí)使用的濺鍍反應(yīng)室的示意圖2本發(fā)明實(shí)施例1制作的類(lèi)鉆碳粉的掃瞄式電子顯微鏡(SEM)照片圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例用以測(cè)試場(chǎng)發(fā)射效能的二極式裝置示意圖4是實(shí)施例2中，將類(lèi)鉆碳粉調(diào)配為一組合物，作為電子發(fā)射源所量測(cè)的場(chǎng)發(fā)射結(jié)果圖5是實(shí)施例2中用以測(cè)試場(chǎng)發(fā)射效能的三極式裝置示意圖；圖6是為本發(fā)明實(shí)施例3中場(chǎng)發(fā)射測(cè)試結(jié)果圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1基板7基板10加熱器12耙材A、B、C氣體提供單元31類(lèi)鉆碳膜漿料層33陽(yáng)極層(導(dǎo)電層)71陰極層74閘極層76陽(yáng)極層111遮蔽板302、702陽(yáng)極板測(cè)試片11承載臺(tái)13電源al、bl、cl32基板35凹趟曰73絕緣層75基板100反應(yīng)室301、701,體供應(yīng)閥具體實(shí)施方式實(shí)施例l下述內(nèi)容將說(shuō)明本發(fā)明一較佳具體實(shí)施例的類(lèi)鉆碳膜層的制作方法，請(qǐng)一并參照?qǐng)Dl所示。圖l是為本實(shí)施例制作類(lèi)鉆碳膜層所使用的濺鍍反應(yīng)室100的示意圖。首先，提供一可進(jìn)行濺鍍的反應(yīng)室ioo，且該反應(yīng)室100中包含一用以加熱基板i的加熱器io、一用以承載基板l的承載臺(tái)ll、一用以施予靶材12電壓的電源器13、以及多數(shù)個(gè)用以提供反應(yīng)氣體的氣體提供單元A、B、C。本發(fā)明制作類(lèi)鉆碳膜層時(shí)，氣體提供單元可依據(jù)制程需求的氣體條件而增設(shè)或減少，并非限于本實(shí)施例所述的設(shè)備。接著，清潔基板l表面，并且將其置入反應(yīng)室100的承載臺(tái)11上，以固定基板l。其中，本實(shí)施例所采用的基板l是為一半導(dǎo)體材的硅晶圓片。利用一抽真空裝置14將反應(yīng)室100抽真空至1X10-5torr以下，并且利用加熱器io將基板i加熱至50(rc。然后，通過(guò)由氣體提供單元A、B、C提供反應(yīng)所需的氣體，并且利用質(zhì)流控制器(massflowcontroller,圖未示)控制各個(gè)氣體進(jìn)入該反應(yīng)室IOO的流量。其中，本實(shí)施例氣體提供單元A、B、C是分別為一提供氬氣、甲垸、氫氣的氣體供應(yīng)源。并且，本實(shí)施例是通過(guò)由各個(gè)氣體供應(yīng)閥al、bl、cl，并且按制程條件以控制三種氣體是否導(dǎo)入反應(yīng)室IOO。其中，本實(shí)施例導(dǎo)入反應(yīng)室100的氣體包含有氬氣、甲烷、與氫氣，且其氣體比例為2:1:1，如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>在本例中，當(dāng)反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)室ioo后，反應(yīng)室內(nèi)的壓力約控制在9^10-3torr。當(dāng)然，本發(fā)明濺鍍反應(yīng)的環(huán)境壓力并非限本實(shí)施例所述的內(nèi)容，可依據(jù)制程需求而調(diào)整。隨即，以200\^射頻功率對(duì)石墨靶材12進(jìn)行30分鐘的預(yù)濺鍍(1^sputtered)反應(yīng)后，以除去耙材12表面可能存在的污染物。接著，開(kāi)啟遮蔽板lll，并且對(duì)基板1表面進(jìn)行70分鐘的濺鍍反應(yīng)，以于基板l表面成長(zhǎng)一類(lèi)鉆碳膜層。實(shí)施例2將實(shí)施例l所制作的類(lèi)鉆碳膜層自基板表面刮下，以獲得一類(lèi)鉆碳粉。將類(lèi)鉆碳粉、銀粉、與粘著劑調(diào)配成一漿料(paste)，以作為電子發(fā)射源材料用。圖2是為實(shí)施例1所獲得的類(lèi)鉆碳粉的掃瞄式電子顯微鏡照片圖。取8.7%的類(lèi)鉆碳粉、8.7%的玻璃粉、以及82.6%的銀粉均勻混合，并且加入乙烯纖維素(ethylcellulose)作為粘著劑，以調(diào)配成一作為電子發(fā)射源材料的漿料。本例中陰極板是采用一表面含有一導(dǎo)電銀膠層(silverpaste)的玻璃基板，并且將上述制得的電子發(fā)射源漿料涂覆于該銀膠層表面，即完成本例的陰極板的構(gòu)造。且，本例的陽(yáng)極板是相同于實(shí)施例l所述的通過(guò)由二極式裝置以測(cè)試該等組合物的場(chǎng)發(fā)射效果。圖3是為本實(shí)施例用以測(cè)試場(chǎng)發(fā)射效能的二極式裝置(diodeconfiguration)示意圖。于本實(shí)施例的場(chǎng)發(fā)射測(cè)試中，本實(shí)施例是將一具有類(lèi)鉆碳膜漿料層31的測(cè)試片3作為一陰極板301，并且將一具有導(dǎo)電層33的基板32作為一陽(yáng)極板302,其中導(dǎo)電層33為氧化銦錫(ITO)。首先，將陰極板301置入一凹槽35內(nèi)，于凹槽35上方覆蓋有一陽(yáng)極板302。將該凹槽35放置于真空腔體內(nèi)，抽真空至lX10-6torr以下，并且于兩極板301、302間施予一電壓，以量測(cè)陰極板301的電子發(fā)射源發(fā)射出的電流量。圖4為將類(lèi)鉆碳粉調(diào)配為一漿料組合物以作為電子發(fā)射源所量測(cè)的場(chǎng)發(fā)射結(jié)果圖。圖中顯示，電子發(fā)射源漿料燒結(jié)后的場(chǎng)發(fā)射效果優(yōu)于未燒結(jié)的電子發(fā)射源漿料。當(dāng)施加相同電壓于兩電極板間時(shí)，已于基板表面燒結(jié)成形的電子發(fā)射源所發(fā)射的電流量較高。圖5為本測(cè)試?yán)褂玫娜龢O式場(chǎng)發(fā)射量測(cè)裝置。本測(cè)試?yán)捎玫碾娮影l(fā)射源是相同于實(shí)施例2所述的內(nèi)容，即采用相同的調(diào)配條件，以獲得電子發(fā)射源漿料。如圖5示，相較于二極式場(chǎng)發(fā)射量測(cè)裝置，本例的三極式場(chǎng)發(fā)射量測(cè)裝置中，陰極板701上增加了一閘極層74與一用以隔絕該陰極層71與該閘極層74的絕緣層73。如此即為一具有陰極層71、閘極層74、與陽(yáng)極層76實(shí)施例3的三極式場(chǎng)發(fā)射量測(cè)裝置。其中，本測(cè)試?yán)年帢O層71是為鉬/鈦金屬，閘極層74是為鉬金屬，且陽(yáng)極層76是為氧化銦錫。本例的電子發(fā)射源漿料是涂覆于陰極層71表面，并且施加一電場(chǎng)于兩極板701、702之間，以進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射效果的測(cè)試。同時(shí)，于陰極層71與該閘極層74施予一電壓差，以提升電子發(fā)射源的電子發(fā)射效果。圖6為本例的場(chǎng)發(fā)射結(jié)果圖。當(dāng)施加于兩極板之間的電場(chǎng)越大時(shí)，電子發(fā)射源的電流密度越高。此外，由圖6知，施予于陰極層71與該閘極層74的電壓差由5V至35V遞增時(shí)，即能大幅提升場(chǎng)發(fā)射效果。然而，此施加的電壓差亦有所限制，如果已超過(guò)組件所負(fù)荷的范圍，例如于陰極層71與該閘極層74間施加40V與50V的壓差，大多數(shù)電子將被吸引至閘極而將造成反效果。因此，經(jīng)由上述各例結(jié)果顯示，本發(fā)明所制作的類(lèi)鉆碳結(jié)構(gòu)有助于提升電子發(fā)射的效果，不僅可將類(lèi)鉆碳均勻分散于配制的電子發(fā)射源材料中，亦可將形成于基板的片狀結(jié)構(gòu)作為電子發(fā)射源。且，兩種不同方法所獲得的場(chǎng)發(fā)射效果皆具有低起始電壓，足以作為一良好的陰極電子發(fā)射源。實(shí)施例4下述內(nèi)容將說(shuō)明本發(fā)明一較佳具體實(shí)施例的場(chǎng)發(fā)射顯示器。本實(shí)施例場(chǎng)發(fā)射顯示器是相似于實(shí)施例3所述的三極式場(chǎng)發(fā)射量測(cè)裝置，除了陽(yáng)極板另包含有一熒光粉層、以及一遮光層的外，下基板的構(gòu)造相同于實(shí)施例3所示的內(nèi)容。本實(shí)施例場(chǎng)發(fā)射顯示器的電子發(fā)射源是采用一含有類(lèi)鉆碳粉、玻璃粉、銀粉、以及乙烯纖維素所調(diào)配的電子發(fā)射源漿料，涂覆于一具有導(dǎo)電銀膠的陰極層表面，最后燒結(jié)以形成一電子發(fā)射層。于本實(shí)施例中，施加一電場(chǎng)于場(chǎng)發(fā)射顯示器的兩極板間，且同時(shí)施加一電壓差于閘極層與陰極層之間時(shí)，則電子發(fā)射源會(huì)發(fā)射出電子而撞擊陽(yáng)極板的熒光粉層，進(jìn)而產(chǎn)生發(fā)光(Luminescence)現(xiàn)象。實(shí)施例5本實(shí)施例場(chǎng)發(fā)射顯示器是相似于實(shí)施例4所述的結(jié)構(gòu)，除了下基板的電子發(fā)射源有所不同。于本實(shí)施例中，下基板表面是含有一鉬/鈦金屬層以作為一陰極層，且本實(shí)施例所使用的基板是為一玻璃材。此外，本實(shí)施例的陰極層表面是具有一圖案化的絕緣層與閘極層，以暴露出部分的陰極表面。本實(shí)施例的絕緣層是介于陰極層與閘極層之間，以提供電性隔絕用。將上述的下基板結(jié)構(gòu)置入一濺鍍反應(yīng)室中，并且進(jìn)行如實(shí)施例一所述的濺鍍反應(yīng)，即能于暴露的陰極表面成長(zhǎng)一具有類(lèi)鉆碳膜層的電子發(fā)射層。最后，移除閘極表面所沉積的類(lèi)鉆碳膜層，即獲得本實(shí)施例場(chǎng)發(fā)射顯示器的下基板結(jié)構(gòu)。其中，本實(shí)施例類(lèi)鉆碳膜層所具有的結(jié)構(gòu)特征皆相似于實(shí)施例l的類(lèi)鉆碳膜層結(jié)構(gòu)。綜上所述，本發(fā)明可制作一具有微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳，由于該微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)具有高的高寬比的特征，故可成為良好的電子發(fā)射材料，以應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射組件、場(chǎng)發(fā)射顯示器、或平面光源等的冷陰極發(fā)射源。上述實(shí)施例僅是為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請(qǐng)專利范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。權(quán)利要求1.一種電子發(fā)射源，其特征在于包括一基板；以及一電子發(fā)射層，是形成于該基板表面；其中，該電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。2.如權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該基板為半導(dǎo)體材料、金屬材料、絕緣材料或玻璃材料。3.如權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該組成物更包括一導(dǎo)電材料、一粘著材料、或其組合。4.如權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)為彎曲片狀結(jié)構(gòu)、長(zhǎng)條片狀結(jié)構(gòu)、或其組合。5.如權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005pm至O.lpm之間。6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005pm至0.05iam之間。7.如權(quán)利要求l所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.5pm至4.0pm之間。8.如權(quán)利要求l所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.91im至2.0pm之間。9.一種電子發(fā)射源，其特征在于包括一基板；一導(dǎo)電層，是形成于該基板表面；以及--電子發(fā)射層，是形成于該導(dǎo)電層表面；其中，該電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。10.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該基板為半導(dǎo)體材料、金屬材料或玻璃材料。11.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該組成物更包括一導(dǎo)電材料、一粘著材料、或其組合。12.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)是為彎曲片狀結(jié)構(gòu)、長(zhǎng)條片狀結(jié)構(gòu)、或其組合。13.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005pm至O.lpm之間。14.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005pm至0.05一m之間。15.如權(quán)利要求9所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.5pm至4.0(im之間。16.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射源，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.9fim至2.0^m之間。17.—種場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于包括一含有一熒光粉層與一陽(yáng)極層的上基板；以及一含有一電子發(fā)射層與一陰極層的下基板，且該電子發(fā)射層是緊鄰于該陰極層；其中，該電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。18.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該組成物更包括一導(dǎo)電材料、一粘著材料、或其組合。19.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)是為彎曲片狀結(jié)構(gòu)、長(zhǎng)條片狀結(jié)構(gòu)、或其組合。20.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.5pm至4.0pm之間D21.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面高度是介于0.9^im至2.0pm之間。22.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005jim至0.1(im之間。23.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該片狀結(jié)構(gòu)的厚度是介于0.005[im至O.O5pm之間。24.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，更包括-一閘極層，是介于該陰極板與該陽(yáng)極板之間，且該閘極層是為多數(shù)個(gè)閘極。25.如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器，其特征在于，所述該上基板更包括一遮光層，且該遮光層是密接于該熒光粉層。全文摘要本發(fā)明一種電子發(fā)射源以及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器的結(jié)構(gòu)，其中電子發(fā)射源，包括一基板；以及一電子發(fā)射層，形成于基板表面；其中，電子發(fā)射層是包括一含多數(shù)個(gè)微米級(jí)片狀結(jié)構(gòu)的類(lèi)鉆碳組成物。由于本發(fā)明類(lèi)鉆碳組成物中的片狀結(jié)構(gòu)的高度約為微米級(jí)，片狀結(jié)構(gòu)的厚度約為納米級(jí)，所以本發(fā)明類(lèi)鉆碳膜層結(jié)構(gòu)具有高的高寬比，以便能易于發(fā)射電子而成為良好的電子發(fā)射源。本發(fā)明基板表面可選擇性更包含一導(dǎo)電層，介于基板與類(lèi)鉆碳膜層之間，以增加本發(fā)明結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射效果。文檔編號(hào)H01J29/04GK101097821SQ200610086778公開(kāi)日2008年1月2日申請(qǐng)日期2006年6月26日優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日發(fā)明者羅吉宗,鄭健民申請(qǐng)人:大同股份有限公司