專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板(PDP)。特別地，本發(fā)明涉及能被更簡(jiǎn)單地制造的高效率等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示面板(PDP)利用在由氣體放電輻射的真空紫外(VUV)線激發(fā)熒光時(shí)產(chǎn)生的可見光顯示圖像。PDP被認(rèn)為是下一代的平板顯示器，因?yàn)樗鼈兛删哂懈叻直媛实膶捚痢?br> 典型的PDP結(jié)構(gòu)包括三電極表面放電結(jié)構(gòu)，其包括彼此以預(yù)定間隔分離設(shè)置的前基板和后基板。顯示電極對(duì)在前基板上形成，尋址電極在后基板上形成。障肋將兩個(gè)基板之間的空間分隔為多個(gè)放電單元，熒光層形成在后基板上每個(gè)放電單元中，放電氣體在每個(gè)放電單元中充入。
顯示電極對(duì)的一個(gè)電極和尋址電極之間的尋址放電選擇相應(yīng)的放電單元，由位于同一表面上的顯示電極在所選擇的放電單元中產(chǎn)生維持放電以顯示圖像。即，在常規(guī)的PDP中，由相對(duì)放電產(chǎn)生尋址放電，由表面放電產(chǎn)生維持放電。已知的是，通常，當(dāng)從表面放電而不是從相對(duì)放電導(dǎo)致放電時(shí)，需要更高的電壓。
PDP通常在幾個(gè)步驟中進(jìn)行放電以顯示預(yù)定圖像。然而，由于在每個(gè)步驟中的放電效率可能很低，因此由亮度對(duì)功率消耗的比率確定的PDP的效率也可能很低。
此外，如果在制造過程中不精確地對(duì)準(zhǔn)PDP，實(shí)質(zhì)上有助于光發(fā)射的熒光層的面積可能被降低。這種不對(duì)準(zhǔn)還惡化了PDP的效率。
另一方面，在常規(guī)的PDP中，可通過在基板上形成導(dǎo)電材料然后曝光并顯影該導(dǎo)電材料來制造電極。然而，由于該制造方法經(jīng)過幾個(gè)復(fù)雜的工藝，因此PDP的生產(chǎn)率受損。
在背景技術(shù)部分所披露的上述信息僅用于增加對(duì)本發(fā)明背景技術(shù)的了解，因此其可包括不形成對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在本國(guó)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種可提高發(fā)光效率的等離子顯示面板(PDP)。本發(fā)明還提供一種可被更簡(jiǎn)單地制造的PDP，從而降低制造成本。
本發(fā)明的其它特征將在下面的說明書中闡明，其中一部分從說明書中時(shí)顯而易見的，或通過本發(fā)明的實(shí)踐獲知。
本發(fā)明公開了一種等離子顯示面板，其包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板、位于該第一基板和第二基板之間的放電單元、設(shè)置在該放電單元中的熒光層、參與該放電單元的放電的電極、以及在至少一個(gè)設(shè)置在該第一基板和該第二基板之間的空間中的電極的外表面上形成的介電層。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分可形成在該介電層中，并且對(duì)應(yīng)于該介電層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分可在該第一基板和該第二基板的至少一個(gè)中形成。
本發(fā)明還公開了一種等離子顯示面板，其包括彼此面對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，其間具有多個(gè)放電單元、以及設(shè)置在該第一基板和該第二基板之間的一個(gè)層。該層包括用于在該放電單元中產(chǎn)生放電的電極和覆蓋該電極的介電層。該層包括第一對(duì)準(zhǔn)指示器，該第一基板和該第二基板的至少一個(gè)包括第二對(duì)準(zhǔn)指示器，該第二對(duì)準(zhǔn)指示器與該第一對(duì)準(zhǔn)指示器對(duì)準(zhǔn)。
應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的總體說明和以下的具體的說明都是示意性的和說明性的，其意圖在于提供對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求的進(jìn)一步的解釋。


附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例并結(jié)合說明書用于解釋本發(fā)明的原理，這些附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并被并入說明書并構(gòu)成說明書的一部分。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的等離子顯示面板(PDP)的平面圖；圖2是示出圖1的A部分的局部分解透視圖；圖3是示出沿圖2的III-III線所取的PDP的結(jié)合狀態(tài)的局部截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例制造PDP的方法的流程圖；圖5是示出在根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的PDP中對(duì)準(zhǔn)后板、前板和中間插入層的步驟的局部截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖；圖7是示出圖6的PDP的電極結(jié)構(gòu)的局部透視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示范性實(shí)施例的PDP的前板、中間插入層、后板的平面圖；圖9是示出圖8的前板、中間插入層、后板的結(jié)合狀態(tài)的平面圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的PDP的前板、中間插入層、后板的平面圖；圖11是示出在圖10的D部分中前板、中間插入層、后板的結(jié)合狀態(tài)的局部分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
下文中參考附圖更詳細(xì)地描述了本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明能夠以許多不同的形式得到體現(xiàn)，并且不能被理解為限制此處所述的實(shí)施例。而且，提供這些實(shí)施例以使得對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本公開將完全覆蓋本發(fā)明的范圍。附圖中，為清晰起見，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被放大。附圖中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
應(yīng)當(dāng)明白，諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱為在另一個(gè)元件“上”，其可以是直接設(shè)在該另一個(gè)元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“直接”在另一個(gè)元件“上”時(shí)，那就不存在中間元件。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的等離子顯示面板(PDP)的平面圖。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的PDP包括彼此相對(duì)并且分離設(shè)置的后板10和前板20。中間插入層30插入在后板10和前板20之間的空間中。中間插入層30包括電極和基本上圍繞電極的介電層。此外，后板10和前板20可包括基板和熒光層，因此通過在其中間設(shè)置中間插入層30而形成PDP。
在本示范性實(shí)施例中，在前板20中形成的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a和在中間插入層30中形成的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a是彼此對(duì)應(yīng)地形成；在后板10中形成的第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b和在前板20中形成的第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b是彼此對(duì)應(yīng)地形成。下面將描述這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a、42b、44a和44b。
參考圖2和圖3詳細(xì)描述根據(jù)第一示范性實(shí)施例的PDP。圖2是示出圖1的A部分的局部分解透視圖，圖3是示出沿圖2的III-III線所取的PDP的結(jié)合狀態(tài)的局部截面圖。
參考圖2和圖3，后板10包括后基板11、尋址電極12、介電層14、障肋16和第一熒光層19。
在后基板11的表面上沿第一方向(圖中的y軸方向)設(shè)置尋址電極12，介電層14在后基板11上形成以基本上覆蓋尋址電極12。相鄰的尋址電極12以預(yù)定距離彼此分離。
在介電層14上沿第一方向設(shè)置限定放電單元18的障肋16。放電單元18包括放電氣體(例如，包括氙(Xe)、氖(Ne)等的混合氣體)以使得在每個(gè)放電單元18中都可由等離子放電產(chǎn)生真空紫外(VUV)線。
盡管在本示范性實(shí)施例中示出條狀障肋16，但是障肋可具有不同的結(jié)構(gòu)。例如，障肋16能夠形成為矩陣以及各種其它形狀，在矩陣形式中障肋元件彼此交叉。此外，由于中間插入層30的介電層34形成為網(wǎng)格，其執(zhí)行了障肋的功能(即分隔放電單元18)。因此，在后基板11上不需要形成單獨(dú)的障肋。
第一熒光層19設(shè)置在介電層14和障肋16的側(cè)部上。第一熒光層19包括發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的熒光層，并且其吸收由等離子放電產(chǎn)生的VUV線，從而發(fā)射可見光。
該前板20包括前基板21、第二熒光層29和深色(dark colored)層28。
該第二熒光層29設(shè)置在面對(duì)后板10的前基板21的表面上，并且其對(duì)應(yīng)于第一熒光層19。例如，可沿第一方向獨(dú)立地且分離地形成第二熒光層29的發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的部分。第二熒光層29的這些部分可由熒光材料制成，該熒光材料和第一熒光層19的相應(yīng)的部分一樣產(chǎn)生相同的可見光。
如圖3所示，熒光層19和29分別形成在后板10和前板20上。因此，在放電單元18的兩側(cè)都可產(chǎn)生可見光，從而改善發(fā)光效率。
沿第一方向與第二熒光層29一起交替設(shè)置深色層28。對(duì)應(yīng)于后板10的障肋16設(shè)置深色層28，從而防止額外的可見光的截?cái)?interception)。此外，通過防止外部光的反射，深色層28可以改善亮室對(duì)比度。
中間插入層30夾置在后板10和前板20之間，并且其包括顯示電極31和32以及介電層34。顯示電極31和32以及尋址電極12參與每個(gè)放電單元18的放電。介電層34設(shè)置在顯示電極31和32的外表面上以基本上圍繞顯示電極。
在此，顯示電極31和32包括沿與第一方向交叉的第二方向(圖中的x軸方向)設(shè)置的維持電極31和掃描電極32。掃描電極32和尋址電極12參與在尋址周期期間的尋址放電，從而選擇將被導(dǎo)通的放電單元18。維持電極31和掃描電極32參與在維持周期期間的維持放電，從而顯示預(yù)定的亮度。然而，由于電極的功能可以根據(jù)施加在每個(gè)電極上的信號(hào)電壓而改變，本發(fā)明不限于此。
在本示范性實(shí)施例中，沿第一方向交替設(shè)置維持電極31和掃描電極32。在此，由沿第二方向(圖中的x軸方向)的相鄰的障肋16以及沿第一方向(圖中的y軸方向)的相鄰的維持電極31和掃描電極32所形成的空間限定放電單元18。在這種情況下，一個(gè)放電單元18可形成一個(gè)子像素，沿第一方向的一對(duì)相鄰的放電單元18可形成一個(gè)子像素。
在此，子像素是用于選擇放電并發(fā)射可見光的最小的構(gòu)成單元，通常子像素反射具有一種原色的可見光。發(fā)出不同顏色的子像素可構(gòu)成一個(gè)像素。在此，像素是可體現(xiàn)不同顏色和亮度的顯示屏的最小構(gòu)成單元。在本示范性實(shí)施例中，用于發(fā)射例如綠、紅和藍(lán)光的三個(gè)子像素構(gòu)成一個(gè)像素，超過三個(gè)子像素可構(gòu)成每個(gè)像素。
也就是說，當(dāng)維持電極31被分為偶數(shù)序號(hào)的維持電極組以及奇數(shù)序號(hào)的維持電極組，并且維持電壓施加在每個(gè)維持電極組上時(shí)，每個(gè)放電單元18都可構(gòu)成一個(gè)子像素。此外，當(dāng)公共電壓施加在所有的維持電極31上時(shí)，掃描電極32可以被共用，并且沿第一方向相鄰的一對(duì)放電單元18可構(gòu)成一個(gè)子像素。
維持電極31和掃描電極32彼此相對(duì)設(shè)置在后板10和前板20之間。因此，維持電極31和掃描電極32之間的持續(xù)放電由相反的放電產(chǎn)生，并且，等離子放電所需的放電點(diǎn)火電壓可得到降低。在本示范性實(shí)施例中，維持電極31和掃描電極32放置在放電單元18的側(cè)部。因此，妨礙可見光傳輸?shù)碾姌O不會(huì)放置在前板20上，從而增加PDP的孔徑比。此外，PDP的效率可得到改善。
本發(fā)明并不受到維持電極31和掃描電極32的結(jié)構(gòu)和布置的限制。也就是說，在每個(gè)放電單元中可形成不同的結(jié)構(gòu)，例如在所述結(jié)構(gòu)中一對(duì)顯示電極單獨(dú)形成。
介電層34設(shè)置在維持電極31和掃描電極32的外表面上。介電層34包括沿第二方向設(shè)置并基本上包圍每一個(gè)維持電極31或掃描電極32的第一部分34a、以及沿第一方向設(shè)置以與該第一部分34a相交的第二部分34b?？蓪?duì)應(yīng)于障肋16設(shè)置介電層34的第二部分34b。
介電層34保護(hù)維持電極31和掃描電極32免受由于與在等離子放電過程中形成的離子相碰撞而引起的損傷。此外，根據(jù)施加在維持電極31或掃描電極32上的電壓，介電層34形成并聚集壁電荷。而且，如上所述，介電層34可執(zhí)行障肋的功能(例如，分隔后板10和前板20之間的放電空間)。
保護(hù)層36可設(shè)置在介電層34的暴露于等離子放電的部分上，并且在本示范性實(shí)施例中，保護(hù)層36設(shè)置在放電單元18的側(cè)部上。保護(hù)層36保護(hù)介電層34避免受到由等離子放電產(chǎn)生的離子的撞擊。此外，由于保護(hù)層36可由具有高第二電子發(fā)射系數(shù)的材料制成，其發(fā)射第二電子，從而改善放電效率。
在此，由于保護(hù)層36設(shè)置在放電單元18的側(cè)部處，所以其可由非透明材料制成。例如，保護(hù)層36可由不透明MgO制成。由于不透明MgO具有比透明MgO高得多的第二電子發(fā)射系數(shù)，放電效率可進(jìn)一步得到改善。
中間插入層30包括顯示電極31和32以及介電層34，其可獨(dú)立地由厚膜陶瓷片(TFCS)方法等制成。此后，中間插入層30可結(jié)合在后板10和前板20之間。TFCS方法可用于形成電極和介電層。即，TFCS方法包括印刷介電材料膠和導(dǎo)電材料膠的方法、用介電材料包圍外表面的方法，而且電極和介電層都可以用該方法形成。下面詳細(xì)介紹中間插入層30的制造方法。
如圖1和圖2所示，第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a和第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b在前基板21的每個(gè)角部附近形成。雖然第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b比第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a更靠近前基板21的每個(gè)角部形成，但是其它的設(shè)置也是可能的。
第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a形成在中間插入層30的介電層34中。即，第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a形成在介電層34的對(duì)應(yīng)于第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a的位置中。此外，第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b形成在后板10的后基板11中。即，第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b形成在后基板11的對(duì)應(yīng)于第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b的位置中。
通過使用第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a可對(duì)準(zhǔn)前板20和中間插入層30，通過使用第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b和第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b可對(duì)準(zhǔn)前板20和后板10。在此，第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b被示為在前板20中形成，并使用前板20對(duì)準(zhǔn)后板10。但是，可替換地，第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可形成在中間插入層30中，并且使用中間插入層30可對(duì)準(zhǔn)后板10。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a、42b、44a和44b形成在PDP的非顯示區(qū)域中，從而其不會(huì)阻擋由等離子放電產(chǎn)生的另外的可見光。此處，非顯示區(qū)域是沿著顯示區(qū)域的外部，即，沿著其中基本上實(shí)現(xiàn)顯示的面板的邊緣部分形成的區(qū)域。具體地，非顯示區(qū)域可包括其中設(shè)有空單元(dummy cell)的空區(qū)域(dummyarea)和用于連接內(nèi)部電極和外部端子的端子區(qū)域。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的PDP的制造方法。參考圖4，該方法包括制造后板(ST11)、制造前板(ST12)、制造中間插入層(ST13)、以及對(duì)準(zhǔn)后板、前板和中間插入層(ST20)的步驟。該制造方法還可包括密封PDP(ST30)、從后基板和前基板之間的空間中排出空氣(ST40)、將放電氣體注入放電單元(ST50)的步驟。
此處，各種已知的方法可被用于密封步驟(ST30)、排出步驟(ST40)和氣體注入步驟(ST50)，因此將刪去對(duì)這些步驟的具體描述。下面將詳細(xì)描述制造中間插入層的步驟(ST13)和對(duì)準(zhǔn)步驟(ST20)。
再次參考圖2，將描述制造后板10(ST11)、制造前板20(ST12)和制造中間插入層30(ST13)的步驟。
尋址電極12、介電層14、障肋16和第一熒光層19依次形成在后基板11上，由此制造后板10。此外，第二熒光層29和深色層28形成在前基板21上，由此制造前板20。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a和第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b形成在前基板21的非顯示區(qū)域中，第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b形成在后基板11的對(duì)應(yīng)于第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b的區(qū)域上。
使用TFCS方法可制造包括顯示電極31和32以及介電層34的中間插入層30。第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a形成在對(duì)應(yīng)于第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a的位置中。
當(dāng)采用TFCS方法時(shí)，制備了包括基板和剝離層的支撐體。此后，具有網(wǎng)格開口的絲網(wǎng)掩模被放置在剝離層上，使用印刷方法在其上涂敷介電材料膠。接著，具有電極狀開口的絲網(wǎng)掩模放置在介電材料膠上，并使用印刷方法在其上涂敷導(dǎo)電材料膠。然后，通過烘培介電材料膠和導(dǎo)電材料膠形成介電層/導(dǎo)電層的圖案。在烘培過程中，由于剝離層可改變?yōu)楸舜瞬皇芗s束的顆粒層，因而介電層/導(dǎo)電層的圖案可容易地從基板上分離。在從基板上分離介電層/導(dǎo)電層的圖案后，將分離的圖案浸入充滿介電材料膠的桶(tub)中。此后，當(dāng)介電層/導(dǎo)電層從該桶中取出時(shí)，可形成網(wǎng)格形式的中間插入層30，其中介電層基本上形成在整個(gè)外表面上。
現(xiàn)在將描述對(duì)準(zhǔn)后板10、前板20和中間插入層30的步驟(ST20)。圖5是示出對(duì)準(zhǔn)在根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的PDP中的后板、前板和中間插入層的步驟的局部截面圖。
如圖5所示，中間插入層30位于后板10和前板20之間。
光學(xué)設(shè)備48距離前板20預(yù)定距離。通過使用光學(xué)設(shè)備48，當(dāng)從前板20的前部觀看，第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42a和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a設(shè)置在同一位置上時(shí)，前板20和中間插入層30被對(duì)準(zhǔn)。類似地，通過使用光學(xué)設(shè)備48，當(dāng)?shù)谌龑?duì)準(zhǔn)標(biāo)記44b和第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記42b設(shè)置在同一位置上時(shí)，后板10和前板20被對(duì)準(zhǔn)。
此處，中間插入層30被獨(dú)立制造，然后結(jié)合到后板10和前板20上，由此制造PDP。因此，因?yàn)槟軌蛞韵鄬?duì)簡(jiǎn)單的方法制造PDP，所以制造成本可得到降低。
在本示范性實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記44a在中間插入層30中形成，由此提高對(duì)準(zhǔn)精度。后板10、中間插入層30和前板20的對(duì)準(zhǔn)與中間插入層30的顯示電極31和32分別與后板10和前板20的熒光層19和29的對(duì)準(zhǔn)相關(guān)。因此，由于可以更精確地進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，熒光層19和29可具有更寬的有助于光發(fā)射的區(qū)域。因此可提高PDP的效率。
在本示范性實(shí)施例中，尋址電極12位于后基板11上，顯示電極31和32在中間插入層30的介電層34中形成。然而，其它結(jié)構(gòu)也是可能的。例如，如圖6和圖7所示，尋址電極和顯示電極都可位于中間插入層的介電層中。
圖6和圖7的PDP具有與本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例相似的基本結(jié)構(gòu)，因此將省去對(duì)于該相同或相似部件的詳細(xì)描述，并詳細(xì)描述與第一示范性實(shí)施例不同的部分。其中形成對(duì)準(zhǔn)部分的非顯示區(qū)域可具有基本上與第一示范性實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，因此將省去對(duì)該結(jié)構(gòu)的描述。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的示范性變體的PDP的局部分解透視圖，圖7是示出圖6的PDP的電極結(jié)構(gòu)的局部透視圖。
參考圖6和圖7，PDP包括彼此分離并面對(duì)設(shè)置的后板50和前板60。中間插入層70夾置在后板50和前板60之間。
此處，后板50的后基板51和后板障肋56在單獨(dú)的結(jié)構(gòu)中由相同的材料構(gòu)成。熒光層59設(shè)置在后基板51的表面和后板障肋56的側(cè)面上。后基板51和后板障肋56可通過刻蝕玻璃基板等方式制造以對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元58的形狀，其可降低制造工藝和制造成本。
類似地，前板60的前基板61和前板障肋66在單獨(dú)的結(jié)構(gòu)中由相同的材料構(gòu)成。熒光層69設(shè)置在前基板61的表面和前板障肋66的側(cè)面上。前基板61和前板障肋66可通過刻蝕玻璃基板等方式制造以對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元58的形狀。
雖然圖6示出具有矩陣結(jié)構(gòu)的后板障肋56和前板障肋66，但是障肋可具有不同的結(jié)構(gòu)，例如條形。此外，由于中間插入層70可用作障肋，因此不需要形成單獨(dú)的障肋。
中間插入層70設(shè)置在后板50和前板60之間。中間插入層70包括尋址電極72、顯示電極73和74、以及介電層76。介電層76基本上包圍尋址電極72和顯示電極73和74，保護(hù)層78可形成在介電層76的部分上。
尋址電極72沿第一方向設(shè)置在介電層76內(nèi)部，顯示電極73和74沿與第一方向相交的第二方向設(shè)置。此外，顯示電極73和74與尋址電極72電絕緣。
此處，由沿第二方向(圖中的x軸方向)的相鄰的障肋56和66，和沿第一方向(圖中的y軸方向)的相鄰的維持電極73和掃描電極74形成的空間被限定為放電單元58。在這種情況下，一個(gè)放電單元58可形成一個(gè)子像素，沿第一方向的一對(duì)相鄰放電單元58可形成一個(gè)子像素。
尋址電極72包括在維持電極73和掃描電極74之間突出的突出部分72a。突出部分72a將尋址脈沖施加到放電單元58，該尋址脈沖被施加到尋址電極72。此外，突出部分72a在放電單元58內(nèi)形成尋址電極72和掃描電極74之間的短放電間隙。因此，由于該短放電間隙，尋址放電電壓可得到降低。
參考圖7，維持電極73和掃描電極74分別包括延伸部分73b和74b。延伸部分73b和74b對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電單元58，并沿垂直方向(圖中的z軸方向)相對(duì)于后基板51延伸。延伸部分73b和74b允許在更寬的區(qū)域中出現(xiàn)相反的放電，其可產(chǎn)生強(qiáng)VUV線。強(qiáng)VUV線可在放電單元58內(nèi)部的寬區(qū)域上方與熒光層59和69相碰撞，由此增加可見光的數(shù)量。
因此，由于維持電極73和掃描電極74設(shè)置為跨越尋址電極72并包括延伸部分73b和74b，因此不與尋址電極72相干涉的平緩的跨越設(shè)置是可能的。
維持電極73和掃描電極74還分別可包括突出部分73a和74a。尋址電極72的突出部分72a和掃描電極74的突出部分74a之間的放電間隙形成為一個(gè)更短的間隙，因而使得能夠以低電壓進(jìn)行尋址放電。此外，維持電極73的突出部分73a和掃描電極74的突出部分74a提供在維持電極73和掃描電極74之間的放電間隙的更短的放電間隙。因此，在初始放電時(shí)，能夠以低電壓進(jìn)行維持放電，并產(chǎn)生長(zhǎng)間隙的維持放電，從而提高發(fā)光效率。
本示范性實(shí)施例示出尋址電極72和顯示電極73和74在中間插入層70中形成的例子，但可采用不同的額外的結(jié)構(gòu)。例如，至少一個(gè)尋址電極和顯示電極可位于中間插入層的內(nèi)部。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例及其示范性變體的PDP及其制造方法。本示范性的實(shí)施例及其示范性變體基本上與本發(fā)明第一示范性實(shí)施例及其示范性變體相同或相似，因此省去對(duì)其的詳細(xì)描述，并詳細(xì)描述不同的部分。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的PDP的前板、中間插入層、后板的平面圖，圖9是示出圖8的前板、中間插入層、后板的結(jié)合狀態(tài)的平面圖。所示的中間插入層不具備電極。但是，其被示為介電層，因?yàn)閹讉€(gè)結(jié)構(gòu)的電極可在其內(nèi)部形成。
參考圖8，第一成形對(duì)準(zhǔn)部分82a在前板82的角部(即，前基板的角部)附近形成。該成形對(duì)準(zhǔn)部分被形成為用于對(duì)準(zhǔn)的形狀。例如，圖8的第一成形對(duì)準(zhǔn)部分呈階梯狀。成形對(duì)準(zhǔn)部分可以不同的方法形成。例如，可利用激光器或通過刻蝕部分的基板在基板上形成該成形對(duì)準(zhǔn)部分。此外，雖然圖8的成形對(duì)準(zhǔn)部分呈階梯狀，但是，也可在前板上形成可用在對(duì)準(zhǔn)中間插入層的前板或者對(duì)準(zhǔn)后板和前板方面的不同的形狀。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b也形成在前板82上。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b是用于對(duì)準(zhǔn)前板和后板或者對(duì)準(zhǔn)前板和中間層的指示器。此外，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b也可以用不同的方法形成，例如，利用激光法或刻蝕法。
另一方面，第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a在中間插入層84的角部(即，包圍該電極的介電層的每個(gè)角部)附近形成。此處，第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a包括向中間插入層84的外部突出的突出部分的形狀。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記86b在后板86的角部(即，后基板的角部)附近形成。此處，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記86b在對(duì)應(yīng)于在前板82上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b的位置處形成。
如圖9所示，在前板82上形成的第一成形對(duì)準(zhǔn)部分82a和在中間插入層84上形成的第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a具有不同的形狀。但是，當(dāng)從前板82的前部觀看時(shí)，第一成形對(duì)準(zhǔn)部分82a的至少一個(gè)邊緣(B1、C1)和第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a的至少一個(gè)邊緣(B2、C2)可被形成并設(shè)置為彼此相對(duì)應(yīng)。
即，當(dāng)從前板82的前部觀看時(shí)，沿第一方向形成的第一成形對(duì)準(zhǔn)部分82a的邊緣B1和也沿第一方向形成的第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a的邊緣B2被形成并設(shè)置為彼此相對(duì)應(yīng)。此外，當(dāng)從前板82的前部觀看時(shí)，沿第二方向形成的第一成形對(duì)準(zhǔn)部分82a的另一個(gè)邊緣C1與同樣沿第二方向形成的第二成形對(duì)準(zhǔn)部分84a的另一個(gè)邊緣C2被形成并設(shè)置為彼此相對(duì)應(yīng)。
為了對(duì)準(zhǔn)第一和第二成形對(duì)準(zhǔn)部分82a和84a以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b和86b，光學(xué)設(shè)備(未示出)被提供給前板82的整個(gè)表面。
在本示范性實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記82b和86b分別在前板82和后板86上形成，前板82與后板86相對(duì)準(zhǔn)。然而，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可交替地形成在中間插入層84的介電層中，并可利用中間插入層84來對(duì)準(zhǔn)后板86。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的示范性變體的PDP的前板、中間插入層和后板的平面圖，圖11是示出圖10的D部分中的前板、中間插入層和后板的結(jié)合狀態(tài)的局部分解透視圖。
在本示范性實(shí)施例中，第一、第二和第三成形對(duì)準(zhǔn)部分92a、94a和96a分別在前板92、中間插入層94和后板96的每個(gè)角部處形成。
參考圖10，在前板92的四個(gè)角部處提供第一成形對(duì)準(zhǔn)部分92a。第二成形對(duì)準(zhǔn)部分94a在沿著中間插入層94的第二方向(圖中的x軸方向)形成的兩個(gè)邊緣處形成，并且第二成形對(duì)準(zhǔn)部分94a具有向第一方向(圖中的y軸方向)突起的突起部分的形狀。此外，第三成形對(duì)準(zhǔn)部分96a在沿著后板96的第一方向(圖中的y軸方向)形成的兩個(gè)邊緣處形成，并且第三成形對(duì)準(zhǔn)部分96a具有向第二方向(圖中的x軸方向)突起的突起部分的形狀。第二成形對(duì)準(zhǔn)部分94a和第三成形對(duì)準(zhǔn)部分96a的每個(gè)形狀都被形成為對(duì)應(yīng)于第一成形對(duì)準(zhǔn)部分92a的形狀。
此處，如圖11所示，當(dāng)從前板92的前部觀看時(shí)，第一成形對(duì)準(zhǔn)部分92a的成形側(cè)面部分92a1和第二成形對(duì)準(zhǔn)部分94a被形成并設(shè)置在彼此相對(duì)應(yīng)的位置中。第一成形對(duì)準(zhǔn)部分92a的另一個(gè)成形側(cè)面部分92a2和第三成形對(duì)準(zhǔn)部分96a被形成并設(shè)置在彼此相對(duì)應(yīng)的位置中。因此，當(dāng)從前方觀看時(shí)，第一、第二和第三成形對(duì)準(zhǔn)部分92a、94a、96a可被形成為彼此嚙合。
即，為了對(duì)準(zhǔn)PDP，當(dāng)從前板92的前部觀看時(shí)，第一成形對(duì)準(zhǔn)部分92a、第二成形對(duì)準(zhǔn)部分94a和第三成形對(duì)準(zhǔn)部分96a的相應(yīng)的邊緣被調(diào)整為彼此對(duì)應(yīng)。
因此，前板、中間插入層和后板的對(duì)準(zhǔn)精度可被提高。此外，熒光層的更寬的部分貢獻(xiàn)于光發(fā)射，從而提高效率。
在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的PDP中，電極可具有除上述結(jié)構(gòu)之外的不同的結(jié)構(gòu)，后板和前板也可以具有除上述結(jié)構(gòu)之外的不同的結(jié)構(gòu)。雖然僅描述了TFCS方法這一種制造中間插入層的制造方法，但也可以用其它方法制造中間插入層。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和成形對(duì)準(zhǔn)部分可具有各種形狀和位置。
此外，在上面的說明書中，雖然描述了使用對(duì)準(zhǔn)方法的光學(xué)設(shè)備，但是可使用不同的設(shè)備探測(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和成形對(duì)準(zhǔn)部分的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的PDP可包括在被單獨(dú)制造之后再結(jié)合在后板和前板之間的中間插入層。因此，PDP的制造成本可得到降低。
如上所述，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分可在中間插入層中形成，從而中間插入層被更精確地對(duì)準(zhǔn)。因此，可以更寬面積地形成熒光層以貢獻(xiàn)于光發(fā)射，從而提高PDP的可靠性。
可以理解在不背離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。因此，本發(fā)明意圖覆蓋在權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板；位于該第一基板和第二基板之間的放電單元；設(shè)置在該放電單元中的熒光層；參與該放電單元的放電的電極；以及設(shè)置在至少一個(gè)該電極的外表面上的介電層，該介電層和該至少一個(gè)電極設(shè)置在該第一基板和該第二基板之間的空間中，其中該介電層包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分，以及該第一基板和該第二基板的至少一個(gè)包括分別對(duì)應(yīng)于該介電層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該第二基板包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以及該介電層包括第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的等離子顯示面板，其中該第一基板包括第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；以及該第二基板或該介電層包括第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)于該第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的等離子顯示面板，其中該第二基板包括該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和該第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以及在該第二基板的每個(gè)角部中，該第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記比該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置得更靠近該角部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該第二基板包括第一成形對(duì)準(zhǔn)部分，該介電層包括第二成形對(duì)準(zhǔn)部分，該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀不同于該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分，以及當(dāng)從該第二基板的前部觀看時(shí)，該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分的至少一個(gè)邊緣和該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分的至少一個(gè)邊緣彼此相對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的等離子顯示面板，其中該第一基板包括第三成形對(duì)準(zhǔn)部分，該第三成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀不同于該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分或者該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分，以及當(dāng)從該第二基板的前部觀看時(shí)，該第三成形對(duì)準(zhǔn)部分的至少一個(gè)邊緣和該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分或該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分的至少一個(gè)邊緣彼此相對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的等離子顯示面板，其中該第一基板包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第二基板或該介電層包括第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中該第二基板包括第一成形對(duì)準(zhǔn)部分，以及該介電層包括第二成形對(duì)準(zhǔn)部分，該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀對(duì)應(yīng)于該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，其中，當(dāng)從該第二基板的前部觀看時(shí)，該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分和該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分設(shè)置為彼此嚙合。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的等離子顯示面板，其中該第一基板包括第三成形對(duì)準(zhǔn)部分，該第三成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀對(duì)應(yīng)于該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分或該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的等離子顯示面板，其中，當(dāng)從該第二基板的前部觀看時(shí)，該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分的一側(cè)和該第二成形對(duì)準(zhǔn)部分設(shè)置為彼此嚙合，該第一成形對(duì)準(zhǔn)部分的另一側(cè)和該第三成形對(duì)準(zhǔn)部分設(shè)置為彼此嚙合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中，該介電層包括沿一個(gè)方向延伸的第一部分以及與該第一部分相交的第二部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中，該電極包括顯示電極和尋址電極，該顯示電極在該介電層內(nèi)沿一個(gè)方向延伸，該尋址電極設(shè)置在該第一基板或該第二基板上并與該顯示電極交叉。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中，該電極包括顯示電極和尋址電極，該顯示電極在該介電層內(nèi)沿一個(gè)方向延伸，該尋址電極與該顯示電極交叉并且在與該顯示電極電絕緣并設(shè)置在該介電層內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子顯示面板，其中，用厚膜陶瓷片方法形成該介電層和設(shè)置在該介電層內(nèi)的該電極。
16.一種等離子顯示面板，包括彼此面對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，其間具有多個(gè)放電單元；設(shè)置在該第一基板和該第二基板之間的層，該層包括用于在該放電單元中產(chǎn)生放電的電極和基本上包圍該電極的介電層；其中該層包括第一對(duì)準(zhǔn)指示器，該第一基板和該第二基板的至少一個(gè)包括第二對(duì)準(zhǔn)指示器，該第二對(duì)準(zhǔn)指示器與該第一對(duì)準(zhǔn)指示器對(duì)準(zhǔn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的等離子顯示面板，其中，該第一對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該介電層上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第二對(duì)準(zhǔn)指示器是該第一基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的等離子顯示面板，還包括第三對(duì)準(zhǔn)指示器和第四對(duì)準(zhǔn)指示器，該第三對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該第一基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第四對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該第二基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第三對(duì)準(zhǔn)指示器與該第四對(duì)準(zhǔn)指示器對(duì)準(zhǔn)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的等離子顯示面板，其中，該第一對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該層的角部處的成形對(duì)準(zhǔn)部分，該第二對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該第一基板的角部處的成形對(duì)準(zhǔn)部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的等離子顯示面板，還包括第三對(duì)準(zhǔn)指示器和第四對(duì)準(zhǔn)指示器，該第三對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該第一基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該第四對(duì)準(zhǔn)指示器是設(shè)置在該第二基板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中該第三對(duì)準(zhǔn)指示器與該第四對(duì)準(zhǔn)指示器對(duì)準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可被簡(jiǎn)單地制造的高效率等離子面板(PDP)。該P(yáng)DP包括彼此面對(duì)的第一基板和第二基板、被分為放電單元的該第一基板和該第二基板之間的空間、在每個(gè)放電單元中形成的熒光層、參與每個(gè)放電單元的放電的電極、和形成在該第一基板和第二基板之間的空間中的至少一個(gè)電極的外表面上的介電層。在該介電層中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分，在該第一基板和該第二基板的至少一個(gè)中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和對(duì)應(yīng)于介電層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或成形對(duì)準(zhǔn)部分的成形對(duì)準(zhǔn)部分。
文檔編號(hào)H01J11/32GK1892964SQ20061010648
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月6日
發(fā)明者金泰佑, 金貞男, 田炳玟, 李正斗 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社