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      等離子體顯示面板的制作方法

      文檔序號:2938946閱讀:148來源:國知局
      專利名稱:等離子體顯示面板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及 一 種利用氣體放電所產(chǎn)生的放射進行顯示的等離子體 顯示面板,特別是涉及一種高精度的等離子體顯示面板。
      背景技術(shù)
      等離子體顯示面板(以下稱為PDP)是一種氣體放電顯示裝置,其 將排列著顯示電極對群的前面板和排列著作為寫入電極的數(shù)據(jù)電極群 的后面板配置為使顯示電極對與數(shù)據(jù)電極呈立體交叉的狀態(tài),在兩個基 板之間設(shè)置放電空間;與此同時,在顯示區(qū)域內(nèi)的放電空間中封入可放 電氣體,從而將放電單元排列成矩陣狀。圖6是表示現(xiàn)有實例中的AC型PDP的顯示區(qū)域內(nèi)的放電單元的結(jié) 構(gòu)的概略透視圖。在圖6中表示出4個并聯(lián)配置的放電單元,并將其一 部分切除從而顯示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在圖6所示的PDP中,前面板2和后面板3相對置,前面板2的玻 璃基板10上配設(shè)有由掃描(scan)電極5和維持(sustain)電極6構(gòu) 成的顯示電極對4,并且覆蓋著顯示電極對4形成有由電介質(zhì)層7和MgO (氧化鎂)等構(gòu)成的保護膜8。另一方面,在后面板3的基板11上則形 成有用于寫入顯示信息的數(shù)據(jù)電極12,并覆蓋著數(shù)據(jù)電極12形成有電 介質(zhì)層13。此外,在電介質(zhì)層13上形成有與數(shù)據(jù)電極12平行著位于相 鄰放電單元之間的間隔壁14,在電介質(zhì)層13的表面及間隔壁14的側(cè)面 上形成有與各個放電單元相對應(yīng)的RGB用熒光體層15。數(shù)據(jù)電極12和間隔壁14配置為與顯示電極對4立體交叉,在數(shù)據(jù) 電極12和顯示電極對4立體交叉的區(qū)域形成有1象素單位即》欠電單元。 以數(shù)十kPa的壓力向放電空間1中填充Ne (氖)和Xe (氙)等的混合 氣體作為放電氣體。在PDP驅(qū)動時執(zhí)行以下動作,即在數(shù)據(jù)寫入期間之后的顯示期間 內(nèi),在包夾著放電間隙G而構(gòu)成顯示電極對4的掃描電極5和維持電極 6之間施加AC電壓,有選擇地在放電單元中產(chǎn)生放電,利用因放電而激 發(fā)的Xe原子和Xe分子發(fā)射出來的紫外線來激勵熒光體層15,發(fā)出可見2光,由此進行顯示。如圖6所示,掃描電極5和維持電極6在平面視圖中在相對于間隔 壁14的垂直方向上延伸設(shè)置為條紋狀,其分別由透明電極55和供電用 匯流電才及59構(gòu)成。透明電極55的透光率高,其包夾著放電間隙G,以充分寬的幅度相 互平行著形成在基板10上。在該透明電極55中,有時通過構(gòu)圖形成了 向放電間隙G —側(cè)突出的突起形狀。該透明電極55的材料中使用IT0 (Indium Tin Oxide:氧化銦錫)或Sn02 ( NESA )等電阻較高而且可見 光透光率高的材質(zhì),并通過蒸鍍或CVD等薄膜工藝等形成。匯流電極59是金屬絲電阻小的帶狀金屬電極,其形成在透明電極 55的上方,比透明電極55更細。匯流電極59使用Ag (銀)、Al(鋁)、 Cu (銅)或Cr (鉻)與Cu的層疊膜等電阻較低的材質(zhì)。匯流電極59的 形成方法眾多,例如使用混合了有機粘結(jié)劑材料的Ag電極漿等厚膜 電極材料的印刷燒制工序形成厚膜電極的厚膜工藝,或者使用含有Al 或Cu等的薄膜電極材料進行的薄膜成膜工藝,或者使用光刻工序?qū)ζ?進行構(gòu)圖從而形成薄膜電極的薄膜工藝等。這種PDP傾向于高精度化,例如已經(jīng)開發(fā)出完全高清晰度(Full High Vision) ( 1920 x 1080 )級的產(chǎn)品。專利文獻l:特開2003-123654號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明試圖解決的課題在低精度PDP中,顯示電極對4的匯流電極59是以例如約100|um 的寬度形成,因此,即使電極長度相應(yīng)增加,電壓下降也不會太大。因 此,在PDP的顯示區(qū)域內(nèi),供電一側(cè)和末端一側(cè)之間也并不怎么產(chǎn)生亮 度差,能夠確保面板面內(nèi)的亮度均勻性。但是,如果試圖實現(xiàn)高精度的 PDP,則第一個問題就是,與原來相比像素面積減小,因此在與原來相 同的電極寬度條件下像素開口率就會減小。因此,為了確保像素開口 率,要求將匯流電極做成細線狀,但如果以目前的匯流電極材料和電極 形成工藝形成匯流電極的微細圖案,則較長方向的金屬絲電阻就會增 高,難以將充足的電力供應(yīng)到電極延伸設(shè)置方向的末端。針對這個問題,在例如專利文獻1的圖4、圖12中公開了一種技術(shù),其在形成在基板上的帶狀匯流電極中,與供電方向的上流一側(cè)(電極引 出一側(cè))的線寬相比,將下流一側(cè)的線寬做得更小。圖7是用于說明專利文獻1中的PDP的顯示區(qū)域內(nèi)外的匯流電極的結(jié)構(gòu)的概略平面圖,與圖6結(jié)構(gòu)相同的部分賦予相同編號,并為了簡略而做了部分省略。在專利文獻1中的PDP中,如圖7所示,在顯示區(qū)域A內(nèi)部,將匯 流電極69的線寬設(shè)定為在供電方向的上流一側(cè)比下流一側(cè)大,由此降 低供電方向上流一側(cè)的電阻值,從而能夠降低電極中的電力消耗。接著,說明PDP的密封部分和從匯流電極引出的電極引出部。圖8是用于說明現(xiàn)有的PDP中從匯流電極引出的電極引出部的結(jié)構(gòu) 的概略平面圖,與圖6、圖7結(jié)構(gòu)相同的部分賦予相同編號,并為了簡 略而估文了部分省略。在圖8中,區(qū)域B是將從圖6、圖7中的顯示區(qū)域A—側(cè)的匯流電 極59或匯流電極69向顯示區(qū)域外引出而形成的電極引出部71與由玻 璃粉等形成的密封部70形成交叉的密封部交叉部分72附近的區(qū)域放大 后所得的示意圖。如圖8的區(qū)域B所示,匯流電極59 ( 69 )不僅延伸設(shè)置在上述顯示 區(qū)域A內(nèi)部,而且在顯示區(qū)域外部延伸設(shè)置有電極引出部71,該電極引 出部71穿過密封部70延伸到其外側(cè)。電極引出部71的線寬是與顯示 區(qū)域A—側(cè)的匯流電極59 ( 69 )的線寬D2相同或更大的線寬,其與沿 著基板外周設(shè)置的密封部70在密封部交叉部分72處交叉,進而朝著為 了供應(yīng)電力而設(shè)置在基板端部(省略圖示)的外部驅(qū)動電路結(jié)合部(省 略圖示)的方向延伸設(shè)置。對于上述第一個問題,僅靠專利文獻1中公開的技術(shù)是難以解決 的,特別是在大畫面且高精度PDP中,匯流電極的線長相應(yīng)變長,因此 很難確保大畫面且高精度的PDP的畫質(zhì)。另外,在實現(xiàn)高精度的PDP方面存在著第二個問題,即伴隨著匯 流電極的排列間距的減小,相鄰的電極引出部的間隔變窄,在電極引出 部容易產(chǎn)生遷移(migration)現(xiàn)象。例如,為了實現(xiàn)符合完全高清晰度標準的高精度PDP,所配設(shè)的掃 描、維持電極的排列條數(shù)分別需要增加到約2000條,要求匯流電極的 排歹'J間距P比現(xiàn)有間距的約1/3還要小。
      在現(xiàn)有的低精度狀態(tài)下,匯流電極59的排列間距例如約為270|im, 各個密封部交叉部分72之間的間隔g2約為170|iim;與此相對,匯流電 極59的排列條數(shù)在如上述高精度狀態(tài)下變?yōu)榧s2000x2條,則匯流電極 59的排列間距P2就會減小為例如約80,,電極引出部71的線寬D2也 變細為例如約70jLim。這種情況下,如果將密封部交叉部分72的線寬D21 設(shè)定為與線寬D2相等(約70iim),則各個密封部交叉部分72之間的間 隔g2會變得極為狹窄,約為10,。
      這樣,相鄰電極引出部71之間的間隔變窄后,驅(qū)動時該間隙中會 產(chǎn)生大電場,會在相鄰的密封部交叉部分72之間引發(fā)電遷移,穿過密 封部70而產(chǎn)生電流泄露。因此,面板的電力消耗增大,與此同時,密 封部也會惡化而出現(xiàn)裂紋。密封部中如果出現(xiàn)了裂紋,就會發(fā)生氣體泄 露,導(dǎo)致面板可靠性下降。
      本發(fā)明借鑒了這些課題而被提出,其目的是,在大畫面且高精度的 PDP中確保像素開口率的同時將匯流電極的金屬絲電阻控制得較低,從 而使電力充分供應(yīng)到匯流電極延伸設(shè)置方向的末端,由此實現(xiàn)高亮度而 且低電力消耗,并且防止電極引出部的遷移現(xiàn)象,從而提高PDP的可靠 性。
      課題解決手段
      為了解決上述課題,本發(fā)明中采用了以下手段。
      (1)在隔斷相鄰放電單元的間隔壁與顯示電極交叉著配置的PDP 中,針對顯示電極的匯流電極,在與間隔壁交叉而重疊的部分上設(shè)置突 起形狀部分,形成比面對著放電空間的部分更大的線寬,并將該突起形 狀部分的橫寬設(shè)定為等于或小于間隔壁的最大寬度。這里所說的"線寬"指的是與匯流電極伸長的方向垂直的方向上的 匯流電極寬度,"橫寬"指的是匯流電極伸長的方向上的突起形狀部分 的寬度(匯流電極伸長的方向的寬度)。
      另外,所說的"間隔壁與顯示電極交叉"指的是從PDP的前面透視 時間隔壁與顯示電極相互交叉即可,既包含間隔壁與顯示電極彼此接觸 著交叉的情形,也包含彼此不接觸而立體交叉的情形。另外,在匯流電 極中,所謂的與間隔壁交叉而重疊的部分也是從PDP的前面透一見時的重 疊部分。
      (2 )在對相鄰放電單元的邊界附近區(qū)域進行遮光的遮光膜與顯示
      電極交叉著配置的PDP中,針對顯示電極的匯流電極,在與遮光膜交叉而重疊的部分上設(shè)置突起形狀部分,形成比面對著放電空間的部分更大 的線寬,并將該突起形狀部分的橫寬設(shè)定為等于或小于遮光膜的寬度。這里,所謂的"遮光膜與顯示電極交叉"指的是從PDP的前面透視 時遮光膜與顯示電極相互交叉即可,既包含遮光膜與顯示電極彼此接觸 著交叉的情形,也包含彼此不接觸而立體交叉的情形。在上述(1 )、 ( 2 )的PDP中,突起形狀部分的縱寬優(yōu)選是在匯流電 極的放電空間部分的線寬的2倍至20倍的范圍內(nèi)。另外,當(dāng)各個顯示電極是在帶狀透明電極上層疊匯流電極而構(gòu)成的 情況下,優(yōu)選是將突起形狀部分延伸設(shè)置到透明電極的放電間隙 一側(cè)的 端部。
      (3 )在具有將匯流電極從顯示區(qū)域內(nèi)部橫穿過上述密封部引出到 顯示區(qū)域外部而形成的電極引出部的PDP中,匯流電極的電極引出部中與密封部交叉的部分的線寬設(shè)定為小于顯示區(qū)域內(nèi)的線寬。
      在(3)的PDP中,電極引出部優(yōu)選是至少其橫穿過密封部的部分由使用包含Al (鋁)、Cu (銅)、Cr (鉻)、Ni (鎳)、Au (金)和Pd (鈀)之中的至少一種的電極材料而形成的薄膜構(gòu)成。另外,電極引出部中橫穿過密封部的部分的線寬優(yōu)選是5 ~ 10,。 另外,優(yōu)選使用包含有機系材料和無機材料的復(fù)合材料形成密封部。
      另外,密封部優(yōu)選是至少其與電極引出部交叉并接觸的密封部分使 用包含有機系材料和無機系材料的復(fù)合材料形成。
      另外,密封部優(yōu)選采用在室溫(25°C )到300。C的范圍內(nèi)的低溫工藝密封形成。
      在(1 )至(3)的PDP中,匯流電極優(yōu)選是在顯示區(qū)域內(nèi)由包含Al (鋁)、Cu (銅)、Cr (鉻)、Ni (鎳)、Au (金)和Pd (鈀)之中的至少 一種的電極材料構(gòu)成的薄膜形成,或者是由包含Ag (銀)的電極材料構(gòu) 成的厚膜形成。
      此外,只要不脫離本發(fā)明的主旨,以上各結(jié)構(gòu)可以相互組合。 發(fā)明效果借助于(1)的PDP,將匯流電極面對著放電空間的部分做成細線, 就能夠抑制像素開口率的下降,同時也能夠在線寬大的突起形狀部分實
      現(xiàn)匯流電極電阻的降低。另外,突起形狀部分的寬度設(shè)定為等于或小于 間隔壁的最大寬度,因此,突起形狀部分不會遮擋放電單元發(fā)出的光。因此,既能夠確保像素開口率,又能夠降低匯流電極的金屬絲電 阻,使充足的電力供應(yīng)到匯流電極延伸設(shè)置方向的末端。由此能夠?qū)崿F(xiàn) 高亮度且高精度的PDP。在(1)的PDP中,為了獲得這種效果,并不一定要將從突起形狀 部分的頂端部分直至根部的整個突起形狀部分的橫寬設(shè)定為小于等于 間隔壁的最大寬度,在局部上橫寬也可以大于間隔壁的最大寬度。例如,將突起形狀部分的頂端部分的橫寬設(shè)定為小于間隔壁的最大 寬度,也能夠獲得上述效果。在此情況下,突起形狀部分的根部優(yōu)選是 設(shè)定為橫寬大于間隔壁的最大寬度。上述突起形狀部分如果是沿著間隔壁突出出來,則即使突出很大也 是與間隔壁重合,因此在確保像素開口率方面是可取的。如果使用對可見光的反射率低的低反射材料形成匯流電極的顯示 面一側(cè),就能夠獲得對比度提高效果。借助于(2)的PDP,將匯流電極面對著》文電空間的部分估支成細線, 就能夠抑制像素開口率的下降,同時也能夠在線寬大的突起形狀部分實 現(xiàn)匯流電極電阻的降低。另外,突起形狀部分的寬度設(shè)定為等于或小于 遮光膜的寬度,因此,突起形狀部分不會遮擋放電單元發(fā)出的光。因此, 既能夠確保像素開口率,又能夠降低匯流電極的金屬絲電阻,使充足的 電力供應(yīng)到匯流電極延伸設(shè)置方向的末端。在(2)的PDP中,為了獲得這種效果,并不一定要將從突起形狀 部分的頂端部分直至根部的整個突起形狀部分的橫寬設(shè)定為小于等于 間隔壁的最大寬度,在局部上橫寬也可以大于間隔壁的最大寬度。例 如,將突起形狀部分的頂端部分的橫寬設(shè)定為小于遮光膜的寬度,也能 夠獲得上述效果。在此情況下,突起形狀部分的根部優(yōu)選是設(shè)定為橫寬 大于遮光膜的寬度。上述突起形狀部分如果是沿著遮光膜突出出來,則即使突出很大也 是與遮光膜重合,因此在確保像素開口率方面是可取的。借助于(3)的PDP,匯流電極的電極引出部中與密封部交叉的部分 的線寬設(shè)定為小于顯示區(qū)域內(nèi)的線寬,因此,能夠在維持顯示區(qū)域內(nèi)的 匯流電極的低電阻的同時,確保電極引出部的密封部交叉部分之間的間
      隔。因此,防止了密封部交叉部分中電遷移的發(fā)生和電流泄露及氣體泄露。由此,在高精度PDP中能夠在降低電力消耗的同時提高可靠性。


      圖1是表示第1實施方式中的PDP中顯示區(qū)域內(nèi)的放電單元的結(jié)構(gòu) 的概略透視圖。圖2是表示第1實施方式中的PDP的放電單元單位的結(jié)構(gòu)實例的概 略平面圖。圖3是表示第2實施方式中的PDP的放電單元單位的結(jié)構(gòu)實例的概 略平面圖。圖4是表示第3實施方式中的PDP的面板整體的結(jié)構(gòu)的概略平面圖。圖5 (a)是表示第3實施方式中的PDP的密封部分中從匯流電極引 出的電極引出部的結(jié)構(gòu)的概略平面圖,(b)是該密封部交叉部分沿a-a 線剖面圖。圖6是表示現(xiàn)有實例中的P DP的顯示區(qū)域內(nèi)的電單元的結(jié)構(gòu)的斗既 略透視圖。圖7是用于說明現(xiàn)有實例中的PDP的顯示區(qū)域內(nèi)外的匯流電極的結(jié)構(gòu)的概略平面圖。圖8是表示現(xiàn)有實例中的PDP中密封部分中的從匯流電極引出的電 極引出部的結(jié)構(gòu)的概略平面圖。符號說明 1放電空間 2前面板 3后面板 4顯示電纟及對 5掃描電^L 6維持電極 7電介質(zhì)層 8保護膜 9匯流電核^
      10玻璃基板 11玻璃基板12數(shù)據(jù)電極13電介質(zhì)層14間隔壁15熒光體層31 PDP32密封部33電極引出部34密封部交叉部分91突起形狀部分92 ;改電空間部分93間隔壁交叉部分94突起形狀部分95 ;改電空間部分96遮光力莫交叉部分101放電單元102遮光膜103遮光膜141間隔壁201放電單元具體實施方式
      下面,參照附圖詳細說明本發(fā)明的最佳實施方式。 [第1實施方式]圖1是表示第1實施方式中的PDP中顯示區(qū)域內(nèi)的放電單元的結(jié)構(gòu) 的概略透視圖。在圖1中表示出并聯(lián)配置的4個放電單元,但實際結(jié)構(gòu) 是排列了許多發(fā)出紅、綠、藍各色光線的單元。圖1中,為了表示出內(nèi) 部結(jié)構(gòu)而做了部分切除。圖2 (a)、 (b)是針對該PDP表示其放電單元單位的結(jié)構(gòu)實例的概 略平面圖,其中只顯示出一個方丈電單元101,并表示出從前面一反一側(cè)觀 察時前面板的顯示電極的結(jié)構(gòu)及與后面板的間隔壁的位置關(guān)系。
      在圖l、 2中,對于與圖6、 7相同的結(jié)構(gòu)部分賦予相同的參考號。 該PDP是例如符合完全高清晰度標準的高精度PDP,具有如下結(jié)構(gòu)。前面板2和后面板3相對置,兩者之間形成了放電空間1。在前面板2的玻璃基板10上配設(shè)了由掃描電極5和維持電極6構(gòu) 成的顯示電極對4,并覆蓋著顯示電極對4形成了電介質(zhì)層7,在電介 質(zhì)層7上形成有二次電子釋放效率高且耐濺射性高、由透明Mg0 (氧化 鎂)等構(gòu)成的保護膜8。后面板3的基板11上形成有數(shù)據(jù)電極12,覆蓋著數(shù)據(jù)電極12形成 有電介質(zhì)層13,電介質(zhì)層13上形成有與數(shù)據(jù)電極12平行著位于相鄰放 電單元之間的條紋狀或井字形間隔壁14,在電介質(zhì)層13的表面及間隔 壁14的側(cè)面上形成有與各個;j丈電單元相對應(yīng)的RGB用熒光體層15。數(shù)據(jù)電極12和間隔壁14相對于掃描電極5和維持電極6呈立體交 叉配置,在該立體交叉的各個區(qū)域中形成有作為像素單位的放電單元。 以數(shù)十kPa的壓力向放電空間1中填充Ne (氖)和Xe (氙)等的混合 氣體作為放電氣體。相鄰放電單元之間通過間隔壁l4隔開,防止了驅(qū)動時發(fā)生誤放電或光學(xué)式串?dāng)_。 說明上述PDP的制造方法。首先,按照以下方式層疊透明電極55和匯流電極9以形成顯示電 極對4。玻璃基板10的內(nèi)面上使用ITO(氧化銦錫)、Sn(M氧化錫、NESA)、 Zn0 (氧化亞鉛)等構(gòu)圖形成膜厚約為IOOOA (IOO訓(xùn))的寬幅透明電極 膜,由此成對地形成透明電極55。透明電極55對沿著面板的較長方向 (X方向)延伸設(shè)置在前面板2的內(nèi)面上,在放電單元內(nèi)包夾著放電間 隙G彼此對置而形成。為了在驅(qū)動時以低電壓產(chǎn)生放電,放電間隙G設(shè) 定為50至100,的寬度。在該透明電極55對的上方(放電空間一側(cè))層疊形成有用于降低 電阻的匯流電極9。此外,該匯流電極9上在薄膜電顯示區(qū)域A內(nèi)與間 隔壁14立體交叉的部分中形成有突起形狀部分91,其詳細情況在后面 敘述。匯流電極9位于顯示區(qū)域A內(nèi)的部分使用細密而金屬絲電阻低的材 料形成。例如,可以使用燒制Ag材料的厚膜法形成電極,但從高精度 化的角度出發(fā),優(yōu)選是利用含有微量稀土類金屬的Al系電極材料的
      Al-Nd(鋁-釹)或Al-Zr(鋁-鋯)等金屬電極膜形成,或者是利用Cr/Cu/Cr 等層疊電極薄膜形成。另外,也可以使用包含從A1 (鋁)、Cu(銅)、Cr (鉻)、Ni (鎳)、Au (金)和Pd (鈀)之中選出的1種以上的電極材料 形成薄膜電極。使用這些金屬薄膜電極材料,能夠形成細密而且金屬絲 電阻低的薄膜電極,并且可以實現(xiàn)比厚膜電極更微細的構(gòu)圖,因此適合 于高精度的PDP。該薄膜形成工藝在真空等中實施,優(yōu)選是在形成膜厚為0. 1至4, 的薄膜后利用光刻技術(shù)形成細長的圖案。如圖2所示,為了對在Y方向(面板縱向)上相鄰的各個放電單元 之間的邊界附近進行遮光,也可以在基板10的表面上與匯流電極9平 行且X方向上形成黑條紋形狀的遮光膜102。在形成遮光膜102的情形 中,在匯流電極9和相鄰;故電單元(省略圖示)的匯流電極之間形成。無論是否形成有遮光膜102,在形成上述匯流電極9時,電極的顯 示面一側(cè)優(yōu)選是使用對可見光的反射率低的低反射材料形成,特別地, 優(yōu)選是使用黑色的電極材料。依照此種方式,利用低反射材料形成匯流 電極9的顯示面一側(cè),則即使間隔壁14中使用了反射率高的材料,入 射到間隔壁14的外來光線也會被遮蔽,因此驅(qū)動時減少了多余光線, 提高了對比度。薄膜法中使用的黑色電極材料可以舉例如Cr或Ni,厚 膜法中使用的黑色電極材料可以舉例如摻加了黑色導(dǎo)電材料的Ag 。此外,覆蓋著顯示電極對4、遮光膜102和玻璃基板10形成電介質(zhì) 層7,在電介質(zhì)層7上層疊形成二次電子釋放效率高的保護膜8。在形成電介質(zhì)層7時,可以借助于利用低熔點玻璃進行燒制的電介 質(zhì)形成工藝形成厚膜電介質(zhì)層,但如果使用含有TE0S (正硅酸乙酯)的 電介質(zhì)層原料等,利用室溫至30(TC的低溫工藝,例如CVD法(化學(xué)汽 相沉積法)就能夠形成含有Si02的膜厚為1至10,的細密的低介電常 數(shù)的電介質(zhì)層。另外,如果使用ICP-CVD法(感應(yīng)耦合式等離子CVD法), 能夠進一步高速形成細密而且低介電常數(shù)的電介質(zhì)層。保護膜8可以使用二次電子釋放效率高、透明并且耐濺射性優(yōu)異的 材料,例如MgO金屬氧化物,能夠利用真空蒸鍍法或濺射法等真空成膜 技術(shù)形成數(shù)千A的膜厚。另一方面,在后面板3的玻璃基板11的內(nèi)表面上形成數(shù)據(jù)電極12。 數(shù)據(jù)電極12的電極材料可以使用Ag (銀)、Cr (鉻)、Cu(銅)、Ni (鎳),
      也可以根據(jù)需要使用這些金屬的組合。另外,也可以按照形成上述匯流 電極同樣的方式,使用Al系電極材料等薄膜電極材料形成薄膜電極。
      此外,使用低熔點玻璃在后面板3的內(nèi)面上覆蓋著數(shù)據(jù)電極12形 成電介質(zhì)層13。進而,在電介質(zhì)層13上,在對低熔點玻璃材料進行涂 敷燒制的同時,使用噴沙法或光刻法等方法將其塑造成肋狀,由此形成 間隔壁14。該間隔壁14沿著畫面縱向(Y方向)形成條紋狀或井字形, 將放電單元隔開。
      此外,在形成了間隔壁14的后面板3上,在間隔壁14的側(cè)面及電 介質(zhì)層13的表面上形成發(fā)出紅、綠、藍色光的各個熒光體層15。該熒 光體層15使用(Y、 Gd) B03: Eu、 Zn2Si(k Mn和BaMg2Al"0": Eu等三 種顏色的熒光體,對每種熒光體顏色進行印刷涂敷、燒制工序而形成。
      繼而,將具備顯示電極對4、電介質(zhì)層7、保護膜8等的前面板2 和具備間隔壁14、焚光體層15等的后面板3包夾著放電空間1對置,使用密封材料將基板周圍粘貼起來進行密封,形成發(fā)光板包容器,然后 將其內(nèi)部排氣成為高真空狀態(tài)后,以約60kPa的壓力向其中沖入包含稀有氣體氙、氖的混合稀有氣體作為放電氣體后封閉起來,由此就能夠制 造出高精度的PDP。
      此外,在對上述PDP進行密封時,也可以在上述混合氣體中同時進行密封和封固。
      另外,熒光體材料或放電氣體的種類、壓力并不限定于上述內(nèi)容, 可以應(yīng)用AC型PDP通常所4吏用的材料和條件。 (匯流電,及9的形狀和效果)匯流電極9以微細的圖案形狀進行構(gòu)圖,形成為細線狀。 匯流電極9在顯示區(qū)域A內(nèi)與各個間隔壁14立體交叉,因此,在 如圖2 ( a )、 ( b)所示的平面視圖中具有與間隔壁14不重疊的放電空間 部分92和與間隔壁14發(fā)生重疊的間隔壁交叉部分93。本實施方式的匯 流電極9被構(gòu)圖為在該間隔壁交叉部分93中具有突起形狀部分91。換 句話說,如圖2所示,突起形狀部分91的線寬(縱寬)Dl形成為比放 電空間部分92的線寬D2更大。
      匯流電極9具備這樣的特征,由此所得的效果是,如上所述在匯流 電極9中,在間隔壁交叉部分93形成了突起形狀部分91,從而使其線 寬Dl形成為比放電空間部分92的線寬D2更大,而由于間隔壁交叉部 分93與間隔壁重疊,因此不會影響像素開口率。因此,能夠在確保像 素開口率的同時降低匯流電極9的較長方向的電阻(金屬絲電阻)。亦即,如果對本實施方式的匯流電極9與線寬統(tǒng)一為D2的匯流電 極進行比較就會發(fā)現(xiàn),放電空間1的區(qū)域中的線寬同樣都是D2,因此, 像素開口率是相同的,而在匯流電極9中,間隔壁交叉部分93的線寬 Dl比線寬D2大,因此間隔壁交叉部分93的金屬絲電阻降低。特別地,在高精度PDP中,在確保像素開口率方面優(yōu)選是將放電空 間部分92做成細線狀并使其線寬D2保持固定值,線寬D2設(shè)定為5至 10fim是適當(dāng)?shù)摹T诟呔萈DP中,如果使用這樣的匯流電極9,則降低金屬絲電阻 的效果大。亦即,在PDP中,如果顯示畫面的大小相同,那么精度越高,單位 像素面積就越小,因此為了保持像素開口率,就必須將匯流電極的放電 空間部分的線寬做得極細。例如,在符合完全高清晰度的高精度PDP中, 整個面板中掃描電極5、維持電極6的排列條數(shù)分別在約2000條以上, 匯流電極9也要配設(shè)約4000條以上,因此,必須將匯流電扨J故成非常 纟田的纟田纟戔。在這種高精度PDP中,如果使用統(tǒng)一的線寬形成全部匯流電極,則 金屬絲電阻會變得相當(dāng)高,難以將電力充分地供應(yīng)到電極的末端;像本 實施方式的匯流電極9這樣,通過在間隔壁交叉部分93中設(shè)置突起形 狀部分91,間隔壁交叉部分93的線寬增大,使金屬絲電阻(相對于X 方向的電阻)相應(yīng)地降低,因此,即使PDP是高精度的,也能夠降低匯 流電極的金屬絲電阻,就能夠?qū)㈦娏Τ浞值毓?yīng)到匯流電極延伸設(shè)置方 向的末端。接下來,詳細敘述突起形狀部分91的理想形態(tài)。突起形狀部分91的形狀既可以如例如圖2(a)那樣整體形成為矩 形,也可以如圖2(b)那樣形成為根部比頂端部分更寬。無論是哪一種形狀,只要突起形狀部分91是朝向間隔壁14伸長的 Y方向突出,則即使突出很大,由于其與間隔壁14重疊,因此都適合于保持像素開口率。突起形狀部分91的頂端部分(除去根部附近的部分)的橫寬Wl優(yōu) 選是設(shè)定為與間隔壁14的最大寬度W2相同或更小。這是因為,如果突
      起形狀部分91的根部部分以外的橫寬Wl大于間隔壁14的最大寬度W2,則突起形狀部分91就會從間隔壁14露出來,從放電單元向前面放 射出來的光會被這部分遮擋,導(dǎo)致放電單元的發(fā)光量減少,而如果將突 起形狀部分91的橫寬Wl設(shè)定為間隔壁14的最大寬度W2以下,就能夠 確保從放電單元發(fā)出的發(fā)光量。這里,間隔壁14的截面(沿圖2 (a)中的Z-Z線的截面)通常是 如圖1所示的梯形,根部一側(cè)(基板ll 一側(cè))寬度大,間隔壁頂端(前 面板2—側(cè))的寬度有所減少,因此"間隔壁14的最大寬度W2"通常 是指間隔壁14在基板11 一側(cè)的寬度。圖2中表示間隔壁14的邊緣線 條指示出最大寬度W2。另一方面,突起形狀部分91的根部位于放電單元的角部,如果將 該根部的橫寬Wl設(shè)定為大于間隔壁14的最大寬度W2,則雖然角部被遮 擋,但由于該角部幾乎不參與放電發(fā)光,因此即使角部被遮擋住,從放 電單元向前面發(fā)出的光量也幾乎不受影響。因此,即使將根部的橫寬W1 做得比間隔壁14的最大寬度W2大,實質(zhì)的像素開口率也不會降低。由此,如圖2 (b)中所示例那樣,僅在突起形狀部分91的根部附 近將橫寬Wl設(shè)定為比間隔壁14的最大寬度W2大,而在根部附近以外 的部分則將橫寬Wl設(shè)定為比間隔壁14的最大寬度W2小,這樣的話, 實質(zhì)的像素開口率不會降低,而且在根部附近能夠相應(yīng)于橫寬Wl的增大量進一步降低匯流電極的金屬絲電阻。另外,在將間隔壁14構(gòu)造成井字形的情況下或者提高了放電氣體 中的Xe分壓的情況下,在放電單元的角部,放電難以擴散,因此,特 別是在高精度像素中將間隔壁形成為井字構(gòu)造的情況下或者高Xe分壓 的情況下,優(yōu)選是將突起形狀部分91的橫寬Wl在頂端部分設(shè)定為小于 等于間隔壁的最大寬度,而在根部則設(shè)定得寬,由此降低金屬絲電阻。突起形狀部分91的線寬Dl優(yōu)選是設(shè)定得較大,從而降低匯流電極 9的金屬絲電阻,但如果所設(shè)定的線寬Dl很大而以至于突起形狀部分91 的頂端從透明電極55上方露出來,則在驅(qū)動時,間隔壁上突起形狀部 分91彼此相對的頂端之間變得容易發(fā)生放電,因此,線寬D1設(shè)定為使 突起形狀部分91的頂端不至于從透明電極55上方露出來的程度。從這一角度出發(fā),優(yōu)選是將突起形狀部分91的線寬D1設(shè)定為放電 空間部分92的線寬D2的2至20倍的范圍內(nèi)。 另外,在上述那樣使用低反射材料形成匯流電極9的顯示面一側(cè)的情況下,該匯流電極9覆蓋間隔壁14的比例越大,對比度提高越大, 因此,突起形狀部分91優(yōu)選是延伸設(shè)置至透明電極55的放電間隙一側(cè) 的端部。特別是在不設(shè)置遮光膜102的情況下,突起形狀部分91優(yōu)選 是延伸設(shè)置到透明電極55的》t電間隙一側(cè)的端部。如上所述,借助于本實施方式的PDP,能夠降低匯流電極的金屬絲 電阻,而不會降低像素開口率。此外,也可以應(yīng)用于低精度的PDP,特 別地,如果應(yīng)用于50至100英寸或更大的大畫面且高精度(例如完全 高清晰度)的PDP,則收效很大。此外,在上述說明中,將透明電極55和匯流電極9層疊而形成了 顯示電極對4,即使是不形成透明電極55而僅以一對匯流電極9構(gòu)成顯 示電極對4,也同樣能夠?qū)嵤?,并獲得同樣的效果。[第2實施方式]圖3是表示第2實施方式中的PDP的實施例的放電單元單位的結(jié)構(gòu) 的概略平面圖,與上述圖2相同的結(jié)構(gòu)要素賦予了相同的引用編號。與第1實施方式相同,匯流電極9中的放電空間部分95 (面對著顯 示區(qū)域A內(nèi)的放電空間1的區(qū)域)被做成了細線狀,線寬D2為5至10,, 突起形狀部分94的線寬(縱寬)D3形成為比放電空間部分95的線寬D2 更大,但在本實施方式中,間隔壁141形成為井字形,黑色矩陣形狀的 遮光膜103也與該間隔壁141同樣地包圍著放電單元而形成。與此同 時,匯流電極9在如圖3所示的平面視圖中與間隔壁1"及遮光膜103 交叉。上述突起形狀部分94形成在該交叉部分,突起形狀部分94的頂 端部分的橫寬W3形成為比遮光膜103的寬度W4更小。既可以重疊透明電極55和匯流電4及9而形成顯示電4及對4,也可以 不形成透明電才及55而^又以一對匯流電極9形成顯示電極對4。下面,進一步詳細說明。后面板3上的間隔壁141如圖3所示那樣在放電單元201的周圍形 成為井字形。另一方面,在前面板2上覆蓋著該井字形間隔壁141形成 了黑色矩陣形狀的遮光膜103。亦即,在平面視圖中,遮光膜103與間 隔壁141重疊著形成。該遮光膜103存在于相鄰》t電單元之間,對》丈電 單元201的周圍或單元邊界附近進行遮光,由此提高顯示對比度。在針對每個像素設(shè)置RGB各彩色濾光片(未圖示)的情況下,遮光
      膜103設(shè)置在RGB各彩色濾光片之間即可。沿著遮光膜103的Y方向形成的部分的寬度W4形成為比沿著間隔 壁141的Y方向形成的部分的最大寬度W2略寬。各匯流電極9沿著畫面橫向即X方向延伸設(shè)置,因此在平面^L圖 中,在顯示區(qū)域A內(nèi)與沿著畫面縱向即Y方向延伸的間隔壁141及遮光 膜103交叉。在匯流電極9中與遮光膜103交叉重疊的遮光膜交叉部分96中, 通過形成突起形狀部分94,該突起形狀部分94的線寬D3比放電空間部 分95的線寬D2更大。此外,突起形狀部分94的頂端部分的橫寬W3設(shè)定為小于等于遮光 膜103的寬度W4。此外,如果將突起形狀部分94的橫寬W3設(shè)定為小于 等于間隔壁141的最大寬度W2,橫寬W3就會被設(shè)定為小于等于遮光膜 103的寬度W4。只要突起形狀部分94是朝向遮光膜103伸長的Y方向突出,則即 使突出很大,由于其與遮光膜103重疊,因此在維持像素開口率方面是可耳ju勺。本實施方式的PDP實現(xiàn)了與上述第1實施方式相同的效果。亦即,匯流電極9中的放電空間部分95被做成細線狀,突起形狀 部分94在平面視圖中與遮光膜103重疊,因此保持了像素開口率。另 外,突起形狀部分94使匯流電極9的金屬絲電阻降低,因此,能夠?qū)?充分的電力供應(yīng)到延伸設(shè)置方向的末端。這種效果對于低精度的PDP也是有效,而特別地對于50至100英 寸或更大的大畫面且高精度(例如完全高清晰度)的PDP,則上述效果 尤為顯著。(第2實施方式的變形)在上述圖3所示的實例中,突起形狀部分94是矩形,突起形狀部 分94整體的橫寬W3設(shè)定為小于等于遮光膜103的寬度W4,而在第1實 施方式中,如基于圖2(b)所說明的那樣,如果對于突起形狀部分94 的根部將橫寬W3設(shè)定為比遮光膜103的寬度W4更大,則能夠進一步降 低金屬絲電阻。另外,在上述圖3所示的PDP中,在平面視圖中遮光膜103與間隔 壁141重疊而形成,并且匯流電極9與遮光膜103及間隔壁141兩者交
      叉,但間隔壁141也可以不與匯流電極9交叉,只要遮光膜103與匯流 電極9交叉即可實施。另外,在上述圖3所示的PDP中將遮光膜103形成為井字形,但即 使是僅沿著Y方向形成遮光膜103的情況下也同樣能夠?qū)嵤?,并實現(xiàn)同 樣的效果。[第3實施方式]圖4是表示第3實施方式中的PDP的面板整體的結(jié)構(gòu)的概略平面 圖,與圖l、圖2相同的結(jié)構(gòu)要素賦予了相同的參考號。在PDP31中,為了密封配設(shè)在前面板2的較長的X方向上的匯流電 極9、配設(shè)在后面板3的畫面縱Y方向的數(shù)據(jù)電極12及基板之間,在基 板周圍設(shè)置了密封部32,而圖4中表示的就是該密封部32的配置結(jié)構(gòu)。PDP31是高精度PDP,在顯示區(qū)域A中所排列的如第1和第2實施 方式中所說明的放電單元也比現(xiàn)有的低精度PDP多。因此,匯流電極9 和數(shù)據(jù)電極12的排列條數(shù)也遠比現(xiàn)有的PDP多,匯流電極9的排列間 距設(shè)定為比現(xiàn)有的低精度間距的約1/3還要小。另外,從延伸設(shè)置在顯 示區(qū)域A中而形成的匯流電極9向基板一端引出的電極引出部33的排 列條數(shù)增加,顯示區(qū)域外的排列間距也比現(xiàn)有的PDP窄。同樣地,后面 板3的數(shù)據(jù)電極12的排列條數(shù)增加。圖5是用于說明PDP31的密封部分中從匯流電極引出的電極引出部 的結(jié)構(gòu)的圖,圖5(a)是將圖4所示的PDP31的顯示區(qū)域外的密封部32 附近的區(qū)域E放大后的示意性平面圖。如該圖所示,在區(qū)域E中沿著基板外圍形成了密封部32。該密封部 32是將密封材料(seal材料)進行涂敷印刷后硬化而形成的。根據(jù)使用狀況,密封材料可以選擇合適的有機材料、無機材料系或 者將它們加以復(fù)合后的復(fù)合材料系的密封材料,可以使用有機樹脂材 料、無機材料和金屬材料之中的2種以上經(jīng)混合后形成的復(fù)合材料等。 由此,可以采用室溫到約300。C附近的低溫工藝進行密封,因此,能夠 在提高面板品質(zhì)的同時,降低其制造工藝的成本。具體地,作為高氣密的復(fù)合材料,既可以使用含有很多由Si02、玻 璃等金屬氧化物、金屬氮化物和金屬碳化物等無機材料構(gòu)成的粉狀體或 晶須的丙烯酸鹽系紫外線固化型粘合劑或陽離子固化型紫外線固化環(huán) 氧樹脂粘合劑,或者含有很多這些無機材料的紫外線固化型有機粘合材
      料或僅含有少許這些無機材料的紫外線固化型有機粘合材料,或者也可 以使用不含無機材料的丙烯酸鹽系紫外線固化型粘合劑或陽離子固化 型紫外線固化環(huán)氧樹脂粘合劑。各匯流電極9具有從顯示區(qū)域A —側(cè)引出的電極引出部33,該電極 引出部33橫穿過密封部32,延伸設(shè)置到顯示區(qū)域外。如上述第1、第2實施方式中所說明,匯流電極9是金屬電極,優(yōu) 選是使用包括由Al系電極材料構(gòu)成的薄膜電極、Cr/Cu/Cr等層疊薄膜 電極在內(nèi)的、含有從A1、 Cu、 Cr、 Ni、 Au及Pd之中選出的一種以上的 電極材料形成的薄膜電極。(電極引出部33的特征)在高精度PDP中,匯流電極9的線寬D2設(shè)定為例如約20,,排列 間3巨P1較小,i殳定為例如約80pm。這種情況下,匯流電才及9之間的間 隙約為60,,當(dāng)密封部交叉部分之間的間隙減小到60,左右時,在該 狹窄的間隙中所產(chǎn)生的電場容易引起電遷移。此外,如果在密封部產(chǎn)生 了電遷移,密封部就會惡化而發(fā)生電流泄露或氣體泄露等。相對此,在本實施方式的PDP中,從匯流電極9引出的電極引出部 33中的密封部交叉部分34的線寬D4比延伸設(shè)置在顯示區(qū)域A內(nèi)的匯流 電極9的線寬D2更細,設(shè)定在5至10|Lim的范圍內(nèi)。這樣一來,如果將密封部交叉部分34的線寬D4設(shè)定為比顯示區(qū)域 中的線寬D2更小,就能夠在確保顯示區(qū)域中的匯流電極的導(dǎo)電性的同 時,使密封部交叉部分34的線寬減小,從而使相鄰密封部交叉部分34 之間的間隔gl相應(yīng)地增加同樣大小,達到約7 0至75|iim,因此,相鄰電 極引出部33之間不怎么產(chǎn)生電場。因此,在高精度的PDP中,既降低了電力消耗,又抑制了電遷移, 從而抑制了密封部的電流泄露和氣體泄露,有助于提高可靠性。另外,如上所述,使用從A1、 Cu、 Cr、 Ni、 Au及Pd之中選出的電 極材料,利用薄膜電極形成電極引出部33的密封部交叉部分34,也有 助于防止密封部交叉部分的電遷移。此外,如圖5(a)所示,電極引出部33穿過密封部32延伸到外側(cè), 在密封部32的外側(cè),也可以接觸著各薄膜電極形成厚膜電極。圖5 (b)是圖5 (a)所示的匯流電極中的密封部交叉部分沿著a-a線的剖面圖。
      在密封部32中,優(yōu)選是采用包含有機系材料和無機系材料的復(fù)合材料形成與電極引出部33交叉接觸的密封部分322,這樣能夠防止密封 部分的泄露,有助于提高面板的可靠性。另一方面,與電極引出部33立體交叉但并不與其接觸的密封部分 321中可以使用包含有機系材料和復(fù)合材料之中的至少1組的密封材 料,如圖5(b)所示,由密封部分322和密封部分321這2層層疊形成 密封部32,使其具有層疊結(jié)構(gòu)。以上說明了顯示電極對的匯流電極9,而從數(shù)據(jù)電極12引出的電極 引出部也同樣,如果將密封交叉部分的線寬設(shè)定為比延伸設(shè)置在顯示區(qū) 域內(nèi)的數(shù)據(jù)電極12的線寬更小,則相鄰電極引出部之間產(chǎn)生的電場就 會降低,因此抑制了電遷移。(第1至第3實施方式的變形例)在上述第l至第3實施方式中所說明的顯示區(qū)域內(nèi)的匯流電極主要 是由Al系電極材料等形成的薄膜電極,但也可以采用通過印刷Ag電極 漿等厚膜電極材料后進行燒制的厚膜工序所形成的厚膜電極。另外,在第1至第3實施方式中所說明的保護膜是由Mg0形成的, 如果使用其他金屬氧化物,例如使用Ca0、 Ba0、 Sr0、 Mg冊、Zn0等形 成保護膜,同樣也可以實施。工業(yè)上的可適用性借助于本發(fā)明,特別是在高精度PDP中,能夠降低電極電阻而又不 會降低像素開口率,從而實現(xiàn)高亮度和低耗電,并防止電極引出部中的 電遷移,由此提高了可靠性,因此能夠應(yīng)用于從中小型到大型的高精度 電視機或者高精度信息顯示終端等影像設(shè)備產(chǎn)業(yè)、信息設(shè)備產(chǎn)業(yè)及其他 工業(yè)領(lǐng)域中,其工業(yè)上的可適用性非常廣泛。
      權(quán)利要求
      1.一種等離子體顯示面板,其前面板和后面板包夾著放電空間而對置,上述前面板上成對配設(shè)著包含匯流電極的顯示電極,在顯示區(qū)域內(nèi)沿著上述顯示電極形成了多個放電單元,在上述后面板上與上述顯示電極對交叉著設(shè)置了將相鄰放電單元分隔開的間隔壁,上述匯流電極在與上述間隔壁重疊的部分具有突起形狀部分;該突起形狀部分的線寬大于對著上述放電空間的部分的線寬;上述突起形狀部分的橫寬小于等于上述間隔壁的最大寬度。
      2. —種等離子體顯示面板,其前面板和后面板包夾著放電空間而 對置,上述前面板上成對配設(shè)著包含匯流電極的顯示電極,在顯示區(qū)域 內(nèi)沿著上述顯示電極形成了多個放電單元,在上述后面板上與上述顯示 電極對交叉著設(shè)置了將相鄰放電單元分隔開的間隔壁,上述匯流電極在與上述間隔壁重疊的部分具有突起形狀部分; 該突起形狀部分的線寬大于對著上述放電空間的部分的線寬; 上述突起形狀部分的頂端部分的橫寬小于上述間隔壁的最大寬度。
      3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板,上述突起形狀部分的 根部的橫寬大于上述間隔壁的最大寬度。
      4. 如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板,上述突起形狀部分沿著上述間隔壁突出。
      5. 如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板,上述匯流電極使 用低反射材料形成其顯示面一側(cè)。
      6. —種等離子體顯示面板,其前面板和后面板包夾著》欠電空間而 對置,上述前面板上成對配設(shè)著包含匯流電極的顯示電極,在顯示區(qū)域 內(nèi)沿著上述顯示電極形成了多個放電單元,在上述后面板上與上述顯示 電極交叉著設(shè)置了對相鄰放電單元的邊界附近區(qū)域進行遮光的遮光 膜,上述匯流電極在與上述遮光膜重疊的部分具有突起形狀部分; 該突起形狀部分的線寬大于對著上述放電空間的部分的線寬; 上述突起形狀部分的橫寬小于等于上述遮光膜的寬度。
      7. —種等離子體顯示面板,其前面板和后面板包夾著放電空間而對置,上述前面板上成對配設(shè)著包含匯流電極的顯示電才及,在顯示區(qū)域 內(nèi)沿著上述顯示電極形成了多個放電單元,在上述前面板上與上述顯示 電極交叉著設(shè)置了對相鄰放電單元的邊界附近區(qū)域進行遮光的遮光 膜,上述匯流電極在與上述遮光膜重疊的部分具有突起形狀部分; 該突起形狀部分的線寬大于對著上述放電空間的部分的線寬; 上述突起形狀部分的頂端部分的橫寬小于上述遮光膜的寬度。
      8. 如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,上述突起形狀部分的 根部的橫寬大于上述遮光膜的寬度。
      9. 如權(quán)利要求6或7所述的等離子體顯示面板,上述突起形狀部 分沿著上述遮光膜突出。
      10. 如權(quán)利要求l、 2、 6、 7中的任一項所述的等離子體顯示面板, 上述匯流電極在上述突起形狀部分的線寬為對著上述放電空間的部分的線寬的2倍以上20倍以下的范圍內(nèi)。
      11. 如權(quán)利要求l、 2、 6、 7中的任一項所述的等離子體顯示面板, 上述各顯示電極是在帶狀的透明電極上由上述匯流電極重疊而構(gòu)成,上述突起形狀部分延伸至上述透明電極的放電間隙 一側(cè)的端部。
      12. —種等離子體顯示面板,其前面板和后面板包夾著放電空間而 對置,同時其外圍部分被密封部密封起來,上述前面板上成對配設(shè)著包 含匯流電極的顯示電極,在顯示區(qū)域內(nèi)沿著上述顯示電極形成了多個放 電單元,其具有上述匯流電極從顯示區(qū)域內(nèi)橫穿上述密封部引出到顯示區(qū)域外部而形成的電極引出部,上述匯流電極在該電極引出部中與上述密封部交叉的部分的線寬形成為小于其在顯示區(qū)域內(nèi)的線寬。
      13. 如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板,上述電極引出部中 至少橫穿上述密封部的部分,使用由包含從鋁、銅、鉻、鎳、金和鈀之 中選出的 一種以上的電極材料構(gòu)成的薄膜來形成。
      14. 如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板,上述電極引出部橫 穿上述密封部的部分的線寬為5至10,。
      15. 如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板,上述密封部是由包 含有機系材料和無機材料的復(fù)合材料形成。
      16. 如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板,上述密封部中至少 與上述電極引出部交叉并接觸的密封部分,是由包含有機系材料和無機 系材料的復(fù)合材料形成。
      17. 如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板,上述密封部是在室 溫以上30(TC以下的范圍內(nèi)密封形成。
      18. 如權(quán)利要求1、 2、 6、 7、 12中的任一項所述的等離子體顯示 面板,上述匯流電極的顯示區(qū)域內(nèi)部分,使用由包含從鋁、銅、鉻、鎳、 金和鈀之中選出的 一種以上的電極材料構(gòu)成的薄膜來形成。
      19. 如權(quán)利要求1、 2、 6、 7、 12中的任一項所述的等離子體顯示 面板,上述匯流電極在顯示區(qū)域內(nèi)以由含銀的電極材料構(gòu)成的厚膜形 成。
      全文摘要
      本發(fā)明的目的在于,在高精度的PDP中,在確保像素開口率的同時降低匯流電極的金屬絲電阻,將充足的電力供應(yīng)到匯流電極延伸設(shè)置方向的末端,從而實現(xiàn)高亮度和低耗電。為此,在PDP的后面板(3)上設(shè)置與顯示電極對(4)立體交叉的將相鄰放電單元(101)分隔開的間隔壁(14),在該PDP中,針對匯流電極(9),在與間隔壁(14)立體交叉的間隔壁交叉部分(93)中形成突起形狀部分(91),將突起形狀部分(91)的線寬(D1)設(shè)定為大于對著放電空間的放電空間部分(92)的線寬(D2)。此外,將突起形狀部分(91)的橫寬(W1)設(shè)定為小于間隔壁(14)的最大寬度(W2)。
      文檔編號H01J17/49GK101160640SQ200680012550
      公開日2008年4月9日 申請日期2006年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月15日
      發(fā)明者山北裕文 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
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