專利名稱：圖像顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像顯示裝置及其制造方法，尤其適用于使用了電子源陣列的自發(fā)光型的也被稱為平板顯示器的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前，正在開發(fā)利用微小、可集成的電子源的圖像顯示裝置(場致發(fā)射顯示器FED)。這種圖像顯示裝置的電子源分為場致發(fā)射型電子源和熱電子型電子源。前者包括圓錐發(fā)射體(Spindt)型電子源、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子源、碳納米管型電子源等，后者包括層疊了金屬-絕緣體-金屬的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、層疊金屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬型等的薄膜型電子源。
關(guān)于MIM型，例如在專利文獻(xiàn)1中發(fā)表過，關(guān)于金屬-絕緣體-半導(dǎo)體型發(fā)表過MOS型(非專利文獻(xiàn)1)，關(guān)于金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬型發(fā)表過HEED型(在非專利文獻(xiàn)2等中記載)、EL型(在非專利文獻(xiàn)3等中記載)、多孔硅型(在非專利文獻(xiàn)4等中記載)等。
關(guān)于MIM型電子源，例如在專利文獻(xiàn)2中公開過。MIM型電子源的結(jié)構(gòu)和動作如下。即、具有在上部電極和下部電極之間夾設(shè)絕緣層的結(jié)構(gòu)，通過在上述電極和下部電極之間施加電壓，下部電極中的費米能級附近的電子由于隧道效應(yīng)穿透勢壘，注入到作為電子加速層的絕緣層的導(dǎo)帶成為熱電子，流入到上部電極的導(dǎo)帶。這些熱電子中的、具有上部電極的功函數(shù)φ以上的能量而到達(dá)了上部電極表面的電子被發(fā)射到真空中。
日本特開平7-65710號公報 日本特開平10-153879號公報[專利文獻(xiàn)3]日本特開2004-363075號公報[非專利文獻(xiàn)1]j.Vac.Sci.Techonol.B11(2)p.429-432(1993)[非專利文獻(xiàn)2]high-efficiency-electro-emission device，Jpn，j.Appl.phys，vol.36，pp.939[非專利文獻(xiàn)3]Electroluminescence，應(yīng)用物理 第63卷，第6號，592頁[非專利文獻(xiàn)4]應(yīng)用物理 第66卷，第5號，437頁發(fā)明內(nèi)容將這樣的電子源排成多個行(例如水平方向)和多個列(例如垂直方向)形成矩陣，將與各電子源對應(yīng)地排列的多個熒光體配置在真空中，能夠構(gòu)成圖像顯示裝置。這樣的電子源，由于當(dāng)電子發(fā)射電極存在表面污染時，電子難以發(fā)射，因而在電子發(fā)射電極的加工中不選擇使用熱工序等。因此，在電子發(fā)射電極的供電電極側(cè)壁形成底切(under cut)，或在表面保護(hù)絕緣膜的電子發(fā)射部的開口部形成底切，在電子發(fā)射電極成膜時，利用底切部被掩蓋而不能成膜這一情況自對準(zhǔn)地切斷電子發(fā)射電極，能夠進(jìn)行電分離，但需要復(fù)雜的工藝，因而存在工藝成本增大的問題。
另外，當(dāng)存在雜質(zhì)時，在供電電極側(cè)壁形成的底切容易短路，成為成品率降低的主要因素，并且，一般來說絕緣膜的膜應(yīng)力高，因此，當(dāng)在絕緣膜之下形成底切時，存在絕緣膜的檐塌落而導(dǎo)致短路的情況。
為了解決該問題，必須簡化用于像素分離的結(jié)構(gòu)和工藝以削減熱工序，使加工性良好，防止由雜質(zhì)等造成的成品率降低，能夠校正短路故障部位。
本發(fā)明的第一目的在于，提供加工電子發(fā)射電極的新方法及用于實現(xiàn)該方法的電子源結(jié)構(gòu)。
為了達(dá)到上述目的，在電子源陣列的電子發(fā)射電極的供電電極之間設(shè)置與供電電極同層且平行地設(shè)置的絕緣性隔壁是有效的。
作為絕緣性隔壁使用SiN、非摻雜硅、未被活化的摻雜硅是有效的。
電子發(fā)射電極，通過利用了在絕緣性隔壁的陡峭的側(cè)壁臺階的臺階切斷、熱處理引起的隔壁表面的凝集、向隔壁內(nèi)的固熔擴(kuò)散、對電子發(fā)射電極的隔壁跨接部通電引起的熔斷、對隔壁上的電子發(fā)射電極的激光照射引起的燒蝕來進(jìn)行切斷是有效的。


圖1是說明本發(fā)明的實施例1的、以使用了MIM型薄膜電子源的圖像顯示裝置為例的示意俯視圖。
圖2是表示薄膜型電子源的動作原理的圖。
圖3是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的圖。
圖4是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖3的圖。
圖5是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖4的圖。
圖6是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖5的圖。
圖7是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖6的圖。
圖8是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖7的圖。
圖9是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖8的圖。
圖10是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的隔壁的干蝕刻條件的圖。
圖11是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖10的圖。
圖12是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖11的圖。
圖13是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖12的圖。
圖14是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的掃描線間的電阻的15是表示本發(fā)明的薄膜型電子源的制法的接圖14的圖。
圖16是表示本發(fā)明的通過固溶加熱而分離的掃描線間的電阻的圖。
圖17是表示本發(fā)明的通過激光照射而分離的方法的圖。
圖18是表示本發(fā)明的在掃描布線間通電而分離的方法的圖。
圖19是表示本發(fā)明的隔壁和掃描電極的配置關(guān)系的另一實施例的圖。
圖20是表示本發(fā)明的隔壁和掃描電極的配置關(guān)系的另一實施例的圖。
圖21是表示本發(fā)明的隔壁和掃描電極的配置關(guān)系的另一實施例的圖。
具體實施例方式
以下，參照實施例的附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實施方式。在此，以使用了MIM型電子源的圖像顯示裝置為例進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并不限于MIM型電子源，使用了在背景技術(shù)部分所說明的各類電子發(fā)射元件的圖像顯示裝置也能同樣地應(yīng)用。特別是對使用薄的電子發(fā)射電極的、僅向真空中發(fā)射元件電流的一部分的熱電子型尤為有效。
圖1是說明本發(fā)明的實施例1的說明圖，是以使用了MIM型電子源的圖像顯示裝置為例的示意俯視圖。另外，在圖1中，主要示出具有電子源的一個基板(陰極基板)10的平面，在一部分上形成有熒光體的另一個基板110(熒光體基板、顯示側(cè)基板、濾色片基板)，僅局部地示出了在其內(nèi)表面具有的黑色矩陣120和熒光體111、112、113。
在陰極基板10上，形成有構(gòu)成連接信號線驅(qū)動電路50的信號線(數(shù)據(jù)線)的下部電極11、連接掃描線驅(qū)動電路60并與信號線垂直配置的掃描電極21、以及其他后述的功能膜等。另外，陰極(電子發(fā)射部)配置在掃描電極內(nèi)，由隔著絕緣層12層疊在下部電極11之上的上部電極13形成，從由絕緣層的薄層部分形成的絕緣層(隧道絕緣層)12的部分發(fā)射電子。
圖2是MIM型電子源的原理說明圖。該電子源，當(dāng)在上部電極13和下部電極11之間施加驅(qū)動電壓Vd，使隧道絕緣層12內(nèi)的電場為1-10MV/cm左右時，下部電極11中的費米能級附近的電子由于隧道效應(yīng)透過勢壘，注入到作為電子加速層的絕緣層12的導(dǎo)帶而成為熱電子，流入到上部電極13的導(dǎo)帶。這些熱電子中的、具有上部電極13的功函數(shù)φ以上的能量而到達(dá)了上部電極13表面的電子被發(fā)射到真空中。
回到圖1，在顯示側(cè)基板110的內(nèi)表面，形成有用于提高顯示圖像的對比度的遮光層即黑色矩陣120、紅色熒光體111、綠色熒光體112和藍(lán)色熒光體113。作為熒光體，例如，作為紅色可以使用Y2O2S:Eu(P22-R)；作為綠色可以使用ZnS:Cu，Al(P22-G)；作為藍(lán)色可以使用ZnS:Ag，Cl(P22-B)。陰極基板10和顯示側(cè)基板由間隔物30以預(yù)定的間隔保持，在顯示區(qū)域的外周夾設(shè)密封框(未圖示)，將內(nèi)部真空密封。
電子發(fā)射部靠近陰極基板10的掃描電極21的寬度方向單側(cè)配置，間隔物30靠近與上述電子發(fā)射部相反的一側(cè)配置，隱藏在熒光面基板的黑色矩陣120之下地配置。下部電極11連接信號線驅(qū)動電路50，作為掃描電極布線的掃描電極17連接在掃描線驅(qū)動電路60上。
接下來，以對隔壁使用摻雜硅的情況為例，參照圖3-圖12說明本發(fā)明的圖像顯示裝置的制造方法的實施例。
首先，如圖3所示，在玻璃等的絕緣性基板10上形成下部電極11用的金屬膜。作為下部電極11的材料使用Al。使用鋁是因為能夠通過陽極氧化形成優(yōu)質(zhì)的絕緣膜。這里，使用了摻雜了2原子量％的Nd的Al-Nd合金。成膜例如使用濺射法。膜厚設(shè)為600nm。
成膜后通過圖形化工序、蝕刻工序形成條狀的下部電極11(圖4)。在本實施例的圖像顯示裝置中，上述下部電極11成為信號線。下部電極11的電極寬度因圖像顯示裝置的尺寸和分辨率而異，其子像素的節(jié)距大致設(shè)為100-200微米(μm)左右。蝕刻例如使用在磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液中的濕蝕刻。由于該電極是寬度大的簡單條狀結(jié)構(gòu)，抗蝕劑的圖形化可以用廉價的貼近式(proximity)曝光或印刷法進(jìn)行。
接下來，形成限制電子發(fā)射部，防止電場向下部電極11邊緣集中的保護(hù)絕緣層14和絕緣層12。首先，將如圖5所示的下部電極11上的要成為電子發(fā)射部的部分用抗蝕劑膜25掩蓋，對其它部分有選擇地進(jìn)行陽極氧化使之變厚，成為保護(hù)絕緣層14。如果設(shè)化成電壓為200V，則形成厚度約270nm的保護(hù)絕緣層14。之后，除去抗蝕劑膜25并將剩余的下部電極11的表面陽極氧化。例如，如果設(shè)化成電壓為6V，則在下部電極11上形成厚度約10nm的絕緣層(隧道絕緣層)12(圖6)。
接著，例如用濺射法等對層間絕緣膜15和成為隔壁材料的Si進(jìn)行成膜(圖7)。作為層間絕緣膜15，對隔壁材料使用Si時，例如可以使用硅氧化物、氮化硅膜等。這是因為這些材料在如后述那樣用干蝕刻加工Si隔壁時能夠確保蝕刻選擇性以減少層間絕緣膜15的蝕刻量。在此，使用通過在Ar和N2氛圍中進(jìn)行反應(yīng)性濺射而成膜的氮化硅膜，膜厚設(shè)為200nm。該層間絕緣膜15發(fā)揮如下的作用，即、在由陽極氧化形成的保護(hù)絕緣層14存在針孔(pinhole)的情況下，掩埋該缺陷，保持下部電極11與掃描電極間的絕緣。隔壁材料的Si使用摻雜了B、P等的Si靶，在Ar氛圍中濺射成膜。厚度設(shè)為200nm。用濺射形成的摻雜硅由于摻雜材料未被活化，所以也能夠與本征半導(dǎo)體的情況大致相同地作為高電阻的半絕緣材料使用。
接著，使用干蝕刻，在SiN的層間絕緣膜15上有選擇地蝕刻Si，形成隔壁(圖8)。Si的選擇干蝕刻利用CF4和O2的混合氣體、或SF6和O2的混合氣體來進(jìn)行。這些氣體同時蝕刻Si和SiN，通過使O2的比例最佳化，能夠提高Si的蝕刻選擇率。
圖9表示Si和SiN以及抗蝕劑的蝕刻速率的CF4和O2的氣體比例依賴性。通過設(shè)O2的混合率為30％，能夠使Si的蝕刻速度提高到SiN的蝕刻速度的9倍。因此，能夠在SiN上基本有選擇地蝕刻Si。另外，在該混合比例下的抗蝕劑的蝕刻速率大致為0，因此沒有蝕刻中的抗蝕劑的后退，能夠形成具有非常陡峭的側(cè)壁的Si隔壁16。對層間絕緣膜15使用了氧化硅和氮氧化硅的情況與使用了SiN的情況相比，蝕刻速度進(jìn)一步降低，因此能夠得到高的選擇性。通過使隔壁的側(cè)壁比掃描電極17、層間絕緣膜15陡峭，能夠在后面的工序中使電子發(fā)射電極易于在隔壁的側(cè)壁發(fā)生臺階切斷，而在其他部位難以發(fā)生臺階切斷。
接著，以4.5μm的厚度將電子發(fā)射電極的供電線、在本實施例的圖像顯示裝置中成為掃描電極的Al膜濺射成膜(圖10)，通過熱蝕刻工序，形成與下部電極11垂直、電子發(fā)射部靠近電極內(nèi)的寬度方向單側(cè)開口的掃描電極17。蝕刻例如使用在磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液中的濕蝕刻(圖11)。為了使電子發(fā)射電極不發(fā)生臺階切斷地進(jìn)行連接，對該供電電極進(jìn)行錐形加工。與層間絕緣膜所成的錐形角做成比隔壁與層間絕緣膜所成的錐形角小。Al和Al合金，是這樣的材料，即通過調(diào)整蝕刻液的磷酸、醋酸、硝酸的比例，具體來說通過提高硝酸的比例來使抗蝕劑端面的接合性降低，從而能夠容易地進(jìn)行錐形加工，并且由于耐氧化性強(qiáng)，作為本圖像裝置的掃描線材料是最優(yōu)選的。
接下來，加工層間絕緣膜15，將電子發(fā)射部開口。電子發(fā)射部形成于像素內(nèi)的一根下部電極11和與下部電極11垂直的兩根掃描電極所夾的空間的垂直部分的一部分。蝕刻可以通過使用例如以CF4或SF6為主要成分的蝕刻劑的干蝕刻來進(jìn)行(圖12)。
接下來，對電子發(fā)射電極13進(jìn)行成膜。該成膜法例如使用濺射成膜。作為上部電極13，例如使用Ir、Pt、Au的層疊膜，膜厚例如為3nm。(圖13)通過以上步驟，上述那樣的薄的發(fā)射電極13的情況，如圖14所示，由于Si的陡峭的側(cè)壁臺階，在形成電子發(fā)射電極的階段發(fā)生臺階切斷，各掃描線間的電阻可得20MΩ(測量器的測量精度上限)，能用進(jìn)行圖像顯示時不發(fā)生串?dāng)_的、使用方面沒有問題的電阻值按各掃描線進(jìn)行電分離。
比上述厚的電子發(fā)射電極，例如將Ir、Pt、Au的層疊膜做成6nm的情況下，對隔壁的附著變好，因此不能在成膜階段按各掃描線完全分離。但是，當(dāng)進(jìn)行加熱時會將多數(shù)貴金屬和過渡金屬固熔，隔壁的Si形成硅化物，由于進(jìn)一步加熱而引起的氧化，SiO2的保護(hù)膜生長，因此，經(jīng)過形成面板的熱工序處于非導(dǎo)通，能將電子發(fā)射電極按各掃描線電分離。其示意圖在圖15(18表示加熱而形成硅化物的隔壁)中示出，像素間的電阻變化在圖16中示出。熱工序前，掃描電極間電阻低至十幾kΩ，而熱工序后能得到20MΩ(測量儀器的測量精度上限)，能用進(jìn)行圖像顯示時不發(fā)生串?dāng)_的、使用方面沒有問題的電阻值按各掃描線進(jìn)行電分離。
作為與上述不同的像素分離法，如圖17所示，對隔壁16照射激光，加熱隔壁16的表面，由此，能用燒蝕切斷電子發(fā)射電極13。尤其是通過將Si作為隔壁16，能夠提高熱吸收效率，進(jìn)一步防止基底的層間絕緣膜15和下部電極11的損傷。該工序可在像素分離時用于整個基板，但因為花費加工時間，所以用于分離故障部位的校正等更為有效。
作為其它的像素分離法，如圖18所示在隔壁16的兩側(cè)的掃描電極17間施加電壓，對電子發(fā)射電極13通電，由此能用焦耳熱熔斷電子發(fā)射電極13。隔壁16側(cè)面的電子發(fā)射電極13的附著不好，電阻高，因此易于熔斷。該方法通過僅在處于短路的掃描電極17間有選擇地施加電壓，來校正分離部位也是有效的。尤其在組合熒光板形成面板之后，利用激光的校正變得困難，本方法是非常有效的。
按照以上方法，能夠通過簡單的手段將電子發(fā)射電極按各掃描線進(jìn)行分離加工，能降低工藝成本。并且能實現(xiàn)像素分離故障部位的有效的校正。
另外，以上所述是將Si用作隔壁的情況，在將SiN用作隔壁的情況下，只要使層間絕緣膜為氧化Si、氮氧化Si，就能有選擇地進(jìn)行干蝕刻。并且，使用了SiN時，不發(fā)生熱處理引起的硅化反應(yīng)，但SiN隔壁的干蝕刻加工側(cè)面比成膜面的凹凸顯著，因此，當(dāng)進(jìn)行熱處理時，電子發(fā)射電極凝集，呈島狀而在電學(xué)上不導(dǎo)通，因此，能與Si隔壁的情況同樣地進(jìn)行利用熱處理的分離。
另外，在本實施例中，隔壁配置在掃描線間，以隔壁的兩側(cè)面露出的狀態(tài)使用，但為了電子發(fā)射電極的分離，有單側(cè)的側(cè)面就足夠了。因此，也可以是圖19所示那樣的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，能夠減少隔壁表面的絕緣膜露出部，在抑制面板內(nèi)的帶電、防止陰極基板和熒光體基板之間的放電等異常是有效的。
另外，當(dāng)對圖19的結(jié)構(gòu)進(jìn)行Si的隔壁16的干蝕刻時，能夠以掃描電極17為掩膜進(jìn)行Si隔壁16的側(cè)邊蝕刻，能如圖20所示在掃描電極17的一個側(cè)面形成底切。在這種情況下，能夠利用掃描電極17的一個側(cè)面成為形成上部電極13時的檐，該檐掩蓋底切部而不形成上部電極13，由此自對準(zhǔn)地分離電子發(fā)射電極。該結(jié)構(gòu)的情況，底切的側(cè)面是絕緣體，因此，與在供電電極側(cè)壁形成底切的情況相比，有難以短路的優(yōu)點。
在形成上述底切的情況下，當(dāng)對掃描電極進(jìn)行錐形加工時，檐的強(qiáng)度容易不夠。因此優(yōu)選為如圖21所示那樣，形成掃描電極17和連接電極19的2層結(jié)構(gòu)，其中，該掃描電極17是厚膜且錐形角度大的掃描電極，連接電極19是在掃描電極17之上覆蓋電子發(fā)射部側(cè)的側(cè)面地進(jìn)行錐形加工，在分離側(cè)不覆蓋掃描電極17的電極。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示裝置，具有信號電極；電子源陣列，由薄膜的電子發(fā)射電極構(gòu)成，從電子發(fā)射電極發(fā)射電子；熒光面，與電子源陣列相對地配置，上述圖像顯示裝置的特征在于在多個供電電極之間，具有與該供電電極同層且平行地設(shè)置的絕緣性隔壁，成膜于圖像顯示區(qū)域整個面的電子發(fā)射電極，由上述隔壁按各供電電極電分離，其中，上述供電電極在層疊于上述信號電極上的層間絕緣膜之上相互平行地設(shè)置，進(jìn)行向上述電子發(fā)射電極的供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述隔壁材料是絕緣體或絕緣性的半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述絕緣體的隔壁材料是氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述絕緣性的半導(dǎo)體的隔壁材料是本征半導(dǎo)體、或摻雜未被活化的雜質(zhì)的半導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述絕緣性的半導(dǎo)體是非摻雜硅或摻雜了未被活化處理的B、P等的絕緣性摻雜硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像顯示裝置，其特征在于成為上述氮化硅隔壁的基底的層間絕緣膜是氧化硅、氮氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像顯示裝置，其特征在于成為上述硅隔壁的基底的層間絕緣膜是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述隔壁，與相鄰的一個供電電極離開，與另一個供電電極相接觸，僅露出隔壁的一個側(cè)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述隔壁，與相鄰的一個供電電極離開，被另一個供電電極覆蓋，在供電電極的一個側(cè)面形成有底切。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述供電電極相對于層間絕緣膜面進(jìn)行了錐形加工。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述供電電極，是相對于層間絕緣膜面的錐形角度小的薄的上層覆蓋錐形角度大的厚的下層的單側(cè)側(cè)面的2層結(jié)構(gòu)，從錐形角度小的一側(cè)進(jìn)行供電，在錐形角度大的側(cè)面形成有底切。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述隔壁側(cè)面的相對于層間絕緣膜面的錐形角，比供電電極的相對于層間絕緣膜面的錐形角大。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于上述供電電極是Al、或以Al為主材料的Al合金。
14.一種圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于權(quán)利要求1所述的隔壁，通過利用干蝕刻對層間絕緣膜進(jìn)行選擇蝕刻而形成。
15.一種圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于利用隔壁的陡峭的臺階來切斷權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射電極，使該隔壁的兩側(cè)的供電電極之間電分離。
16.一種圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于通過熱處理使權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射電極在隔壁的表面凝集，由此使該隔壁的兩側(cè)的供電電極之間電分離。
17.一種圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于通過熱處理使權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射電極與Si隔壁發(fā)生固相反應(yīng)，使之吸收擴(kuò)散，由此使該隔壁的兩側(cè)的供電電極之間電分離。
18.一種圖像顯示裝置的制造方法及布線校正方法，其特征在于通過在夾著隔壁的2根供電電極間施加電壓而對權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射電極通電，用焦耳熱將隔壁架設(shè)部的電子發(fā)射電極的高電阻部熔斷，由此使該隔壁的兩側(cè)的供電電極之間電分離。
19.一種圖像顯示裝置的制造方法及布線校正方法，其特征在于對權(quán)利要求1所述的隔壁上的電子發(fā)射電極照射激光進(jìn)行切割而熔斷電子發(fā)射電極，由此使各供電電極電分離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種圖像顯示裝置及其制造方法，能簡便地將電子發(fā)射電極按各供電電極進(jìn)行分割。與對電子發(fā)射電極供電的供電電極同層且平行地形成絕緣性的隔壁，在圖像顯示區(qū)域整個面對電子發(fā)射電極成膜，通過在隔壁側(cè)面的臺階切斷、熱處理引起的凝集和固熔擴(kuò)散、對Si隔壁上面的進(jìn)行激光照射引起的燒蝕、對夾著Si隔壁的掃描線間的通電引起的焦耳熱熔斷，由此切斷電子發(fā)射電極。
文檔編號H01J9/00GK101038848SQ20071000426
公開日2007年9月19日 申請日期2007年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
發(fā)明者楠敏明, 西村悅子, 佐川雅一, 辻和隆, 池田光晴 申請人:株式會社日立顯示器