專利名稱：：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)。尤其，本發(fā)明涉及包括包含摻雜物元素的保護層的等離子體顯示面板。通過使用作為保護層的摻雜了摻雜物的經(jīng)燒結(jié)的材料，減少了保護層的溫度依賴性，并且得到了高的響應(yīng)速度。保護層的改進特性提高了PDP的放電穩(wěn)定性。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(PDP)是通過用真空紫外線(VUV)激勵熒光體而顯示圖像的一種顯示設(shè)備，所述真空紫外線是通過放電單元中的氣體放電而產(chǎn)生的。隨著PDP能夠制成具有高分辨率的寬屏幕，注意力已經(jīng)集中在作為下一代平板顯示器的PDP上。等離子體顯示面板一般具有3電極表面力文電型結(jié)構(gòu)。在3電極表面放電型結(jié)構(gòu)中，等離子體顯示面板包括實質(zhì)上相互平行放置的前基板和后基板。在前基板上，設(shè)置了每個都包括兩個電極的顯示電極。在前基板上設(shè)置了介電層以覆蓋顯示電極。在后基板上設(shè)置了尋址電極。由阻隔肋(barrierrib)分開前基板和后基板之間的空間以形成充滿放電氣體的多個放電單元。此外，在后基板上設(shè)置熒光體層。為了經(jīng)濟性的原因，一般通過印刷過程來形成電極、阻隔肋和介電層。然而，當通過印刷過程形成時，介電層變厚，因此這種層的質(zhì)量要比通過薄膜形成過程形成的層差。在等離子體顯示面板的工作期間，離子濺射以及還有放電產(chǎn)生的電子會損壞介電層和形成在介電層下面的電極。因此，存在交流電PDP使用壽命縮短的問題。在減少放電期間離子轟擊導(dǎo)致?lián)p壞的嘗試中，在介電層上放置薄到僅為幾百納米(nm)厚的保護層。通常，用氧化鎂(MgO)來形成PDP的保護層。MgO保護層可以通過降低放電電壓和通過保護介電層不受離子濺射傷害而延長交流電(AC)型PDP的使用壽命。然而，因為保護層的特性隨薄膜形成條件而變化，所以保護層造成難于得到均勻的顯示質(zhì)量。保護層可以引起由尋址放電延遲(即，丟失了一次尋址放電)導(dǎo)致的黑噪聲，這種現(xiàn)象發(fā)生在所選中要發(fā)光的單元沒有發(fā)光的情況中。在某些區(qū)域中發(fā)生黑噪聲。具體地，傾向地發(fā)生在發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域之間的界面中。當不存在尋址放電時或當產(chǎn)生強度較低的掃描放電時會產(chǎn)生黑噪聲。此外，Mg0保護層直接接觸放電氣體，因此構(gòu)成保護層的成分的特性和保護層的薄膜形成的特性大大地影響PDP的放電特性。Mg0保護層的特性取決于組分成分和諸如沉積等薄膜形成條件。因此，需要在最優(yōu)化組成成分方面進行研究以提高PDP的顯示質(zhì)量。由單晶MgO或通過燒結(jié)方法制備的MgO來構(gòu)成保護層材料。與單晶材料相比，經(jīng)燒結(jié)的材料具有高響應(yīng)速度的優(yōu)點。但是，它存在溫度依賴性的問題，即，它的響應(yīng)時間根據(jù)環(huán)境溫度而變化，因此使放電可靠性和驅(qū)動穩(wěn)定性大大地變差。為了這個原因，經(jīng)燒結(jié)的材料不適宜作為大批量生產(chǎn)的材料。相反地，單晶材料具有低的溫度依賴性。然而，它的響應(yīng)速度低，因此導(dǎo)致由單個掃描來驅(qū)動PDP，從而在高分辨率PDP中不能用單晶材料。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目標是提供一種等離子體顯示面板，這種等離子體顯示面板由于降低了放電特性的溫度依賴性和增加了響應(yīng)速度而提高了放電穩(wěn)定性，結(jié)果提高了顯示質(zhì)量，這是通過在等離子體顯示面板的氧化鎂(Mg0)薄膜保護層中添加摻雜物元素而達到的。本發(fā)明的另一個目標是提供一種等離子體顯示面板，這種等離子體顯示面板通過具體地確定摻雜在Mg0薄膜保護層中的摻雜物元素和摻雜物元素的量來防止黑噪聲和提高顯示質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種等離子體顯示面板(PDP)，它包括第一基板、形成在第一基板內(nèi)表面上的尋址電極、與第一基板隔開并面對第一基板的第二基板、形成在第二基板內(nèi)表面上的顯示電極、形成在第二基板內(nèi)表面上并覆蓋顯示電極的介電層、以及形成在介電層上的保護層。保護層包括氧化鎂(Mg0)和摻雜物元素。摻雜物元素包括第一摻雜物元素和第二摻雜物元素。第一摻雜物元素包括鈣(Ca)、鋁(A1),和硅(Si),而從包括鐵(Fe)、鋯(Zr)和它們的組合的組中選擇第二摻雜物元素?；贛gO的質(zhì)量，第一摻雜物元素中Ca含量的質(zhì)量為100ppm到300ppm。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，保護層包括作為第二摻雜物元素的鐵(Fe)。在這種情況下，基于MgO的質(zhì)量，Ca含量的質(zhì)量約為100ppm到300ppm，最好是質(zhì)量為160ppm到180ppm。基于MgO的質(zhì)量，Al含量的質(zhì)量約為150ppm到250ppm，最好是質(zhì)量為190ppm到210ppm。基于Mg0的質(zhì)量，Si的含量的質(zhì)量約為40ppm到150ppm，最好是質(zhì)量為100ppm到120ppm。基于MgO的質(zhì)量，F(xiàn)e含量的質(zhì)量約為10ppm到40ppm，最好是質(zhì)量為20ppm到30ppm。鋁(Al)的含量的最優(yōu)化范圍可以根據(jù)第二摻雜物元素的種類而變化。當?shù)诙诫s物元素中包括鋯(Zr)時，基于MgO的質(zhì)量，Al含量的質(zhì)量約為150ppm到250ppm,最好是質(zhì)量為150ppm到170ppm。當參考下述詳細說明連同附圖對說明和附圖較好地理解時，本發(fā)明的完整的理解和許多伴隨的優(yōu)點將變得顯而易見，在附圖中，相同的標號表示相同或相似的元件，其中圖l是透視圖，示出作為本發(fā)明一個實施例而構(gòu)成的等離子體顯示面板；圖2是曲線圖，示出作為釣(Ca)摻雜含量的函數(shù)的放電延遲時間；圖3是曲線圖，示出作為鐵(Fe)摻雜含量的函數(shù)的放電延遲時間；圖4是曲線圖，示出作為鋁(AU摻雜含量的函數(shù)的放電延遲時間；圖5是曲線圖，示出作為硅(Si)摻雜含量的函數(shù)的放電延遲時間；圖6是曲線圖，示出圖2到圖5所示的放電延遲時間；以及圖7是曲線圖，示出根據(jù)第二例子1到4和根據(jù)本發(fā)明的第二對比例子1和2構(gòu)成的等離子體顯示面板的放電延遲時間。具體實施方式將參考附圖在下文中描述本發(fā)明的一個示范性實施例。本發(fā)明一個實施例的等離子體顯示面板包括可以提高PDP的顯示質(zhì)量的氧化鎂(MgO)保護層。使用經(jīng)燒結(jié)的MgO材料作為本發(fā)明中的PDP保護層材料，因為這有可能定量地摻雜預(yù)定的摻雜物成分來提高放電特性和在其固溶體極限中(withinasolid-solutionlimitation)完全控制摻雜物成分的量。所以當在單晶MgO材料中摻雜摻雜物時，很難定量地控制諸如硅(Si)之類的特定摻雜物。因此，在本發(fā)明的一個實施例中，在經(jīng)燒結(jié)的MgO材料或MgO的源材料的制備過程中定量地添加特定的摻雜物，然后使用熱沉積來形成MgO薄膜層。結(jié)果，可以使PDP放電期間的尋址放電延遲時間最小化，并且可以全面提高顯示質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，把特定的摻雜物元素定量地摻雜到經(jīng)燒結(jié)的Mg0材料以降低經(jīng)燒結(jié)的Mg0材料的溫度依賴性，并且保持經(jīng)燒結(jié)的Mg0材料優(yōu)于單晶Mg0材料的優(yōu)點，這大大地提高了放電穩(wěn)定性和可靠性。摻雜物元素包括第一摻雜物元素(諸如鈣(Ca)、鋁(A1)或硅(Si))，和第二摻雜物元素(諸如鐵(Fe)、鋯(Zr)和它們的組合)。通過摻雜物元素的交互作用來提高等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定性。本發(fā)明一個實施例的保護層包括Mg0、和包括Ca、Al和Si的第一摻雜物元素以及從包含F(xiàn)e、Zr和它們的組合的組中選擇的第二摻雜物元素。在下面的說明中，對于摻雜物元素的含量，使用質(zhì)量的ppm(百萬分之幾)單位。因此，在本說明書中的ppm是指基于參考材料的質(zhì)量的質(zhì)量的ppm。在本發(fā)明一個實施例的保護層中，根據(jù)Mg0的含量，鈣(Ca)包括在約100ppm到300ppm的量中，最好是160ppm到180ppm。當鈣含量在上述范圍內(nèi)時，可以得到最短的放電延遲時間。當鈣含量小于100ppm或大于300ppm時，會增加》文電延遲時間。基于MgO的含量，硅(Si)包括在約40ppm到150ppm的量中，最好是100ppm到120ppm。當硅含量在上述范圍內(nèi)時，放電延遲時間最短。當珪含量小于40ppm或大于150ppm時，會增加力文電延遲時間。可以根據(jù)第二摻雜物元素的種類來控制鋁(Al)的含量。當包括鐵(Fe)作為第二摻雜物元素時，基于MgO含量，Al包括在約150ppra到250ppm的量中，最好是190ppm到210ppm。當?shù)诙诫s物元素中包括鋯(Zr)時，基于MgO含量，Ai包括在約150ppm到250ppm的量中，最好是150ppm到170ppm。最優(yōu)化的Al含量可以使放電延遲時間最小化。因此，當Al含量超出最優(yōu)化范圍時，會大大地增加放電延遲時間。作為第二摻雜物元素，基于MgO含量，鐵(Fe)包括在約10ppm到40ppm的量中，最好是20ppm到30ppm。最優(yōu)化的Fe含量可以使放電延遲時間最小化。因此，當Fe含量超出最優(yōu)化范圍時，會大大地增加放電延遲時間。作為第二摻雜物元素，基于MgO含量，鋯(Zr)包括在約40ppm到100ppm的量中，最好是50ppm到80ppm。通過控制鋯Zr含量可使放電延遲時間最小化。因此，當Zr含量超出最優(yōu)化范圍時，會大大地增加放電延遲時間。在本發(fā)明中，寧可是通過燒結(jié)方法生產(chǎn)的多晶Mg0材料而不是單晶Mg0材料，因為多晶MgO材料可以保持摻雜物元素的一致含量?？梢酝ㄟ^一般的Mg0造粒過程(pelletprocedure)來制造保護層的成分，在該過程中，把MgO的前體和包括第一摻雜物元素和第二摻雜物元素的摻雜物的前體混合在一起，然后煅燒所產(chǎn)生的混合物，接著再進行濕研磨、烘干、壓制和燒結(jié)。Mg0的前體可以是純的Mg(OH)2,并且包括第一摻雜物元素和第二摻雜物元素的摻雜物的前體可以是包含第一摻雜物元素和第二摻雜物元素的任何材料。Mg0的前體和摻雜物的前體可以是液體型的或固體型的，或Mg0的前體和摻雜物的前體中之一可以是液體型的而另一個可以是固體型的。在相關(guān)領(lǐng)域中眾所周知這些過程的細節(jié)，因此在本申請中不進行更詳細的說明。在下文中，將參考附圖更詳細地描述包括保護層的等離子體顯示面板的一個較佳實施例。然而，本發(fā)明不局限于圖1所示的等離子體顯示面板，而是可以應(yīng)用于各種類型的等離子體顯示面板。圖l是部分分解透視圖，示出作為本發(fā)明的一個實施例而構(gòu)成的等離子體顯示面板。如圖1所示，本發(fā)明一個實施例的等離子體顯示面板包括第一基板1(也稱其為后基板)和放置成實質(zhì)上與第一基板平行并且它們之間具有預(yù)定距離的第二基板ll(也稱其為前基板)。在第一基板1的內(nèi)表面上的一個方向上(圖中的Y方向上)配置多個尋址電極3,并且在第一基板1的內(nèi)表面上形成第一介電層5以覆蓋尋址電極3。具有預(yù)定高度的多個阻隔肋7配置在第一介電層5上兩個尋址電極3之間的對應(yīng)位置上。由阻隔肋7確定放電空間。阻隔肋7可以具有任何形狀，以分隔放電空間。例如，可以按諸如華夫餅干形狀的、矩陣形狀的、三角形形狀的封閉圖案或諸如條狀圖案的開放圖案來形成阻隔肋7?？梢园催@樣的方式來形成封閉空間，即，使放電空間的橫截面形狀為圓形、橢圓形、多邊形(諸如四角形、三角形、五角形等等)。在配置在阻隔肋7之間的多個放電單元中配置紅色、綠色和藍色熒光體層9。面對第一基板1的第二基板11包括顯示電極13、形成在第二基板11的內(nèi)表面上并覆蓋顯示電極13的第二介電層15、以及覆蓋第二介電層15的保護層17。定義第一基板1和第二基板11的內(nèi)表面為相互面對的基板表面。顯示電極13的每一個包括一對電極，所述一對電極中的每一個包括透明電極13a和在與尋址電極3交叉的一個方向上(在附圖的X方向上)延伸的總線電極13b。保護層17包括氧化鎂(MgO)和摻雜物元素。摻雜物元素包括包含鈣(Ca)、鋁(A1)或硅(Si)的第一摻雜物元素以及包括鐵(Fe)、鋯(Zr)和它們的組合的第二摻雜物元素。在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP中，當在尋址電極和顯示電極13的電極中的一個電極之間施加尋址驅(qū)動電壓時，在介電層上形成導(dǎo)致尋址放電的壁電荷。同樣，當在一對電極(所述一對電極中的每一個包括形成在第二基板11內(nèi)表面上的透明電極13a和總線電極13b對)之間施加交流電信號時，在尋址放電期間，在所選中的放電單元中產(chǎn)生維持放電。因此，當激勵和松弛填充在放電空間中的放電氣體時產(chǎn)生了紫外線。紫外線激勵熒光體，從而產(chǎn)生可見光和形成圖像。在本
技術(shù)領(lǐng)域：
中已知制造等離子體顯示面板的方法，以致省略制造等離子體顯示面板的詳細說明。在下文中，將詳細描述作為本發(fā)明的主要特征的保護層。保護層覆蓋等離子體顯示面板中的介電層，以保護介電層在放電過程期間不致受到放電氣體的離子轟擊。保護層包括作為基本材料的氧化鎂(Mg0)，這種材料具有濺射電阻和高的二次電子發(fā)射系數(shù)。通常，可以使用單晶MgO材料或經(jīng)燒結(jié)的MgO材料作為上述的MgO材料。然而，單晶MgO材料具有由熔化后不同冷卻速度引起的不同的固溶體極限，因此很難定量地控制特定類型的摻雜物。因此，在本發(fā)明的一個實施例中，在經(jīng)燒結(jié)的MgO材料或MgO的源材料的制備過程期間定量地添加包括Ca、Al和Si的第一摻雜物元素和包括Fe、Zr或它們的組合的第二摻雜物元素，并且使用等離子體沉積方法來沉積保護層?？梢酝ㄟ^使用膏狀物的厚層印刷方法來形成保護層。然而，等離子體沉積方法是較佳的，因為它對離子濺射影響的抵抗力相對強，并且它可以通過二次電子的發(fā)射來減小放電起始電壓和維持放電電壓。等離子體沉積方法包括電子束沉積、離子涂覆、磁控管賊射等等。如上所述，摻雜物元素的含量如下?；谧鳛楸Ｗo層的主要成分的MgO的含量，以約100ppm到300ppm的量中包含鈣(Ca)，并且最好是160ppm到180ppm?；贛g0的含量，以約40ppm到150ppm的量包含珪(Si),并且最好是100ppm到120ppm。對于第二摻雜物元素，當包含鐵(Fe)時，基于MgO的含量，以約150ppm到250ppm的量包含鋁(Al)、并且最好是190ppm到210ppm。對于第二摻雜物元素，當包含鋯(Zr)時，基于Mg0的含量，以約150ppm到250ppm的量包含Al,并且最好是150ppm到170ppm。對于第二摻雜物元素，基于MgO的含量，以約10ppm到40ppm的量包含F(xiàn)e,并且最好是20ppra到30ppra。對于第二摻雜物元素，基于MgO的含量，Zr的含量是40ppm至ij100ppm,并且最好是50ppm至)J80ppm。通過把用于MgO保護層的沉積材料形成顆粒形狀和對它們進行燒結(jié)來提供用于MgO保護層的沉積材料。較佳的是使顆粒的大小和形狀最優(yōu)化，因為顆粒的分解速度根據(jù)顆粒的大小和形狀而不同，并且分解速度的差異導(dǎo)致不穩(wěn)定的過程，諸如沉積保護層的速度不同。MgO保護層直接接觸放電氣體，因此組成保護層的成分的特性和保護層的薄膜形成的特性大大地影響PDP的放電特性。MgO保護層的特性取決于組分成分和諸如沉積之類的薄膜形成條件。因此，應(yīng)該使用最優(yōu)化的成分以便得到所期望的薄膜特性的提高。在下文中，將描述本發(fā)明的例子和其對比例子。然而，可以理解，本發(fā)明不局限于這些例子。實驗例子1到14使用本
技術(shù)領(lǐng)域：
中已知的方法，在用條狀鈉鈣玻璃制成的前基板的內(nèi)表面上用氧化錫銦導(dǎo)電材料形成放電維持電極。把基于鉛的玻璃膏涂覆在有放電維持電極的前基板的整個內(nèi)表面上，然后進行烘烤，從而形成介電層。接著，使用離子涂覆方法來制備包括MgO粉末和鈣(Ca)的保護層，并且放置在第一基板的介電層上，從而完成等離子體顯示面板的前基板。根據(jù)本領(lǐng)域中已知的的方法，使用前基板來制造等離子體顯示面板。MgO粉末具有高純度，但是可以包括一些摻雜物。通過ICP-AES分析來測量包括在MgO粉末中的摻雜物的量。在下面表1中示出包括在MgO粉末中的摻雜物的類型和摻雜物的量。在表2中列出實驗例子1到14中使用的Ca的含量。在表2到表5中列出的Ca和其它摻雜物材料的含量是以根據(jù)MgO的質(zhì)量的質(zhì)量的ppm為單位的。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>實驗例子15到27用Fe代替實驗例子1到14中的Ca來執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。在表2中列出實驗例子15到27中使用的Fe的含量。實驗例子28到47用Al代替實驗例子1到14中的Ca來執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。在表3中列出實驗例子28到47中使用的Al的含量。實驗例子48到60用Si代替實驗例子1到14中的Ca來執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。在表3中列出實驗例子48到60中使用的Si的含量。對比例子1在相對于MgO的含量，Ca含量為15ppm、Al含量為10ppm、Fe含量為lOppm和Si含量為40ppm的條件下，執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。對比例子2在相對于MgO的含量，Ca含量為800ppm、Al含量為130ppm、Fe含量為30ppm和Si含量為220ppm的條件下，執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。在室溫下測量根據(jù)實驗例子1到60的過程制造的等離子體顯示面板的放電延遲時間(Ts:統(tǒng)計延遲時間)。在表2、表3和圖2到5中示出測量結(jié)果。在圖2到5中分別示出作為Ca、Fe、Al和Si的含量的函數(shù)的放電延遲時間。在圖6中總結(jié)了圖2到圖5中示出的全部結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在圖2到5中，水平虛線表示不顯示黑噪聲的上限水平。從表2和3以及圖2到圖6中所示出的結(jié)果可以理解，Ca、Fe、Al和Si的量的最佳范圍分別為從100ppm到300ppm、從10ppm到40ppm、從150ppm到250ppm和從40ppm到150ppm。第二例子1到4和第二對比例子1到2用包括MgO粉末、Ca、Al、Si和Fe的保護層執(zhí)行與參考實驗例子1到14所描述的過程相同的過程。在下面表4中總結(jié)了這些例子中使用的Ca、Al、Si和Fe的量。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在-10°C、25°C和60°C的溫度下測量第二例子1到4和第二對比例子1和2所提供的等離子體顯示面板的放電延遲時間，并且在下面表5中以及圖7中示出測量結(jié)果。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表5和圖7所示，第二例子1到4的等離子體顯示面板的放電延遲時間比第二對比例子1和2的放電延遲時間更短。如上所述，根據(jù)一個實施例的等離子體顯示面板包括保護層，該保護層包括Mg0經(jīng)燒結(jié)的材料和摻雜物。摻雜物包括特定量的包含Ca、Al、和Si的第一摻雜物元素以及諸如Fe、Zr或它們的組合之類的第二摻雜物元素。通過摻雜物的協(xié)調(diào)效應(yīng)，可以使顯示放電期間的尋址放電延遲時間最小化，這導(dǎo)致放電穩(wěn)定性和顯示質(zhì)量的提高。在已經(jīng)結(jié)合當前認為最實際的示范性實施例描述本發(fā)明的同時，可以理解，本發(fā)明不局限于所揭示的實施例，而是，相反地，旨在包括包含在所附的權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種改變和等效配置。權(quán)利要求1.一種等離子體顯示面板(PDP)包括介電層；以及形成在所述介電層上的保護層；所述保護層包括氧化鎂(MgO)、第一摻雜物和第二摻雜物；所述第一摻雜物包括鈣(Ca)、鋁(Al)和硅(Si)，所述第二摻雜物選自由鐵(Fe)、鋯(Zr)和它們的組合構(gòu)成的組，以及基于MgO的含量，所述Ca含量的質(zhì)量為100到300ppm。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鈣含量的質(zhì)量約為160ppm到約為180卯m。3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的硅含量的質(zhì)量約為40ppm到約為150ppm。4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的硅含量的質(zhì)量約為100ppm到約為120ppm。5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第二摻雜物包括鐵，并且基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鋁含量的質(zhì)量約為150ppm到約為250ppm。6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鋁含量的質(zhì)量約為190ppm到約為210ppm。7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第二摻雜物包括鐵，并且基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鐵含量的質(zhì)量約為10ppm到約為40ppm。8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鐵含量的質(zhì)量約為20ppm到約為30ppm。9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第二摻雜物包括鋯，并且基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鋁含量的質(zhì)量約為150ppm到約為170ppni。10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第二摻雜物包括鋯，以及基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鋯含量的質(zhì)量約為40ppm到約為100ppra。11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鋯含量的質(zhì)量約為50ppm到約為80ppm。12.—種等離子體顯示面板(PDP)包括形成在第二基板的內(nèi)表面上并覆蓋顯示電極的介電層；以及形成在所述介電層上的保護層；所述保護層包括氧化鎂(Mg0)、鈣(Ca)、鋁(A1)、硅(Si)和鋯(Zr)。13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鈣含量的質(zhì)量約為100ppm到約為300ppm。14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鈣含量的質(zhì)量約為160ppra到約為180ppm。15.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的硅含量的質(zhì)量約為40ppm到約為150ppni。16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的硅含量的質(zhì)量約為100ppm到約為120ppm。17.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鋁含量的質(zhì)量約為150ppm到約為250ppm。18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鋁含量的質(zhì)量約為150ppm到約為170卯m。19.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，包括在所述保護層中的鋯含量的質(zhì)量約為40ppm到約為100ppm。20.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鋯含量的質(zhì)量約為50ppm到約為80ppm。21.—種等離子體顯示面板(PDP)包括介電層；以及形成在所述介電層上的保護層；所述保護層包括氧化鎂(MgO);基于氧化鎂的質(zhì)量，包括質(zhì)量約為100卯m到約為300ppra的鈣(Ca);質(zhì)量約為150ppm到約為250ppm的鋁(Al);質(zhì)量約為40ppm到約為"0卯m的名圭(Si)以及質(zhì)量約為10ppm到約為40ppm的鐵(Fe)。22.如權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鈣含量的質(zhì)量約為160ppm到約為180ppm。23.如權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鋁含量的質(zhì)量約為190ppm到約為210卯m。24.如權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的硅含量的質(zhì)量約為100ppm到約為120卯m。25.如權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，其特征在于，基于所述氧化鎂的質(zhì)量，所包括的鐵含量的質(zhì)量約為20ppm到約為30ppm。全文摘要所揭示的是一種等離子體顯示面板(PDP)，它包括為覆蓋PDP的介電層而形成的保護層。保護層包括氧化鎂(MgO)材料和摻雜物元素。使用響應(yīng)速度比單晶氧化鎂的響應(yīng)速度高的、經(jīng)燒結(jié)的氧化鎂作為氧化鎂材料。摻雜物包括第一摻雜物和第二摻雜物。第一摻雜物包括鈣(Ca)、鋁(Al)和硅(Si)，而第二摻雜物包括鐵(Fe)、鋯(Zr)或它們的組合。通過使用摻雜了摻雜物的、經(jīng)燒結(jié)的氧化鎂作為保護層，減小了保護層的溫度依賴性，并且得到高的響應(yīng)速度。保護層的改進特性提高了等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定性。文檔編號H01J17/02GK101165840SQ20071009170公開日2008年4月23日申請日期2007年3月29日優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日發(fā)明者金基東申請人:三星Sdi株式會社