專利名稱：：光電面、具備該光電面的電子管以及光電面的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過光的入射而向外部放出光電子的光電面、具備該光電面的電子管以及光電面的制造方法。
背景技術(shù)：
：光電面是放出對應(yīng)于入射光而產(chǎn)生的電子(光電子)的元件，例如使用于光電子倍增管。光電面，其在基板上形成有光電子放出層，透過基板的入射光入射到光電子放出層，并在其上(光電子放出層)放出光電子(例如參照專利文獻(xiàn)l:美國專利第3254253號(hào))。專利文獻(xiàn)l:美國專利第3254253號(hào)說明書
發(fā)明內(nèi)容對于入射光的光電面優(yōu)選具有高靈敏度。在提高光電面的靈敏度中，首先有必要提高有效量子效率，該有效量子效率表示，相對于入射到具備基板和光電子放出層的光電面的光子數(shù)目的，向光電面外部放出的光電子數(shù)的比例。例如，在專利文獻(xiàn)1中，研究探討了在基板和光電子放出層之間具備反射防止膜的光電面。然而，對于光電面，希望進(jìn)一步提高量子效率。本發(fā)明目的在于，提供一種可對有效量子效率表現(xiàn)較高的值的光電面、具備該光電面的電子管以及光電面的制造方法。然而，本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)高量子效率的光電面經(jīng)過反復(fù)悉心研究，終于發(fā)現(xiàn)了如下事實(shí)，即在具備含有堿金屬的光電子放出層的光電面上，通過制造時(shí)暴露在高溫下，降低了有效量子效率。本發(fā)明人考慮到了這樣所產(chǎn)生的量子效率的降低的原因是堿金屬從光電子放出層向基板移動(dòng)的結(jié)果，以至于想到了在基板與光電子放出層之間配設(shè)由鉿構(gòu)成的中間層。根據(jù)如上所述的研究探討結(jié)果，本發(fā)明的光電面，其特征在于，具備透過入射光的基板，含有堿金屬的光電子放出層，以及形成在基板和光電子放出層之間的中間層，并且中間由氧化鉿構(gòu)成。另外，依據(jù)本發(fā)明的光電面的制造方法，其特征在于，包括在透過入射光的基板上形成由氧化鉿構(gòu)成的中間層的工序，和在中間層的與基板相接的面的相反側(cè)上，形成含有堿金屬的光電子放出層的工序。在上述的光電面中，抑制了在制造時(shí)因施以熱處理而導(dǎo)致光電面的有效量子效率的降低，可維持高量子效率?？紤]是由于，在基板和光電子放出層之間具備由氧化鉿(Hf02)的中間層，該中間層起到抑制從電子放出層向基板的堿金屬的移動(dòng)的屏蔽層的功能。另外，由插入基板和光電子放出層之間的氧化鉿(Hf02)構(gòu)成的中間層起到反射防止膜的功能。因此，對于入射到光電子放出層的光降低所期望的波長的反射率，可有效地表現(xiàn)高有效量子效率。由此，在上述的光電面上，可使有效量子效率表現(xiàn)很高的值。在此，所謂有效量子效率不只是針對于光電子放出層，而是指包含基板等的光電面全體上的量子效率。然而，對于有效量子效率也反映了基板的透過率等的要素。另外，依據(jù)本發(fā)明的電子管，其特征在于，具備上述的光電面、收集從光電面放出的電子的陽極，以及收容光電面和陽極的容器。通過如上所述構(gòu)成，可實(shí)現(xiàn)具有良好靈敏度的電子管。根據(jù)本發(fā)明，提供一種可以有效量子效率表現(xiàn)為高的值的光電面，具備該光電面的電子管，以及光電面的制造方法。圖1是表示一部分?jǐn)U大了的實(shí)施方式的光電面的構(gòu)成的截面圖。圖2是表示實(shí)施方式的光電子倍增管的截面構(gòu)成的圖。圖3是表示有關(guān)形成中間層的工序的圖。圖4是表示有關(guān)利用芯柱對容器進(jìn)行密封的工序的圖。圖5是表示有關(guān)形成基底層的工序的圖。圖6是表示有關(guān)形成光電子放出層的工序的圖。圖7是用于說明中間層發(fā)揮屏蔽層的功能的概念圖。圖8是表示有關(guān)實(shí)施例以及比較例的量子效率的溫度依賴性的圖圖9是表示實(shí)施例以及比較例的各個(gè)分光靈敏度特性的圖表。圖10是表示實(shí)施例以及比較例的各個(gè)分光靈敏度特性的圖表。圖11是表示實(shí)施例以及比較例的各個(gè)分光靈敏度特性的圖表。圖12是表示實(shí)施例的Sb膜的AFM像以及比較例的Sb膜的AFM像的圖。符號(hào)說明10、光電面12、基板14、中間層16、基底層18、光電子放出層30、光電子倍增管32、容器34、入射窗36、集束電極38、陽極40、倍增部42、倍增電極44、芯柱銷50、EB裝置51、Hf02的蒸鍍源52、容器53、Sb蒸鍍源54、堿金屬源55、電極56、導(dǎo)線57、芯柱板58、Sb膜具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對有關(guān)根據(jù)本發(fā)明的光電面、具備該光電面的電子管以及光電面的制造方法的實(shí)施方式作詳細(xì)的說明。另外，在附圖的說明中對于相同要素標(biāo)注相同符號(hào)，從而省略重復(fù)說明。圖1是表示一部分?jǐn)U大了的實(shí)施方式的光電面的構(gòu)成的截面圖。在該光電面10中，如圖1所示在基板12上按順序形成中間層14、基底層16以及光電子放出層18。在圖1中，光電面10以模型表示作為從基板12側(cè)光hv進(jìn)行入射，并從光電子放出層18側(cè)放出光電子e'的透過型?；?2是由在其上面能夠形成由氧化鉿(Hf02)構(gòu)成的中間層14的基板構(gòu)成?；?2優(yōu)選能夠透過波長300nm1000nm的光。作為如此的基板例如有，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板。中間層14是由Hf02形成的。Hf02相對于波長300nm1000nm的光能夠表現(xiàn)高透過率。另外，當(dāng)在H幻2上形成Sb的情況下，使Sb的浮島(island)構(gòu)造細(xì)小。中間層14的膜厚例如為50A1000A(5nm100nm)的范圍?；讓?6例如是由MnOx、MgO或者Ti02等構(gòu)成?；讓?6優(yōu)選能夠透過波長為300nm1000nm的光。另外，即使沒有基底層16，也可以在中間層14上面形成光電子放出層18?；讓?6的膜厚例如為5A800A(0.5nm80nm)的范圍。光電子放出層18例如是由K-CsSb、Na-KSb、Na-K-CsSb或者Cs-TeSb構(gòu)成。光電子放出層18發(fā)揮光電面10的活性層的功能。光電子放出層18的膜厚例如為50A2000A(5nm200nm)的范圍。以下是就有關(guān)依據(jù)本發(fā)明的電子管的實(shí)施方式加以說明。圖2是表示把光電面10應(yīng)用于透過型光電面的光電子倍增管的截面構(gòu)成的圖。光電子倍增管30具備透過入射光的入射窗34以及容器32。在容器32內(nèi)配設(shè)有放出光電子的光電面10、將所放出的光電子向倍增部40引導(dǎo)的集束電極36、倍增電子的倍增部40以及收集倍增后的電子的陽極38。如此，容器32收納光電面10以及陽極38。還有，在光電子倍增管30中也可以構(gòu)成為，使光電面10的基板12發(fā)揮入射窗34的功能。設(shè)置在集束電極36和陽極38之間的倍增部40由多個(gè)倍增電極42構(gòu)成。各個(gè)電極，與貫通容器32而配設(shè)的芯柱銷44電連接。以下根據(jù)圖3圖6對光電子倍增管30的制造方法進(jìn)行說明。圖3圖6是以模型表示在光電子倍增管30的制造方法中的各個(gè)工序的圖。首先，參照圖3對在基板上形成由Hf02構(gòu)成的中間層的工序進(jìn)行說明。如圖3所示，在相當(dāng)于實(shí)行過清洗處理的玻璃真空管的容器32的入射窗34的基板部分12上蒸鍍Hf02。蒸鍍根據(jù)例如使用EB(electronbeam:電子束)蒸鍍裝置50的蒸鍍法來進(jìn)行。g卩，在真空容器內(nèi)，用電子束使收容在容器52的Hf02的蒸鍍源51加熱蒸發(fā)，在由電子束加熱的基板部分12上成長薄膜。由此，在基板部分12上面形成了由Hf02構(gòu)成的中間層14。接下來，如圖4所示，準(zhǔn)備將具備Sb蒸鍍源53的集束電極36、倍增電極42以及堿金屬源54組裝成一體的芯柱板57。使用于向各個(gè)電極供給控制電壓的多個(gè)芯柱銷44在貫通狀態(tài)下固定在芯柱板57上。Sb蒸鍍源53以及堿金屬源54通過導(dǎo)線56，與在貫通的狀態(tài)下固定在芯柱板57上的電極55相連接。封閉如上所準(zhǔn)備的芯柱板57和容器32。然后，如圖5所示，在形成于容器32中的基板部分12上的中間層14上，蒸鍍MnOx從而形成基底層16。進(jìn)一步通過對Sb蒸鍍源53進(jìn)行通電加熱，在基底層16上蒸鍍Sb從而形成Sb膜58。接著，參照圖6來說明形成光電子放出層的工序。對Sb膜58以及倍增電極42輸送堿金屬(例如K以及Cs等)蒸汽，從而實(shí)施活化處理。此時(shí)，對中間層14，向該中間層14的與基板部分12相接的面的相反側(cè)上，輸送堿金屬蒸汽。由此，形成了含有堿金屬(例如K以及Cs等)的光電子放出層(例如由K-Cs-Sb構(gòu)成的膜)18。根據(jù)以上的制造方法形成了光電面10以及具備該光電面10的光電子倍增管30。以下說明光電面10以及光電子倍增管30的工作。在光電子倍增管30中，透過入射窗34的入射光hv入射到光電面10。光hv從基板12側(cè)入射，透過基板12、中間層14以及基底層16到達(dá)光電子放出層18。光電子放出層18起到活性層的功能，在此光子被吸收而產(chǎn)生了光電子e—。由光電子放出層18產(chǎn)生的光電子e—從光電子放出層18表面放出。所放出的光電子e'由倍增管40進(jìn)行倍增，并且由陽極38進(jìn)行收集。在光電面10上，在進(jìn)行制造時(shí)通過施行熱處理能夠抑制光電面的有效量子效率的降低，從而可維持高量子效率?？紤]其原因如下，在基板12和光電子放出層18之間具備由Hf02構(gòu)成的中間層14，而該中間層14起到抑制堿金屬從光電子放出層18向基板12移動(dòng)的屏蔽層的功能。在堿金屬發(fā)生了移動(dòng)時(shí)，光電子放出層18的靈敏度將會(huì)降低，進(jìn)而，因移動(dòng)的堿金屬使基板12著色而使透過率降低。因此，通過抑制堿金屬的向基板12的移動(dòng)，能夠達(dá)到提升光電子放出層18的靈敏度以及提高基板12的透過率，其結(jié)果使得維持高量子效率成為了可能?？紤]由于構(gòu)成中間層14的Hf02具有非常致密的構(gòu)造，所以難以通過堿金屬。因此，Hf02非常適宜作為中間層14的材料，而發(fā)揮抑制從光電子放出層18向基板12的堿金屬的移動(dòng)的屏蔽層的功能。圖7是用于說明中間層14發(fā)揮屏蔽層的功能的概念圖。如圖7的構(gòu)成(a)所示，考慮在沒有中間層14的光電面IOA，即在由基板12和光電子放出層18構(gòu)成的光電面IOA上，在制造工序中的熱處理時(shí)，包含于光電子放出層18的堿金屬(例如K以及Cs等)會(huì)向基板12移動(dòng)。推測有效量子效率的降低是由于上述結(jié)果所引起的。另外，如圖7的構(gòu)成(b)所示，考慮在具備中間層14的光電面10B上，在制造工序中的熱處理時(shí)，中間層能夠抑制包含于光電子放出層18的堿金屬(例如K以及Cs等)向基板12移動(dòng)。推測由于上述結(jié)果，可使在具備中間層的光電面上能夠?qū)崿F(xiàn)高有效量子效率。在包含于光電子放出層的堿金屬的種類為多種的情況下，就不得不經(jīng)多次來輸送堿金屬蒸汽。因此，對于抑制由于熱處理而引起的量子效率的降低非常有效。在光電面10上，在基板12和光電子放出層18之間具備中間層14。因此，通過適當(dāng)控制中間層14的膜厚，可降低對所期望的波長的光的反射率。如上所述，通過中間層14發(fā)揮反射防止膜的功能，由此可表現(xiàn)高有效量子效率。光電面10具備基底層16。在此情況下，在形成光電子放出層18時(shí)，使蒸鍍在基底層16上的Sb膜58形成為更均勻的膜。而且，光電面IO也可以不具備基底層16。光電子倍增管30如上所述具有表現(xiàn)高有效量子效率的光電面10。因此，就能夠?qū)崿F(xiàn)高靈敏度的光電子倍增管。接著，就有關(guān)光電面的具體的樣品AC以及比較例的樣品DF加以說明。樣品AC以及樣品DF其構(gòu)成光電子放出層的材料各不相同。樣品DF任何一者都不具備由Hf02構(gòu)成的中間層。另外，對這些樣品所測定的量子效率相當(dāng)于上述的有效量子效率。具體是，樣品A具備由石英玻璃構(gòu)成的基板、由Hf02構(gòu)成的中間層以及由Na-K-CsSb構(gòu)成的光電子放出層。另外，相對于樣品A的比較例的樣品D具備由石英玻璃構(gòu)成的基板和Na-K-CsSb構(gòu)成的光電子放出層。另外，樣品B具備由硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板、由Hf02構(gòu)成的中間層以及由Na-K-CsSb構(gòu)成的光電子放出層。另外，相對于樣品B的比較例的樣品E具備由硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板、由Na-KSb構(gòu)成的光電子放出層。另外，樣品C具備由硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板、由Hf02構(gòu)成的中間層、由MnOx構(gòu)成的基底層以及由K-CsSb構(gòu)成的光電子放出層。另外，相對于樣品C的比較例的樣品F具備由硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板、由MnOx構(gòu)成的基底層以及由K-CsSb構(gòu)成的光電子放出層。Hf02的折射率約為2.05，是在上述樣品AF中，基板(石英玻璃或者硼硅酸玻璃)的折射率與光電子放出層(Na-K-CsSb或者Na-KSb或者K-CsSb)的折射率的中間的值。在以下的表1中，表示在光電子放出層側(cè)和與其相反側(cè)，對樣品E，即在具有由硼硅酸玻璃構(gòu)成的基板和由Na-KSb構(gòu)成的光電子放出層的光電面上的基板的的堿金屬含量(wt%)進(jìn)行測定的結(jié)果。而且，表1所示的測定結(jié)果是在沖洗附著于基板的表面的堿金屬之后所測定的結(jié)果。另外，作為樣品E的基板是使用ZKN7(SCHOTT公司制)。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從表1可知，在光電子放出層和其相反側(cè)上，所含有的堿金屬(K、Na)的量具有較大的差異，即在光電子放出層側(cè)所含有的堿金屬的量較多。而且，樣品E的光電子放出層的相反側(cè)，沒有著色仍為透明，與此相對，光電子放出層側(cè)著色而成為茶色?？紤]到這是由于，通過制造時(shí)的熱處理，包含于光電子放出層的堿金屬(K、Na)侵入到了基板中。圖8是表示在燒成樣品A以及樣品D時(shí)的量子效率的溫度依賴性的圖表。圖8所示的圖表的橫軸是表示燒成溫度rc),縱軸表示標(biāo)準(zhǔn)化量子效率(％)。所謂的標(biāo)準(zhǔn)化量子效率，是關(guān)于各個(gè)樣品，燒成溫度以l(TC時(shí)的量子效率為100%，并在各個(gè)溫度下的量子效率進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化的值。在此，對各個(gè)樣品，表示燒成溫度從l(TC到220。C每隔l(TC而變化時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化量子效率的結(jié)果。在由圖8所表示的圖表中，樣品A用圓圈表示，樣品D用實(shí)正方形表示。在圖8中，樣品D其燒成溫度在超過18(TC時(shí)標(biāo)準(zhǔn)化量子效率的值變小，在22(TC時(shí)降低至71.2。/。的標(biāo)準(zhǔn)化量子效率。另一方面，可知樣品A其燒成溫度在達(dá)到22(TC時(shí)表現(xiàn)大致一定的標(biāo)準(zhǔn)量子效率，即使在22(TC下，也能夠維持在標(biāo)準(zhǔn)化量子效率98.3%。如上所述，明確地顯示了具備中間層的樣品A，即使升高燒成溫度也不會(huì)降低量子效率。在制造光電面的工序中，由于將溫度提升至20(TC以上，因此，在即使超過20(TC也不會(huì)降低量子效率這一點(diǎn)上，對于最終得到高量子效率的光電面非常有效。其結(jié)果可知，在樣品A中，在制造時(shí)即使施以熱處理也能夠抑制量子效率的降低。在圖9圖11中表示樣品AF的分光靈敏度特性。圖9是表示有關(guān)樣品A以及樣品D相對于波長的量子效率的圖表。圖10是表示有關(guān)樣品B以及樣品E相對于波長的量子效率的圖表。圖11是表示有關(guān)樣品C以及樣品F相對于波長的量子效率的圖表。圖9圖11分別所示的圖表的橫軸表示波長(nm)，縱軸表示量子效率(％)。在圖9中用實(shí)線表示的曲線是代表樣品A，用虛線表示的曲線是代表樣品D。在圖IO中用實(shí)線表示的曲線是代表樣品B，用虛線表示的曲線是代表樣品E。在圖11中用實(shí)線表示的曲線是代表樣品C，用虛線表示的曲線是代表樣品F。如圖9可知，樣品A對300nm1000nm的波長帶域的光顯示比樣品D更高的量子效率。具體是，例如對波長400nm的光，樣品A為大約23.1。/。的量子效率，樣品D為大約16.7%的量子效率，由此，樣品A顯示了比樣品D增加約40%的量子效率。另外，如圖10可知，樣品B對300nm700nm的波長帶域的光顯示比樣品E更高的量子效率。具體是，例如對波長370nm的光，樣品B為30.4%的量子效率，樣品E為22.9%的量子效率，由此，樣品B顯示了比樣品E增加大約30%的量子效率。另外，如圖11可知，樣品C對300nm700nm的波長帶域的光顯示比樣品F更高的量子效率。具體是，例如對波長420nm的光，樣品C為36.5。/。的量子效率，樣品F為25.6。/。的量子效率，由此，樣品C顯示了比樣品F增加大約40%的量子效率。接著，分別測定具備基板、由Hf02構(gòu)成的中間層和由Na-K構(gòu)成的光電子放出層的光電面的量子效率，以及具備基板和光電子放出層而不具有中間層的光電面的量子效率。其結(jié)果如表2所示。在測定中，作為入射光是使用了波長370nm的光。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>關(guān)于具備中間層的光電面，準(zhǔn)備23個(gè)樣品并進(jìn)行了測定。關(guān)于不具備有中間層的光電面，準(zhǔn)備3個(gè)樣品并進(jìn)行了測定。其結(jié)果，由表2可知，在具備中間層的光電面上平均值達(dá)到28.4%，與此相對，在不具備中間層的光電面上，平均值只能夠達(dá)到22.7%。因此，從表2可以明確地了解到通過具備由Hf02構(gòu)成的中間層，光電面就能夠?qū)崿F(xiàn)高量子效率。再有，進(jìn)一步測定了具備基板、由Hf02構(gòu)成的中間層和由K-Cs構(gòu)成的光電子放出層的光電面的量子效率，以及具備基板和由K-Cs構(gòu)成的光電子放出層而沒有中間層的光電面的量子效率。在測定中，作為入射光使用了波長420nm的光。對于具備中間層的光電面，準(zhǔn)備9個(gè)樣品，對于不具備中間層的光電面，準(zhǔn)備了1個(gè)樣品。求得由這些樣品得到的量子效率，并且對于具備中間層的光電面以及不具備中間層的光電面的各個(gè)求得平均值，其結(jié)果如表3所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表3可知，在具備中間層的光電面上，到達(dá)36.2。/。的量子效率平均值，與此相對，在不具備中間層的光電面上量子效率的平均值只能夠達(dá)到27.6%。因此，從表3可以了解到通過具備由Hf02構(gòu)成的中間層，光電面就能夠?qū)崿F(xiàn)高量子效率。另外，圖12(a)表示在形成有由Hf02構(gòu)成的中間層的玻璃基板的該中間層上所形成的Sb膜表面的AFM像，圖12(b)表示形成在玻璃基板上的Sb膜表面的AFM像。所謂的AFM像是由原子力顯微鏡所得到的圖像。由圖12可知，在其下具有中間層的Sb膜(圖12(a))，與沒有中間層的Sb膜(圖12(b))相比，為平坦且空間上均勻質(zhì)地的膜。通過具備如上所述由HfCb構(gòu)成的中間層，可得到均勻質(zhì)地的Sb膜，因此，可使堿金屬蒸汽與均勻質(zhì)地的Sb膜進(jìn)行反應(yīng)，而形成光電子放出層。其結(jié)果，能夠獲得晶界等的缺陷部形成少的、優(yōu)質(zhì)的光電子放出層，有助于對量子效率的提高。以上是就有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并不只限定于上述的實(shí)施方式，可進(jìn)行各種各樣的變形。例如，在基板12、基底層16以及光電子放出層18中所含有的物質(zhì)不限定于上述所記載的物質(zhì)。光電面10也可以不具備基底層16。形成各個(gè)光電面10的中間層14、基底層16以及光電子放出層18的方法不限定于上述實(shí)施方式中所記載的方法。另外，光電子放出層18所含有的堿金屬的種類并不限于上述實(shí)施方式中所記載的銫(Cs)、鉀(K)以及鈉(Na)，例如也可以是銣(Ru)或者鋰(Li)。另外，光電子放出層18所含有的堿金屬的種類的數(shù)目既可以是1種也可以是2種(雙堿bialkali)或者3種以上(多堿multialkali)。另夕卜，光電面10的中間層14、基底層16以及光電子放出層18的膜厚并不局限于上述實(shí)施方式中所例示的厚度。另外，在上述實(shí)施方式的光電面的制造方法以及樣品中，示例了作為基底層16由Mn(X構(gòu)成，但是并不局限于在光電面10的說明中所示由MnOx構(gòu)成，例如也可以是由MgO或者Ti02等構(gòu)成的基底層。另外，也可以將依據(jù)本發(fā)明的光電面適用于光電子倍增管以外的光電管以及圖像增強(qiáng)器(II管)等的電子管。依據(jù)上述實(shí)施方式的光電面具備透過入射光的基板、含有堿金屬的光電子放出層以及形成于基板和光電子放出層之間的中間層，中間層是運(yùn)用了由氧化鉿形成的構(gòu)成。另外，依據(jù)上述實(shí)施方式的光電面的制造方法，使用了如下構(gòu)成，具備，在透過入射光的基板上形成由氧化鉿構(gòu)成的中間層的工序，以及在中間層的與基板相接的面的相反側(cè)上形成含有堿金屬的光電子放出層的工序。在此，也可以將基底層形成于中間層和光電子放出層之間。在該情況下，可使形成在形成光電子放出層時(shí)所構(gòu)成的Sb膜形成為更均勻的膜。光電子放出層優(yōu)選是銻(Sb)和堿金屬的化合物。堿金屬優(yōu)選銫(Cs)、鉀(K)或者鈉(Na)。另外，依據(jù)上述實(shí)施方式的電子管使用了如下構(gòu)成，具備上述的光電面、收集從光電面放出的電子的陽極以及容納光電面和陽極的容器。通過如上構(gòu)成可實(shí)現(xiàn)具有良好靈敏度的電子管。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可用于可對有效量子效率表現(xiàn)高數(shù)值的光電面，具有其的電子管以及光電面的制造方法。權(quán)利要求1.一種光電面，其特征在于具備透過入射光的基板，含有堿金屬的光電子放出層，以及形成在所述基板和所述光電子放出層之間的中間層，所述中間層由氧化鉿構(gòu)成。2.如權(quán)利要求l所述的光電面，其特征在于在所述中間層和所述光電子放出層之間形成有基底層。3.如權(quán)利要求1或2所述的光電面，其特征在于所述光電子放出層是銻和所述堿金屬的化合物。4.如權(quán)利要求13中任何一項(xiàng)所述的光電面，其特征在于所述堿金屬是銫、鉀或者鈉。5.—種電子管，其特征在于，具有如權(quán)利要求14中任何一項(xiàng)所述的光電面，收集從所述光電面放出的電子的陽極，以及容納所述光電面以及所述陽極的容器。6.--種光電面的制造方法，其特征在于，包括-在透過入射光的基板上形成由氧化鉿構(gòu)成的中間層的工序，和在所述中間層的與所述基板相接的面的相反側(cè)上，形成含有堿金屬的光電子放出層的工序。全文摘要本發(fā)明涉及一種光電面，其改善了量子效率。本發(fā)明的光電面(10)具備，由石英玻璃或者硼硅酸玻璃構(gòu)成的光透過性基板(12)、由氧化鉿(HfO₂)構(gòu)成的中間層(14)、由錳和鎂或者鈦的氧化物構(gòu)成的基底層(16)以及由堿金屬和銻的化合物構(gòu)成的光電子放出層(18)。由氧化鉿構(gòu)成的中間層阻止了包含于光電子放出層的堿金屬向光透過性基板移動(dòng)，從而有助于量子效率的改善。文檔編號(hào)H01J9/12GK101379582SQ20078000406公開日2009年3月4日申請日期2007年3月5日優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日發(fā)明者山下真一,渡邊宏之,鈴木健吾,鈴木秀明申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社