專利名稱：用于離子植入均勻度的離子束掃描控制方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般是關(guān)于離子植入系統(tǒng)，更明確地說，是關(guān)于用于在一工件 上均勻地掃描離子射束的改良系統(tǒng)與方法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體裝置與其它產(chǎn)品中，會(huì)使用離子植入法以雜質(zhì)來?yè)诫s半 導(dǎo)體晶圓、顯示面板、或是其它工件。植器或離子植入系統(tǒng)會(huì)利用離子射
束來處置工件，用以于該工件中產(chǎn)生n型或p型摻雜的區(qū)域或是形成鈍化 層。當(dāng)用于摻雜半導(dǎo)體時(shí)，該離子植入系統(tǒng)會(huì)射出選定的離子粒種，用以 產(chǎn)生希望的異質(zhì)材料，其中，植入從銻、砷、或是磷之類的來源材料所產(chǎn) 生的離子會(huì)產(chǎn)生n型異質(zhì)材料晶圓；而植入硼、鎵、或是銦之類的材料則 會(huì)在一半導(dǎo)體晶圓中創(chuàng)造P型的異質(zhì)材料部份。
一般來說，會(huì)希望在該工件的表面中提供均勻的植入結(jié)果。據(jù)此，公 知的系統(tǒng)經(jīng)常會(huì)進(jìn)行校正作業(yè)，用以調(diào)整射束掃描儀的電壓波形，以便在 掃描方向中抵消該射束的聚焦變異及/或補(bǔ)償其它的射束不規(guī)律現(xiàn)象。這 通常是藉由將輪廓區(qū)以及掃描儀電壓范圍細(xì)分為均等分布在整個(gè)輪廓中 的一連串離散點(diǎn)，而以點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的方式來達(dá)成。對(duì)每一個(gè)離散點(diǎn)來說，均會(huì) 在該點(diǎn)處設(shè)置一測(cè)量傳感器，并且會(huì)測(cè)量該點(diǎn)處的被掃描射束通量。于完 成每一次測(cè)量之后，該測(cè)量傳感器便會(huì)步進(jìn)至下一個(gè)點(diǎn)處，然后便會(huì)停止 且實(shí)施另一次測(cè)量。接著，便會(huì)針對(duì)每一個(gè)點(diǎn)來重復(fù)實(shí)施此等測(cè)量，并且 調(diào)整最終的掃描波形，以便藉由取得一點(diǎn)射束或是取得一在該掃描中恒定 的射束輪廓來補(bǔ)償輪廓不均勻性。
雖然該公知的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)掃描儀校正技術(shù)足供使用在該離子射束的寬度 既窄且于該目標(biāo)區(qū)上非常恒定的情況中，不過，該些技術(shù)卻較不適用于較 寬射束的情況及/或該射束寬度會(huì)在該掃描方向中變動(dòng)的情況。明確地說， 倘若該射束較寬及/或會(huì)在該目標(biāo)區(qū)上變動(dòng)的話，那么該點(diǎn)對(duì)點(diǎn)技術(shù)便無法考慮到由與該射束中心相隔特定距離處的射束所產(chǎn)生的工件劑量。對(duì)于 會(huì)經(jīng)歷空間電荷放大(舉例來說，在掃描方向或X方向中產(chǎn)生橫向發(fā)散)的 低能量離子射束來說，此情況的問題會(huì)特別嚴(yán)重。
此外，公知的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)掃描儀校正技術(shù)需要冗長(zhǎng)的時(shí)間方能獲得足夠的 數(shù)據(jù)。 一般來說，在公知系統(tǒng)中，上面所討論的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)測(cè)量資料是在X方 向中于數(shù)次射束通過中所取得的。因?yàn)槊恳淮紊涫ㄟ^均可能會(huì)花費(fèi)數(shù) 秒，所以，該些公知系統(tǒng)經(jīng)?？赡芤ㄙM(fèi)數(shù)分鐘來實(shí)施單次校正。于在有 限數(shù)量的晶圓之后便要重新校正一離子植入器的情況中(舉例來說，標(biāo)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)、試驗(yàn)結(jié)構(gòu)、…等)，此冗長(zhǎng)的校正時(shí)間會(huì)嚴(yán)重且負(fù)面影響總處理量。
據(jù)此，需要一種改良的離子射束掃描儀校正技術(shù)，藉以能夠在極短的 校正時(shí)間中促成均勻的植入效果。
發(fā)明內(nèi)容
下文將簡(jiǎn)單地摘要說明本發(fā)明，以便對(duì)本發(fā)明的特定觀點(diǎn)有基本的了 解。此發(fā)明內(nèi)容并非是本發(fā)明的延伸性綜合說明，而且其目的既非要確認(rèn) 本發(fā)明的關(guān)鍵或重要組件，亦非要描述本發(fā)明的范疇。更確切地說，本發(fā) 明內(nèi)容的主要目的是以簡(jiǎn)化的形式來表達(dá)本發(fā)明的特定概念，以作為稍后 提出的更詳細(xì)說明的引言。
本發(fā)明的其中實(shí)施例是關(guān)于一種調(diào)整帶狀離子射束的離子通量的方
法。于此方法中，會(huì)以一掃描速率(scan rate)來掃描離子射束，以便 制造帶狀射束，而且會(huì)在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓。經(jīng) 修正的掃描速率會(huì)依據(jù)該被掃描離子射束的該多個(gè)經(jīng)測(cè)量動(dòng)態(tài)射束輪廓 而被算出。該離子射束會(huì)以經(jīng)校正的掃描速率來掃描，以便產(chǎn)生經(jīng)修正的 帶狀離子射束。
下面的說明以及附圖會(huì)詳細(xì)地提出本發(fā)明的特定解釋性觀點(diǎn)與實(shí)施 方式。它們是代表可運(yùn)用本發(fā)明的原理的各種方式中的其中數(shù)種方式。
圖1A所示的是具有掃描儀、平行器、以及劑量測(cè)量系統(tǒng)的離子植入 系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例；圖IB所示的是圖1A的掃描儀以及數(shù)道被掃描離子射束的一個(gè)實(shí)施
圖1C所示的是圖1A與IB的掃描儀中的三角形掃描板電壓波形的一 個(gè)實(shí)施例；
圖1D所示的是一掃描離子射束在數(shù)個(gè)分離的時(shí)間點(diǎn)處撞擊圖1A的系 統(tǒng)中的一工件的立體圖2A所示的是在一工件上掃描一離子射束的末端視圖2B至2F所示的是在撞擊圖1A與IB的離子植入系統(tǒng)中的工件時(shí)，
該離子射束寬度變異的部份前端視圖3所示的是一先前技術(shù)射束掃描儀校正方法的流程圖4所示的是和該先前技術(shù)射束掃描儀校正方法相關(guān)聯(lián)的各項(xiàng)參數(shù)的
關(guān)系圖5所示的是根據(jù)本發(fā)明的一校正方法的流程圖； 圖6A至6C所示的是可運(yùn)用在圖5的校正方法中的一測(cè)量過程的觀點(diǎn) 的圖7A至7D所示的是可運(yùn)用在圖5的校正方法中的一測(cè)量過程的觀點(diǎn) 的圖8A至8B所示的是可運(yùn)用在圖5的校正方法中的一測(cè)量過程的觀點(diǎn) 的圖；以及
圖9所示的是用于計(jì)算一組修正系數(shù)的一修正算法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考圖式來說明本發(fā)明，其中，在所有圖式中，相同的附圖標(biāo) 記代表相同的組件，且其中，圖中所示的結(jié)構(gòu)并未必依比例繪制。
圖1A所示的是一示范離子植入系統(tǒng)10，其具有終端12、束線組件14、 以及末端站16。
終端12包含離子源20，其是由高電壓電源供應(yīng)器22來供電，該高電 壓電源供應(yīng)器會(huì)產(chǎn)生離子射束24并且將該離子射束導(dǎo)送至該束線組件 14。該離子源20會(huì)產(chǎn)生帶電離子，該帶電離子是從該離子源20處被抽出 并且會(huì)形成該離子射束24，該離子射束24會(huì)沿著該束線組件14中的射束路徑被導(dǎo)送至該末端站16。
該束線組件14具有射束導(dǎo)向器32;質(zhì)量分析器26，在其中會(huì)建立 雙極磁場(chǎng)，用以僅讓具有合適電荷質(zhì)量比的離子通過解析孔徑34;掃描系
統(tǒng)35;以及平行器38。該離子植入系統(tǒng)10可能還包含延伸在該離子源20 與該末端站16之間的各種射束形成與塑形結(jié)構(gòu)，它們會(huì)維持該離子射束 24并且會(huì)界定細(xì)長(zhǎng)的內(nèi)部腔穴或通道，用以讓射束24可穿過其中而被傳 輸至被支撐在該末端站16之中的工件30。該離子射束傳輸通道通常會(huì)被 抽成真空，以降低離子因與空氣分子撞擊而偏離該射束路徑的機(jī)率。
該植入器可運(yùn)用不同類型的掃描系統(tǒng)。舉例來說，圖中所示的靜電系 統(tǒng)會(huì)將高電壓電源供應(yīng)器耦接至多個(gè)掃描板。該掃描板上的電壓會(huì)經(jīng)過調(diào) 整以便掃描該射束。于磁性系統(tǒng)中則會(huì)將高電流供應(yīng)器連接至電磁鐵的線 圈。該磁場(chǎng)會(huì)經(jīng)過調(diào)整以便掃描該射束。就本發(fā)明的目的來說，所有不同 類型的掃描系統(tǒng)均具有等效功用，而本文則以靜電系統(tǒng)來進(jìn)行解釋。
掃描系統(tǒng)35包含掃描儀36以及被耦接至掃描儀板或電極36a與36b 的電源供應(yīng)器50，其中，該掃描儀36會(huì)沿著該射束路徑從該質(zhì)量分析器 26處接收經(jīng)過質(zhì)量分析的離子射束24并且沿著該射束路徑提供被掃描射 束24至平行器38。接著，該平行器38便會(huì)將該被掃描射束24導(dǎo)送至該 末端站16，以便讓該射束24在大體恒定的入射角處撞擊劑量測(cè)量系統(tǒng)52 的(多個(gè))測(cè)量傳感器。
掃描儀36會(huì)接收具有非常狹窄輪廓(舉例來說，圖中所示系統(tǒng)10中 的「筆錐」射束)的經(jīng)過質(zhì)量分析的離子射束24,而由電源供應(yīng)器50施加 在該掃描儀板36a與36b之上的電壓波形則會(huì)運(yùn)作用以在X方向(掃描方 向)中來回地掃描該射束24，以便將該射束24擴(kuò)散成細(xì)長(zhǎng)的「帶狀」射束 (舉例來說，被掃描射束24)，該射束的有效X方向?qū)挾瓤赡軙?huì)至少大于等 于感興趣的工件。接著，該被掃描射束24便會(huì)通過平行器38，其中，平 行器38會(huì)以大體平行于Z方向(舉例來說，大體垂直于該工件表面)的方 式將該射束導(dǎo)送至該末端站16。
植入器10可運(yùn)用不同類型的末端站16。舉例來說，「批次」型的末端 站可在旋轉(zhuǎn)支撐結(jié)構(gòu)上同時(shí)支撐多個(gè)工件30，其中，該工件30會(huì)旋轉(zhuǎn)通 過該離子射束的路徑，直到所有的工件30均被完全植入為止。相反地，「循序」型的末端站則僅會(huì)在該用于植入的射束路徑中支撐單一工件30，其中，
是以每次I個(gè)的循序方式來植入多個(gè)工件30，其中，每一個(gè)工件30均會(huì) 在開始植入下一個(gè)工件30之前便被完全植入。
圖中所示的是一 「循序」型末端站16，其會(huì)在該用于植入的射束路徑 中支撐單一工件30(舉例來說，半導(dǎo)體晶圓、顯示面板、或是要利用源自 該射束24的離子來植入的其它工件)，其中，劑量測(cè)量系統(tǒng)52位于該工 件位置附近，以便在進(jìn)行植入作業(yè)之前先進(jìn)行校正測(cè)量。于校正期間，射 束24會(huì)通過劑量測(cè)量系統(tǒng)52。該劑量測(cè)量系統(tǒng)52包含可連續(xù)橫越輪廓儀 路徑58的一個(gè)或多個(gè)輪廓儀56，從而測(cè)量該被掃描射束的輪廓。在圖中 所示的劑量測(cè)量系統(tǒng)52中，該輪廓儀56包含電流密度傳感器(例如公知 的法拉第杯)，用以測(cè)量該被掃描射束的電流密度。該電流密度傳感器會(huì) 以大體正交于該被掃描射束的方式來移動(dòng)，且因而通常會(huì)橫越該帶狀射束 的寬度。該劑量測(cè)量系統(tǒng)52會(huì)運(yùn)作用以被耦接至控制系統(tǒng)54，以便從該 處接收命令信號(hào)并且提供測(cè)量值給該處，以便實(shí)施本文中會(huì)迸一步說明的 本發(fā)明的校正方法的該測(cè)量觀點(diǎn)。
現(xiàn)在參考圖1B至2F，圖1B中進(jìn)一步圖解靜電型的射束掃描儀36， 其具有位于該射束路徑的任一橫向側(cè)上的掃描儀板或電極36a與36b; 以及電壓源50，其會(huì)提供交流電壓給該電極36a與36b，如圖1C中的波 形圖60所示。介于掃描儀電極36a與36b之間的該時(shí)變電壓電位會(huì)在其 間的射束路徑上創(chuàng)造一時(shí)變電場(chǎng)，藉由該時(shí)變電場(chǎng)便會(huì)沿著掃描方向(舉 例來說，圖1A、 1B、以及2B至2F中的X方向)來彎折或偏折(舉例來說， 掃描)射束24。當(dāng)該掃描儀電場(chǎng)的方向從電極36a至電極36b時(shí)(舉例來說， 電極36a的正電位高于電極36b的正電位，例如在圖1C中的時(shí)間「a」與 「c」處)，那么，射束24中的帶正電離子便會(huì)在負(fù)X方向(舉例來說，朝 電極36b)中受到橫向作用力的作用。當(dāng)電極36a與36b是位于相同的電位 處時(shí)(舉例來說，在掃描儀36中為零電場(chǎng)，例如在圖1C中的時(shí)間「d」處)， 那么射束24便會(huì)通過該掃描儀36，而不會(huì)將過任何修飾。當(dāng)該電場(chǎng)的方 向是從電極36b至電極36a時(shí)(舉例來說，在圖1C中的時(shí)間「e」與「gj 處)，那么，射束24中的帶正電離子便會(huì)在正X方向(舉例來說，朝電極 36a)中受到橫向作用力的作用。圖IB所示的是當(dāng)被掃描射束24通過掃描儀36時(shí)，在進(jìn)入平行器38 之前于掃描期間在數(shù)個(gè)分離時(shí)間點(diǎn)處的偏折示意圖。圖1D所示的系該被 掃描且經(jīng)平行化的射束24在對(duì)應(yīng)于圖1C中所示的時(shí)間處撞擊該工件30 的示意圖。圖ID中的該被掃描且經(jīng)平行化的離子射束24a是對(duì)應(yīng)于在圖 1C中的時(shí)間「a」處的外加電極電壓，而后，圖ID中所示的射束24b至 24g則是針對(duì)圖1C的對(duì)應(yīng)時(shí)間「b」至「g」處在X方向中于工件30上進(jìn) 行單一大體水平掃描的掃描電壓。圖2A所示的是在工件30上筆直掃描該 射束24的示意圖，其中，機(jī)械性致動(dòng)(圖中并未顯示)會(huì)于該掃描儀36進(jìn) 平X(快速掃描)方向掃描期間于正Y(慢速掃描)方向中來平移該工件30, 藉以讓該射束24傳送至該工件30的整個(gè)外露表面上。
于進(jìn)入該掃描儀36之前，該離子射束24通常會(huì)分別具有非零X維度 與Y維度的寬度與高度輪廓，其中，該射束的該X維度與Y維度中的一個(gè)
或兩個(gè)通常會(huì)因空間電荷或其它因素的關(guān)系而在傳輸期間改變。舉例來 說，當(dāng)射束24沿著該射束路徑朝該工件30傳輸時(shí)，該射束24便會(huì)碰到
各種電場(chǎng)及/或磁場(chǎng)以及可能會(huì)改變?cè)撋涫鴮挾燃?或?qū)挾然蚴瞧浔壤?各種裝置。此外，倘若沒有任何對(duì)策的話，空間電荷效應(yīng)(其包含帶正電 射束離子的互斥效應(yīng))便會(huì)傾向于發(fā)散該射束(舉例來說，提高X維度與Y 維度)。
另外，掃描儀36的幾何形狀以及操作電壓會(huì)針對(duì)實(shí)際上提供給該工 件30的射束24來提供特定的聚焦特性。因此，即使假設(shè)是一完全對(duì)稱的 射束24(舉例來說， 一筆錐射束)進(jìn)入該掃描儀36，因該掃描儀36而彎折 該射束24仍會(huì)改變?cè)撋涫劢菇Y(jié)果，其中，該入射射束在X方向中的橫 向邊緣處(舉例來說，圖1D中的24a與24g)的聚焦作用通常會(huì)較大，而在 X維度中介于該橫向邊緣之間的位置點(diǎn)處(舉例來說，圖1D中的24c、 24d、 以及24e)的聚焦作用則會(huì)較小(舉例來說，會(huì)比較寬且比較發(fā)散)。
低能量植入器通常會(huì)被設(shè)計(jì)成用以提供具有數(shù)千電子伏特(keV)至高 達(dá)約80至100keV的離子射束；反之，高能量植入器則可能會(huì)在該質(zhì)量分 析器26以及該末端站16之間運(yùn)用RF線性加速(linac)設(shè)備(圖中并未顯 示)，用以將該經(jīng)過質(zhì)量分析的射束24加速至較高的能量，其通常是數(shù)百 個(gè)keV，其中，還可能進(jìn)行DC加速。高能量植入通常會(huì)被用來在工件30之中進(jìn)行更深的植入。相反地，高電流、低能量(高導(dǎo)電系數(shù))的離子射束 24通常會(huì)用于進(jìn)行高劑量、淺深度的離子植入，于此情況中，該離子射束
的高導(dǎo)電系數(shù)通常會(huì)導(dǎo)致難以維持該離子射束24的均勻度。
圖2B至2F所示的是當(dāng)一未經(jīng)校正的入射射束24掃移過晶圓30時(shí)的 示意圖。圖2B至2F分別對(duì)應(yīng)于被掃描射束時(shí)點(diǎn)24a、 24c、 24d、 24e、以 及24g。當(dāng)該未經(jīng)校正的射束在X方向中掃移過晶圓30時(shí)，該掃描儀36 的X方向聚焦便會(huì)改變，從而當(dāng)該入射射束24朝中心移動(dòng)時(shí)，便會(huì)導(dǎo)致 提高其橫向的去焦作用；而當(dāng)該射束24再度抵達(dá)另一橫向邊緣時(shí)，便會(huì) 達(dá)到改良的聚焦作用。就沒有任何掃描來說，該射束24則會(huì)直接前進(jìn)至 該工件30的中心，在該處的入射射束24d會(huì)具有一X方向?qū)挾萕c，如圖 2D中所示。不過，當(dāng)該射束24在遠(yuǎn)離該中心的任一方向中被橫向掃描時(shí)， 該掃描儀36的該時(shí)變聚焦特性則會(huì)讓該入射射束具有較強(qiáng)的橫向聚焦作 用。舉例來說，在該工件30的最外緣處，圖2B中的入射射束24a會(huì)具有 第一左側(cè)寬度Wu;而在右側(cè)處，圖2F中的入射射束24g則會(huì)具有第一右 側(cè)寬度WR1。圖2C與2E所示的分別是具有入射射束寬度L與WR2的中間射 束24c與24e，圖中顯示出介于該工件30的邊緣與中心之間的X方向聚焦 變異。因?yàn)樵撔┥涫儺惪赡軙?huì)在該工件中導(dǎo)致不均勻的摻雜結(jié)果，所以， 已經(jīng)設(shè)計(jì)出用于校正該射束的方法。
圖3中所示的是美國(guó)專利案第6， 710， 359號(hào)所教示的用于調(diào)整被掃描 射束的輪廓的方法的流程圖。于步驟300中，會(huì)測(cè)量掃描方向x中的未被 掃描離子射束的空間分布U(x)。于此步驟中，會(huì)施加固定電壓至一組掃描 板，以便將未被掃描離子射束傳遞至目標(biāo)平面。較佳的是，該未被掃描離 子射束是被設(shè)置在該目標(biāo)平面的中心處，其通常是對(duì)應(yīng)于O伏特。圖4中 顯示出該未被掃描離子射束的空間分布U(x)的范例。
于步驟302中，會(huì)以初始掃描速度W。(x)來掃描該離子射束。如圖4 中所示，該初始掃描速度W。(x)可能是一恒定的掃描速度，其對(duì)應(yīng)于線性 上升電壓波形。
于步驟304中，會(huì)測(cè)量初始被掃描射束輪廓S。(x)，其中是以初始掃 描速度W。(x)來掃描該離子射束。射束輪廓儀會(huì)在x方向中于該晶圓平面 上平移，從而提供被掃描射束輪廓。圖4中顯示出該初始被掃描射束輪廓S。(X)在掃描末端附近的射束電流會(huì)高于中心處。這會(huì)在該晶圓的外緣附近 產(chǎn)生高于該中心處的離子劑量，此是不樂見的結(jié)果。
于步驟306中會(huì)判斷該初始被掃描射束輪廓S。(x)是否符合均勻度規(guī) 格。倘若均勻度落在規(guī)格內(nèi)的話，那么便可于步驟308中使用該初始掃描 速度W。(x)來實(shí)施植入。倘若于步驟306中判斷出該均勻度并未落在規(guī)格 內(nèi)的話，那么便需要對(duì)掃描波形進(jìn)行調(diào)整。
于步驟310中，會(huì)決定出掃描速度修正值C(x)，其會(huì)產(chǎn)生希望的輪廓 修正值。該掃描速度修正值C(x)依據(jù)該未被掃描離子射束的空間分布U(x) 來決定。該掃描速度修正值C(x)會(huì)用來修正該初始掃描速度W。(x)，以便 提供希望的被掃描射束輪廓，其通常在該掃描寬度上非常地均勻。圖4中 便顯示出掃描速度修正值C(x)的范例。圖4中亦顯示出對(duì)應(yīng)的經(jīng)修正掃描 速度Wc(x)，其由Wo(x)/C(x)來決定。
于步驟312中，會(huì)以該經(jīng)修正掃描速度W。(x)來掃描該射束。于步驟 314中，會(huì)測(cè)量該經(jīng)修正的射束輪廓S。(x)?？梢院驮摮跏忌涫喞嗤?方式來測(cè)量該經(jīng)修正的射束輪廓。圖4中便顯示出經(jīng)修正射束輪廓Sjx) 的范例。接著，該過程便會(huì)返回步驟306，以便判斷該經(jīng)修正射束輪廓Sc(x) 的均勻度是否落在規(guī)格內(nèi)。倘若均勻度落在規(guī)格內(nèi)的話，那么便可于步驟 308中來實(shí)施植入。倘若該均勻度仍落在規(guī)格之外的話，那么便可反復(fù)進(jìn) 行該調(diào)整過程(其包含步驟306、 310、 312、以及314)，直到達(dá)成希望的 均勻度為止。
圖5中所示的是由本發(fā)明的概念所教示用于調(diào)整帶狀射束的通量輪廓 的一種方法的流程圖。于步驟500中，會(huì)以初始速率來掃描該射束。于步 驟502中，會(huì)在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量該離子射束的動(dòng)態(tài)射束輪廓。圖 6A至6C以及圖7A至7B所示的便是用于實(shí)施此測(cè)量步驟的實(shí)施例，本文 將作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。于步驟504中，會(huì)依據(jù)該經(jīng)測(cè)量的動(dòng)態(tài)射束輪廓 來內(nèi)插算出額外的動(dòng)態(tài)射束輪廓。于步驟506中，會(huì)使用修正算法來計(jì)算 經(jīng)修正的掃描速率。圖8所示的便是可用來計(jì)算該經(jīng)修正的掃描速率的算 法，本文將作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。于步驟508中，會(huì)以該經(jīng)修正掃描速率 來掃描該射束。此經(jīng)修正的射束會(huì)經(jīng)過設(shè)計(jì)，以便降低非希望的通量變化， 其包含但是并不僅限于先前所討論的情況。圖6A至6C、圖7、以及圖8A至8B所示的是用于測(cè)量該動(dòng)態(tài)射束輪 廓的一種方法的示意圖。圖6A至6C會(huì)希望被一起閱讀，圖中所示的是射 束24單次通過該射束路徑602的示意圖，且圖中還顯示出輪廓儀56如何 測(cè)量對(duì)應(yīng)于該射束單次通過的射束電流信號(hào)606。圖中所示的離子射束24 會(huì)在具有掃描路徑寬度600的掃描路徑602中以掃描速率被掃描，該掃描 路徑寬度600可能會(huì)對(duì)應(yīng)于工件30的寬度，其中，該掃描速率取決于電 壓波形60。同時(shí)，輪廓儀56會(huì)以輪廓測(cè)量速率連續(xù)移動(dòng)跨越輪廓儀路徑 58(參見圖1A)并且連續(xù)測(cè)量該被掃描離子射束24的電流密度。一般來說， 該射束的掃描速率會(huì)高于該輪廓儀56的輪廓測(cè)量速率，使得該輪廓儀能 夠在跨越該輪廓儀迸行多次射束掃移時(shí)來測(cè)量相應(yīng)的多個(gè)射束電流信號(hào) 606，如圖7A中所示。接著便會(huì)處理該些射束電流信號(hào)606并且用來產(chǎn)生
一連串的動(dòng)態(tài)射束輪廓。接著便會(huì)使用該些動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算一經(jīng)修正 的掃描速率。
雖然圖6A顯示的是該掃描儀能夠透過板36a與36b施加至射束24的 具有電壓波形的掃描波形60，不過，亦可使用其它波形，其包含，但是并 不僅限于磁性波形、機(jī)械致動(dòng)波形、或是用于移動(dòng)該射束的其它波形。 再者，此等波形的特征可能具有下面各項(xiàng)函數(shù)，其包含，但是并不僅限于 線性波形、非線性波形、以及正弦波形。
圖6B顯示的是沿著剖線604切割所獲得的圖1A的劑量測(cè)量系統(tǒng)52 的觀點(diǎn)的剖面圖。如圖6B中所示，該射束會(huì)橫越掃描路徑602，其中，該
路徑是在該射束被掃描時(shí)由該射束所開拓出來的并且具有相關(guān)聯(lián)的掃描 路徑寬度600。當(dāng)該射束24橫越該掃描路徑602時(shí)，部份的射束24可通 過輪廓儀56，其中，該輪廓儀56適合在較正期間被定位在該掃描路徑602 之中。圖6B還顯示出在該射束的單次掃描中的數(shù)道示范性被掃描射離子 束(舉例來說，24a、 24b、 24c、 24d、 24e、 24f、以及24g，以及可能出現(xiàn) 在24c與24d之間的數(shù)道中間被掃描射束)。此外，在完成校正之前，該 被掃描離子射束24還可能會(huì)呈現(xiàn)出可能會(huì)在該工件中造成非均勻慘雜的 射束變異(圖中并未顯示)。于典型的實(shí)施例中，當(dāng)該射束24橫越該掃描 路徑602時(shí)，該輪廓儀56則會(huì)連續(xù)地橫越該輪廓儀路徑58(參見圖1A)。 雖然圖中所示的輪廓儀的面積小于每一道射束的面積，不過，本發(fā)明亦涵蓋面積大于、小于、或等于該射束的尺寸的輪廓儀。
如圖6B至6C中所示，于單一掃描掃移中，圖中所示的輪廓儀56會(huì) 測(cè)量具有射束電流信號(hào)606的形式的電流密度(J)分布，其是由一連串的 分離測(cè)量點(diǎn)(舉例來說，608)來代表。如圖所示，當(dāng)該射束沒有任一部份 通過該輪廓儀56時(shí)(舉例來說，24a、 24b、 24c、 24e、 24f、以及24g)， 該射束電流信號(hào)606的電流密度便可以忽略。不過，當(dāng)該射束中有一部份 通過該輪廓儀56時(shí)(舉例來說，24d，以及對(duì)應(yīng)于24c與24e之間的中間 被掃描射束的一連串「x」符號(hào))，該射束電流信號(hào)606的電流密度便不可 以忽略。熟習(xí)本技術(shù)的人士便會(huì)明白，圖中所示的射束電流信號(hào)606的電 流密度并不具有限制本發(fā)明的范疇的任何意義，因?yàn)楦鞣N射束均可能以不 同的射束電流信號(hào)為特征。
對(duì)每一次校正來說，離子植入器10通常會(huì)被配置成用以讓使用者能 夠?yàn)樵撋涫娏餍盘?hào)606選擇一特有的x分辨率。此x分辨率為每單位測(cè) 量中的分離測(cè)量點(diǎn)608的數(shù)量。使用者可依據(jù)任何數(shù)量的因素來選擇特殊 的x分辨率，該因素包含，但是并不僅限于內(nèi)存考慮、頻寬考慮、總處 理量考慮、校正速度、校正精確度、及/或校正準(zhǔn)確性。
如圖7A至7D中所示，當(dāng)該輪廓儀橫越該輪廓路徑時(shí)，可以運(yùn)用數(shù)個(gè) 射束電流信號(hào)606來提供一個(gè)或多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓。明確地說，圖7C與 圖7D顯示出兩個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓702、 704，它們是分別相對(duì)于時(shí)間與相對(duì) 于位置所繪制的。
圖7A顯示的是射束電流信號(hào)606(由輪廓儀56所測(cè)得的)相對(duì)于時(shí)間
的關(guān)系圖。具有「*」符號(hào)的測(cè)量點(diǎn)均具有相等的掃描電壓，而具有「o」 符號(hào)的測(cè)量點(diǎn)(參見圖7B)同樣均具有相等的掃描電壓。值得注意的是，介 于圖中所示的尖峰(或峰值)之間的時(shí)間差(tl、 t2、 t3、 t4)會(huì)隨著時(shí)間 增加而提高。當(dāng)該輪廓儀56朝該輪廓儀路徑602的中心移動(dòng)時(shí)，時(shí)間便 會(huì)增加。于典型的實(shí)施例中，當(dāng)該輪廓儀56位于該輪廓儀路徑602的中 心處時(shí)，該尖峰之間的時(shí)間差將會(huì)最大，且此時(shí)間差將會(huì)造成連續(xù)尖峰的 相等間隔。當(dāng)該輪廓儀56繼續(xù)移動(dòng)到該輪廓儀路徑602的中心以外時(shí)， 該時(shí)間差將會(huì)變小，直到該輪廓儀抵達(dá)該輪廓儀路徑的末端處為止。
圖7C所示的是相對(duì)于時(shí)間所繪制的兩個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓702與704。如圖所示，每一個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓均包含和特殊掃描電壓處的被掃描射束的電
流密度相關(guān)的信息。如圖7D中所示，該動(dòng)態(tài)射束輪廓可相對(duì)于x來繪制，
因?yàn)樵撦喞獌x的位置被稱為是時(shí)間的函數(shù)。
圖8A所示的是一給定被掃描射束的一組動(dòng)態(tài)射束輪廓(舉例來說，702 與704)。其含有會(huì)完全過掃描該射束的掃描電壓的輪廓。該動(dòng)態(tài)射束輪廓 可儲(chǔ)存在一輪廓矩陣M之中，其中，M中各行為單一掃描電壓處的動(dòng)態(tài)輪 廓，而M中各列為每一個(gè)該掃描電壓的給定位置X處的電流。圖8B中所 示的帶狀輪廓802可藉由加總M中各行來算出。藉由箱化(binning)該眾 多射束信號(hào)且將時(shí)間轉(zhuǎn)換成X便會(huì)更精確地算出該帶狀通量輪廓。
對(duì)每一次校正來說，該離子植入器10通常會(huì)被配置成用以讓使用者 能夠?yàn)樵搫?dòng)態(tài)輪廓702與704選擇特有的x分辨率。使用者可依據(jù)任何數(shù) 量的因素來選擇特殊的x分辨率，該因素包含，但是并不僅限于內(nèi)存考 慮、頻寬考慮、總處理量考慮、校正速度、校正精確度、及/或校正準(zhǔn)確 性。 一般來說，該動(dòng)態(tài)輪廓的x分辨率可由該掃描速率與該輪廓儀速率來 決定，并且可能和該輪廓儀的數(shù)字化速率具有下面的關(guān)系動(dòng)態(tài)射束輪廓 的數(shù)量等于該數(shù)字化頻率除以該射束掃描頻率；以及x分辨率或每個(gè)動(dòng)態(tài) 射束輪廓的點(diǎn)數(shù)等于射束輪廓測(cè)量時(shí)間乘以該射束掃描頻率。
如前面所述，在眾多實(shí)施例中，該射束24的掃描速率高于該輪廓儀 56的輪廓測(cè)量速率。舉例來說，該射束的掃描速率可能快過該輪廓儀的輪 廓測(cè)量速率，其倍數(shù)范圍介于約20倍至約10,000倍之間。于一特殊實(shí)施 例中，該掃描速率可能比該輪廓測(cè)量速率快約2，000倍。熟習(xí)本技術(shù)的人 士便會(huì)明白，本發(fā)明并不僅限于上面數(shù)值，更確切地說，本發(fā)明涵蓋掃描 速率與輪廓測(cè)量速率的任何比例。
此外，于眾多實(shí)施例中，并不需要實(shí)施測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的步 驟來修正該射束的帶狀通量。舉例來說，亦可在各種診斷模式中來測(cè)量該 動(dòng)態(tài)射束輪廓，或是在希望測(cè)量帶狀射束輪廓的其它情況中來測(cè)量該動(dòng)態(tài) 射束輪廓。
此外，于眾多實(shí)施例中，會(huì)在有限時(shí)間中來實(shí)施測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束 輪廓的步驟。舉例來說，于一個(gè)實(shí)施例中，該有限時(shí)間會(huì)小于90秒。于 另一實(shí)施例中，該有限時(shí)間會(huì)小于60秒，或者甚至?xí)∮?0秒。于又一個(gè)實(shí)施例中，該有限時(shí)間會(huì)小于15秒。于該些及/或其它實(shí)施例中，該有
限時(shí)間會(huì)小于和該輪廓儀56移動(dòng)跨越該輪廓儀路徑58有關(guān)的時(shí)間。舉例 來說，該有限時(shí)間可能會(huì)小于該輪廓儀的十次通過時(shí)間、小于該輪廓儀的 五次通過時(shí)間、小于該輪廓儀的三次通過時(shí)間、或是小于該輪廓儀的一次 通過時(shí)間。熟習(xí)本技術(shù)的人士便會(huì)明白，本發(fā)明并不僅限于上面數(shù)值，更 確切地說，本發(fā)明涵蓋所有時(shí)間值以及跨越該輪廓儀路徑的所有移動(dòng)。
如前面圖5中所示，校正方法500還可能包含一內(nèi)插步驟，用以內(nèi)插 額外的動(dòng)態(tài)射束輪廓504。舉例來說，倘若測(cè)量十個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的話， 使用者便可將它們內(nèi)插成一百個(gè)或一百五十個(gè)輪廓，以便更精確地決定該 經(jīng)修正的掃描速率。于典型實(shí)施例中，此步驟包含形成一輪廓矩陣M，其 同時(shí)包含該動(dòng)態(tài)射束輪廓以及該內(nèi)插輪廓。舉例來說，該矩陣中的每一列 可能是和一近似輪廓儀位置處的一動(dòng)態(tài)射束輪廓有關(guān)，而每一行則可能是 和一給定掃描電壓處的一動(dòng)態(tài)輪廓有關(guān)。于未運(yùn)用該內(nèi)插步驟來內(nèi)插額外 輪廓的實(shí)施例中，該輪廓矩陣M則會(huì)包含動(dòng)態(tài)射束輪廓。
校正方法500還包含運(yùn)用算法來計(jì)算經(jīng)修正掃描波形的步驟。圖9中 所示的便是此算法900。當(dāng)然亦可使用其它的算法，舉例來說，依據(jù)線性 或非線性回歸法的算法。
于步驟902中會(huì)計(jì)算出該帶狀通量輪廓與希望的帶狀通量輪廓之間的 差異。結(jié)果會(huì)儲(chǔ)存在向量D之中。 一般來說，該希望帶狀通量輪廓是對(duì)應(yīng) 于一在該掃描路徑上具有一恒定電流密度的輪廓。此恒定電流密度可造成 均勻地?fù)诫s該工件。在分開植入中，該希望帶狀通量輪廓?jiǎng)t可能是具有不 同電流密度的二或多個(gè)區(qū)段的恒定電流密度區(qū)域。
于步驟904中，向量D是與輪廓矩陣M乘以瞬間掃描速度變化的反矩 陣(舉例來說，Adt/dV)呈正比。于步驟906中，矩陣M會(huì)被倒置。于步 驟908中，會(huì)對(duì)dt/dV+Adt/dV進(jìn)行積分。此積分可能是受限的，使得新 的dt/dV為正且會(huì)小于該掃描儀的頻寬。于步驟910中，會(huì)藉由倒置t(V) 以產(chǎn)生V(t)，并且適度地縮放，以計(jì)算出該經(jīng)修正的掃描波形。
于步驟912中，會(huì)判斷該算法是否收斂。 一般來說，收斂會(huì)被定義為 該通量的不均勻度的百分比。此不均勻度可由使用者來設(shè)定，且舉例來說， 其可能會(huì)小于1.5%。于眾多實(shí)施例中，該不均勻度會(huì)小于0.5%(半個(gè)百分比)。倘若該射束通量輪廓收斂的話，那么便完成校正，并且可以經(jīng)修正 的掃描速度來掃描該射束，用以產(chǎn)生經(jīng)修正的帶狀射束(參見圖5)。倘若
該算法并未收斂的話，那么便會(huì)反復(fù)進(jìn)行步驟902至912，直到出現(xiàn)收斂 為止或是直到校正時(shí)間結(jié)束為止。
雖然上文已經(jīng)針對(duì)一種或多種實(shí)施方式來闡述與說明過本發(fā)明，不 過，仍可對(duì)本文所闡述的范例迸行變更及/或修飾，其并不會(huì)脫離隨附申 請(qǐng)專利范圍的精神與范疇。尤其是針對(duì)上面所述的組件或結(jié)構(gòu)(區(qū)塊、單 元、器械、組件、裝置、電路、系統(tǒng)、…等)所實(shí)施的各項(xiàng)功能來說，除 非特別表示，否則用來說明此等組件的詞語(yǔ)(包含「構(gòu)件」相關(guān)詞在內(nèi))均 希望對(duì)應(yīng)于實(shí)施所述組件的指定功能的任何組件或結(jié)構(gòu)(舉例來說，具有 等效功能)，即使結(jié)構(gòu)上不等同于本文中所圖解的本發(fā)明示范實(shí)行方式中 用來實(shí)施該項(xiàng)功能的揭示結(jié)構(gòu)亦無妨。此外，雖然僅針對(duì)數(shù)種實(shí)行方式中 的一個(gè)來揭示本發(fā)明的某項(xiàng)特殊特點(diǎn)，不過此項(xiàng)特點(diǎn)卻可結(jié)合其它實(shí)行方 式中的一項(xiàng)或多項(xiàng)其它特點(diǎn)，這是任何給定或特殊應(yīng)用所期望達(dá)成且相當(dāng) 有利的。再者，詳細(xì)說明以及申請(qǐng)專利范圍中均用到「包含」、「具有」等 詞語(yǔ)，甚至其變化詞語(yǔ)，此等詞語(yǔ)均與「包括」 一詞類似，理想地具有包 容之意。
權(quán)利要求
1. 一種測(cè)量帶狀離子射束的通量的方法，包括步驟以一掃描速率來掃描離子射束；在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量多個(gè)射束電流信號(hào)；運(yùn)用該多個(gè)射束電流信號(hào)來計(jì)算多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓，其中，該動(dòng)態(tài)射束輪廓代表該帶狀離子射束的通量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，運(yùn)用該多個(gè)射束電流信號(hào)來計(jì)算多 個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的步驟包括步驟透過掃描波形來讓該多個(gè)射束電流信號(hào)與該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓產(chǎn)生 關(guān)聯(lián)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，讓該多個(gè)射束電流信號(hào)與該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓產(chǎn)生關(guān)聯(lián)的步驟包括步驟讓該射束電流信號(hào)上的一連串離散點(diǎn)與該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓中的一 個(gè)產(chǎn)生關(guān)聯(lián)；其中，該一連串離散點(diǎn)會(huì)以預(yù)設(shè)的方式與該掃描波形產(chǎn)生關(guān)聯(lián)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，該一連串離散點(diǎn)通過下面中的一種 方式來與該掃描波形產(chǎn)生關(guān)聯(lián)恒定電壓、恒定電流、或恒定位置。
5. —種調(diào)整帶狀離子射束的通量的方法，包括步驟以一掃描速率來掃描離子射束，以便制造帶狀射束； 在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓；依據(jù)該被掃描離子射束的該多個(gè)經(jīng)測(cè)量的動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算經(jīng)修 正的掃描速率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，進(jìn)一步包括步驟以經(jīng)校正的掃描速率來掃描該離子射束，以便產(chǎn)生經(jīng)修正的帶狀離子 射束。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的步驟包括以該掃描速率在掃描路徑中來掃描該離子射束； 以輪廓測(cè)量速率讓輪廓儀移動(dòng)跨越輪廓儀路徑；其中，該掃描速率足夠高于該輪廓測(cè)量速率，使得能夠在有限時(shí)間中 來測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的步驟還進(jìn)一步包括步驟 測(cè)量多個(gè)射束電流信號(hào)；從該多個(gè)射束電流信號(hào)中產(chǎn)生一連串的動(dòng)態(tài)射束輪廓，其中，該動(dòng)態(tài) 射束輪廓能夠在有限的時(shí)間被提供并且其包含足夠的信息來精確地計(jì)算 該經(jīng)修正的掃描速率。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，依據(jù)該被掃描離子射束的該多個(gè)經(jīng) 測(cè)量的動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算該經(jīng)修正的掃描速率的步驟包括步驟(a) 計(jì)算帶狀射束通量輪廓與希望的帶狀射束通量輪廓之間的蘭巳左升；(b) 藉由瞬間掃描速度來讓該差異與該動(dòng)態(tài)射束輪廓產(chǎn)生關(guān)聯(lián)；以及(C)計(jì)算經(jīng)修正的掃描速率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，依據(jù)該被掃描離子射束的該多個(gè) 經(jīng)測(cè)量的動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算該經(jīng)修正的掃描速率的步驟還進(jìn)一步包括 步驟判斷該帶狀通量輪廓是否符合要求；以及倘若該帶狀通量輪廓不符合要求，便反復(fù)進(jìn)行步驟(a) 、 (b)、以及(c)， 直到其符合要求為止。
11. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，測(cè)量該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓的步驟 是在有限時(shí)間中來實(shí)施。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，該有限時(shí)間小于90秒。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，該有限時(shí)間小于15秒。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，該有限時(shí)間小于輪廓儀的三次通 過的時(shí)間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，該有限時(shí)間小于或約等于輪廓儀 的單次通過的時(shí)間。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括步驟從該經(jīng)測(cè)量的多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓中來內(nèi)插算出額外的動(dòng)態(tài)射束輪廓。
17. —種調(diào)整帶狀離子射束的通量的方法，包括步驟以一掃描速率于掃描路徑中來掃描離子射束，以便制造帶狀射束； 以一輪廓測(cè)量速率讓輪廓儀移動(dòng)跨越輪廓儀路徑；其中，該掃描速率足夠高于該輪廓測(cè)量速率，使得能夠在有限時(shí)間中 來測(cè)量多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓，以便能夠精確地計(jì)算經(jīng)修正的掃描速率。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，進(jìn)一步包括步驟 測(cè)量多個(gè)射束電流信號(hào)；從該多個(gè)射束電流信號(hào)中產(chǎn)生該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，該有限時(shí)間小于或約等于該輪廓 儀的單次通過的時(shí)間。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，該射束的掃描速率能夠快過該輪 廓儀的輪廓測(cè)量速率，其倍數(shù)范圍介于約20倍至約10， 000倍之間。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，進(jìn)一步包括步驟 依據(jù)該經(jīng)測(cè)量的多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算該經(jīng)修正的掃描速率。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，進(jìn)一步包括步驟 以一經(jīng)修正的掃描速度來掃描該離子射束，用以產(chǎn)生經(jīng)修正的帶狀離子射束。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，進(jìn)一步包括步驟 利用該多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓來計(jì)算經(jīng)測(cè)量的帶狀射束通量輪廓；以及 倘若該經(jīng)測(cè)量的帶狀射束通量輪廓并不適合當(dāng)作希望的帶狀射束通量輪廓，那么以一經(jīng)修正的掃描速率于該射束路徑中掃描該離子射束。
24. —種校正系統(tǒng)，用以校正在離子植入系統(tǒng)中被掃描的離子射束， 該校正系統(tǒng)包括.-控制系統(tǒng)，用以操控離子射束的掃描速率；射束輪廓儀，用于以輪廓測(cè)量速率來測(cè)量該被掃描的離子射束的射束 電流；其中，該掃描速率足夠高于該輪廓測(cè)量速率，使得能夠在有限時(shí)間中 來測(cè)量多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓，以便能夠精確地計(jì)算經(jīng)修正的掃描速率。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例是關(guān)于一種用于調(diào)整被掃描離子射束的帶狀射束通量的方法。于此方法中，會(huì)以一掃描速率來掃描離子射束，而且會(huì)在掃描該離子射束時(shí)來測(cè)量多個(gè)動(dòng)態(tài)射束輪廓。經(jīng)修正的掃描速率會(huì)依據(jù)該被掃描離子射束的該多個(gè)經(jīng)測(cè)量動(dòng)態(tài)射束輪廓而被算出。該離子射束會(huì)以該經(jīng)校正的掃描速率來掃描，以便產(chǎn)生經(jīng)修正的帶狀離子射束。本發(fā)明還揭示其它方法與系統(tǒng)。
文檔編號(hào)H01J37/304GK101421814SQ200780013079
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月10日
發(fā)明者波·范德貝里, 愛德華·艾斯納, 維克托·本維尼斯特 申請(qǐng)人:艾克塞利斯科技公司