專利名稱：利用低電壓材料的等離子體顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種具有多個電極和沉積到電極上的低電壓保護 層的氣體放電器件。具體而言，本發(fā)明涉及一種等離子體顯示屏，
該等離子體顯示屏包括前板，具有由電介質(zhì)層和低電壓保護層 覆蓋的掃描電極和維持電極；后板，具有多個列尋址電極；電介 質(zhì)層；多個障壁；以及紅色、綠色和藍色熒光物層。
背景技術(shù)：
多數(shù)商用等離子體顯示屏(PDP)為表面放電類型。下文參照 附圖來描述現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示屏的構(gòu)成。
圖1是常規(guī)交流彩色等離子體顯示屏的一部分的透視圖。交流 PDP包括前板組件和后板組件。前板組件包括為玻璃襯底的前板 110、用于各行像素點(pixel site)的維持電極111和掃描電極112。 前板組件也包括電介質(zhì)玻璃層113和保護層114。保護層114優(yōu)選 地由氧化鎂(MgO)制成。
后板組件包括玻璃后板115,多個列尋址電極116即數(shù)據(jù)電極 位于該玻璃后板115上。數(shù)據(jù)電極116由電介質(zhì)層117覆蓋。障 壁118在后板組件上。紅色熒光物層120、綠色熒光物層121和藍 色熒光物層122在電介質(zhì)層117的頂部上并且沿著由障壁118創(chuàng) 建的側(cè)壁來設(shè)置。各PDP像素被限定為與(i)包括維持電極lll 和掃描電極112的行和(ii)三個列尋址電極116的交點鄰近的區(qū) 域，其中每個列尋址電極用于紅色焚光物層120、綠色熒光物層 121和藍色熒光物層122中的各相應(yīng)層。
圖2是沿著與尋址電極216的長維度垂直的平面獲得的PDP 一部分、具體是與綠色焚光物層221對應(yīng)的子像素200的側(cè)視圖。參照圖2,在表面放電型PDP中，惰性氣體混合物如Ne-Xe填充 前板組件與后板組件之間的空間225。
障壁218在后板組件上分離由障壁218形成的色通道。子像素 200被形成為由障壁218的側(cè)邊界定的區(qū)域和由維持電極211限定 的區(qū)域。通過在維持電極211與掃描電極212 (圖中未示出)之間 施加的電壓來生成氣體放電，該氣體放電產(chǎn)生分別激勵紅色、綠 色和藍色熒光物層以發(fā)射可見光的真空紫外線(VUV)光。例如， VUV光激勵如圖2中所示綠色熒光物層221以從綠色熒光物層221 生成綠色光。
圖3是沿著與尋址電極216的長維度平行的平面獲得的并且在 與圖2的平面垂直的平面中示出了子像素200的PDP的另一側(cè)視 圖。圖3示出了限定為以下區(qū)域的子像素，該區(qū)域包括前板上的 透明維持電極311和掃描電極312的電極對與后板上的數(shù)據(jù)電極 316的交點。透明維持電極311具有連接到該透明維持電極的相鄰 總線電極310,而透明掃描電極312具有連接到該透明掃描電極的 相鄰總線電極313?？偩€電才及310和313通常為不透明。
PDP的工作維持電壓取決于維持間隙330的幾何形狀、電介質(zhì) 層、所用特定氣體混合物和前板上的保護MgO層314的二次電子 發(fā)射系數(shù)。在維持放電時生成的可見光負責(zé)彩色PDP的亮度。
在維持放電之前通過經(jīng)過板間隙331的尋址放電來實現(xiàn)啟動 維持放電，這一點在下文中進一步加以描述。通過適當控制維持 電極311、掃描電極312和尋址電極316上的驅(qū)動電壓來生成全色 圖像。
在工作中，如圖4中所示，等離子體顯示器將時間幀分成子場， 各子場產(chǎn)生為了實現(xiàn)各像素的恰當強度而需要的一部分光。各子 場分成準備期、尋址期和維持期。維持期還分成多個維持周期。
準備期將任何導(dǎo)通像素重置為截止狀態(tài)并且向氣體和保護層 114的表面提供引火(priming)以允許后續(xù)尋址。在準備期中希望 將像素電極的各內(nèi)表面置于與氣體的點火電壓(firing voltage )很4妄近的電壓。
在尋址期過程中，利用共用電勢來驅(qū)動維持電極，同時驅(qū)動掃 描電極以選擇像素行、從而可以經(jīng)由通過在豎直列電極上施加數(shù) 據(jù)電壓來觸發(fā)的尋址放電對該行中的像素進行尋址。因此在尋址 期過程中，依次地對各行進行尋址以將所需像素置于導(dǎo)通狀態(tài)。
在維持期過程中，共用維持脈沖施加到所有掃描電極以在尋址 期過程中尋址的各子像素反復(fù)地生成等離子體放電。也就是說， 如果子像素在尋址期過程中導(dǎo)通，則在維持期過程中反復(fù)地對像 素進行放電以產(chǎn)生所需亮度。
為了在等離子體顯示屏(PDP )上呈現(xiàn)來自視頻源的全色圖像， 需要恰當?shù)尿?qū)動方案以實現(xiàn)充分灰度級并使運動畫面失真最小 化。在交流等離子體顯示屏中， 一種用以在像素中實現(xiàn)灰度級的
廣泛使用的驅(qū)動方案是Shinoda提出的所謂ADS(尋址-顯示分離) (Yoshikawa K， Kanazawa Y， Wakitani W, Shinoda T和Ohtsuka A, 1992年勿肌— 92, 605 )。
參照圖4，可見在這一方法中16.7毫秒( 一個電視場)的幀時 間被劃分成表示為SF1-SF8的八個子場。八個子場各自又被劃分 成尋址期和維持期即顯示期。先前在尋址期過程中尋址的像素在 維持期過程中導(dǎo)通和發(fā)光。維持期的持續(xù)時間取決于特定的子場。 通過在尋址期過程中控制對用于給定像素的各子像素的尋址，該 像素的強度可以變化為256個灰度級電平中的任一灰度級電平。
PDP的發(fā)光功效對于等離子體電視應(yīng)用而言是很重要的問題。 應(yīng)當進一 步提高效率以降低電子器件的消耗并減少消費者的能量 消耗。PDP的發(fā)光功效被定義為可見光通量與輸入功率之比。PDP 的發(fā)光功效取決于從維持放電生成UV的效率、從由UV輻射的熒 光物生成可見光的效率和從放電單元發(fā)送可見光的效率。
PDP的低發(fā)光功效(較熒光燈而言)主要歸因于從放電生成 UV的效率較低。
在典型PDP放電時，多數(shù)能量在殼層的離子加熱中損失而較小百分比的能量(約40%或者更少)用于電子加熱。在電子加熱
中耗散的能量用于氙(Xe)和氖(Ne)原子的激勵和電離。從氙 的激勵中生成UV。因此，生成UV的效率與用于電子加熱的能量 百分比緊密相關(guān)。通常認為較高的二次電子發(fā)射造成用于離子加 熱的能量百分比較低而電子耗散的能量百分比較高。
在放電時來自保護層的二次電子發(fā)射可以包括歸因于離子誘 導(dǎo)的過程、光子誘導(dǎo)的過程、亞穩(wěn)誘導(dǎo)的過程等過程的作用。
在典型交流PDP放電中，二次電子發(fā)射以能量很低的離子(平 均離子能量為數(shù)電子伏特量級)對陰極表面的轟擊為主。離子誘 導(dǎo)的二次電子發(fā)射歸因于俄歇(Auger)去激勵之后的俄歇中和以 及諧振中和。
圖5示出了通過由Hagstrum開發(fā)的俄歇中和過程的電子發(fā)射 的示意圖(H. D. Hagstrum, P/^&i^乂， 96， 336， ( 1954年))。
隨著電離能量為&的離子接近絕緣體表面，它可以在價帶中 俘獲電子以變得中和并且同時通過中和而獲得的能量將第二電子 激勵到更高能量水平。如果受激勵的電子超過表面勢壘，則它可 以從表面逃逸并且變?yōu)槎坞娮印?br>
二次電子射出的最大動能等于
五《(max) =￡i—2(Eg+;^)
其中，X為電子親合能，Eg是固體的帶隙能量，而&是氣體離子的 電離能量。在交流彩色PDP中，氖和氙的氣體混合物用于氣體放電。 氖離子和氙離子對二次電子發(fā)射起作用。由于氖的電離能量
《為21.7eV，所以有足夠能量用于待發(fā)射的俄歇電子，因為對于
MgO而言《—2(五g+;if) =21.7—2(7.8+1.3) 二3.5>0。
然而，氤離子i秀導(dǎo)的
二次電子發(fā)射幾乎為零，因為氙的電離能量為12.1eV而且
《一2(五力)二12.1—2(7.8+1.3) =—6.1<0。
在Ne-Xe氣體混合物中，有效二次電子發(fā)射系數(shù)iff (即在
Ne-Xe氣體混合物放電中每傳入離子的有效電子發(fā)射)小于Yw(即 氖離子的二次電子發(fā)射系數(shù))，因為氙離子尤其是在較高氙含量的氣體混合物中為主導(dǎo)。為了實現(xiàn)在電子加熱中耗散的高能量百
分比(這可以獲得高的UV生成效率)，需要高的有效二次電子發(fā)
射、也就是由低能量的氙離子誘導(dǎo)的二次電子發(fā)射。
基于俄歇電子處理的標準，帶隙能量與電子親合能之和 ￡;+;^<6.1#的膜對于由氙離子誘導(dǎo)的二次電子發(fā)射而言是必需的。
清楚的是普通MgO膜不能滿足標準，因為MgO帶隙過大。因而
本發(fā)明的目的是開發(fā)可以滿足上述標準的新保護膜。
用更低帶隙和/或更低電子親合能的膜取代MgO膜是本發(fā)明的 關(guān)鍵主題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于創(chuàng)建一種用于提高等離子體顯示屏 (PDP)的發(fā)光功效、在(與常規(guī)MgO保護層相比的)更低電壓 下工作的新保護層。
因而，本發(fā)明提供一種氣體放電器件，該氣體放電器件具有 多個電極；以及低電壓保護層，沉積到電極上使得多個電極和低 電壓保護層形成容納可放電氣體的容器，從而至少低電壓保護層 暴露于可放電氣體。
本發(fā)明還提供一種等離子體顯示屏，該等離子體顯示屏包括 前板，具有由電介質(zhì)層和沉積于電介質(zhì)層的頂部上的低電壓保護 層覆蓋的用于各行像素點的掃描電極和維持電極；后板，具有設(shè) 置于其上的多個列尋址電極；電介質(zhì)層，覆蓋列尋址電極；設(shè)置 于電介質(zhì)層之上的多個障壁，分離列尋址電極并且與之間隔鄰接； 紅色熒光物層、綠色熒光物層和藍色熒光物層，在障壁之間依次 設(shè)置于電介質(zhì)層的頂部上；以及低電壓保護層，沉積于前板上的 掃描電極與維持電極之間，使得在前板與低電壓保護層之間的障 壁形成容納可放電氣體的容器，從而至少低電壓保護層和熒光物 層暴露于可放電氣體。
本發(fā)明還提供一種等離子體顯示屏，該等離子體顯示屏包括前板，具有用于各行像素點的掃描電極和維持電極；后板，具有
設(shè)置于其上的多個列尋址電極；電介質(zhì)層，覆蓋列尋址電極；設(shè) 置于電介質(zhì)層之上的多個障壁，分離列尋址電極并且與之間隔鄰 接；紅色熒光物層、綠色熒光物層和藍色熒光物層，在障壁之間 依次設(shè)置于電介質(zhì)層的頂部上；以及低電壓保護層，沉積于覆蓋 前板上的掃描電極和維持電極的電介質(zhì)層的頂部上，使得在前板 與低電壓保護層之間的障壁形成容納可放電氣體的容器，從而至 少低電壓保護層和熒光物層暴露于可放電氣體。 本發(fā)明還提供一種由下式代表的復(fù)合物
其中X為0.01<%<1;及
其中M是從日e' Sr, Ba, Ra, Se, Y, Ti, Zr, Hf, V, N" Ta, Na, Al及其混 合物中選擇的金屬；以及
其中該復(fù)合物的形式為帶隙從約3.5eV到約7eV的低電壓保護層。
參照附圖通過說明書將更好地理解本發(fā)明的這些和其它方面。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)彩色等離子體顯示器結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖2是沿著與尋址電極的長維度垂直的平面獲得的圖l彩色等 離子體顯示屏的子像素的側(cè)視圖。
圖3是沿著與尋址電極的長維度垂直的平面獲得的圖l彩色等 離子體顯示屏的子像素的另一側(cè)視圖，并且該圖示出了在與圖2 的平面垂直的平面中的該子像素。
圖4是示出了劃分成子場的幀時間的尋址-顯示分離(ADS) 灰度級技術(shù)的驅(qū)動方案的圖(現(xiàn)有技術(shù))。
圖5是俄歇中和過程的示意圖(現(xiàn)有技術(shù))。
圖6示出了在不同Ne-Xe氣體混合物中具有新開發(fā)的Ba，9"o層的測試屏的放電電壓及其與普通MgO層的比較。
圖7示出了在不同Ne-Xe氣體混合物中具有新開發(fā)的BaWg"0 層的測試屏的相對發(fā)光功效及其與常規(guī)MgO層的比較。發(fā)光功效 規(guī)范化為在7%Xe-Ne氣體混合物中具有常規(guī)MgO層的測試屏的功效。
圖8示出了在15%Xe-Ne氣體混合物中具有各種新開發(fā)的 c^Mg，—"層的13"測試屏的最小維持電壓及其與具有相同氣體混合
物的普通MgO屏的比較。
圖9示出了在15%Xe-Ne氣體混合物中具有各種新開發(fā)的 c^Mg，—"層的13"測試屏的發(fā)光功效及其與具有相同氣體混合物的 普通MgO屏的比專交。
具體實施例方式
如上文提到的那樣，本發(fā)明的目的在于創(chuàng)建一種用于提高等離 子體顯示屏(PDP)的發(fā)光功效、在(與常規(guī)MgO保護層相比的) 更低電壓下工作的新保護層。
通過增加在氖和氤的惰性氣體混合物放電時來自新保護層的 有效二次電子發(fā)射來實現(xiàn)低電壓性能。有效二次電子發(fā)射所造成 的低電壓可以增加等離子體顯示屏的發(fā)光功效。低工作電壓包括 低維持電壓和低尋址電壓。低維持電壓也可以減少保護層的侵蝕 速率并且延長屏的壽命。更低尋址電壓可以減少數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的 消耗。
因而，本發(fā)明的基本方面在于將新保護層用于放電器件和等離 子體顯示屏中。術(shù)語保護層指代以下薄絕緣層，該薄絕緣層具有 堿土金屬氧化物與氧化鎂的混合物和/或氧化鎂與其它氧化物材料 如氧化鈧、氧化釔、氧化鋅、氧化鈦、氧化釩、氧化鉿、氧化鉭 和/或這些材料的多混合物的混合物。
優(yōu)選地，通過共同沉積提到的兩種或者更多種材料來形成新保 護層。低電壓保護層包括由下式代表的材料
其中X為0.0Kx《1;更優(yōu)選地，x為0.0KxO.5;以及
其中M是從Be, Ca, Sr' Ba, Ra, Sc, Y. H, Zr, Hf, V, Ta, Zn, Na, Al及其混 合物中選擇的金屬。優(yōu)選地，M是從Be，Ca,Sr，Ba，Ra及其混合物中
選擇的金屬。
通過共同沉積提到的兩種或者更多種材料來形成保護層。優(yōu)選 低電壓保護層具有約3.5eV到約7eV的帶隙。因此，這些材料產(chǎn) 生低于常規(guī)MgO材料的帶隙，結(jié)果交流等離子體顯示屏可以以更 低工作電壓和更高的發(fā)光功效工作。更低工作電壓也帶來等離子 體顯示屏更低的電子器件消耗。
為了實現(xiàn)這些目的，需要特殊密封工藝以防止新保護層免受可 能造成更高驅(qū)動電壓和不良外電子發(fā)射(用于尋址放電的不良引 火條件)的污染。無污染的保護層有助于顯著減少交流等離子體 顯示屏的工作電壓。因而，在無濕氣和/或無C02的環(huán)境中或者在 真空環(huán)境中密封放電器件和等離子體顯示器。
為了實現(xiàn)新保護層的優(yōu)點，利用密封工藝以防止新保護層免受 可能造成更高驅(qū)動電壓和不良外電子發(fā)射(用于尋址放電的不良 引火條件)的污染。本發(fā)明包括放電器件中(與MgO層相比)的 低電壓保護層。低電壓保護層沉積于覆蓋電極的電介質(zhì)層的頂部 上并且直接暴露于可放電氣體。電極也可以由低電壓保護層直接 覆蓋。
例子包括堿土金屬氧化物與氧化鎂的混合物和/或氧化鎂與以下氧 化物材料的混合物氧化鈧、氧化釔、氧化鋅、氧化鈦、氧化釩、 氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯、氧化鋁和/或其混合物。
在式中，M代表鈹、4丐、鍶、鋇、鐳、鈧、釔、鋅、鈥、釩、 鉿、鉭、鋁和鋯或者其組合。更優(yōu)選地，M是^咸土金屬如Be,Ca,Sr,Ba 或者Ra。更優(yōu)選地，M是金屬如Be, Ca,&,ea,Ra或者其混合物。
13摻雜到MgO中的金屬的原子濃度X的范圍為0.01到1并且優(yōu)
選地從0.01到0.5。
為了實現(xiàn)上述濃度，可以通過共同沉積氧化鎂和其它堿土金屬 氧化物或者以下氧化物材料來形成新保護層氧化鈧、氧化釔、 氧化鋅、氧化鈦、氧化釩、氧化鉿、氧化鉭和/或這些化合物的任 何混合物。通過共同沉積氧化鎂和上述金屬的氧化物或者共同沉 積這些金屬氧化物來形成低電壓保護層。
通過共同沉積上文提到的兩種或者多種材料來形成新保護層。 可以通過電子束蒸發(fā)兩種或者更多種源材料來完成共同沉積，而 膜的組成取決于單獨電子束源的沉積條件。也可以通過濺射提到 的兩種或者更多種材料來實現(xiàn)共同沉積。
也可以通過沉積預(yù)混合的提到的材料來形成新保護層?？梢酝?過電子束蒸發(fā)預(yù)混合的提到的源材料來實現(xiàn)沉積。也可以通過濺 射預(yù)混合的提到的靶材料來實現(xiàn)沉積。也可以通過在氧環(huán)境中從 鎂與那些金屬如鈹、釣、鍶、鋇、鐳、鈧、釔、鋅、鈦、釩、鉿、 鉭、鋁和鋯混合的靶材料的反應(yīng)濺射來沉積膜。
可以通過其它沉積技術(shù)如化學(xué)氣相沉積(CVD)、分子束外延 (MBE)、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷和旋涂來形成新保護層。新保護 材料也可以放置于部分區(qū)域而不是整個保護層上。
在一個優(yōu)選實施例中，通過共同沉積預(yù)混合的這些金屬氧化物 來形成低電壓保護層。優(yōu)選地通過從電子束蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣 相沉積(CVD)、分子束外延(MBE)、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷和 旋涂中選擇的方法來實現(xiàn)預(yù)混合氧化物的共同沉積。
需要特別注意防止低電壓層免受空氣中的濕氣和二氧化碳的 污染。限定為防污染層的額外薄層可以用于防止表面免受濕氣和 二氧化碳與低電壓層的化學(xué)反應(yīng)。防污染層由以下材料制成 BeO,MgO,AbO3,Si02,和/或這些材料的混合物。用以克服這一問題的
另一方式是在干燥和無co2的環(huán)境或者干燥的氮環(huán)境或者干燥的
惰性氣體環(huán)境或者其它非反應(yīng)氣體環(huán)境中密封屏或者在真空中密封屏。
優(yōu)選地，可放電氣體包括至少一種元素如氙、氖、氬、氦、氪、 汞、氮、氧、氟和鈉。
優(yōu)選地，通過在氧環(huán)境中由反應(yīng)'濺射共同沉積預(yù)混合金屬來形 成低電壓保護層。
例1
通過電子束共同沉積BaO和MgO來形成新開發(fā)的 B^Mg^o(o,oio^i)膜。也可以通過來自作為BaO和MgO的混合物
的單源材料的電子束沉積來形成該膜。在不同氣體混合物中制作 使用Ba，g化O而不是MgO膜的測試屏。
參照圖6，示出了在不同Ne-Xe氣體混合物中具有新開發(fā)的 Ba，9"o層的測試屏的放電電壓及其與普通MgO層的比較。
在圖6中，Ba^g^o層的最小維持電壓從7%到50%Xe-Ne氣 體混合物比常規(guī)MgO層低15V到40V。在BajWg1—xO與MgO之間的 點火電壓差甚至更明顯，Ba^g"o層的點火電壓的減少量在7%Xe 為13V、在25%Xe為30V而在50%Xe為100V。
圖7示出了在不同Ne-Xe氣體混合物中具有新開發(fā)的Ba閫g"o 層的測試屏的相對發(fā)光功效及其與常規(guī)MgO層的比較。發(fā)光功效 規(guī)范化為在7%Xe-Ne氣體混合物中具有常規(guī)MgO層的測試屏的 功效。與常規(guī)MgO層相比，具有^，9"0層的測試屏的發(fā)光功效 比常規(guī)MgO層的發(fā)光功效至少高40%。
由于Ba閫g^o層在高Xe濃度時低得多的維持電壓和點火電壓， 所以具有Ba，g"o層的屏可以在Ne-Xe氣體混合物中高百分比的 Xe時以合理的低電壓達到高得多的發(fā)光功效。
例2
低電壓保護層的另 一 例子是Ca，g"O <a01<x<"f》。通過電子束共 同沉積CaO和MgO來形成新開發(fā)的Ca，g，.xQ《aoi《x《1》。也可以通過來自作為CaO和MgO的混合物的單源材料的電子束沉積來形成 該膜。用15 % Xe-Ne氣體混合物來制作使用caxMg^o膜而不是MgO 膜的13"屏?？梢酝ㄟ^在無濕氣和無C02的環(huán)境中密封屏來防止氫 氧化物和碳酸鹽(carbonate formation )形成于Ca^g,—xo上。
圖8示出了在15% Xe-Ne氣體混合物中具有各種新開發(fā)的 caxMg,-xo層的13"測試屏的最小維持電壓及其與具有相同氣體混合 物的普通MgO屏的比較。在那些Ga舅gwO屏中的最小維持電壓與 常規(guī)MgO屏相比減少20V到25V。
圖9示出了 Ca^9^o屏的發(fā)光功效可以高達2.02流明/瓦(在 caxMgi-xO-3的情況下)，這比常規(guī)MgO屏的功效(1.44流明/瓦)
高40 0/。。
CaxMgi—xO-l、 CaxMg,-xO_2和CaxMg，—xO_3代表CaxMg，.^0層中
CaO和MgO的不同混合物。
已經(jīng)具體參照優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。應(yīng)當理解前文描述和 例子僅為舉例說明本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以構(gòu)思其各種替代 和修改而不脫離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍。因而，本發(fā)明旨在于涵蓋 落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有這樣的替代、修改和變形。
權(quán)利要求
1. 一種氣體放電器件，包括多個電極；以及低電壓保護層，沉積到所述電極上使得所述多個電極和所述低電壓保護層形成容納可放電氣體的容器，從而至少所述低電壓保護層暴露于所述可放電氣體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，還包括
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，還包括在所述低電壓 保護層的頂部上的防污染層，所述防污染層包括從Be0, Mgo. ai2o3, sra2 和/或這些材料的混合物中選擇的材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，還包括焚光物材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述熒光物和所 述低電壓保護層均暴露于所述可放電氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述熒光物層包 括從紅色熒光物、綠色熒光物、藍色熒光物及其組合中選擇的熒光 物材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述容器包括襯底。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣體放電器件，其中所述襯底包括與 之垂直的多個障壁。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述可放電氣體 包括從氙、氖、氬、氦、氪、汞、氮、氧、氟和鈉中選擇的至少一種元素。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述氣體放電 器件是熒光燈。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述氣體放電 器件是高強度放電燈。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述氣體放電器件是等離子體顯示器。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體放電器件，其中所述熒光物選自于紅色熒光物、綠色熒光物、藍色熒光物及其組合。
14. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體放電器件，還包括 設(shè)置于所述多個電極與所述熒光物層之間的電介質(zhì)層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述低電壓保 護層包括由下式代表的材料 其中X為0'01<x<1; 及其中M是從8e， Ca, Sr, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zlr， Hf, V, ,, Ta, Zii, Na, Al及其混合物中選擇的金屬。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣體放電器件，其中所述金屬選自 于Be, Ca, S" Ba， Ra及其';昆合物。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣體放電器件，其中通過共同沉積 氧化鎂和所述金屬的氧化物或者共同沉積所述金屬的氧化物來形成 所述低電壓保護層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的氣體放電器件，其中通過從電子束 蒸發(fā)、濺射、分子束外延(MBE)、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷和旋涂中 選擇的方法來執(zhí)行所述氧化物的共同沉積。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣體放電器件，其中通過沉積預(yù)混 合的所述金屬的氧化物來形成所述低電壓保護層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的氣體放電器件，其中通過從電子束 蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、分子束外延(MBE)、噴墨 印刷、絲網(wǎng)印刷和旋涂中選擇的方法來執(zhí)行所述預(yù)混合氧化物的所 述沉積。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述低電壓保 護層相比于MgO具有更低的工作電壓。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的氣體放電器件，其中所述低電壓保護層通過在惰性氣體放電時增加來自所述保護層的有效二次電子發(fā) 射來提高等離子體顯示屏的發(fā)光功效。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的氣體放電器件，其中所述更低的工作電壓選自于低維持電壓和/或低尋址電壓，其中所述低維持電壓減 少所述保護層的侵蝕速率，而所述更低尋址電壓減少數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的消耗。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中所述低電壓保 護層沉積于電極的頂部上使得所述低電壓保護層直接暴露于可放電氣體。
25. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體放電器件，其中所述低電壓保 護層沉積于設(shè)置在所述多個電極上的所述電介質(zhì)層的表面上。
26. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電器件，其中在無濕氣和/或 無C O 2的環(huán)境中或者在真空環(huán)境中密封所述氣體放電器件。
27. —種等離子體顯示器，包括 第一襯底，具有多個障壁； 第二襯底，設(shè)置于所述第一襯底之上；多個電極，在所述第一襯底和所述第二襯底上且由所述多個障 壁分離；以及低電壓保護層，沉積于所述第一襯底和所述第二襯底上的所述 多個電極之間，使得在所述第一襯底與所述低電壓保護層之間的所 述障壁形成容納可放電氣體的容器，從而至少所述低電壓保護層暴 露于所述可力文電氣體。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的等離子體顯示器，其中在無濕氣和/或無C02的環(huán)境中或者在真空環(huán)境中密封所述等離子體顯示器。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的等離子體顯示器，其中所述低電壓 保護層設(shè)置于所述前板的一部分上并且與前板上的至少一個電極對準。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的等離子體顯示器，其中所述低電壓 保護層包括由下式代表的材料其中X為0.0Kx^1;及其中M是乂人Be, Ca， Sr, Ba, Ra, Sc, Y, H, Zr' Hf, V, Nb, Ta, Zn, Na, Al及其混 合物中選擇的金屬。
31. —種等離子體顯示屏，包括前板，具有用于各行子像素點的掃描電極和維持電極； 后^，具有設(shè)置于其上的多個列尋址電極； 電介質(zhì)層，覆蓋所述列尋址電極；設(shè)置于所述電介質(zhì)層之上的多個障壁，分離所述列尋址電極并 且與之間隔鄰接；紅色熒光物層、綠色熒光物層和藍色熒光物層，在所述障壁之 間依次設(shè)置于所述電介質(zhì)層的頂部上；以及低電壓保護層，沉積于覆蓋所述前板上的掃描電極和維持電極 的電介質(zhì)層的頂部上，使得所述后板上的熒光物層和所述障壁形成 容納可放電氣體的屏，從而至少所述低電壓保護層和所述熒光物層 暴露于所述可放電氣體。
32. —種由下式代表的復(fù)合物其中X為0.0Kx";及其中M是從Be, Ca, Sr, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, W, V, Nb, Ta, Zn, Na, Al及其混合物中選擇的金屬；以及其中所述復(fù)合物的形式為帶隙從約3.5eV到約7eV的低電壓保護層。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的復(fù)合物，其中M是從Be,Ca,Sr,8a，Ra 及其混合物中選擇的金屬。
全文摘要
一種氣體放電器件具有多個電極；以及低電壓保護層，沉積到電極上使得多個電極和低電壓保護層形成容納可放電氣體的容器，從而至少低電壓保護層暴露于可放電氣體。還提供一種等離子體顯示屏，該等離子體顯示屏包括前板，具有用于各行像素點的掃描電極和維持電極；后板，具有設(shè)置于其上的多個列尋址電極；電介質(zhì)層，覆蓋列尋址電極；設(shè)置于電介質(zhì)層之上的多個障壁，分離列尋址電極并且與之間隔鄰接；紅色熒光物層、綠色熒光物層和藍色熒光物層，在障壁之間依次設(shè)置于電介質(zhì)層的頂部上；以及低電壓保護層。
文檔編號H01J17/49GK101473400SQ200780023245
公開日2009年7月1日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月11日
發(fā)明者G·H·格里斯, N·H·克勞森, Q·嚴 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社