專利名稱：：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板及其制造方法，特別是涉及用改良的保護(hù)層覆蓋電介質(zhì)層的等離子體顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(以下簡稱PDP)是利用來自氣體放電的輻射的平面顯示裝置。容易實現(xiàn)高速顯示和大型化，在圖像顯示裝置和宣傳顯示裝置等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。PDP中有直流型(DC型)和交流型(AC型)，而面放電型AC型PDP在壽命特性和大型化方面具有特別高的技術(shù)優(yōu)勢，已經(jīng)實現(xiàn)商品化。圖IO是作為一般的AC型PDP的放電單位的放電單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。該圖10所示的PDPlx是將前面板2和后面板9貼合形成的。前面板2是跨越多對將掃描電極5和維持電極4作為一對的顯示電極對6地配設(shè)在前面板玻璃3的一個面上，覆蓋著該顯示電極對6依序疊層電介質(zhì)層7和保護(hù)層8。掃描電極5、維持電極4是分別將透明電極51、41和總線52、42疊層構(gòu)成的。電介質(zhì)層7由玻璃軟化點為550C600X:左右范圍的低熔點玻璃形成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。表面層8具有保護(hù)上述電介質(zhì)層7和顯示電極對6使其不受等離子體放電的離子的轟擊，同時高效率發(fā)射二次電子，使放電開始低壓降低的作用。通常該表面層8使用二次電子發(fā)射特性、耐濺射性、光學(xué)透明性優(yōu)異的氧化鎂(MgO)，用真空蒸鍍方法(專利文獻(xiàn)l、2)或印刷方法(專利文獻(xiàn)3)形成厚度O.5微米~1微米左右的膜。還有，與表面層8相同的結(jié)構(gòu)除了保護(hù)電介質(zhì)層7和顯示電極對6外，也作為以確保二次電子發(fā)射特性為目的的保護(hù)層設(shè)置。另一方面，后面板9是在后面板玻璃IO上并設(shè)寫入圖像數(shù)據(jù)用的多個數(shù)據(jù)(地址)電極11，而且使其與所述前面板2的顯示電極對64在正交方向上交叉。在后面板玻璃10上，以覆蓋著數(shù)據(jù)電極11的方式配設(shè)低熔點玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12中與相鄰的放電單元(圖示省略)的邊界上，將"井"字形桁架等的圖案部1231、1232組合，形成由低熔點玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的隔板(凸棱)13，以劃分放電空間l5。電介質(zhì)層12表面與隔板13的側(cè)面上，形成涂布和燒結(jié)R、G、B各色熒光體墨水形成的熒光體層14(熒光體層14R、14G、14B)。前面板2和后面板9配置為使顯示電極對6與數(shù)據(jù)電極11隔著放電空間15相互正交，其各周圍被密封。這時在內(nèi)部密封的放電空間15封入約數(shù)十kPa的壓力的作為放電氣體的Xe-Ne或Xe-He等稀有氣體。以上構(gòu)成PDPlx。為了用PDP進(jìn)行圖像顯示，采用將一幀圖像分割為多個子場(S.F.)的灰度表現(xiàn)方式(例如場內(nèi)時分割顯示方式)。但是，近年來，電氣化產(chǎn)品希望以低功率驅(qū)動，對于PDP也有同樣的要求。在高精細(xì)度的PDP中，放電單元微細(xì)化，放電單元數(shù)目也增加，因此為了提高寫入放電的可靠性就發(fā)生了工作電壓變高的問題。在這里，在已有的PDP中，存在如下所述幾個問題。第l個問題是，對顯示電極對施加脈沖時，從脈沖上升到放電開始的"放電延遲"明顯化的問題。在包括PDP的近年來的顯示器領(lǐng)域中，有像素高精細(xì)化、掃描線數(shù)增加的趨向。例如全高清晰度電視機(jī)的情況下，與已有的NTSC制式的TV相比，掃描線的數(shù)目為其兩倍以上。如果這樣實現(xiàn)PDP的高精細(xì)化，則伴隨著的是高速驅(qū)動的要求。為了高速驅(qū)動，需要使在寫入期間施加的數(shù)據(jù)脈沖的脈沖寬度減小。因此，一旦將數(shù)據(jù)脈沖減小，則在脈沖寬度內(nèi)結(jié)束放電的概略減小、放電延遲的問題變大。因此，發(fā)生本來應(yīng)該點亮的單元不能寫入，存在產(chǎn)生不點亮的單元的不良情況。第2個問題是，放電氣體中的Xe氣體的濃度一旦高濃度化，存在放電延遲對溫度的依賴性也變大的問題。也就是說，在大量使用Xe氣體的情況下，特別是在低溫區(qū)，對溫度的依賴性更大，放電延遲的發(fā)生更加顯著。這個問題實際上在PDP驅(qū)動的初期等是重要的問題。第3個問題是，隨著上述放電氣體中Xe氣體的高濃度化，也有放問題。這是在脈沖數(shù)目少的情況下放電延遲的發(fā)生率增大的問題，例如子場中的維持脈沖數(shù)如果比較少，則放電延遲頻繁發(fā)生。作為這些問題的對策，使氧化鎂保護(hù)層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)改變，或者在氧化鎂中添加鐵、鉻及釩或著是硅、鋁，可以謀求氧化鎂的改良。又，在專利文獻(xiàn)5，公開了在電介質(zhì)層上，或在用真空蒸鍍方法或濺射成膜法成膜的氧化鎂膜上，用氣相法形成可望對放電延遲有改善效果的氧化鎂保護(hù)層，或在電介質(zhì)層上涂布用氣相法制作的氧化鎂粉末的結(jié)構(gòu)。又，如專利文獻(xiàn)6所述，使在氧化鎂保護(hù)層中添加的Si量最佳化，或如專利文獻(xiàn)7所述，對氧化鎂保護(hù)層加入添加材料Si，而且同時添加Fe、Ca、Al、Ni、K中的任意一種，利用這樣的結(jié)構(gòu)試圖改善放電延遲與溫度的依賴性(特別是低溫區(qū)域的放電延遲)。專利文獻(xiàn)1專利文獻(xiàn)2專利文獻(xiàn)3專利文獻(xiàn)4專利文獻(xiàn)5專利文獻(xiàn)6專利文獻(xiàn)7日本特開平5-234519號公報日本特開平8-287833號公報日本特開平7-296718號公報日本特開平10-125237號公報日本特開2006-54158號公報日本特開2004-134407號公報曰本特開2004-273452號公報
發(fā)明內(nèi)容但是，采用上述任何一種已有技術(shù)，在當(dāng)前的情況下，也難以同時解決"放電延遲"的發(fā)生、使用Xe氣體的情況下發(fā)生的放電延遲對溫度的依賴性(特別是低溫區(qū)域的放電延遲)的改善、對維持脈沖數(shù)的依賴性(放電延遲對空間電荷的依賴性)的改善等諸多問題。這樣，在當(dāng)前的PDP的情況下，還留下一些需要改善的空間。本發(fā)明是鑒于上述存在問題而作出的，其目的在于通過改善保護(hù)層，解決"放電延遲"以及"放電延遲對溫度的依賴性"這兩個問題。又，除此以外，其目的還在于，在解決上述各存在問題的基礎(chǔ)上，通過抑制"放電延遲對空間電荷的依賴性"，提供能夠發(fā)揮優(yōu)異的顯示性能的等離子體顯示面板。為了解決上述存在問題，本發(fā)明是一種等離子體顯示面板，形成有電極和電介質(zhì)層的第l基板隔著放電空間與第2基板相對配置，該第1和第2兩個基板的周圍被密封，在所述電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)，配設(shè)具有由(100)面、(110)面、(111)面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒群。在這里，氧化鎂微粒群也可以直接配設(shè)于電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)的表面上。又可以形成這樣的結(jié)構(gòu)，即在電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)設(shè)置包含氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶一群中選擇出的至少一種金屬氧化物的表面層，氧化鎂微粒群配設(shè)于所述表面層的放電空間一側(cè)的表面上。此外，氧化鎂微粒群也可以部分埋入表面層的表面。又，氧化鎂微粒群包含具有六面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個截頂面(truncatedsurface)和至少一個傾斜面(obliquesurface)的微粒。在這種情況下，所述微?？梢允沁@樣的結(jié)構(gòu)，即其主要面具有(100)面，截頂面具有(111)面，傾斜面具有(110)面。又，氧化鎂微粒群包含具有8面體結(jié)構(gòu)，而且具有至少一個截頂面和至少一個傾斜面的微粒。在這種情況下，所述微粒可以是這樣的結(jié)構(gòu)，即其主要面具有(111)面，截頂面具有(100)面，傾斜面具有(110)面。又，氧化鎂微粒群包含為NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的、而且具有相當(dāng)于(100)面的6個面、相當(dāng)于(110)面的12個面、以及相當(dāng)于(111)面的8個面的26面體微粒。在這種情況下，所述26面體結(jié)構(gòu)的微粒具有如下所述結(jié)構(gòu)，即其主要面具有(111)面，傾斜面具有(110)面，截頂面具有(100)面。還有，最好是氧化鎂微粒群采用氧化鎂前體的燒結(jié)生成物。而且氧化鎂微粒群的粒徑為300nm以上。而且，本發(fā)明的等離子體顯示面板的制造方法，具有在配設(shè)有電極的第l基板上形成電介質(zhì)層的電介質(zhì)形成工序、以及在第1基板的配設(shè)所述電介質(zhì)層的一側(cè)配設(shè)氧化鎂微粒的氧化鎂微粒配設(shè)工序，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中，將從醇鎂、氯化鎂、硝酸鎂、乙酰丙酮鎂(acetylacetoneofmagnesium)中選出的一種以上化合物用酸或堿加水分解得到的氫氧化鎂燒結(jié)，配設(shè)由此得到的氧化鎂微粒。7又，本發(fā)明的等離子體顯示面板的制造方法，具有在配設(shè)有電極的第l基板上形成電介質(zhì)層的電介質(zhì)形成工序、以及在第l基板的配設(shè)所述電介質(zhì)層的一側(cè)配設(shè)氧化鎂微粒的氧化鎂微粒配設(shè)工序，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中，將從醇鎂、乙酰丙酮鎂、硝酸鎂、氬氧化鎂、碳酸鎂、氯化鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂中選出的一種以上化合物燒結(jié)，配設(shè)由此得到的氧化鎂微粒。在這里，也可以在電介質(zhì)形成工序與氧化鎂配設(shè)工序之間具有在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層的保護(hù)層形成工序，在氧化鎂配設(shè)工序中，在保護(hù)層表面配設(shè)氧化鎂微粒。又，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中使用的氧化鎂微粒可以采用在700。C以上2000'C以下的溫度范圍燒結(jié)的孩i粒。如果采用上述本發(fā)明，氧化鎂粉末具有如下所述特征，即該氧化鎂粉末包含具有UOO)面、(110)面、(111)面(以下稱為「特定的3種取向面」)的晶面的氧化鎂微粒。在這里，(100)面是表面自由能低的晶面，因此在低溫和常溫以上的高溫的廣大的溫度區(qū)域不容易吸附雜質(zhì)氣體(水、烴、二氧化碳等)，特別是在雜質(zhì)氣體的吸附造成的影響大的低溫區(qū)域也具有穩(wěn)定的電子發(fā)射特性。而(110)面在從低溫到高溫的溫度區(qū)域能夠發(fā)揮良好的二次電子發(fā)射特性，除此以外也具有改善放電延遲對空間電荷的依賴性的效果。而(111)面電子發(fā)射量大，在常溫以上的溫度范圍具有良好的電子發(fā)射特性。因此，在本發(fā)明中，將上述特定的3種取向面包圍的氧化鎂微粒配設(shè)于電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)，以此相乘性地發(fā)揮各晶面的特性，在從低溫到常溫以上的廣大范圍實現(xiàn)電子發(fā)射。從而，如果采用本發(fā)明的PDP，可以期待能夠在廣大的溫度范圍抑制"放電延遲"，同時抑制"放電延遲對溫度的依賴性"以及"放電延遲對空間電荷的依賴性"，發(fā)揮更好的圖像形顯示性能。圖1是表示本發(fā)明實施形態(tài)1的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是表示各電極與驅(qū)動器的關(guān)系的示意圖。圖3表示PDP的驅(qū)動波形例。8圖4是表示各實施形態(tài)的PDP的保護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)的示意性部分放大圖。圖5表示氧化鎂微粒的形狀。圖6表示氧化鎂微粒的變化的形狀。圖7是表示本發(fā)明實施形態(tài)2的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖8是表示氧化鎂微粒的形狀的照片。圖9是表示氧化鎂微粒的CL的測定波形的曲線圖。圖IO是表示已有的一般的PDP的結(jié)構(gòu)的組圖。符號說明1、la、lxPDP2前面板3前面板玻璃4維持電極5掃描電極6顯示電極對7、12電介質(zhì)層8表面層9后面板10后面板玻璃11數(shù)據(jù)(地址)電極13隔板14熒光體層15放電空間16a具有特定的兩種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16b具有特定的兩種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16c具有特定的三種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16d具有特定的三種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16a1、16a2具有特定的兩種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化16bl、16b2具有特定的兩種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化16cl具有特定的三種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化16dl具有特定的三種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的變化16氧化鎂微粒群17保護(hù)層具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施形態(tài)和實施例進(jìn)行說明，當(dāng)然本發(fā)明不限于這些形式，在不超出本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)可以在適當(dāng)變更后實施。實施形態(tài)1PDP的結(jié)構(gòu)例圖1是本發(fā)明實施形態(tài)1的PDP1的沿xz平面的示意剖面圖。該PDP1除了保護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)外，總體說來與以往的結(jié)構(gòu)(上述圖10)相同。PDP1在這里采用42英寸級的NTSC規(guī)格的例子的AC型，但是本發(fā)明當(dāng)然也可以使用于XGA和SXGA等其他規(guī)格的例子。具有HD(高清晰)以上的分辨率的高精細(xì)PDP，以例如下述規(guī)格為例。面板尺寸為37、42、50英寸的各種尺寸的情況下，依序可以設(shè)定為1024x720(像素數(shù))、1024x768(像素數(shù))、1366x768(像素數(shù))。此外，還可以包含比該HD面板更高分辨率的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板可以包含具備1920x1080(像素數(shù))的全HD面板。如圖1所示，PDP1的結(jié)構(gòu)大體分為將主面相互對置配設(shè)第1基板(前面板2)以及第2基板(后面板9)。作為前面板2的基板的前面板玻璃3上，形成多對在其一主面上保維持電極4)。各顯示電極對6在氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的帶狀透明電極51、41(厚度0.1微米、寬大150微米)上疊層銀厚膜(厚度2微米10微米)、鋁薄膜(厚度0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0.1微米~1微米)等構(gòu)成的總線52、42(厚度7微米、寬度95微米)。借助于該10總線52、42,使透明電極51、41的薄片電阻下降。在這里，所謂厚膜是指涂布包含導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電膏等之后進(jìn)行燒結(jié)形成的，利用各種厚膜法形成的膜。又，所謂薄膜是指利用包含濺射方法、離子鍍方法、電子束蒸鍍法等的真空工藝的各種薄膜法形成的膜。在配設(shè)顯示電極對6的前面板玻璃3上，在其整個主面，利用網(wǎng)板印刷方法等形成以氧化鉛(Pb0)、三氧化二鉍(Bi203)或氧化磷(P04)為主成分的低熔點玻璃(厚度35微米)的電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，與DC型PDP相比是實現(xiàn)長壽命化的要素。在電介質(zhì)層7的放電空間一側(cè)的面上，配設(shè)膜厚約l微米的表面層8和配設(shè)于該表面層8的表面的氧化鎂微粒群16。借助于該表面層8以及氧化鎂微粒群16的組合，構(gòu)成電介質(zhì)層7的保護(hù)層17。表面層8是為了保護(hù)電介質(zhì)層7免受放電時的離子轟擊，降低放電開始電壓的目的而配設(shè)的薄膜，由耐'減射和二次電子發(fā)射系數(shù)Y優(yōu)異的氧化鎂材料構(gòu)成。該材料還具有良好的光學(xué)透明性和電絕緣性。另一方面，氧化鎂微粒群16，如圖5(a)~(d)所示，由具有(100)面以及(lll)面構(gòu)成的特定的兩種取向面、或(100)面、(IIO)面、(111)面構(gòu)成的特定的三種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的各種氧化鎂微粒16a~16d構(gòu)成。對該氧化鎂微粒群16將在下面詳細(xì)敘述。還有，在圖1中，為了說明將配設(shè)于表面層8的表面的氧化鎂微粒群16放大表示。在作為后面板9的基板的厚面板玻璃10上，在其一主面形成由銀厚膜(厚度2微米~10微米)、鋁薄膜(厚度0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr疊層薄膜(厚度0.1微米~1微米)等中的任意一種構(gòu)成的數(shù)據(jù)電極ll,該電極ll寬度為100微米，以x方向為長邊方向，在y方向上以一定間隔(360微米)呈帶狀并排配設(shè)。然后，在后面板玻璃9的整個面上，包圍著各數(shù)據(jù)電極11配設(shè)厚度30微米的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上還對應(yīng)于相鄰的數(shù)據(jù)電極11的間隙配設(shè)"井"字形街架狀的隔板13(高度約為IIO微米，寬度為40微米)，通過區(qū)隔放電單元，起著防止發(fā)生誤放電和光學(xué)性串?dāng)_的作用。相鄰的兩個隔板13的側(cè)面與其間的電介質(zhì)層12的面上，形成與彩色顯示用的紅色U)、綠色(G)、藍(lán)色(B)各顏色對應(yīng)的熒光體層14。還有，電介質(zhì)層12并不是必須具有的，也可以直接用熒光體層14內(nèi)包數(shù)據(jù)電極ll。前面板2與后面板9相對配置并且使得數(shù)據(jù)電極11的長邊方向與顯示電極對6的長邊方向正交，兩面板2、9的外周邊緣部用玻璃料(frit)密封。在兩面板2、9之間以規(guī)定的壓力封入包含He、Xe、Ne等惰性氣體構(gòu)成的放電氣體。隔板13之間是放電空間15,相鄰的一對顯示電極對6和一個數(shù)據(jù)電極11夾著放電空間交叉的區(qū)域與涉及圖像顯示的放電單元(也稱為"子像素")對應(yīng)。放電單元間距為x方向675微米，y方向300微米。對應(yīng)于相鄰的RGB各色的三個放電單元構(gòu)成一個像素(675微米x900微米)。各掃描電極5、維持電極4、以及數(shù)據(jù)電極11上，如圖2所示，在面板外部，作為驅(qū)動電路，分別連接掃描電極驅(qū)動器111、維持電極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動器113。(PDP的驅(qū)動例)上述結(jié)構(gòu)的PDP1在驅(qū)動時借助于包含各驅(qū)動器111~113的公知的驅(qū)動電路(未圖示)，在各顯示電極對6的間隙上施加數(shù)十kHz數(shù)百kHz的AC電壓。借助于此，使得在任意放電單元內(nèi)發(fā)生放電，包含激發(fā)的Xe原子產(chǎn)生的波長147nm為主體的諧振線和激發(fā)的Xe分子產(chǎn)生的波長172nm為主體的分子射線的紫外線(圖1的虛線和箭頭)照射于熒光體層14。熒光體層14受到激發(fā)產(chǎn)生可見光。然后，該可見光透過前面板2在前面發(fā)光。作為這種驅(qū)動方法的一個例子，采用場內(nèi)時分灰度顯示方式。該方式將顯示的場分為多個子場(S.F.)，再將各子場分為多個期間。一個子場再分割為(1)使全部放電單元為初始化狀態(tài)的初始化期間、(2)對各放電單元進(jìn)行尋址，將與輸入數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示狀態(tài)有選擇地輸入各放電單元的寫入期間、(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元發(fā)光顯示的維持期間、(4)消除由于維持放電形成的壁電荷的消除期間這四個期間。在各子場中，在初始化期間將整個畫面的壁電荷用初始化脈沖復(fù)位后，在寫入期間進(jìn)行只使應(yīng)該點亮的放電單元積蓄壁電荷的寫入放電，在其后的放電維持期間對所有的放電單元一齊施加交流電壓(維持電壓)，以此在一定時間維持放電以進(jìn)行發(fā)光顯示。在這里，圖3是場中的第m號子場的驅(qū)動波形例。如圖3所示，對各子場分別分配初始化期間、尋址期間、維持期間、消除期間。所謂初始化期間是為了防止其以前放電單元點亮產(chǎn)生的影響(積蓄的壁電荷造成的影響)而對整個畫面進(jìn)行壁電荷消除(初始化放電)工作的期間。圖3所示的驅(qū)動波形的例子中，對掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11與維持電極4高的電壓(初始化脈沖)，使放電單元內(nèi)的氣體放電。以此發(fā)生的電荷積蓄于放電單元的壁面上，抵消數(shù)據(jù)電極11、掃描電極5以及維持電極4之間的電位差，因此在掃描電極5附近的表面層8和氧化鎂微粒群16的表面上積蓄了作為壁電荷的負(fù)電荷。又，在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表面和維持電極4附近的表面層8和氧化鎂微粒群16的表面上積蓄了作為壁電荷的正電荷。利用該壁電荷，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11之間、掃描電極4-維持電極4之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。尋址期間(寫入期間)是進(jìn)行根據(jù)分割為子場的圖像信號選擇的放電單元的尋址(點亮/不點亮的設(shè)定)的期間。在該期間，使放電單元點亮的情況下，在掃描電極5上施加比數(shù)據(jù)電極11和掃描電極4低的電壓(掃描脈沖)。也就是說，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11上，在與所述壁電位相同的方向上施加電壓，同時在掃描電極5-維持電極4之間，在與壁電位相同的方向上施加數(shù)據(jù)脈沖，使其發(fā)生尋址放電(寫入放電)。借助于此，在熒光體層14表面、維持電極4附近的表面層8、以及氧化鎂微粒群16的表面上積蓄負(fù)電荷，在掃描電極5附近的表面層8和氧化鎂微粒群16的表面上積蓄作為壁電荷的正電荷。用以上所述方法在維持電極4-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。維持期間是為了確保與灰度對應(yīng)的輝度，將利用寫入放電設(shè)定的點亮狀態(tài)擴(kuò)大，維持放電的期間。在這里，在存在所述壁電荷的放電單元，以互不相同的相位在一對掃描電極5和維持電極4的各個上分別施加維持放電用的電壓脈沖(例如約200V的方波電壓)。借助于此，每當(dāng)電壓極性發(fā)生變化，就使寫入顯示狀態(tài)的放電單元發(fā)生脈沖放電。借助于該維持放電，放電空間中的激發(fā)的Xe原子發(fā)射147nm的諧13振線，激發(fā)的Xe分子發(fā)射173nm為主體的分子光線。該諧振線、分子光線照射于熒光體層14表面，形成可見光引起的顯示發(fā)光。然后，借助于RGB各色的以子場為單位的組合，實現(xiàn)多顏色、多灰度的顯示。還有，在表面層8中沒有寫入壁電荷的非放電單元中，不發(fā)生維持放電，顯示狀態(tài)為黑顯示狀態(tài)。在消除期間，對掃描電極5施加暫減型的消除脈沖，以此消除壁電荷。(保護(hù)層17的結(jié)構(gòu))圖4(a)是表示PDP1的保護(hù)層17的周邊的示意性結(jié)構(gòu)(顯示電極對6省略)的結(jié)構(gòu)示意圖，是圖1的表面層8和氧化鎂微粒群16周邊的放大示意圖。PDP1保護(hù)層17由表面層8、以及在其上配"^殳的氧化鎂微粒群16形成的結(jié)晶體構(gòu)成。表面層8是氧化鎂薄膜，利用真空蒸鍍方法、離子鍍方法等公知的薄膜成型方法在電介質(zhì)層7上形成厚度約l微米范圍的膜。還有，該表面層8的材料不限于氧化鎂，也可以是包含從氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇以及氧化鍶一群中選出的至少一種金屬氧化物形成的結(jié)構(gòu)。圖5是表示氧化鎂微粒群16中包含的各氧化鎂微粒的形狀的示意圖。氧化鎂微粒群16主要包含4種形狀的微粒16a、16b、16c、16d。圖5(a)、(b)分別表示的微粒16a、16b具有由(100)面以及(111)面兩個面構(gòu)成的特定的兩種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)。圖5(c)、(d)表示的微粒16c、16d具有由(100)面、(IIO)面、(111)面構(gòu)成的特定的三種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)。在這里，圖5所示的各微粒16a、16b、16c、16d各自的形狀不過是一個例子，實際上有比圖示的形狀更具有畸變的形狀。圖8(a)~(d)是依序分別表示實際制作的氧化鎂微粒16a、16b、16c的形狀和作為已有技術(shù)的例子，用氣相方法制作的氧化鎂微粒的形狀的電子顯微鏡照片。圖5(a)所示的氧化鎂微粒16a是以六面體作為基本結(jié)構(gòu)，其各頂點被切除形成截頂面82a的14面體。6個面上存在的8角形的主要面81a相當(dāng)于(100)面，8個面上存在的三角形的截頂面82a相當(dāng)于(111)面。其次，圖5(b)所示的氧化鎂微粒16b是以八面體作為基本結(jié)構(gòu)，14其各頂點被切除形成截頂面81b的14面體。8個面上存在的6角形的主要面82b相當(dāng)于(111)面，6個面上存在的4角形的截頂面81b相當(dāng)于(100)面。在這里所謂主要面是指上述六面體或八面體中具有相同的Miller指數(shù)(Millerindex)的面的面積的總和為最大的具有Miller指數(shù)的面。而所謂截頂面是指切除多面體的頂點而形成的面。在這里，圖5中，作為一個例子，在氧化鎂微粒群16a的情況下，相對于該微粒的總體面積，(100)面所占的比例定為50%以上98%以下。另一方面，在氧化鎂微粒群16b的情況下，上述比例定為30%以上50%以下。又，圖5(c)所示的氧化鎂微粒16c，由于在16b中相鄰的(111)面的邊界被切除，成為形成傾斜面83c的26面體。因此，在氧化鎂微粒16c的情況下，成為具有6個面上存在的八角形(100)面構(gòu)成的截頂面81c、8個個面上存在的六角形的(111)面構(gòu)成的主要面82c、12個面上存在的四角形(110)面構(gòu)成的傾斜面83c的26面體。又，圖5(d)所示的氧化鎂微粒16d,由于在16a中相鄰的(100)面的邊界被切除，成為形成傾斜面83d的26面體。因此，在氧化鎂微粒16d的情況下，成為具有存在6個面的八角形的(100)面構(gòu)成的主要面81d、存在8個面的六角形的(111)面構(gòu)成的截頂面82d、存在12個面的四角形的(110)面構(gòu)成的傾斜面83d的26面體。還有，因燒結(jié)的條件不同，有時候(100)面或(110)占有的面積很大，這時(100)面或(110)面成為主要面。在這里，所謂傾斜面83是指在26面體中，作為連接兩個頂點的線條的邊被切除而形成的面。圖6是表示上述氧化鎂微粒16a~16d的變化的形狀的圖。氧化鎂微粒16a只要是具有六面體結(jié)構(gòu)，而且至少也形成有一個截頂面即可。例如，像圖6(a)所示的氧化鎂微粒16al那樣存在一個截頂面的情況和像圖6(b)所示的氧化鎂微粒16a2那樣存在兩個截頂面的情況。這時，截頂面相當(dāng)于(111)面，主要面相當(dāng)于(100)面。還有，所謂具有六面體結(jié)構(gòu)而且至少也形成有一個截頂面的結(jié)構(gòu)，也可以說成是具有7個面以上的多面體，至少也有一個面是截頂面的結(jié)構(gòu)。氧化鎂微粒16b只要具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個截頂面即可。例如像圖6(c)所示的氧化鎂微粒16bl那樣，存在一個截頂面的情況、和像圖6(d)所示的氧化鎂微粒16b2那樣，存在兩個截頂面的情況。這時截頂面相當(dāng)于(100)面，主要面相當(dāng)于(111)面。還有，所謂具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個截頂面也可以說成，是具有9個面以上的多面體，至少一個面是截頂面的結(jié)構(gòu)。氧化鎂微粒16c只要是具有八面體結(jié)構(gòu)，而且至少形成有一個截頂面并且形成有至少一個傾斜面即可。例如像圖6(e)所示的氧化鎂微粒16cl那樣，截頂面存在6個、傾斜面存在l個的情況。這時，主要面相當(dāng)于(111)面，截頂面相當(dāng)于(100)面，傾斜面相當(dāng)于(110)面。還有，所謂具有八面體結(jié)構(gòu)形成有至少一個截頂面，而且至少一個傾斜面，也可以說成是具有10個以上的面的多面體，具有至少一個面為截頂面，而且至少一個面為傾斜面的結(jié)構(gòu)。氧化鎂微粒16d只要是具有六面體結(jié)構(gòu)，還形成有至少一個截頂面，而且至少形成有一個傾斜面即可。例如像圖6(f)所示的氧化鎂微粒16dl那樣，存在8個截頂面，而且存在一個傾斜面的情況。這時，主要面相當(dāng)于(100)面，截頂面相當(dāng)于(lll)面，傾斜面相當(dāng)于(110)面。還有，所謂具有六面體結(jié)構(gòu)還形成有至少一個截頂面，而且至少一個傾斜面，也可以說成，是具有8個面以上的多面體，至少1個面是截頂面，而且至少1個面是傾斜面的結(jié)構(gòu)。在這里，如果將包含氧化鎂微粒16a、16b的氧化鎂微粒群16配設(shè)于電介質(zhì)層7上，形成特定的兩種取向面臨近放電空間15的結(jié)構(gòu)，各晶面的特性能夠使效果大大增加。又，氧化鎂微粒16c、16d也存在于氧化鎂微粒群16中，形成特定的三個取向面臨近放電空間15的結(jié)構(gòu)。形成立方晶格的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂結(jié)晶作為主要取向面，具有(111)面、(110)面、(100)面，而這其中(100)面是這三個取向面中最稠密的面(原子密集的面)，具有其表面自由能為最低的特性。因此具有(100)面的氧化鎂得到在低溫時和常溫以上的高溫時的廣大溫度區(qū)域不容易吸附雜質(zhì)氣體(水、烴、二氧化碳等)，不容易因該雜質(zhì)氣體而產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)的特性。因此，即使是在被認(rèn)為特別是雜質(zhì)氣體的吸附影響大的低溫區(qū)域，也能夠期望有良好的化學(xué)穩(wěn)定性16(例如，表面技術(shù)Vol.41.No4199050頁)。如果將具有這種取向面的氧化鎂使用于PDP，在低溫和常溫以上的高溫的廣大的溫度區(qū)域，能夠防止放電空間15內(nèi)部的雜質(zhì)氣體(特別是二氧化碳)的吸附，能夠避免放電延遲受溫度的影響(J.Chem.Phys.Vol.103.No.83240-32521995)。但是，(100)面在低溫和常溫以上的高溫區(qū)域有電子發(fā)射量小的缺點。因此，如果只依靠(100)面，則會發(fā)射放電延遲。特別是由于伴隨PDP高精細(xì)化，尋址放電期間縮短，這種放電延遲的發(fā)射更加顯著。相比之下，(111)面是在常溫以上能夠發(fā)揮良好的電子發(fā)射特性的晶面。借助于此，能夠防止在常溫以上放電延遲。另一方面，該晶面的表面能在上述3個晶面中是最高的，因此在常溫以下有放電空間15內(nèi)的雜質(zhì)氣體(特別是烴氣體)容易吸附于氧化鎂上的缺點。被吸附的雜質(zhì)氣體凝聚于晶面的表面上，妨礙電子發(fā)射。因此如果只依靠(lll)面，放電延遲就會受到溫度的影響(特別是在低溫區(qū)域的放電延遲)。因此，在本實施形態(tài)中，使用具有(100)面和(111)面構(gòu)成的特定的兩種取向面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16a、16b、以及具有作為特定的3種取向面的(100)面、(110)面和(111)面包圍的NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16c、16d，構(gòu)成氧化鎂微粒群16。從而，在PDP，通過配設(shè)包含具有特定的兩種取向面和特定的3種取向面的氧化鎂微粒16a~16d的氧化鎂微粒群16，使其面臨放電空間15，能夠在低溫(PDP驅(qū)動初期和使用于環(huán)境溫度低的地區(qū)時)以及常溫以上的高溫區(qū)域(驅(qū)動開始經(jīng)過一定的時間之后或在環(huán)境溫度高的地區(qū)使用時)這樣的廣大溫度區(qū)域防止雜質(zhì)氣體的吸附，維持穩(wěn)定的電子發(fā)射特性，而且能夠有效地抑制"放電延遲"和"放電延遲對溫度依賴性"的現(xiàn)象。其結(jié)果是，能夠穩(wěn)定地發(fā)揮優(yōu)異的圖像顯示性能。還有，在微粒尺寸小的情況和在微?？傮w表面積中占有的比例小的情況下，存在不能夠充分發(fā)揮與各面對應(yīng)的上述放電特性的情況。如下所述，用氣相法制作的氧化鎂微粒，其粒徑有相對波動，具有不足300nm的粒徑的微粒，盡管由(100)面構(gòu)成，還是存在放電延遲對溫度依賴性的問題。但是用前體燒成法制作的氧化鎂微粒，其粒徑均勻，幾乎全部微粒都具有300nm以上的粒徑。因此，幾乎全部微粒都能夠發(fā)揮與各17取向面對應(yīng)的放電特性。又，在PDP1中，即使是采用由(100)面、(110)面、(111)面構(gòu)成的特定的三種取向的面包圍的具有NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒16c，也能夠得到與上述氧化鎂^L粒16a、16b相同的特性。而且除此以外，在PDP驅(qū)動初期，即使是沒有受到放電開始時發(fā)生的空間電荷的幫助，也能夠得到充分的電子發(fā)射特性。也就是說，(110)面由于從低溫到高溫的廣大區(qū)域具有電子發(fā)射量大的特性，所以除了(100)面和(lll)面外，還被(110)面包圍形成的微粒16c、16d比具有兩種特定的取向面的氧化鎂微粒16a、16b電子發(fā)射量大。因此，如果采用氧化鎂微粒16c、16d,就具有不管在維持放電期間在顯示電極對6上施加的脈沖數(shù)(維持脈沖數(shù))的大小如何，都能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的電子發(fā)射的優(yōu)點(換句話說，就是具有能夠減小放電延遲對空間電荷的依賴性的優(yōu)點)。從而，通過采用氧化鎂微粒16c、16d，除了能夠抑制"放電延遲"、"放電延遲對溫度的依賴性"之外、還有，能夠抑制"放電延遲對空間電荷的依賴性，可望能夠發(fā)揮更好的圖像顯示特性。在這里，將表示用已有的氣相法制作的氧化鎂晶體與(100)面、(IIO)面、(111)面這三種特定的取向面包圍的氧化鎂微粒16c、16d的結(jié)晶體的陰極發(fā)光(CL)測定的結(jié)果示于圖9。如圖9所示，用氣相法得到的結(jié)晶體的CL光譜中，幾乎檢測不出200~300nm附近的發(fā)光。另一方面，在特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒16c、16d的CL光語中，可以確認(rèn)在其附近存在大的峰值。該200~300nm附近的波長的光也發(fā)生于PDP放電時。而且在該放電時發(fā)生的200~300nm附近波長的光的能量大約為5eV，能夠激發(fā)在能級中存在于從真空能級起5eV以內(nèi)的氧化鎂的電子，作為二次電子發(fā)射到空間中。這樣，如果在放電時的單元內(nèi)，存在200~300nm附近的波長的光，就不需要單元內(nèi)存在的空間電荷對電子發(fā)射的幫助。在這里，在采用將氣相方法制作的氧化鎂結(jié)晶體分散的保護(hù)層的PDP的情況下，存在放電延遲因放電脈沖數(shù)而改變的現(xiàn)象，而如果有這種200~300nm附近的波長的光線，就與空間電荷無關(guān)，所以放電延遲這樣發(fā)生變化的現(xiàn)象也就不存在。根據(jù)以上所述可以認(rèn)為，利用CL測定檢測遠(yuǎn)紫外光(DUV)的，配設(shè)有特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒16c、16d的PDP中，因此在放電時發(fā)生200~300nm附近波長的光。從而，可以期待通過采用由特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒16c、16d，能夠?qū)崿F(xiàn)對空間電荷無依賴性的PDP。下面對本實施形態(tài)的氧化鎂^:粒16a、16b、16c、16d在結(jié)晶結(jié)構(gòu)中能夠采取的各晶面的面積比例進(jìn)行說明。根據(jù)發(fā)明人的研究，在PDP中，為了有效地取得上述效果，最好是有如下所述的面積比例。氧化鎂微粒16a表面中的(100)面在氧化鎂微粒16a的全部表面中占有的面積比例最好是50%以上、98%以下范圍。氧化鎂微粒16b表面中的(100)面在氧化鎂微粒16b全部表面中占有的面積比例最好是30%以上、50%以下范圍。氧化鎂微粒16c的表面中的(111)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有的面積比例最好是100/。以上、80%以下范圍。同樣，氧化鎂微粒16c的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有的面積比例最好是5%以上、50%以下范圍。還有，氧化鎂微粒16c的表面中的(110)面在氧化鎂微粒16c的全部表面中占有的面積比例最好是5%以上、50%以下范圍。氧化鎂微粒16d的表面中的(111)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有的面積比例最好是10%以上、40%以下范圍。同樣，氧化鎂微粒16d的表面中的(100)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有的面積比例最好是400/。以上、80%以下范圍。還有，氧化鎂微粒16d的表面中的(110)面在氧化鎂微粒16d的全部表面中占有的面積比例最好是10%以上、40%以下范圍。還有，氧化鎂微粒群16除了如圖4(a)所示分散覆蓋于表面層8的表面上外，也可以將各氧化鎂微粒16a~16d的一部分埋設(shè)于表面層8中。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠增加各氧化鎂微粒16a~16d在表面層8上的固定性能，即使是對PDP1施加振動和沖擊，也有能夠防止其脫落的效果，因此這種結(jié)構(gòu)是合適的。又，在圖1和圖4中，表示出將氧化鎂微粒群16形成于表面層8的整個表面上的保護(hù)層17的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限于這樣的結(jié)構(gòu)。也就是說，本實施形態(tài)l中，電介質(zhì)層7的整個表面用表面層8覆蓋，利用該表面層8擔(dān)負(fù)保護(hù)電介質(zhì)層7的功能，因此從這一保護(hù)功能考慮，氧化鎂微粒群16也可以在表面層8部分設(shè)置。例如在表面層8的表面，也可以只設(shè)置于與透明電極41、51對應(yīng)的區(qū)域和與顯示電極對6的放電間隙對應(yīng)的區(qū)域，又可以只設(shè)置于與放電空間15對應(yīng)的區(qū)域(也就是與隔板13對應(yīng)的區(qū)域除外的區(qū)域)。又可以在一定范圍內(nèi)改變微粒16a~16d的密度。這些結(jié)構(gòu)中的任意一中結(jié)構(gòu)都能夠得到與本實施形態(tài)1的PDP相同的效果。實施形態(tài)2下面對本發(fā)明實施形態(tài)2的PDPla,以與實施形態(tài)1的不同點為中心進(jìn)行說明。圖7是表示實施形態(tài)2的PDP的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4(b)是表示PDPla的保護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)的示意圖。PDPla的特征在于，不使用表面層8，在電介質(zhì)層7的上面直接配設(shè)氧化鎂微粒群16,將其作為保護(hù)層。氧化鎂微粒群16中包含的粉末是與實施形態(tài)1相同的氧化鎂微粒16a~16d。即使是采用具有這樣的結(jié)構(gòu)的PDPla,在驅(qū)動時，在低溫和常溫以上的廣大的溫度區(qū)域，也能夠發(fā)揮良好的二次電子發(fā)射特性，有效地抑制"放電延遲"和"放電延遲對溫度的依賴性"的問題，因此能夠發(fā)揮優(yōu)異的圖像顯示性能。又，利用氧化鎂微粒群16中包含的氧化鎂微粒8c，也能夠謀求改善放電延遲受空間電荷影響的情況，能夠期望得到更穩(wěn)定的顯示特性。此外，在PDPla中，由于表面層8省略，所以形成該表面層8用的工序(濺射法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等薄膜工藝)完全不需要。從而能夠與其相應(yīng)省略工序，而且能夠降低制造成本，具有有效而且巨大的優(yōu)點。還有，在PDPla的情況下，借助于氧化鎂微粒群16發(fā)揮對電介質(zhì)層7的保護(hù)功能。從確保該保護(hù)功能考慮，氧化鎂微粒群16應(yīng)該覆蓋著電介質(zhì)層7的整個表面配設(shè)?！碢DP的制造方法〉20下面對各實施形態(tài)的PDP1、la的制造方法例進(jìn)行說明。PDP1、la的不同實質(zhì)上只在于保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，其他制造工序是相同的。(后面板的制作)在厚度約2.6mm鈉鈣玻璃構(gòu)成的后面板玻璃10的表面上利用網(wǎng)板印刷方法以一定間隔涂布帶狀的以銀為主成分的導(dǎo)體材料形成厚度數(shù)微米(例如約5微米)的數(shù)據(jù)電極11。數(shù)據(jù)電極11的電極材料根據(jù)需要可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬、各種金屬的碳化物或氮化物等導(dǎo)電性陶瓷等材料或這些材料的組合，或是將這些材料疊層形成的疊層電極。在這里，為了將預(yù)定制作的PDP1做成40英寸級的NTSC標(biāo)準(zhǔn)或VGA標(biāo)準(zhǔn)，將相鄰的兩個數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定為約0.4mm以下。接著，在形成數(shù)據(jù)電極11的后面板玻璃10的整個面上涂布厚度約20~30微米的鉛系或非鉛系的低熔點玻璃和二氧化硅材料構(gòu)成的玻璃糊，然后進(jìn)行燒結(jié)形成電介質(zhì)層12。接著，在電介質(zhì)層12面上以規(guī)定的圖案形成隔板13。該隔板13是涂布低熔點玻璃材料糊，用噴砂法或光刻法將與相鄰的放電單元(未圖示)的邊界周圍隔開，將多個放電單元的排列形成為"井"狀的行列形狀的圖案。如果形成了隔板13，隔板13壁面與隔板13之間露出的電介質(zhì)層12的表面上涂布包含AC型PDP通常使用的紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光燈、藍(lán)色(B)熒光體中的某一種的熒光體墨汁。將其烘干后燒結(jié)，分別作為熒光體層14。能夠使用的RGB各色熒光體的化學(xué)組成例如下所述。紅色熒光體；(Y、Gd)B03:Eu綠色熒光體；Zn2Si04:Mn藍(lán)色氧化體；BaMgAh。0":Eu各熒光體材料最好是平均粒徑2.0微米的粉末。將其以50質(zhì)量o/o的比例放入盤中，放入1.0質(zhì)量％的乙基纖維素(ethycellulose)、49質(zhì)量％的溶劑(a辟品醇)，用砂磨機(jī)攪拌混合，制作15x10—3Pa's的熒光體墨液。然后將其用泵從口徑60微米的噴嘴向隔板13之間噴射涂布。這時，使面板向隔板20的長邊方向移動，將熒光體墨液涂布成21帶狀。其后在500C燒結(jié)IO分鐘，形成熒光體層14。如上所述，完成了后面板9。(前面板2的制作)在厚度約2.6nun的鈉鈣玻璃構(gòu)成的前面板玻璃3的面上制作顯示電極對6。在這里，表示出利用印刷方法形成顯示電極對6的例子，但是也可以用此外的其他方法，例如染色涂層、刮片涂層等方法形成。首先，用ITO、Sn02、ZnO等透明電極材料按照最終形成約lOOnm的厚度的要求，以帶狀等規(guī)定的圖案涂布在前面板玻璃上，使其干燥。以此制作透明電極41、51。另一方面，在銀粉與有機(jī)賦形劑(vehicle)中添加感光性樹脂(光分解性樹脂)混合形成的感光性膏經(jīng)過調(diào)整，將其重疊涂布于所述透明電極41、51上，以具有與形成的總線的圖案相配的開口部的掩模覆蓋。然后從該掩模上膝光，經(jīng)過顯像，然后在590600t!的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。以此在透明電極41、51上形成最終厚度為數(shù)微米的總線42、52。采用這種光掩模方法，與以往的100微米線寬為限的網(wǎng)板印刷方法相比，能夠?qū)⒖偩€42、52的線寬細(xì)化到30微米左右?？偩€42、52的金屬材料除了銀以外還可以采用Pt、Au、Al、Ni、Cr、或氧化錫、氧化銦等?？偩€42、52除了上述方法外，也可以采用蒸鍍法、濺射法等形成電極材料膜后，用蝕刻處理形成。接著，從顯示電極對6上面，涂布軟化點為550t:600t)的鉛系或非鉛系的低熔點玻璃或二氧化硅材料粉末與丁基卡必醇醋酸酯(butylcarbitolacetate)等構(gòu)成的有機(jī)粘接劑〉'昆合的糊。然后在550X:~650X:左右的溫度下燒結(jié)，形成最終厚度為數(shù)微米~數(shù)十微米的電介質(zhì)層7。(具有特定的兩種取向面或特定的3種取向面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒的制造方法)接著，為了形成作為結(jié)晶體的氧化鎂微粒群16，預(yù)先制作氧化鎂微粒16a16d。例如，通過在高溫含氧氣氛(700X:以上)中對高純度的鎂化合物(氧化鎂前體)均勻地進(jìn)行熱處理(燒結(jié))，得到所述氧化鎂微粒16a~16d。能夠作為所述氧化鎂前體使用的鎂化合物有例如氫氧化鎂，此外還22有醇鎂、乙酰丙酮鎂、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等。在本發(fā)明中，可以選擇這些化合物中的任一種以上(也可以將兩種以上混合使用)。所選擇的化合物，通常也有采取水合物的形態(tài)的，但是也可以使用這樣的水合物。而且，作為氧化鎂前體使用的鎂化合物的純度以99.95%以上為宜，99.98%以上則更為理想。這是因為，如果在鎂化合物中大量存在堿金屬、硼、硅、鐵、鋁等雜質(zhì)元素，則熱處理時(特別是燒結(jié)溫度高的情況下)，會發(fā)生微粒之間相互融合、燒結(jié)的情況，結(jié)晶性能好的氧化鎂微粒不容易生長，而如果采用高純度的鎂化合物，則能夠防止該問題的發(fā)生。這樣的高純度的氧化鎂前體在含氧氣氛中燒結(jié)時，制作的氧化鎂微粒16a~16d的純度也達(dá)到99.95%以上或99.98%以上的高純度。接著，在設(shè)定燒結(jié)溫度的情況下，以70o。c以上為宜，iooox:以上則更加理想。這是因為，燒結(jié)溫度低于700'C的溫度下的情況下，晶面不十分發(fā)達(dá)，缺陷多，微粒上吸附雜質(zhì)氣體多。但是，如果燒結(jié)溫度高于20001C，會發(fā)生脫氧，結(jié)果，氧化鎂的缺陷變多，因而發(fā)生吸附。因此1800'C以下是理想的。在這里，在700x:以上2000t:以下的燒結(jié)溫度條件下進(jìn)行燒結(jié)的情況下，特定的兩種和三種取向面包圍的氧化鎂微粒16a~16d—起生成。根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行的其他實驗，大約在150ox:以上溫度進(jìn)行燒結(jié)時，(110)面可以看到有縮小的傾向。因此，為了提高特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒16c、16d的生成頻度，最好是在700X:以上，1500x:以下的溫度條件下進(jìn)行燒結(jié)。另一方面，為了提高特定的兩種取向面包圍的氧化鎂微粒16a、16b的生成頻度，最好是在1500匸以上，2000'C以下進(jìn)行燒結(jié)。還有，各氧化鎂微粒16a~16d也可以利用分選工序進(jìn)行分離。在這里，對用液相方法制作作為氧化鎂前體的氫氧化鎂的工序，以及用該氫氧化鎂制作包含氧化鎂微粒16a~16d的粉末的工序進(jìn)行具體說明。(1)作為起始原料，準(zhǔn)備純度99.95%以上的醇鎂(Mg(OR)2)或乙酰丙酮鎂。在溶解這些材料的水溶液中加入少量酸進(jìn)行加水分解，制作作為氧化鎂前體的氫氧化鎂凝膠。然后，在空氣中以7001C以上，232000C以下溫度對該凝膠進(jìn)行燒結(jié)使其脫水，以此制作包含氧化鎂微粒16a~16d的粉末。(2)以純度99.95%以上的硝酸鎂(Mg(N03)2)作為起始原料，準(zhǔn)備溶解原料的水溶液，然后在該水溶液中添加堿溶液，制作氫氧化鎂沉淀。接著從水溶液中分離氫氧化鎂沉淀物，在空氣中以700X:以上、20001C以下溫度進(jìn)行燒結(jié)使其脫水，以此制作含有氧化鎂微粒16a~16d的粉末。(3)以純度99.95%以上的氯化鎂(MgCh)作為起始原料，準(zhǔn)備溶解該原料的水溶液。然后，在該水溶液中添加氫氧化鈣(Ca(OH)2)以此使作為氧化鎂前體的氫氧化鎂(Mg(OH)2)沉淀。從水溶液中分離出該沉淀物，在空氣中以700"C以上、2000匸以下溫度對其進(jìn)行燒結(jié)使其脫水，以此制作含有氧化鎂微粒16a~16d的粉末。上述各液相方法(1)~(3)中，在純度99.95%以上的(Mg(OR)2)、(Mg(N03)2)或氯化鎂(MgCh)水溶液中，一邊添加酸和堿一邊對其進(jìn)行濃度控制，進(jìn)行加水分解，借助于此，可以做成非常細(xì)的氫氧化鎂(Mg(OH)2)沉淀物。在空氣中以700X:以上的溫度將該沉淀物燒結(jié)，以此使氫氧化鎂脫水，形成氧化鎂粉末。包含該方法生成的氧化鎂微粒16a~16d的粉末由于結(jié)晶學(xué)上的缺陷少，形成不容易吸附烴系氣體的結(jié)構(gòu)。在這里，通常用氣相氧化法制作的氧化鎂微粒，其粒徑波動比較大。因此在已有的制造工藝中，為了得到均勻的放電特性，需要分選出一定粒徑范圍的微粒的分級工序(記載于例如日本特開2006-147417號公報)。與此不同，在本發(fā)明中，燒結(jié)氧化鎂前體取得氧化鎂微粒，但是，該氧化鎂微粒比已有技術(shù)得到的粒徑均勻，而且其粒徑在一定的粒徑范圍內(nèi)。具體地說，本發(fā)明制作的氧化鎂微粒的尺寸在300nm2微米的范圍內(nèi)。因此能夠得到比氣相氧化法制作的結(jié)晶比表面積更小的微粒。這是本發(fā)明的氧化鎂微粒16a~16d耐吸附性優(yōu)異的一個重要原因，被認(rèn)為能夠使電子發(fā)射性能有所提高。又，借助于此，在本發(fā)明中也可以省略篩分不需要的微粒的分級工序，由于工序的簡化，制造效率和成本方面都非常有利。還有，作為氧化鎂前體的氫氧化鎂(Mg(0H)2)是六方晶系的化合物，與氧化鎂能夠取得的立方晶系的八面體結(jié)構(gòu)不同。從而，雖然氫氧化鎂熱分解生成氧化鎂結(jié)晶的結(jié)晶生長過程復(fù)雜，但是由于一邊留下六方晶系的氬氧化鎂的形態(tài)，一邊形成氧化鎂，可以認(rèn)為，作為晶面，形成了(100)面以及(111)面，除此以外還形成(110)面。與此相對，在氣相合成法形成氧化鎂的情況下，只有某一特定面容易生長。例如，在充滿惰性氣體的槽中一邊將金屬鎂加熱到高溫，一邊使少量氧氣流過，直接使鎂氧化形成氧化鎂粉末的方法中，在結(jié)晶的生長過程中，在鎂取入氧的同時在表面只出現(xiàn)(100)面，其他取向面不容易生長。作為其他氧化鎂微粒的制造方法，也可以與燒結(jié)氫氧化鎂的方法一樣，用醇鎂、硝酸鎂、氯化鎂、碳酸鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂等非NaCl型(立方晶系)的鎂化合物作為氧化鎂前體，實施直接在700X:以上高溫使其熱平衡地實現(xiàn)熱分解的工序。如果采用這些工序，與鎂元素配位的(0R)2基、Ch基、(N03)2基、C03基、(:204基等脫離時，由于不僅(100)面，而且(110)面和(111)面也在表面上出現(xiàn)的機(jī)制起作用，能夠得到包含特定的兩種取向面或特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒16a~16d的粉末。(保護(hù)層形成工序)接著，形成實施形態(tài)1的保護(hù)層或?qū)嵤┬螒B(tài)2的保護(hù)層中的任一保護(hù)層。在形成實施形態(tài)1的保護(hù)層17的情況下，在電介質(zhì)層7上，采用氧化鎂材料借助于真空蒸鍍法或離子鍍法等公知的薄膜形成法形成表面層8。接著，在形成的表面層8的表面上，利用網(wǎng)板印刷法或噴射法涂布包含上述制作的氧化鎂微粒16a、16d的粉末。其后，將溶劑烘干、去除、使氧化鎂微粒固定于表面層8的表面上。借助于此，配設(shè)氧化鎂微粒群16完成實施形態(tài)1的保護(hù)層17。另一方面，在形成實施形態(tài)2的保護(hù)層的情況下，在電介質(zhì)層7的表面直接用網(wǎng)板印刷方法或噴射方法將上述氧化鎂微粒16a~16d加以固定。借助于此，配設(shè)氧化鎂微粒群16，形成實施形態(tài)2的保護(hù)層。25一旦利用上述步驟形成保護(hù)層，就完成了前面板2的制作。(PDP的完成)將制作的前面板2與后面板9用密封用玻璃貼合。其后將放電空間15的內(nèi)部抽真空到高真空(1.Ox10_4Pa)，去除大氣和雜質(zhì)氣體。然后，在該內(nèi)部封入規(guī)定壓力(在這里是66,5kPa~101kPa)的Ne-Xe系或He-Ne-Xe系、Ne-Xe-Ar系等Xe混合氣體作為放電氣體?；旌蠚怏w中的Xe濃度采用15%~100%。經(jīng)過以上工序，完成了PDP1或PDPla。還有，上述方法的例子中，前面板玻璃3和后面板玻璃10采用鈉鈣玻璃構(gòu)成的面板，但是這是對于材料舉出的一個例子，也可以采用此外的其他材料。<性能評價實驗>為了確認(rèn)本發(fā)明的性能效果，制作了實施例的PDP(試樣1~5)、比較例的PDP(試樣6~10)，提供給以下所示的各種實驗1~6。首先，在對各試樣進(jìn)行調(diào)整時，作為全部試樣1~10共同的PDP的結(jié)構(gòu)，掃描電極和維持電極(顯示電極對)的透明電極(IT0)的寬度采用150微米，Ag構(gòu)成的總線的寬度采用70微米，膜厚采用6微米。顯示電極對的放電間隙采用75微米，電介質(zhì)層的厚度采用35微米，隔板的高度采用110微米，隔板的寬度，其底面約80微米，其頂部約40微米。而且地址電極采用寬度IOO微米厚度、5微米，熒光體層的厚度采用15微米進(jìn)行設(shè)計。在保護(hù)層形成工序中，制作特定的的兩種取向面或特定的三種取向面包圍的氧化鎂微粒，用其形成保護(hù)層。得到該氧化鎂微粒時，對氧化鎂前體進(jìn)行熱處理的條件(熱處理條件)、制作的氧化鎂粉末的涂布量、封入面板內(nèi)的Xe氣體的濃度等條件如表1所示。在實施例1(試樣1和2)中，基于實施形態(tài)2，配設(shè)具有特定的兩種取向面的氧化鎂微粒16a、16b含90。/。左右的粉末構(gòu)成的氧化鎂微粒群16形成保護(hù)層。在實施例2(試樣3~5)中，利用真空蒸鍍法(EB)和離子鍍法形成氧化鎂蒸鍍層后，在其上配設(shè)具有特定的兩種取向面的氧化鎂微粒16a、16b或具有特定的三種取向面的氧化鎂微粒16c、16(1含有90%左右的粉末構(gòu)成的氧化鎂微粒群16形成保護(hù)層。比較例的試樣6只用真空蒸鍍法成膜的具有(111)取向面的氧化鎂蒸鍍層形成保護(hù)層。比較例的試樣7配設(shè)氣相法制作的單結(jié)晶氧化鎂微粒形成保護(hù)層。比較例的試樣8在真空蒸鍍法制作的氧化鎂蒸鍍層上，配設(shè)氣相法制作的單結(jié)晶的最大粒徑l微米左右的氧化鎂微粒形成保護(hù)層。比較例的試樣9在真空蒸鍍法制作的氧化鎂蒸鍍層上，配設(shè)氣相法制作的單結(jié)晶的最大粒徑3微米左右的氧化鎂微粒形成保護(hù)層。比較例的試樣IO在真空蒸鍍法制作的氧化鎂蒸鍍層上，配設(shè)高純度的氧化鎂前體用6oox:燒結(jié)制作的氧化鎂微粒形成保護(hù)層。實驗1:(氧化鎂微粒的取向性的評價)對試樣1、4、5、7~9，測定保護(hù)層中的氧化鎂微粒的(100)面和(111)面的面積比率。該面積比率實際上可以使用電子顯微鏡目視測定，但是在本實驗中也利用電子束分析等方法綜合測定。實驗2:{根據(jù)TDS(ThermalDesorptionSpectroscopy;升溫脫氣語)進(jìn)行的氧化鎂微粒評價}對試樣1~10的保護(hù)層，利用升溫脫氣分析法(TDS)測定雜質(zhì)氣體(水、二氧化碳、烴)的吸附量。。其結(jié)果示于表l。表1所示的值表示試樣10的保護(hù)層上吸附的雜質(zhì)氣體(水、二氧化碳、烴)的吸附量(iox:~1200x:之間的氣體的脫離量的合計值)歸一化后的相對值。該相對值越小越是表示是氣體吸附量少的良好的氧化鎂粉末。實驗3:(放電延遲時間的評價)對試樣1~IO的PDP利用下述方法評價施加數(shù)據(jù)脈沖時的放電延遲時間。其結(jié)果示于表l。對各試樣1~10的任一像素施加圖3所示的形狀的初始化脈沖，接著，反復(fù)施加數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖。所施加的數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖的寬度設(shè)定為比通常的PDP驅(qū)動時的5微秒長的100微秒。每一次施加數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖，測定從施加脈沖到放電發(fā)生的時間100次，計算出測定的延遲時間的最大值和最小值的平均值。放電延遲通過利用(濱松水卜-夕只株式會社制造的H6780-20)光傳感器模塊接收伴隨放電發(fā)生的熒光體的發(fā)光，用數(shù)字式示波器(橫河電機(jī)制DL9140)觀察施加的脈沖波形和接收的光信號的波形以進(jìn)行確認(rèn)。表1所示的值是將試樣6的放電延遲時間歸一化，各試樣的放電延遲時間的相對值。該相對值越小，表示放電延遲時間越短。實驗4:(放電延遲時間對溫度的依賴性的評價)下面對試樣1~10的PDP，用溫度可變的恒溫槽，與實驗——樣評價-5X:和251C的環(huán)境溫度下的放電延遲時間。接著，對各試樣求-5'C的放電延遲時間與25'C的放電延遲時間之比。該結(jié)果記載于表1。放電延遲時間之比越接近1表示放電延遲對溫度的依賴性小。實驗5:(畫面的閃爍的評價)對于試樣1~10的PDP，在使其顯示白色圖像時，利用視覺評價對所顯示的圖像是否發(fā)現(xiàn)閃爍進(jìn)行評價。實驗6:(空間電荷量依賴性的評價)下面與上述實驗4一樣，對試樣110的PDP，測定尋址放電前的維持脈沖數(shù)最大時的放電延遲時間、維持脈沖數(shù)最小時的放電延遲時間，測定脈沖數(shù)最小時的放電延遲時間與維持脈沖數(shù)最大時的放電延遲時間之比，將其結(jié)果表示于表l。放電延遲時間之比接近于l表示放電延遲對空間電荷量的依賴性小。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><考察>根據(jù)表1所示的結(jié)果，可以確認(rèn)實施例試樣1~5的PDP中，不管氧化鎂蒸鍍層是否存在，與比較例6~10的PDP相比，在對于數(shù)據(jù)脈沖的施加的放電延遲時間與溫度的依賴性、與空間電荷的依賴性上，性能有很大改良。另一方面，對于相對于數(shù)據(jù)脈沖的施加的放電延遲時間本身，也將至少使用氧化鎂蒸鍍層的結(jié)構(gòu)和不使用氧化鎂蒸鍍層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，可以確認(rèn)實施例試樣1~5的優(yōu)越性。又，在實施例試樣1~5中，在低溫時畫面都沒有閃爍，可以確認(rèn)也有使雜質(zhì)氣體的吸附量大幅度減少的效果。根據(jù)這些實驗結(jié)果可以認(rèn)為，借助于在實施例中使用的特定的兩種或三種取向面的氧化鎂微粒，保護(hù)層的特性得到大幅度改善，因此能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的圖像顯示特性。具體地說，在實施例試樣1~5中，雜質(zhì)吸附量減小是因為保護(hù)層中存在的氧化鎂微粒具備在低溫區(qū)也不容易吸附雜質(zhì)氣體(特別是烴氣體)的(100)面以及在常溫以上電子發(fā)射性能優(yōu)異的(111)面。而且在將實施例試樣2的PDP與實施例試樣1的PDP比較的情況下，以及將實施例試樣3的PDP與實施例試樣4、5的PDP比較的情況下，都可以確認(rèn)與空間電荷的依賴性有很大減小。被認(rèn)為其理由是，這些試樣2、3具有具備在低溫到高溫的廣大溫度區(qū)域呈現(xiàn)電子發(fā)射特性的(110)面的氧化鎂微粒。還有，在實施例試樣1~5中，都是將高純度的鎂前體在700X:以上溫度(Hoot:~1800x:)進(jìn)行熱處理(燒結(jié))，將得到的氧化鎂微粒使用于保護(hù)層的材料中。通過采用這種制造方法，在實施例試樣中，可以得到比比較例試樣微粒尺寸大，而且在結(jié)晶學(xué)上缺陷少的氧化鎂微粒?？梢哉J(rèn)為，在實施例試樣1~5中，是用這樣的良好結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒獲得上述性能的。另一方面，在比較例試樣6中，可以確i^放電延遲時間比實施例試樣1~5大，放電延遲與溫度的依賴性也大。這被認(rèn)為是因為保護(hù)層不是用本申請的發(fā)明的具有特定的兩種或三種取向面的氧化鎂微粒，而只用真空蒸鍍方法形成薄膜的具有(111)面的氧化鎂蒸鍍層構(gòu)成，因此沒有發(fā)揮像實驗例那樣的性能。30又可知，在比較例試樣7~9中，放電延遲時間以及放電延遲與溫度的依賴性比試樣6小，但是即使如此也比實施例試樣1~5大。這被認(rèn)為是因為保護(hù)層中雖然存在氧化鎂微粒，但是該氧化鎂微粒是用氣相方法形成的，所以只具有(100)面，不具有(110)面和(111)面，所以還是本申請的發(fā)明的具有特定的兩種或三種取向面的氧化鎂微粒具有的特性沒有得到發(fā)揮。而且確認(rèn)，比較例試樣IO其放電延遲時間比較小。但是另一方面，放電延遲與溫度的依賴性和與空間電荷量的依賴性雖然比比較例試樣6小，但是比實施例試樣1~5大。這被認(rèn)為是因為，比較例試樣10中，氧化鎂微粒是在低溫(600x:)對氧化鎂前體進(jìn)行燒結(jié)得到的，因此氧化鎂粉末大量吸收雜質(zhì)氣體。工業(yè)應(yīng)用'性本發(fā)明的PDP特別是作為能夠用低電壓驅(qū)動高精細(xì)圖像顯示的氣體放電面板技術(shù)，可以使用于交通設(shè)備以及公共設(shè)施、家庭等的電視裝置以及計算機(jī)用的顯示裝置等。又，如果采用本發(fā)明，即使是在Xe分壓高的情況下，也能夠減小施加驅(qū)動電壓造成的放電延遲，而且能夠得到其溫度依賴性也不存在的PDP,所以能夠?qū)崿F(xiàn)圖像質(zhì)量不容易受到環(huán)境溫度影響的高圖像質(zhì)量的電視。3權(quán)利要求1.一種等離子體顯示面板，形成有電極和電介質(zhì)層的第1基板隔著放電空間與所述第2基板相對配置，密封該第1和第2兩個基板的周圍，其特征在于，在所述電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)，配設(shè)具有由(100)面、(110)面、(111)面包圍的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒群。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群直接配設(shè)于電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)的表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，在電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)設(shè)置包含MgO、Ca0、Ba0、Sr0中選捧出的至少一種金屬氧化物的表面層，氧化鎂微粒群配設(shè)于所述表面層的放電空間一側(cè)的表面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群部分埋設(shè)于表面層的表面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群包含具有六面體結(jié)構(gòu)而且具有至少一個截頂面和至少一個傾斜面的孩i粒。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述微粒，其主要面具有(IOO)面，截頂面具有(lll)面，傾斜面具有(110)面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群包含具有8面體結(jié)構(gòu)而且具有至少一個截頂面和至少一個傾斜面的微粒。8，根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述微粒，其主要面具有(lll)面，截頂面具有(IOO)面，傾斜面具有(110)面。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群包含為NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的、而且具有相當(dāng)于(100)面的6個面、相當(dāng)于(110)面的12個面、以及相當(dāng)于(111)面的8個面的作為26面體的微粒。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述26面體結(jié)構(gòu)的微粒，其主要面具有(111)面，傾斜面具有(110)面，截頂面具有(100)面。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群是氧化鎂前體的燒結(jié)生成物。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，氧化鎂微粒群的粒徑為300nm以上。13.—種等離子體顯示面板的制造方法，具有在配設(shè)有電極的基板上形成電介質(zhì)層的電介質(zhì)形成工序、以及在所述基板的配設(shè)所述電介質(zhì)層的一側(cè)配設(shè)氧化鎂微粒的氧化鎂微粒配設(shè)工序，其特征在于，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中，將從醇鎂、氯化鎂、硝酸鎂、乙酰丙酮鎂中選出的一種以上化合物用酸或堿加水分解得到的氫氧化鎂燒結(jié)，配設(shè)由此得到的氧化鎂微粒。14.一種等離子體顯示面板的制造方法，具有在配設(shè)電極的基板上形成電介質(zhì)層的電介質(zhì)形成工序、以及在所述基板的配設(shè)所述電介質(zhì)層的一側(cè)配設(shè)氧化鎂微粒的氧化鎂微粒配設(shè)工序，其特征在于，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中，將從醇鎂、乙酰丙酮鎂、硝酸鎂、氫氧化鎂、碳酸鎂、氯化鎂、硫酸鎂、草酸鎂、醋酸鎂中選出的一種以上化合物燒結(jié)，配設(shè)由此得到的氧化鎂微粒。15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，在電介質(zhì)層形成工序與氧化鎂配設(shè)工序之間具有在所述電介質(zhì)層上形成保護(hù)層的保護(hù)層形成工序，在氧化鎂配設(shè)工序中，在保護(hù)層表面配設(shè)氧化鎂微粒。16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，在氧化鎂微粒配設(shè)工序中使用的氧化鎂微粒采用在700TC以上2Qoor:以下的溫度范圍燒結(jié)的氧化鎂微粒。全文摘要本發(fā)明，第一，通過改良保護(hù)層，實現(xiàn)低電壓下的良好的驅(qū)動，同時解決“放電延遲”和“放電延遲對溫度的依賴性”兩個問題。又，第二，除了解決上述各課題外，通過抑制“放電延遲對空間電荷的依賴性”，提供能發(fā)揮優(yōu)異的顯示性能的等離子體顯示面板。為此，在本發(fā)明中，準(zhǔn)備純度為99.95％以上的醇鎂(Mg(OR)2)或乙酰丙酮鎂，在該水溶液中添加少量酸，加水使其分解，制作作為氧化鎂前體的氫氧化鎂凝膠。將其在空氣中以700℃以上的溫度燒結(jié)，制作包含具有由(100)面、(110)面、(111)面包圍的具有NaCl結(jié)晶結(jié)構(gòu)的氧化鎂微粒(16a～16d)的粉末。然后，將其涂布于電介質(zhì)層(7)或表面層(8)上，形成氧化鎂微粒群(16)。文檔編號H01J11/46GK101496127SQ20078002871公開日2009年7月29日申請日期2007年5月31日優(yōu)先權(quán)日2006年5月31日發(fā)明者寺內(nèi)正治,福井裕介,辻田卓司申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社