專利名稱：并行質(zhì)譜分析的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種質(zhì)譜分析方法以及包含一個以上同時工作的質(zhì)譜分析儀 的質(zhì)譜儀。
背景技術(shù)：
具有多個、獨立的質(zhì)譜分析級的質(zhì)譜儀可在提供高分辨率的質(zhì)譜的同時用 來增加處理量、分析速度和質(zhì)量范圍，而不會將一些不可避免和不現(xiàn)實的需求 強加于單個分析儀。這種需求對于許多不同種類的離子源來說是真實的，包括
如APCI、 API、 ESI、 MALDI的大氣壓離子源以及如EI、 CI、 v-MALDI、激光解 吸、SIMS及其他的真空離子源。并行分析對于分析具有低占空比的情形——即 分析儀灌注時間與分析時間之比遠小于1的情形——尤為有效。較佳地，可使 用多個級來分析由單個離子源產(chǎn)生的離子，以盡可能少地浪費試樣材料。
多個質(zhì)譜分析儀的連續(xù)操作可增加分析的專一性或質(zhì)量范圍，但處理量受 序列中第一質(zhì)譜分析儀的能力的限制。相反，質(zhì)譜分析儀的并行操作增加了處 理量和分析速度。
US-A-2002068366涉及使用一列并行質(zhì)譜儀來增加蛋白分析的試樣處理 量。為了實現(xiàn)靈活性，諸質(zhì)譜分析儀不共享部件且諸質(zhì)譜儀分別從各個源接受 離子。因此，質(zhì)譜儀可以是不同類型的。
盡管以適應(yīng)性為代價，但共享質(zhì)譜儀的各個級之間的分析部件可提供效率 增益和成本削減。這種靈活性喪失的一個例子是US -6,762,406，該文獻記載 了具有單個離子源的一列并行的RF離子阱。該離子源或者用來從單個離子 源灌注一個或更多個阱，或者立即灌注多個阱。這種結(jié)構(gòu)允許源和阱處于 同一真空環(huán)境中，但由于阱并行工作，它不解決低占空比的問題。
順序連接的不同質(zhì)譜分析儀的并行操作能提高處理量，如WO2005031290所示，但性能仍然受到鏈中最慢檢測器的限制。
因此，現(xiàn)有方法和裝置無法以有效方式使用并行質(zhì)譜分析儀提供來自單個 離子源的質(zhì)譜。
發(fā)明概述
針對這種背景，本發(fā)明第一方面提供一種質(zhì)譜分析方法，包括在離子源 中產(chǎn)生離子；在第一離子存儲時間將來自離子源的離子存儲在具有至少一個離 子轉(zhuǎn)移孔的第一離子存儲設(shè)備中；在第一排出時間周期內(nèi)將離子從第一離子存 儲設(shè)備排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第一分析時間期間內(nèi)進行分析；在第二 離子存儲時間內(nèi)，將來自離子源的離子存儲在具有至少一個離子轉(zhuǎn)移孔的第二 離子存儲設(shè)備中；并在第二排出時間周期內(nèi)將離子從第二離子存儲設(shè)備中排出 至第二質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第二分析時間周期內(nèi)進行分析。這些離子存儲設(shè)備 串聯(lián)以使第一離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔與第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔 連通，以使離子在第一和第二離子存儲設(shè)備之間轉(zhuǎn)移。此外，第一分析時間周 期和第二排出時間周期至少部分地重疊。
離子存儲設(shè)備以這樣一種方式連接即離子存儲設(shè)備中的一個、發(fā)射離子 存儲設(shè)備從離子源接受離子而不使這些離子通過另一離子存儲設(shè)備。相反，離 子通過發(fā)射離子存儲設(shè)備從離子源流向另一離子存儲設(shè)備。
可選擇地，根據(jù)該第一方面，第一離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流入 孔而第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流出孔，從而早于第一離子存儲時 間地，離子經(jīng)過第二離子存儲設(shè)備流入第一離子存儲設(shè)備。然后，早于第二離 子存儲時間地，離子流入第二離子存儲設(shè)備而不經(jīng)過第一離子存儲設(shè)備。
或者根據(jù)該第一方面，第一離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流出孔而第 二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流入孔，從而早于第一離子存儲時間，離 子流入第一離子存儲設(shè)備而不經(jīng)過第二離子存儲設(shè)備。另外，早于第二離子存 儲時間地，離子經(jīng)過第一離子存儲設(shè)備流入第二離子存儲設(shè)備。
作為選擇，第一和第二離子存儲時間不重疊。
在第二方面，本發(fā)明提供一種質(zhì)譜分析方法，包括在離子源中產(chǎn)生離子;在第一離子存儲時間內(nèi)，將來自離子源的離子存儲在離子存儲設(shè)備的第一存儲 體積中；在第一排出時間周期內(nèi)將離子從第一離子存儲設(shè)備排出至第一質(zhì)譜分 析設(shè)備，以在第一分析時間周期內(nèi)進行分析；在第二離子存儲時間內(nèi)將來自離 子源的離子存儲在離子存儲設(shè)備的第二存儲體積中，所述第二存儲體積至少部 分地與所述第一存儲體積重疊；并在第二排出時間周期內(nèi)將離子從離子存儲設(shè) 備排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第二分析時間周期內(nèi)進行分析；其中第一分 析時間周期和第二排出時間周期至少部分地重疊。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，離子存儲設(shè)備有選擇地包括對于所述第一存儲體 積和所述第二存儲體積的共同流入孔，且其中來自離子源的離子通過所述共同 流入孔流入離子存儲設(shè)備。作為附加或選擇，將離子排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備 和將離子排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備的步驟包括通過單個狹縫將離子從離子存 儲設(shè)備排出。
離子存儲設(shè)備的第一存儲體積和離子存儲設(shè)備的第二存儲體積較佳為完 全重疊的。由于可使用多個捕獲場，單個捕獲場是可行的，盡管不是必需的。 然而在這種情形下，離子被保持在限定的捕獲體積內(nèi)，以使第一質(zhì)譜分析設(shè)備
的離子存儲體積至少部分地與第二質(zhì)譜分析設(shè)備的離子存儲體積重疊，由此形 成單個離子存儲設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明所有這些方面， 一個離子源可高效率地供多個質(zhì)譜分析儀使 用。較為有利地在一個以上質(zhì)譜分析設(shè)備之間提供共享使用的離子源和離子存 儲設(shè)備，通過多個離子源和離子存儲設(shè)備的并行工作而不減少質(zhì)譜儀的處理
具體地說，這是通過對由質(zhì)譜分析儀分析離子試樣所需的時間大于存儲足 以實現(xiàn)這種分析的數(shù)量的離子所需的時間的認識而獲得的。因此，通過將離子 存儲設(shè)備配置用來將離子提供給一個質(zhì)譜分析儀而同時另一質(zhì)譜分析儀執(zhí)行 分析而提高效率。這樣，并行質(zhì)譜分析儀能有效地分析由單個離子源產(chǎn)生的離 子，同時使該質(zhì)譜儀比現(xiàn)有技術(shù)更具適應(yīng)性。例如，質(zhì)譜分析儀可以是不同類 型的，或者它們可構(gòu)成MSH式驗的裝置的一部分。此外，離子存儲設(shè)備能夠提 供從離子源至質(zhì)譜分析儀分級的條件變化，例如相對于溫度或壓力條件。在本發(fā)明的較佳實施例中，首先在第一離子存儲時間周期內(nèi)將離子存儲在 離子存儲設(shè)備中。隨后在第一離子排出時間周期內(nèi)將離子從離子存儲設(shè)備排出 至第一質(zhì)譜分析設(shè)備。質(zhì)譜分析設(shè)備在第一質(zhì)譜分析時間周期內(nèi)執(zhí)行對排出離 子的分析。在第二離子存儲時間周期內(nèi)將離子存儲在離子存儲設(shè)備中。隨后在 第二離子排出時間周期內(nèi)將離子從離子存儲設(shè)備排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備。該 第二離子排出時間周期至少部分地與第一質(zhì)譜分析時間周期重疊。較佳地，第
一分析時間周期和第二排出時間周期至少以10%重疊，可選地以至少25%、 50%或75%重疊。在較佳實施例中，第一分析時間周期的開始時間早于第二分 析時間周期的起始時間且第一分析時間周期的結(jié)束時間晚于第二分析時間周 期的結(jié)束時間。
作為選擇，第一分析時間周期和第二分析時間周期至少部分地重疊。在這 種情形下，第一質(zhì)譜分析設(shè)備和第二質(zhì)譜分析設(shè)備同時進行分析。較為有利地， 第二離子存儲時間和第一質(zhì)譜分析時間至少部分重疊。這使多個質(zhì)譜分析設(shè)備
的工作效率提高。
作為選擇，離子源是大氣壓離子源。在這種情形下，離子存儲提供的額外 優(yōu)點是允許離子流適應(yīng)針對質(zhì)譜分析的降低的壓力。
或者，離子源是APCI、 API、 ESI、 MALDI、 EI， CI,激光解吸、SIMS EI/CI 離子源或真空MALDI離子源。
在另一實施例中，將離子排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備較佳地包括將離 子從離子存儲設(shè)備排出；并使排出的離子偏轉(zhuǎn)進入第一質(zhì)譜分析設(shè)備。作 為附加或選擇，將離子注入至第二質(zhì)譜分析設(shè)備可包括從離子存儲設(shè)備 排出離子；并使排出的離子偏轉(zhuǎn)進入第二質(zhì)譜分析設(shè)備。較為有利地，將 離子排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備并將離子排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備的步驟包 括將離子通過單個開口從離子存儲設(shè)備排出。
盡管第一質(zhì)譜分析設(shè)備或者可以是RF離子阱、傅立葉變換離子回旋加速 器諧振質(zhì)譜分析儀、多反射或多區(qū)段飛行時間質(zhì)譜分析儀，然而第一質(zhì)譜分析 設(shè)備較佳為軌道阱質(zhì)譜分析儀。在較佳實施例中，第二質(zhì)譜分析設(shè)備是與第一 質(zhì)譜分析設(shè)備相同類型的設(shè)備?；蛘?，第二質(zhì)譜分析設(shè)備是與第一質(zhì)譜分析設(shè)備不同類型的設(shè)備。
該方法可選擇地歸結(jié)為在N個排出時間周期內(nèi)將離子從離子存儲設(shè)備排
出至N個質(zhì)譜分析設(shè)備并在N個分析時間周期內(nèi)進行分析。N可以是任何正整 數(shù)且N》2。質(zhì)譜分析設(shè)備可以某一順序排列，以使它們能夠從1至N編號。如 此，對于l《n《N，第n個分析時間周期和第(n+l)個排出時間周期至少部分 地重疊。
例如，如果N=4，在第一排出時間周期內(nèi)離子群從離子存儲設(shè)備排出至 第一質(zhì)譜分析設(shè)備，在第二排出時間周期內(nèi)至第二質(zhì)譜分析設(shè)備，在第三排出 時間周期內(nèi)至第三質(zhì)譜分析設(shè)備并在第四排出時間周期內(nèi)至第四質(zhì)譜分析設(shè) 備。每個質(zhì)譜分析儀也可具有各自的分析時間周期。
如前所述，第一分析時間周期和第二排出時間周期至少部分地重疊。此外， 第二分析時間周期和第三排出時間周期、第三分析時間周期和第四排出時間周 期也至少部分地重疊。作為選擇，第一分析時間周期和第三排出時間周期也可 重疊。
作為選擇，該方法還包括將來自離子源的離子存儲在預(yù)備離子存儲設(shè)備 中；并分析存儲在預(yù)備離子存儲設(shè)備中的離子。在第一分析時間周期和第二分
析時間周期內(nèi)執(zhí)行的分析則可基于分析存儲在預(yù)備離子存儲設(shè)備中的離子的 步驟的結(jié)果。
預(yù)備離子存儲設(shè)備可以與WO-A-2005/031290中描述的相似方式作為質(zhì) 譜分析儀工作，該預(yù)備離子存儲包括檢測器。較佳地，該預(yù)備離子存儲設(shè)備與 第一離子存儲設(shè)備相同。然而，它也可以是不同的離子存儲設(shè)備，在這種情形 下預(yù)備離子存儲設(shè)備排出至少一些離子至另一離子存儲設(shè)備，該離子存儲設(shè)備 可以是根據(jù)本發(fā)明第一方面的第一離子存儲設(shè)備或第二離子存儲設(shè)備、本發(fā)明 第二方面的離子存儲設(shè)備或一種不同的離子存儲設(shè)備。
在使用預(yù)備離子存儲設(shè)備中，與之關(guān)聯(lián)的檢測器和作為附加或選擇地與多 個質(zhì)譜分析設(shè)備關(guān)聯(lián)的檢測器中的任何一個可用來產(chǎn)生初始質(zhì)譜信息，該初始 質(zhì)譜信息可用于隨后的掃描，以例如產(chǎn)生WO-A-2004/068523中記載的AGC 信息，或包含如WO-A-2005/031290所述的預(yù)覽信息。本發(fā)明也可體現(xiàn)在一種質(zhì)譜分析方法中，該方法包括在離子源中產(chǎn)生離 子；并對多個質(zhì)譜分析設(shè)備中的每一個執(zhí)行下列步驟。該步驟是在各存儲時 間周期內(nèi)將來自離子源的離子存儲在離子存儲設(shè)備中；并將離子從離子存儲設(shè) 備排出至各個質(zhì)譜分析設(shè)備，所述質(zhì)譜分析設(shè)備被配置成在各分析時間周期內(nèi) 分析各排出的離子。包含多個質(zhì)譜分析設(shè)備的質(zhì)譜分析設(shè)備的數(shù)目基本等于或 大于分析時間周期與代表性存儲時間周期之比，代表性存儲時間周期基于多個 質(zhì)譜分析設(shè)備中的每一個的存儲時間周期中的一個。與本發(fā)明第一和第二方面 共同的可選、較佳的優(yōu)點和其它特征可作為附加地與該方法和關(guān)聯(lián)裝置結(jié)合。
作為選擇，代表性存儲時間周期是多個質(zhì)譜分析設(shè)備上的平均存儲時間周 期?；蛘撸嵌鄠€質(zhì)譜分析設(shè)備上的最短存儲時間或多個質(zhì)譜分析設(shè)備上的 最長存儲時間周期。代表性存儲時間周期或者可以是多個質(zhì)譜分析設(shè)備中的至 少一些的各存儲時間周期的某個其它函數(shù)。
本發(fā)明還表現(xiàn)為一種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括離子源；第一質(zhì)譜分析設(shè)備， 其設(shè)置成在第一分析時間周期內(nèi)分析離子；第二質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成在第 二分析時間周期內(nèi)分析離子；第一離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成存儲離子并具有至 少一個離子轉(zhuǎn)移孔；第二離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成存儲離子并具有至少一個離
子轉(zhuǎn)移孔，該第二離子存儲設(shè)備與第一離子存儲設(shè)備串聯(lián)，以使第一離子存儲 設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔與第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔連通，從而允許離子在第
一和第二離子存儲設(shè)備之間轉(zhuǎn)移；以及系統(tǒng)控制器，該系統(tǒng)控制器被設(shè)置成控
制第一離子存儲設(shè)備在第一存儲時間內(nèi)將離子存儲在第一離子存儲設(shè)備中并 在第一排出時間周期內(nèi)將所述離子排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備，該系統(tǒng)控制器被 進一步設(shè)置成控制第二離子存儲設(shè)備以在第二存儲時間將來自離子源的離子 存儲在第二離子存儲設(shè)備中并在第二排出時間周期內(nèi)將所述離子排出至第二 質(zhì)譜分析設(shè)備，所述第二排出時間周期至少部分地與第一分析時間周期重疊。
本發(fā)明或者可表現(xiàn)為一種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括離子源；第一質(zhì)譜分析設(shè) 備，其設(shè)置成在第一分析時間周期內(nèi)分析離子；第二質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成 在第二分析時間周期內(nèi)分析離子；離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成將離子存儲在第一 存儲體積內(nèi)并進一步設(shè)置成將離子存儲在第二存儲體積內(nèi)，所述第二存儲體積至少部分地與所述第一存儲體積重疊；以及系統(tǒng)控制器，該系統(tǒng)控制器被設(shè)置 成控制離子存儲設(shè)備在第一存儲時間內(nèi)將來自離子源的離子存儲在第一存儲 體積中并在第一排出時間周期內(nèi)將所述離子排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備中，該系 統(tǒng)控制器被進一步設(shè)置成控制離子存儲設(shè)備在第二存儲時間內(nèi)將來自離子源 的離子存儲在第二存儲體積中并在第二排出時間周期內(nèi)將所述離子排出至第 二質(zhì)譜分析設(shè)備，所述第二排出時間周期至少部分地與第一分析時間周期重 疊。
在任一形式的質(zhì)譜分析系統(tǒng)的較佳實施例中，第一質(zhì)譜分析設(shè)備和第二質(zhì)
譜分析設(shè)備共享同一殼體。作為選擇，第一質(zhì)譜分析設(shè)備和第二質(zhì)譜分析設(shè)備 可共享同一泵激結(jié)構(gòu)。
作為選擇，系統(tǒng)控制器被配置成在多個質(zhì)譜分析設(shè)備之間分配離子并調(diào)度 多個質(zhì)譜分析設(shè)備之間的分析活動。分析活動可包括測量。系統(tǒng)控制器可包括 根據(jù)預(yù)定條件工作的調(diào)度器?；蛘?，系統(tǒng)控制器可包括根據(jù)離子流和測量數(shù)據(jù) 最優(yōu)地利用系統(tǒng)的裝置。這可包括質(zhì)譜分析設(shè)備之間的事件調(diào)度以及產(chǎn)生產(chǎn)物 離子并使產(chǎn)物離子分配至不同的檢測器，包括離子存儲設(shè)備。在較佳工作模式 下，系統(tǒng)自動地選擇最大離子利用率的最佳模式以及基于例如要求的母離子、 無利害關(guān)系的母離子、中性損失質(zhì)量的用戶定義約束條件以及例如預(yù)計或檢測 出的色譜峰值寬度或之前檢測離子之間的關(guān)系的基于方法的約束條件的信息 輸出。
附圖簡述
本發(fā)明可以多種方式投入實踐，現(xiàn)在僅通過示例并參照附圖描述其中一種 方式，在附圖中


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的質(zhì)譜儀的第一實施例。
圖2示出圖1具有改進的泵激和捕獲結(jié)構(gòu)的質(zhì)譜儀的一部分。
圖3示出圖2所示的具有進一步改進的泵激和捕獲結(jié)構(gòu)的質(zhì)譜儀的一部較佳實施例的詳細說明
首先參照圖1，其中示出根據(jù)本發(fā)明的質(zhì)譜儀。該質(zhì)譜儀包括離子源10; 預(yù)備離子存儲設(shè)備15;第一離子存儲設(shè)備20;第一質(zhì)譜分析設(shè)備30;第二離 子存儲設(shè)備40;第二質(zhì)譜分析設(shè)備50;第三離子存儲設(shè)備60以及第三質(zhì)譜分
析設(shè)備70。每個質(zhì)譜分析設(shè)備是US-A-5,886，346中描述的軌道阱質(zhì)譜分析儀。 預(yù)備離子存儲設(shè)備15是離子阱。
離子產(chǎn)生于離子源10并從離子源排出至預(yù)備離子存儲設(shè)備15并從那里進 入第一離子存儲設(shè)備20。第一離子存儲設(shè)備20被設(shè)置為在第一存儲時間周期 內(nèi)存儲離子以供第一質(zhì)譜分析設(shè)備30分析。離子存儲設(shè)備20維持適當?shù)膲毫?和溫度，以使所存儲的離子適于由第一質(zhì)譜分析設(shè)備30分析。第一離子存儲 設(shè)備20隨后在第一排出時間周期將所存儲的離子排至第一質(zhì)譜分析設(shè)備30。
第二離子存儲設(shè)備40隨后在第二存儲時間周期內(nèi)存儲離子以供第二離子 分析設(shè)備50分析。這些離子較佳地流過第一離子存儲設(shè)備20而不存儲于其中， 盡管它們一開始可以由第一離子存儲設(shè)備20存儲。第一質(zhì)譜分析設(shè)備30在第 一分析時間周期執(zhí)行對注入離子的一些分析。
第二離子存儲設(shè)備40接受從第一離子存儲設(shè)備20的流出孔排出的離子。 如所述那樣，它存儲要供第二質(zhì)譜分析設(shè)備50分析的離子并維持適當?shù)膲毫?和溫度，以使所存儲的離子適于由第二質(zhì)譜分析設(shè)備50分析。隨后在第二排 出時間周期內(nèi)將所存儲的離子注入第二質(zhì)譜分析設(shè)備50。第二排出時間周期至 少部分地與第一分析時間周期重疊。因此，當?shù)谝毁|(zhì)譜分析設(shè)備30進行分析 時，第二質(zhì)譜分析設(shè)備50正被灌注以離子。這使質(zhì)譜儀更高效地工作。第二 存儲時間周期也可與第一分析時間周期重疊。
第三離子存儲設(shè)備60接受離子以供第三質(zhì)譜分析設(shè)備70使用。第二質(zhì)譜 分析設(shè)備50在第二分析時間周期執(zhí)行注入離子的一些分析。
第三離子存儲設(shè)備60接受從第二離子存儲設(shè)備40的流出孔傳來的離子并 存儲這些離子。同樣，這些離子較佳地流過第一存儲設(shè)備20和第二存儲設(shè)備 40而不被存儲，盡管它們一開始可由第一存儲設(shè)備20和/或第二存儲設(shè)備40 存儲。它維持適當?shù)膲毫蜏囟?，以使所存儲的離子適合由第三質(zhì)譜分析設(shè)備 70分析。隨后在第三排出時間周期將存儲的離子注入第三質(zhì)譜分析設(shè)備70。第三質(zhì)譜分析設(shè)備70在第三分析時間周期對注入離子執(zhí)行一些分析。
圖1所示配置可以另一較佳模式使用。在離子阱15中預(yù)備離子，在其中
也可檢測離子，例如用來確定來自源的輸入離子流的強度。
在最簡單的實施例中，離子如上所述地一個接一個依次分配給不同的檢測
器。在這種情形下，檢測器的最佳數(shù)目是由離子聚集的時間和開銷相比總檢測
時間確定的。
在較復(fù)雜的應(yīng)用中，在完整質(zhì)量掃描后，由在前掃描確定的前體離子可在
離子阱15中選擇而產(chǎn)物離子可形成在離子阱15或較佳地位于離子阱下游的后 繼離子改性設(shè)備中。這些產(chǎn)物離子在下一自由質(zhì)譜分析設(shè)備中被檢測出。
任一來自離子阱15的預(yù)先掃描可用作數(shù)據(jù)相關(guān)信息或來自其中一個檢測 器的完整數(shù)據(jù)集，或來自其中一個檢測器的"預(yù)覽"數(shù)據(jù)集。
在另一工作模式中，可首先灌注第二存儲設(shè)備40并首先運作第二質(zhì)譜分 析設(shè)備50。當?shù)诙|(zhì)譜分析設(shè)備50進行分析時，第一離子存儲設(shè)備20被灌注， 以使第一存儲時間周期和第二質(zhì)譜分析時間周期至少部分地重疊?；蛘?，第三 存儲設(shè)備60可一開始被灌注，而第二存儲時間周期和第三質(zhì)量分析時間周期 可至少部分地重疊。
可通過使用單個離子存儲設(shè)備作出進一步改進。單個離子存儲存儲設(shè)備可 以不同方法實現(xiàn)。參照圖2，其中示出了圖1的質(zhì)譜儀的一部分。在圖2中， 質(zhì)譜分析儀具有一個離子存儲設(shè)備100和四個離子分析設(shè)備110、 120、 130、 140。
離子存儲設(shè)備100是灌注有氣體的并能夠沿不同方向抽取離子。離子存儲 設(shè)備100由可切換RF電源供電，例如與WO-A-05124821中描述的相似的電 源。
較佳地，通過使用具有多個質(zhì)譜分析儀的單個離子存儲設(shè)備，相比圖l所 示的實施例可獲得明顯的成本節(jié)約。離子存儲設(shè)備100維持合適的壓力和溫度， 以使所存儲的離子適于由每個質(zhì)譜分析設(shè)備IIO、 120、 130和140分析。離子 存儲設(shè)備IOO—次一個設(shè)備地將離子注入每個質(zhì)譜分析設(shè)備。 一旦足夠的離子 被注入到例如質(zhì)譜分析設(shè)備IIO的質(zhì)譜分析設(shè)備，該質(zhì)譜分析設(shè)備開始分析注 入的離子。繼續(xù)該例，在質(zhì)譜分析設(shè)備IIO進行分析的同時，離子存儲設(shè)備100將離子注入質(zhì)譜分析設(shè)備120。對每個質(zhì)譜分析設(shè)備繼續(xù)該過程。
在每個質(zhì)譜分析設(shè)備中獲得高分辨率質(zhì)譜一般需要200—1000ms，而在離 子存儲設(shè)備中的離子捕獲一般可在5 — 10ms內(nèi)發(fā)生(盡管對于低強度離子束來 說可能為100ms)。另外，離子注入每個質(zhì)譜分析設(shè)備花費小于或等于lms的 時間。因此，有足夠的時間使離子存儲設(shè)備IOO將離子注入一個質(zhì)譜分析設(shè)備， 同時至少一個其它的質(zhì)譜分析設(shè)備執(zhí)行關(guān)于之前注入離子的分析。該過程明顯
地增加了質(zhì)譜分析儀的效率。
然而，使用這種結(jié)構(gòu)將離子從單個離子存儲設(shè)備注入多個質(zhì)譜分析設(shè)備可 能會增加氣體攜帶。因此，為了確保將氣體攜帶減至最小，必需增加質(zhì)譜分析 設(shè)備的泵激要求。此外，每個質(zhì)譜分析設(shè)備要求其擁有其自身的離子光學(xué)配置 以使離子束聚焦在其入口上。
參照圖3，其中示出圖2所示質(zhì)譜儀的一部分的修改形式，用來解決這些 問題。該質(zhì)譜儀包括離子存儲設(shè)備200、離子光學(xué)器件210和質(zhì)譜分析設(shè)備110、 120、 130和140。
圖2所示離子存儲設(shè)備100包括多個狹縫，每個狹縫對應(yīng)一個質(zhì)譜分析設(shè) 備。相反，離子存儲設(shè)備200僅包括一個狹縫205。離子通過狹縫205以離子 束形式從離子存 儲設(shè)備200排出。離子光學(xué)器件210用來使排出的離子偏轉(zhuǎn)至 質(zhì)譜儀220的UHV部分。
質(zhì)譜儀的UHV部分包括四個質(zhì)譜分析設(shè)備110、 120、 130和140。離子 光學(xué)器件210將從離子存儲設(shè)備200排出的離子束一次引導(dǎo)至一個質(zhì)譜分析設(shè) 備。另外，離子光學(xué)器件210的參數(shù)可改變以允許離子束焦點變化，以使離子 束聚焦到每個質(zhì)譜分析設(shè)備上。如果離子光學(xué)器件210和/或離子存儲設(shè)備200 遵循非同心圓弧，則可實現(xiàn)這種焦距變化。
通過將離子存儲設(shè)備連同多個并行的質(zhì)譜分析設(shè)備使用，可獲得進一步有 效的增益。根據(jù)分析器的類型和結(jié)構(gòu)，分析器可共享電源、加熱或冷卻、泵激 等。例如質(zhì)譜儀中的軌道阱質(zhì)譜分析設(shè)備可由同一超穩(wěn)定中央電極電源供電。 這導(dǎo)致更為緊湊的結(jié)構(gòu)。然而，斜坡/脈沖形成和前置放大電子器件可對每個軌 道阱是個別的。即使一個軌道阱上的中央電極的脈沖形成導(dǎo)致在檢測中另一軌 道阱上的電壓下陷，這種干擾的持續(xù)時間僅為小于l-2ms，相比總分析持續(xù)時間，這是可忽略的。在這種情形下，波峰展寬僅發(fā)生在靠近基線的高度并因此 不會影響質(zhì)譜的外形。此外，這些質(zhì)譜分析設(shè)備可共享一個或多個共同的入口、 共同的冷卻器和共同的注入器。
每個質(zhì)譜分析設(shè)備的檢測系統(tǒng)也可受益于規(guī)模經(jīng)濟，例如通過使用并行處
理。或者例如通過將來自一個軌道阱的質(zhì)譜平移l一2MHz的范圍、將來自第 二軌道阱的質(zhì)譜平移2 — 3MHz、將來自第三軌道阱的質(zhì)譜平移3 — 4MHz依此 類推而利用混頻。隨后通過一個高速模數(shù)一轉(zhuǎn)換器(例如16比特、20MHz) 將來自多個質(zhì)譜分析設(shè)備的混合信號數(shù)字化。
盡管已在本文中對具體實施例進行了說明，然而本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以構(gòu) 思出多種改型和替代。例如，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以理解，可用任何其它脈沖 質(zhì)譜分析設(shè)備來代替軌道阱，例如FTICR、 RF離子阱、多反射或多區(qū)段飛行 時間質(zhì)譜分析儀和其它類型的靜電阱。此外，這多個質(zhì)譜分析設(shè)備可包括一個 以上不同類型的質(zhì)譜分析設(shè)備。當這些質(zhì)譜分析設(shè)備并行使用時，這種配置允 許結(jié)合不同質(zhì)譜分析設(shè)備的優(yōu)點。
本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員還可以理解，不管質(zhì)譜分析設(shè)備的類型為何，當如本文 所述那樣使用離子存儲設(shè)備時，可在多個質(zhì)譜分析設(shè)備之間共享各個部件。例 如可共享電子、機械、真空基礎(chǔ)設(shè)施。在許多情形下，可將多個質(zhì)譜分析設(shè)備 整合到一個結(jié)構(gòu)中。那么，離子可從一個離子存儲設(shè)備排入該整合結(jié)構(gòu)的不同 部分。例如，在FTICR的情形下，這可以是沿磁場中的同一軸線具有若干獨 立單元的多區(qū)段ICR單元。對于多反射系統(tǒng)來說，這可以是在以不同角度傳播 的軌跡上注入離子以使它們終止于不同檢測器。
本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以理解，上述實施例的任何組合也是可行的。例如， 質(zhì)譜儀可包含兩個連續(xù)的離子存儲設(shè)備，每個離子存儲設(shè)備沿兩相反方向脈動 輸入離子，所述每個方向具有偏轉(zhuǎn)儀以在兩質(zhì)譜分析設(shè)備之間切換離子束。這 種配置可允許八個質(zhì)譜分析設(shè)備的并行工作。盡管來自儀器的離子存儲設(shè)備區(qū) 的漏氣增加了四倍，但相關(guān)離子光學(xué)器件的所有元件更好的泵激導(dǎo)電性僅要求 近似地加倍泵激要求。另外，兩離子存儲設(shè)備都可由同一RF電源供電。
另外，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可發(fā)現(xiàn)，多個質(zhì)譜分析設(shè)備的優(yōu)點是不同類型的。 所述不同類型例如包括軌道阱、多反射阱、飛行時間檢測器、FT/MS檢測器、離子阱及其它類似物。
調(diào)度根據(jù)本發(fā)明的多個質(zhì)譜分析設(shè)備操作的其它方法可包括如下內(nèi)容。質(zhì)譜分析設(shè)備可根據(jù)"循環(huán)"方法按順序工作，以形成完整的質(zhì)譜。質(zhì)譜分析設(shè)備還可按順序工作——但帶有自動增益控制一以產(chǎn)生完整的質(zhì)譜。
在一種可能的替代實施例中，不同質(zhì)譜分析設(shè)備可分派予不同的作用。其一個例子是根據(jù)質(zhì)量范圍和所能獲得的質(zhì)量分辨率選擇質(zhì)譜分析儀的類型。例如在MS-MS試驗中，針對具體試驗的第一級質(zhì)譜選擇只有在使用能夠工作以選擇尤其高質(zhì)量的離子的質(zhì)譜分析儀才是可行的。然而，質(zhì)譜分析的第二級的感興趣的子離子的質(zhì)量更低并可能具有低得多的質(zhì)量，但可能要求更高的質(zhì)量分辨率以將它們從相鄰質(zhì)量峰分離出來以供正確識別。具有能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量離
子選擇的一個質(zhì)譜分析儀以及在較低質(zhì)量范圍內(nèi)實現(xiàn)高質(zhì)量分辨率的第二質(zhì)譜分析儀是本發(fā)明的一個使用例，其中不同的質(zhì)譜分析儀被分派予不同作用。
作為替代或選擇，根據(jù)本發(fā)明，可安排靈活的分析時間周期。例如可根據(jù)"循環(huán)"方法使質(zhì)譜分析設(shè)備按順序工作。也可實現(xiàn)自動增益控制，以使最初的測量值用來控制稍后時間在同一或不同的質(zhì)譜分析儀中取的測量值?；蛘?，一旦質(zhì)譜分析設(shè)備處于待機，就將離子提供給它以進行進一步質(zhì)譜分析。因此，質(zhì)譜分析設(shè)備的操作不需要安排成嚴格的順序。這實現(xiàn)了自由調(diào)度，但要求更為復(fù)雜的系統(tǒng)控制器。
質(zhì)譜分析設(shè)備的工作順序可通過使用來自檢測器的預(yù)覽掃描而優(yōu)化。如果來自預(yù)覽掃描中來自檢測器的數(shù)據(jù)表示離子群是不可用的，可丟棄該掃描并使檢測器能更早地用于進一步的離子群以執(zhí)行進一步分析。
這種靈活的時間安排可與不同質(zhì)譜分析儀所分派的作用結(jié)合。例如，可考
慮具有四個質(zhì)譜分析儀的質(zhì)譜系統(tǒng)?？稍诜治鰞x1和3中執(zhí)行完整的質(zhì)譜分析，依賴數(shù)據(jù)的MS基于阱2和阱4中的預(yù)覽信息和離子阱中的AGC預(yù)掃描。或者，可在阱1和阱3中執(zhí)行完整的質(zhì)譜分析，依賴數(shù)據(jù)的質(zhì)譜分析基于阱2和阱4中的預(yù)覽信息和離子阱中的MS^或者，可在阱1中執(zhí)行完整的質(zhì)譜分析，在阱2中執(zhí)行MSZ而在阱3和阱4中執(zhí)行MS3。其它可行方案是固定但不同的作用，例如使某些阱在更高分辨率下工作。
權(quán)利要求
1.一種質(zhì)譜分析的方法，包括在離子源中產(chǎn)生離子；在第一離子存儲時間將來自離子源的離子存儲在具有至少一個離子轉(zhuǎn)移孔的第一離子存儲設(shè)備中；在第一排出時間周期內(nèi)將離子從所述第一離子存儲設(shè)備排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第一分析時間期間內(nèi)進行分析；在第二離子存儲時間內(nèi)，將來自所述離子源的離子存儲在具有至少一個離子轉(zhuǎn)移孔的第二離子存儲設(shè)備中；以及在第二排出時間周期內(nèi)將離子從所述第二離子存儲設(shè)備中排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第二分析時間周期內(nèi)進行分析；其中所述離子存儲設(shè)備串聯(lián)以使所述第一離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔與所述第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔連通，以使離子在所述第一和第二離子存儲設(shè)備之間轉(zhuǎn)移，此外所述第一分析時間周期和所述第二排出時間周期至少部分地重疊。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子存儲設(shè)備的離 子轉(zhuǎn)移孔是離子流入孔而第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流出孔，從而 早于第一離子存儲時間，離子經(jīng)過所述第二離子存儲設(shè)備流入所述第一離子存 儲設(shè)備。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子存儲設(shè)備的離 子轉(zhuǎn)移孔是離子流出孔而所述第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔是離子流入孔， 從而早于第一離子存儲時間，離子流入所述第一離子存儲設(shè)備而不經(jīng)過所述第 二離子存儲設(shè)備。
4. 一種質(zhì)譜分析方法，包括 在離子源中產(chǎn)生離子；在第一離子存儲時間內(nèi)，將來自所述離子源的離子存儲在離子存儲設(shè)備的 第一存儲體積中；在第一排出時間周期內(nèi)將離子從所述第一離子存儲設(shè)備排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備，以在第一分析時間周期內(nèi)進行分析；在第二離子存儲時間內(nèi)將來自所述離子源的離子存儲在所述離子存儲設(shè) 備的第二存儲體積中，所述第二存儲體積至少部分地與所述第一存儲體積重 疊；以及在第二排出時間周期內(nèi)將離子從所述離子存儲設(shè)備排出至第二質(zhì)譜分析 設(shè)備，以在第二分析時間周期內(nèi)進行分析；其中所述第一分析時間周期和所述第二排出時間周期至少部分地重疊。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述離子存儲設(shè)備包括對于所述第一存儲體積和所述第二存儲體積的共同流入孔，且來自所述離子源的離 子通過所述共同流入孔流入所述離子存儲設(shè)備。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述將離子排出至第一 質(zhì)譜分析設(shè)備和將離子排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備的步驟包括通過單個狹縫將 離子從離子存儲設(shè)備排出。
7. 如權(quán)利要求4一6中任何一項所述的方法，其特征在于，所述離子存儲 設(shè)備的第一存儲體積和所述離子存儲設(shè)備的第二存儲體積完全重疊。
8. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一分析時 間周期的開始發(fā)生在所述第二排出時間周期的開始之前，而所述第一分析時間 周期的結(jié)束發(fā)生在所述第二排出時間周期的結(jié)束之后。
9. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第二離子存 儲時間和所述第一質(zhì)譜分析時間至少部分地重疊。
10. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第二分析時 間周期和所述第一排出時間周期至少部分地重疊。
11. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述離子源工作 在大氣壓下。
12. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一質(zhì)譜分 析設(shè)備是軌道阱質(zhì)譜分析儀。
13. 如權(quán)利要求1-11中任何一項所述的方法，其特征在于，所述第一質(zhì) 譜分析設(shè)備是RF離子阱。
14. 如權(quán)利要求1-11中任何一項所述的方法，其特征在于，所述第一質(zhì) 譜分析設(shè)備是傅立葉變換離子回旋加速器諧振質(zhì)譜分析儀。
15. 如權(quán)利要求1-11中任何一項所述的方法，其特征在于，所述第一質(zhì) 譜分析設(shè)備是多反射飛行時間質(zhì)譜分析儀。
16. 如權(quán)利要求1-11中任何一項所述的方法，其特征在于，所述第一質(zhì) 譜分析設(shè)備是多區(qū)段飛行時間質(zhì)譜分析儀。
17. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第二質(zhì)譜分 析設(shè)備是與所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備相同的類型。
18. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，還包括 在N個進一步排出時間周期內(nèi)將離子從離子存儲設(shè)備排出至N個進一步質(zhì)譜分析設(shè)備，以在N個進一步分析時間周期內(nèi)進行分析，其中N》1;其中第(N—1)個進一步分析時間周期和第N個進一步排出時間周期至少 部分地重疊，而第0個進一步分析時間周期與所述第二分析時間周期相同。
19. 如前面任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，還包括 將來自所述離子源的離子存儲在預(yù)備離子存儲設(shè)備中；以及 分析存儲在所述預(yù)備離子存儲設(shè)備中的離子；其中在所述第一分析時間周期和第二分析時間周期內(nèi)執(zhí)行的分析基于分 析存儲在所述預(yù)備離子存儲設(shè)備中的離子的步驟的結(jié)果。
20. —種質(zhì)譜分析方法，包括 在離子源中產(chǎn)生離子；以及對多個質(zhì)譜分析設(shè)備中的每一個執(zhí)行下列步驟在各存儲時間周期內(nèi)將來自所述離子源的離子存儲在離子存儲設(shè)備中；以及將離子從所述離子存儲設(shè)備排出至各個質(zhì)譜分析設(shè)備，所述質(zhì)譜分析 設(shè)備被配置成在各分析時間周期內(nèi)分析各排出的離子；其中，包含多個質(zhì)譜分析設(shè)備的質(zhì)譜分析設(shè)備的數(shù)目基本等于或大于分析 時間周期與代表性存儲時間周期之比，所述代表性存儲時間周期基于多個質(zhì)譜 分析設(shè)備中的每一個的存儲時間周期中的至少一個。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述代表性存儲時間周期是 多個質(zhì)譜分析設(shè)備的平均存儲時間周期。
22. —種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括 離子源；第一質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成在第一分析時間周期內(nèi)分析離子； 第二質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成在第二分析時間周期內(nèi)分析離子； 第一離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成存儲離子并具有至少一個離子轉(zhuǎn)移孔； 第二離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成存儲離子并具有至少一個離子轉(zhuǎn)移孔，所述 第二離子存儲設(shè)備與所述第一離子存儲設(shè)備串聯(lián)，以使所述第一離子存儲設(shè)備 的離子轉(zhuǎn)移孔與所述第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔連通，從而允許離子在所 述第一和第二離子存儲設(shè)備之間轉(zhuǎn)移；以及系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器被設(shè)置成控制所述第一離子存儲設(shè)備在第一 存儲時間內(nèi)將離子存儲在所述第一離子存儲設(shè)備中并在所述第一排出時間周 期內(nèi)將所述離子排出至所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備，所述系統(tǒng)控制器被進一步設(shè)置 成控制所述第二離子存儲設(shè)備以在第二存儲時間將來自所述離子源的離子存 儲在所述第二離子存儲設(shè)備中并在所述第二排出時間周期內(nèi)將所述離子排出 至所述第二質(zhì)譜分析設(shè)備，所述第二排出時間周期至少部分地與所述第一分析 時間周期重疊。
23. —種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括 離子源；第一質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成在第一分析時間周期內(nèi)分析離子； 第二質(zhì)譜分析設(shè)備，其設(shè)置成在第二分析時間周期內(nèi)分析離子； 離子存儲設(shè)備，其設(shè)置成將離子存儲在第一存儲體積內(nèi)并進一步設(shè)置成將離子存儲在第二存儲體積內(nèi)，所述第二存儲體積至少部分地與所述第一存儲體積重疊；以及系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器被設(shè)置成控制所述離子存儲設(shè)備在所述第一 存儲時間內(nèi)將來自所述離子源的離子存儲在所述第一存儲體積中并在第一排 出時間周期內(nèi)將所述離子排出至所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備中，所述系統(tǒng)控制器被進一步設(shè)置成控制所述離子存儲設(shè)備在第二存儲時間內(nèi)將來自所述離子源的 離子存儲在所述第二存儲體積中并在第二排出時間周期內(nèi)將所述離子排出至 所述第二質(zhì)譜分析設(shè)備，所述第二排出時間周期至少部分地與所述第一分析時 間周期重疊。
24. 如權(quán)利要求23所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于，所述離子存儲設(shè) 備包括至所述第一存儲體積和所述第二存儲體積共同的流入孔，且所述離子存 儲設(shè)備被進一步設(shè)置成允許來自所述離子源的離子通過所述共同的流入孔流 入所述離子存儲設(shè)備。
25. 如權(quán)利要求23或24所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于，所述離子存 儲設(shè)備包括單個流出狹縫且所述離子存儲設(shè)備被設(shè)置成通過所述單個狹縫將 離子排出至所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備并將離子排出至所述第二質(zhì)譜分析設(shè)備。
26. 如權(quán)利要求23 — 25中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述離子存儲設(shè)備的所述第一存儲體積和所述離子存儲設(shè)備的所述第二存儲 體積完全重疊。
27. 如權(quán)利要求22_26中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備是軌道阱質(zhì)譜分析儀。
28. 如權(quán)利要求22 — 26中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備是RF離子阱。
29. 如權(quán)利要求22 — 26中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備是傅立葉變換離子回旋加速器諧振質(zhì)譜分析儀。
30. 如權(quán)利要求22 — 26中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備是多反射飛行時間質(zhì)譜分析儀。
31. 如權(quán)利要求22 — 26中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備是多區(qū)段飛行時間質(zhì)譜分析儀。
32. 如權(quán)利要求22 — 31中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第二質(zhì)譜分析設(shè)備是與所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備相同類型的設(shè)備。
33. 如權(quán)利要求22 — 32中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備和所述第二質(zhì)譜分析設(shè)備共享同一殼體。
34. 如權(quán)利要求22 — 33中任何一項所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其特征在于，所述第一質(zhì)譜分析設(shè)備和第二質(zhì)譜分析設(shè)備共享同一泵激結(jié)構(gòu)。
35. —種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括 離子源；離子存儲設(shè)備，其配置成存儲離子； 多個質(zhì)譜分析設(shè)備；以及系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器針對來自多個質(zhì)譜分析設(shè)備中的每個質(zhì)譜分 析設(shè)備配置，控制所述離子存儲設(shè)備以在各存儲時間周期內(nèi)存儲來自所述離子 源的離子并在各排出時間周期內(nèi)將離子從所述離子存儲設(shè)備排出至各質(zhì)譜分 析設(shè)備，并在各分析時間周期內(nèi)控制多個質(zhì)譜分析設(shè)備中的每一個分析各排出 的離子；其中包含所述多個質(zhì)譜分析設(shè)備的質(zhì)譜分析設(shè)備的數(shù)目基本等于或大于 分析時間周期與代表性存儲時間周期之比，所述代表性存儲時間周期基于多個 質(zhì)譜分析設(shè)備中的每一個的存儲時間周期中的至少一個。
全文摘要
提供一種質(zhì)譜分析的系統(tǒng)和方法。來自離子源的離子被存儲在第一離子存儲設(shè)備和第二離子存儲設(shè)備中。在第一排出時間周期內(nèi)，離子從第一離子存儲設(shè)備排出至第一質(zhì)譜分析設(shè)備，以供第一分析時間周期內(nèi)分析。在第二排出時間周期內(nèi)，離子從第二離子存儲設(shè)備排出至第二質(zhì)譜分析設(shè)備。這些離子存儲設(shè)備串聯(lián)以使第一離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔與第二離子存儲設(shè)備的離子轉(zhuǎn)移孔連通。第一分析時間周期和第二分析時間周期至少部分地重疊。
文檔編號H01J49/00GK101606218SQ200780048705
公開日2009年12月16日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者A·A·馬卡洛夫, S·R·霍寧 申請人:塞莫費雪科學(xué)(不來梅)有限公司