專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地，涉及一種具有 在放電空間側(cè)壁上形成的電極的PDP。
背景技術(shù)：
典型的交流(AC) PDP包括向用戶顯示圖像的上板和連接到上板并與 之平行的下板。上板的前基板包括排布其上的維持電極對。下板的后基板包 括尋址電極，其排布在前基板的與其上排布維持電極對的表面相面對的表面 上。尋址電極的方向與維持電極對的方向交叉。第一介電層和第二介電層分別形成在前基板的其上排布有維持電極對和尋址電極。通常由氧化鎂(MgO)形成的保護(hù)層排布在第一介電層的后表 面上。在第二介電層的前表面上排布有障肋，其用于保持相對基板之間的放 電距離并防止放電室之間的光學(xué)串?dāng)_。紅、綠和藍(lán)熒光體適當(dāng)?shù)赝扛苍谡侠叩膫?cè)壁上以及第二介電層的前表面上。維持電極對的每 一 個(gè)均包括透明電極和總線電極。透明電極由可能夠產(chǎn) 生放電的導(dǎo)電材料形成并呈現(xiàn)穿透，從而允許從熒光體發(fā)射的光向前基板傳 播。透明材料可為氧化銦錫(ITO)之類?？偩€電極典型地可以是具有高電導(dǎo)率的金屬電極且呈黑色，從而提高明亮室對比度。在傳統(tǒng)表面類型的PDP中，當(dāng)發(fā)生放電時(shí)，可見光從放電空間的熒光 層發(fā)射，并傳送通過上基板。然而，由于形成在其上的多種組分，上基板具有約60%的可見光透射率。而且，在傳統(tǒng)表面類型的PDP中，電極形成在放電空間的上側(cè)，即可見光傳送通過的上基板的內(nèi)部側(cè)壁上，且這些電極在該內(nèi)部側(cè)壁中產(chǎn)生放 電，從而降低發(fā)光效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種PDP，其中，熒光體設(shè)置在相互隔開并圍繞放電空間的 電極之間，并且電極具有圍繞放電空間的不同結(jié)構(gòu)，從而增大PDP的亮度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供有一種PDP,其具有第一基板；和第二基 板，其與所述第一基板隔開并面向所述第一基板。障肋設(shè)置在所述第一基板 與所述第二基板之間并構(gòu)建多個(gè)放電空間。第一電極排布在所述障肋中，并 沿大致平行于所述第一基板與所述第二基板的第一方向在所述第一基板與 所述第二基板之間延伸。障肋中的第二電極與所述第一電極隔開，并沿大致 平行于所述第一基板與所述第二基板的第二方向延伸。中間層設(shè)置在所述第 一電極與所述第二電極之間的障肋中。第 一 熒光層設(shè)置在所述放電空間的側(cè) 壁上且位于所述中間層處。放電空間在中間層處的橫截面積可大于放電空間在靠近第二電極處的 橫截面積。放電空間在接觸第 一 熒光層處的橫截面積可大于放電空間靠近第二電 極處的橫截面積。所述第一熒光層可沿從所述第一電極到所述第二電極的方向線性地或 以凹進(jìn)拋物線的形狀傾斜。所述第一熒光層可以采用預(yù)定角度傾斜并面向所述第一基板。所述第 一 電極和/或所述第二電極可圍繞每個(gè)所述放電空間的至少 一部電空間的周長可短于所述第一電極的周長。 每個(gè)所述放電空間的由所述第二電極圍繞的橫截面積可小于每個(gè)所述 放電空間的由所述第 一 電極圍繞的橫截面積。所述PDP可進(jìn)一步包括形成于所述第一基板上且面向每個(gè)放電空間 的凹槽，所述凹槽具有特定深度；和排布在所述凹槽中的第二焚光層。 所述第 一 電極和/或所述第二電極可掩藏在所述障肋中。 所述障肋可包括其中排布有所述第一電極的第一電極層、其中排布有 所述第二電極的第二電極層、和在所述第一電極層和第二電極層之間的中間 層。在第一電極層上形成其中可排布有第一電極的第一電極片。在第二電極 層上形成其中可排布有第二電極的第二電極片。所述中間層可為設(shè)置在所述 第 一電極片和所述第二電極片之間的中間片。中間片和第二電極片可形成為單一片。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種PDP,其具有第一基板；和第二基 板，其與所述第一基板隔開并面向所述第一基板。障肋設(shè)置在所述第一基板 與所述第二基板之間，并構(gòu)建多個(gè)放電空間。第一電極排布在所述障肋中， 并沿與所述第一基板與所述第二基板大致平行的第一方向在所述第一基板 與所述第二基板之間延伸。第二電極排布在面向所述第一基板的所述第二基 板上，并延伸而與所述第一電極交叉。中間層位于所述第一電極與所述第二 電極之間的所述障肋中。第 一 熒光層排布在放電空間的接觸中間層的側(cè)壁 上，其中，所述放電空間的在所述中間層處的橫截面積大于所述放電空間的 靠近所述第二電極處的橫截面積。PDP可進(jìn)一步包括介電層，其設(shè)置在第二基板上，從而掩藏第二電極， 其中，第 一 熒光層排布在放電空間的接觸中間層的側(cè)壁上在放電空間中所述 介電層上。


圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖，其中，第一焚光 層設(shè)置在放電空間的接觸中間層的側(cè)壁上，中間層設(shè)置在第 一 電極層與第二電極層之間；圖2為沿圖1的線II-II截取的截面圖；圖3示意性地示出圖1中所示PDP的電極和放電室的排布；圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖，其中，由 于在第二電極層中的放電空間小于在第一電極層中的放電空間，因此面向與 中間層接觸的放電空間的表面朝向第 一基板傾斜；圖5為沿圖4的線V-V截取的截面圖；圖6示意性地示出圖4中所示PDP的電極和放電室的排布；圖7為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖，其中，第二 電極排布在第二基板上；和圖8為沿圖7的線VIII-VIII截取的截面圖。圖9為根據(jù)另一實(shí)施例的沿圖4的線V-V截取的截面圖，其中第一熒 光層沿從第 一 電極到第二電極的方向以凹進(jìn)拋物線形狀傾斜。圖10為根據(jù)另一實(shí)施例的沿圖7的線VIII-VIII截取的截面圖，其中 第 一 熒光層沿從第 一 電極到第二電極的方向以凹進(jìn)拋物線形狀傾斜。圖11為根據(jù)另一實(shí)施例的示出圖4和圖7的放電空間的形狀的截面圖， 其中放電空間具有橢圓形截面。
具體實(shí)施方式
圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP 100的局部分解透視圖，其中，第一焚 光層135設(shè)置在放電空間150的側(cè)壁上，這些側(cè)壁面向設(shè)置在第一電極層 131與第二電極層132之間的中間層133。圖2為沿圖1的線II-II截取的截 面圖。圖3示意性地示出圖1中所示PDP 100的電才及和方文電室的排布。參見圖1、 2和3, PDP 100包括第一基板110、第二基板120、障肋130、 第一熒光層135、第二熒光層115、第三熒光層125、第一電極160、第二電 極170和保護(hù)層134。第一基板110和第二基板120被障肋130彼此分隔并彼此面對。障肋 130設(shè)置在第一基板110與第二基板120之間，并構(gòu)建多個(gè)放電空間150。 第一電極160排布在第一電極層131中，并沿Y方向在第一基板110與第 二基板120之間延伸。第二電極170排布在第二電極層132中，通過中間層133與第一電極160分隔，并沿X方向在第一基板110與第二基板120之間延伸。中間層133設(shè)置在相應(yīng)排布第一電極160和第二電極170的兩個(gè)區(qū)域之 間。更具體地，障肋130包括第一電極層131、第二電極層132和設(shè)置在第 一電極層131與第二電極層132之間的中間層133。第一焚光層135排布在 放電空間150的側(cè)壁上并處于中間層133的高度。放電空間150可呈圓形或橢圓形截面，但并不必限于此，也可呈多邊形 截面形狀，例如三角形、四邊形、八邊形等。障肋130的放電空間150可具 有網(wǎng)格式(waffle)或者三角式(delta)配置。保護(hù)層134排布在放電空間150的側(cè)面上并由障肋130分開。保護(hù)層 134防止由介電物質(zhì)形成的障肋130以及第一電極160和第二電極170由于 等離子體顆粒濺射而受損，放出二次電子，并降低放電電壓。保護(hù)層134由 具有預(yù)定厚度的MgO形成，并排布在放電空間150的側(cè)壁上。第一電極160和第二電極170延伸而使得它們的相應(yīng)方向彼此交叉，更 具體地，彼此垂直地延伸。第一電極160和第二電極170在彼此平行的平面 中延伸。第一電極160和/或第二電極170凈皮設(shè)置而通過相應(yīng)部分160a、 170a 環(huán)繞每個(gè)放電空間150。相鄰的各部分160a通過節(jié)段160b互連。相鄰的各 部分170a通過節(jié)段170b互連。第一電極160和第二電極170可根據(jù)放電空 間150的類型掩藏在障肋130中。具有特定深度的第一凹槽110a可形成在第一基板110上且處于每個(gè)放 電空間150中。在每個(gè)第一凹槽110a中可排布相應(yīng)的第二熒光層115。具有特定深度的第二凹槽120a可形成在第二基板120上。第一凹槽110a 可間斷地形成在每個(gè)放電空間150中。在每個(gè)第二凹槽120a中可排布相應(yīng) 的第三熒光層125。第二熒光層115和第三熒光層125分別設(shè)置在第一基板110和第二基板 120上，從而使本實(shí)施例的PDP 100能夠增大亮度和發(fā)光效率。在第一基板110與第二基板120之間發(fā)生放電，從而在設(shè)置在第一基板110與第二基板120之間的中間層133的高度處產(chǎn)生有效等離子體。不過， 由于有效等離子體遠(yuǎn)離分別設(shè)置在第一基板IIO和第二基板120上的第二熒 光層115和第三熒光層125,數(shù)量可觀的紫外射線并未發(fā)射，而卻消失了。因此，第一熒光層135設(shè)置在第一基板110與第二基板120之間的中間 層133處，從而使由有效等離子體產(chǎn)生的紫外射線更易于到達(dá)第一熒光層 135。因此就可以射出由有效等離子體產(chǎn)生的更大量的紫外射線，從而增大 亮度和發(fā)光效率。當(dāng)放電發(fā)生時(shí)，在每個(gè)放電空間150中可形成等離子體柱(未示出)。 每個(gè)放電空間150直徑可小于lOOiam,以便具有最有效的等離子體柱。然 而，這種小直徑可導(dǎo)致PDP制造工藝上的困難。為了解決上述制造問題，每個(gè)放電空間中第二電極形成之處的直徑減 小，從而形成最有效的等離子體，且每個(gè)放電空間中的第一電極形成之處的 直徑相當(dāng)于在圖4-8中所示的PDP200、 300所對應(yīng)的像素尺寸。在這種情 況下，在中間層處排布的熒光層面向其上顯示圖像的第一基板，從而使PDP 200、 300能夠?qū)⒘炼仍龃蟮礁哂趫D1-3中所示的PDP100的亮度。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，圖4示出了 PDP200的局部分解透視圖，其中， 由于在第二電極層232中的放電空間小于第一電極層231中的放電空間，面 向放電空間且與中間層233接觸的表面朝向第一基板210傾斜。圖5為沿圖 4的線V-V截取的截面圖。圖6示意性地示出圖4中所示電極和放電室的排 布。參見圖4、 5和6, PDP 200包括第一基板210、第二基板220、障肋230、 第一電極260、第二電極270、第一焚光層235、第二熒光層215和保護(hù)層 234。設(shè)置在分別排布有第一電極260和第二電極270的兩個(gè)區(qū)域之間的中 間層233朝向其上顯示圖像的第一基板210傾斜。第一基板210和第二基板220被障肋230彼此隔開并彼此面對。障肋230設(shè)置在第 一基板210與第二基板220之間，并構(gòu)建多個(gè)放電空間250。第一電極260排布在第一電極層231中，沿Y方向在第一基板210與第二基板220之間延伸。第二電極270排布在第二電極層232中，通過中間層 233與第一電極260隔開，并沿X方向在第一基板210和第二基板220之間延伸。中間層233設(shè)置在分別排布有第 一 電極260和第二電極270的兩個(gè)區(qū)域 之間。更具體地，障肋230包括第一電極層231、第二電極層232和設(shè)置在 第一電極層231與第二電極層232之間的中間層233。第一焚光層235排布 在放電空間250的側(cè)壁上并接觸中間層233。第一電極層231和第二電極層232中的每一個(gè)均可形成為分別設(shè)置有第 一電極260和第二電極270的片狀物。更具體地，第一電極層231可為設(shè)置 有第一電極260的第一電極片，第二電極層232可為設(shè)置有第二電極270的 第二電極片。中間層2 3 3可為設(shè)置在第 一 電極片與第二電極片之間的中間片。該中間 片可與第二電極片形成一體。對于每個(gè)放電空間250與中間層233接觸之處的直徑，靠近第二電極 270的直徑小于每個(gè)放電空間250靠近第一電極260的直徑。更具體地，每個(gè)放電空間250在第二電極層232處的橫截面積小于在第 一電極層23]處的橫截面積。因此，每個(gè)放電空間250在與中間層233接觸 之處的直徑從在第一電極層231處的較大直徑漸縮到在第二電極層232處的 較小直徑。PDP 200的每個(gè)》文電空間250的直徑可小于100 Mm，以l更形成最有效 的等離子體柱。因此，每個(gè)放電空間250的與第一電極層231接觸之處的直 徑保持不變，而每個(gè)放電空間250的與第二電極層232接觸之處的直徑減小。 更具體地，每個(gè)放電空間250的與其中排布有第二電極270的第二電極層 232相接觸之處的直徑減小，從而形成最有效的等離子體柱，而每個(gè)放電空 間250的與其中排布有第 一 電極260的第 一 電極層231相接觸之處的直徑保 持不變，從而相當(dāng)于顯示在第一基板210上的圖像所對應(yīng)的每個(gè)像素的尺 寸。相應(yīng)地，中間層233以預(yù)定角度朝向其上顯示圖像的第 一基板210傾斜。 每個(gè)放電空間250在與中間層233和/或第一熒光層235接觸的部分可為沿 從第 一 電極層231到第二電極層232的方向的線性錐形形狀或者凹進(jìn)拋物線形狀。因此，形成在每個(gè)放電空間250上而與中間層233接觸的第一熒光層 235面向其上顯示圖像的第一基板210，從而使PDP 200的亮度能夠增大到 高于圖1-3中所示的PDP 100的亮度。放電空間250可呈圓形或者橢圓形截面，但并不必限于此，也可呈多邊 形形狀，例如三角形、四邊形、八邊形等。障肋230的放電空間250可具有 網(wǎng)格式或三角式配置。保護(hù)層234排布在放電空間250的側(cè)面上并由障肋230分開。保護(hù)層 234防止由介電物質(zhì)形成的障肋230以及第一電極260和第二電極270由于 等離子體顆粒濺射而受損，放出二次電子，并降低^L電電壓。保護(hù)層234由 具有預(yù)定厚度的MgO形成，并排布在放電空間250的側(cè)壁上。保護(hù)層234包括第一保護(hù)層231a和第二保護(hù)層232a。第一保護(hù)層231a 設(shè)置在放電空間250內(nèi)而與第一電極層231接觸。第二保護(hù)層232a設(shè)置在 放電空間250內(nèi)而與第二電極層232接觸。在與中間層233接觸的放電空間 250內(nèi)并不形成圖4和5所示的保護(hù)層234。然而，保護(hù)層234可以可替換 地形成在與中間層233接觸的放電空間250內(nèi)。第一電極260和第二電極270延伸而使得它們的方向彼此交叉，更具體 而言，相互垂直地延伸。第一電極260和第二電極270在相互平行的平面內(nèi) 延伸。第一電極260和/或第二電極270被設(shè)置以通過相應(yīng)部分260a、 2了0a 圍繞每個(gè)放電空間250。相鄰的各部分260a通過節(jié)段260b互連。相鄰的各 部分270a通過節(jié)段270b互連。第一電極260和第二電極270可根據(jù)放電空 間250的類型掩藏在障肋230中。根據(jù)本發(fā)明的PDP 200并不限于雙電極結(jié)構(gòu)。也就是說，PDP 200不僅 可以具有圖4 - 6中所示的雙電極結(jié)構(gòu)，而且也可以具有三電極結(jié)構(gòu)。例如，第一電極260和第二電極270沿第一與第二電極260、 270之間的方向延伸， 第三電極(未示出)延伸而與第一電極260和第二電極270交叉，并在第一 基板210和第二基板220之間與第 一和第二電極260和270間隔以預(yù)定間隙。 第三電極可設(shè)置在第一電極260與第二電極270之間，即在中間層233中。在每個(gè)放電空間250中，在第一基板210上可形成具有預(yù)定深度的凹槽 210a。在凹槽210a中可設(shè)置相應(yīng)的第二焚光層215。第一熒光層235和第二熒光層215具有通過紫外射線產(chǎn)生可見射線的元 件。也就是說，形成在紅光發(fā)射放電室中的熒光層具有諸如Y(V, P)04:Eu 之類的熒光體，形成在綠光發(fā)射放電室中的熒光層具有諸如Zn2Si04:Mn、 YB03之類的熒光體，并且形成在藍(lán)光發(fā)射放電室中的熒光層具有諸如 BAM:Eu之類的焚光體。諸如Ne、 Xe或者其組合物的放電氣體填充到由放電空間250形成的放 電室中。第一基板210 (可考慮作為前基板)和第二基板220 (可考慮作為后基 板)由具有高可見透明度的玻璃形成。不過，第一基板210和/或第二基板 220可被著色以通過減小反射亮度來提高亮室對比度。在本實(shí)施例中，在放電空間250中產(chǎn)生的可見射線可穿過第一基板210。 在第一基板210上并不形成在傳統(tǒng)PDP的前基板上所形成的維持電極、介 電層和保護(hù)層，因此可見射線的傳送率可顯著增大。因此，當(dāng)本實(shí)施例的 PDP200顯示傳統(tǒng)亮度的圖像時(shí)，第一電極260和第二電極270可在相對低 的電壓下驅(qū)動(dòng)。障肋230設(shè)置在第 一基板210與第二基板220之間，構(gòu)建放電空間250, 并防止相鄰;故電空間250之間的光電串?dāng)_。在本實(shí)施例中，障肋230構(gòu)建具 有圓形截面的放電空間250，但本發(fā)明并不限于此。放電空間250可具有包 括橢圓形和多邊形截面在內(nèi)的其他截面形狀。更具體地，障肋230可具有多種圖案來放電空間250。例如，障肋230 所構(gòu)建的放電空間250可具有諸如三角形、四邊形或五邊形截面之類的多邊形截面或者橢圓形截面。障肋230的放電空間250可具有網(wǎng)格式或三角式配置。如圖6所示，第一電極260和第二電極270成對構(gòu)成，并在放電空間 250中產(chǎn)生放電。每個(gè)第一電極260圍繞放電空間250而沿Y方向延伸。每 個(gè)第二電極270圍繞放電空間250而沿X方向延伸。在障肋230中，第二 電極270沿與第一基板210的表面垂直的方向(沿Z方向)與第一電極260間隔開。第一電極260和第二電極270圍繞每個(gè)放電空間250的至少一部分。第 一電極260和第二電極270可部分地或完全地圍繞每個(gè)放電空間250。第一 電極260和第二電極270呈圓環(huán)形，但本發(fā)明并不限于此。第一電極260和 第二電極270可具有包括矩形回路形狀的多種形狀，且可具有與放電空間 250的截面基本相同的形狀。由于第一電極260和第二電極270未被設(shè)置來直接減小可見射線的透射 率，它們就可以由諸如A1、 Cu等的導(dǎo)電金屬形成。因此，在第一和第二電 極260和270的縱向方向上壓降很小，從而可傳送穩(wěn)定信號。第一和第二電極260和270掩藏在障肋230中。因此，障肋230可由介 電物質(zhì)形成，以防止相鄰的第一與第二電極260與270之間直接導(dǎo)電，并防 止第一和第二電極260和270由于正離子或電子與引發(fā)電荷并聚集壁電荷的 第 一和第二電極260和270之間的碰撞而受損。圖7為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP 300的局部分解透視圖，其中，第 二電極370排布在第二基板320上。圖8為沿圖7中的線VIII-VIII截取的 截面圖。參見圖7和8， PDP 300包括第一基板310、第二基板320、障肋330、 第一電極360、第二電極370、第一熒光層335、第二熒光層315、介電層 332和保護(hù)層334。與PDP 200相比，PDP 300具有排布在第二基板320上 并掩藏在介電層332中的第二電極370。因此，PDP 300可在第一電極360 與第二電極370之間產(chǎn)生卯。放電。由于PDP 300在第一電極360與第二電極370之間產(chǎn)生90°;故電，因此 與PDP 200相比，在PDP 300中產(chǎn)生的》文電更類似于在對向放電類型的PDP 中產(chǎn)生的放電。因此，PDP 300實(shí)現(xiàn)了比PDP200更為有效的放電，從而增 大亮度和發(fā)光效率。第一基板310和第二基板320彼此間隔開預(yù)定縫隙，并彼此相對。障肋 330設(shè)置在第一基板310與第二基板320之間，并構(gòu)建多個(gè)放電空間350。 第一電極360排布在第一電極層331中，沿第一基板310與第二基板320之 間的方向延伸。第二電極370排布在第二基板320上，并與第一電極360間 隔以預(yù)定縫隙。中間層333設(shè)置在排布有第一電極360的第一電極層331與介電層332 之間。更具體地，障肋330包括第一電極層331、介電層332和設(shè)置在第一 電極層331與介電層332之間的中間層333。第一電極層331和中間層333 中的每一個(gè)均可通過筒單的制作工藝成片形成。第一熒光層335排布在放電空間350的側(cè)壁上而與中間層333接觸。第 一熒光層335也可形成在設(shè)置在第二基板320上的介電層332上。每個(gè)放電空間350在與中間層333和第二基板320接觸之處的直徑小于 與第一電極層331接觸之處的直徑。因此，每個(gè)放電空間350在與中間層 333交接之處的直徑從每個(gè)放電空間350在與第一電極層331接觸之處的直 徑減小到每個(gè)放電空間350在與第二基板320接觸之處的直徑。因此，每個(gè) 放電空間350在與排布有第二電極370的第二基板320接觸之處的直徑減 小，從而形成有效的等離子體柱，而每個(gè)放電空間350在與排布有第一電極 360的第一電極層331接觸之處的直徑保持不變，從而與顯示在第一基板310 上的圖像的像素尺寸相一致。根據(jù)本發(fā)明，熒光層設(shè)置在沿放電空間中的方向相互間隔的第 一 與第二 電極之間，且每個(gè)放電空間與分別排布有第 一和第二電極的兩個(gè)區(qū)域接觸的 截面區(qū)域具有不同結(jié)構(gòu)，從而使PDP可提供更大的亮度。盡管本發(fā)明已經(jīng)特別參照其示意性實(shí)施例得到顯示和描述，不過本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不偏離由隨后的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和 范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行多種修改。
權(quán)利要求
1、一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，其與所述第一基板隔開并面向所述第一基板；障肋，其位于所述第一基板與所述第二基板之間，所述障肋構(gòu)建多個(gè)放電空間；在所述障肋中的第一電極，其沿與所述第一基板與所述第二基板大致平行的第一方向在所述第一基板和所述第二基板之間延伸；在所述障肋中的第二電極，其與所述第一電極相分隔，所述第二電極沿第二方向延伸；在所述障肋中的中間層，其位于所述第一電極與所述第二電極之間；和第一熒光層，其位于所述放電空間的側(cè)壁上并位于所述中間層處。
2、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間的橫 截面積從所述中間層朝向所述第二電極減小。
3、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間接觸 所述第一熒光層之處的橫截面積大于所述放電空間靠近所述第二電極之處 的橫截面積。
4、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一熒光層沿 從所述第 一 電極到所述第二電極的方向線性地或以凹進(jìn)拋物線的形狀傾斜。
5、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一熒光層以 預(yù)定角度傾斜并面向所述第一基板。
6、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和/或 所述第二電極圍繞每個(gè)所述放電空間的至少 一 部分。
7、 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述第二電極的圍 繞所述放電空間的周長短于所述第 一 電極的周長。
8、 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間的由所述第二電極圍繞的橫截面積小于所述放電空間的由所述第一電極圍繞的 橫截面積。
9、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所 述第二電極彼此交叉地延伸。
10、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所 述第二電極在彼此平行的平面中延伸。
11、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間具有 圓形或橢圓形橫截面。
12、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括與所述第一 電極和所述第二電極隔開的第三電極，所述第三電極沿同一方向彼此平行地 延伸，并延伸而與所述第一電極和所述第二電極交叉。
13、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括 在所述第一基板上面向相應(yīng)放電空間的凹槽，所述凹槽具有特定深度；和排布在所述凹槽中的第二熒光層。
14、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和/ 或所述第二電極掩藏在所述障肋中。
15、 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋包括封 裝所述第一電極的第一電極層、封裝所述第二電極的第二電極層、和在所述 第 一 電極層和第二電極層之間的中間層。
16、 如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極層 在第一電極片中，所述第二電極層在第二電極片中，并且所述中間層為所述 第 一 電極片和所述第二電極片之間的中間片。
17、 如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極層 在第一電極片中，并且所述第二電極層和所述中間層在第二電極片中。
18、 如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括在所述放電空間中接觸所述第 一 電極層的第 一 保護(hù)層；和 在所述放電空間中接觸所述第二電極層的第二保護(hù)層。
19、 一種等離子體顯示面板，包括 第一基板；第二基板，其與所述第一基板相分隔并面向所述第一基板； 障肋，其位于所述第一基板與所述第二基板之間，所述障肋構(gòu)建多個(gè)放 電空間；在所述障肋中的第一電極，其沿與所述第一基板與所述第二基板大致平 行的第 一方向在所述第 一基板與所述第二基板之間延伸；在面向所述第一基板的所述第二基板上的第二電極，所述第二電極沿與 所述第一基板與所述第二基板大致平行的第二方向在所述第一基板與所述 第二基板之間延伸，并與所述第一電極交叉；中間層，其位于所述第一電極與所述第二電極之間的所述障肋中；和第一熒光層，其位于所述放電空間的側(cè)壁上并位于所述中間層處，靠近所述第二電極處的橫截面積。
20、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括在所述第 二基板上并掩藏所述第二電極的介電層，并且其中，所述第一熒光層位于所述放電空間的所述中間層處的側(cè)壁上以及 在所述放電空間中所述介電層上。
21、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間的 接觸所述第 一焚光層之處的橫截面積大于所述放電空間的靠近所迷第二基 板之處的橫截面積。
22、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一熒光層 沿從所述第 一 電極到所述第二電極的方向線性地或以凹進(jìn)拋物線的形狀傾斜。
23、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極圍繞每個(gè)所述放電空間的至少 一部分。
24、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間具有圓形或橢圓形橫截面。
25、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括 在所述第一基板上面向相應(yīng)放電空間的凹槽；和 在所述凹槽中的第二熒光層。
26、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極被 掩藏在所述障肋中。
27、 如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中 所述障肋包括封裝所述第一電極的第一電極層、和在所述第一電極層和所述第二基板之間的中間層，并且所述第 一 電極層和所述中間層形成為片狀。
28、 如權(quán)利要求27所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括 第 一保護(hù)層，其位于所述放電空間中并接觸所述第 一 電極層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種設(shè)置在放電空間中的等離子體顯示面板，其中熒光層設(shè)置在相互隔開的第一與第二電極之間。每個(gè)放電空間在與分別排布有第一和第二電極的兩個(gè)區(qū)域中的截面區(qū)域具有不同結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01J11/36GK101261918SQ20081000734
公開日2008年9月10日 申請日期2008年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月5日
發(fā)明者姜景斗, 崔榮鍍, 崔鐘佑, 曹臺(tái)昇, 權(quán)宰翊, 李源周, 田炳玟, 禹錫均, 黃鏞式 申請人:三星Sdi株式會(huì)社