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      電極、電極組件及其制造方法

      文檔序號(hào):2935644閱讀:203來源:國知局
      專利名稱:電極、電極組件及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種可以將引線牢固地焊接在冷陰極放電管的電極 上的電極以及電極組件及其制造方法。
      背景技術(shù)
      在填充有稀有氣體以及水銀蒸汽的玻璃管的內(nèi)部對(duì)置配置有一 對(duì)電極且在玻璃管的內(nèi)壁上覆蓋有熒光膜的冷陰極放電管以往以來 廣泛被用作液晶顯示器的背光燈用光源等。在冷陰極放電管的一對(duì)電 極上連接有導(dǎo)入線(引線)的一端,導(dǎo)入線的另一端從玻璃管的兩端 向外部引出。如果對(duì)一對(duì)電極間施加電壓,則從一方的電極放出電子, 電子轟擊玻璃管內(nèi)的水銀原子而產(chǎn)生紫外線。該紫外線通過形成在玻 璃管的內(nèi)壁的熒光膜而波長轉(zhuǎn)換成可見光。在下述專利文獻(xiàn)l中,當(dāng)制造安裝在密封在玻璃燈泡的兩端部中 的導(dǎo)入金屬體的前端上的電極時(shí),使用具有可以將導(dǎo)入金屬體嵌入的 孔部的空心金屬體來構(gòu)成電極,以將上述導(dǎo)入金屬體嵌入孔部的狀 態(tài),從空心金屬體的側(cè)方部進(jìn)行激光的照射,在孔部內(nèi)形成空心金屬 體與導(dǎo)入金屬體的接合部。不是對(duì)空心金屬體的內(nèi)表面直接照射激 光,而是從空心金屬體的側(cè)方部照射激光,使用形成在孔部內(nèi)的接合 部來接合空心金屬體和導(dǎo)入金屬體,所以可以適當(dāng)?shù)匾种瓶招慕饘袤w 的內(nèi)表面的溫度上升,從而可以抑制空心金屬體內(nèi)表面上的氧化膜的 形成。專利文獻(xiàn)1:日本特開2003 - 272520 (圖2 )一般在引導(dǎo)用于激光焊接的激光的光纖中,存在GI光纖 (Graded Index Fiber;漸變折射率光纖)和SI光纖(Step Index Fiber; 突變折射率光纖)。GI光纖具有從纖芯的中心軸朝向離開的外層逐漸地使折射率降低來使波模分散減少的結(jié)構(gòu),光隨著行進(jìn)向中央收斂,所以具有中央部分的能量密度比外側(cè)高的特性。SI光纖具有纖芯和包層的折射率分布成陡峭的臺(tái)階狀的結(jié)構(gòu),在具有不同的入射角的 入射光的情況下,從入射端到出口端的通過距離不同而出射光分散, 所以光的能量分散而更均勻化。因此,在使入射角不同的激光入射來焊接的情況下,SI光纖與GI光纖相比能量分布變得均勻,適用于較 淺地焊接寬的面積的焊接法。但是,即使使用了與GI光纖相比能量分布接近于均勻的SI光 纖,也產(chǎn)生激光的焦點(diǎn)(中央)部分和外側(cè)(周邊)部分在剖面上的 能量分布(到達(dá)深度)中發(fā)生不同的缺點(diǎn)。另一方面,優(yōu)選保持牢固的機(jī)械焊接強(qiáng)度,在連接電極的底壁和 引線的大致整個(gè)面上設(shè)置熔接區(qū)域。但是,在從杯形狀的電極的內(nèi)側(cè) 照射激光來焊接電極和引線時(shí),如果如圖7所示那樣激光的輸出弱, 則無法利用通過電極(2)的底壁(5)而被吸收的能量來將引線(3) 的端部(3a)的整個(gè)面加熱到足以與電極(2)焊接的溫度。特別, 如上所述,由于能量的到達(dá)深度在激光的焦點(diǎn)部分和激光的外側(cè)部分 不同,所以引線(3)的外周壁(3b)側(cè)達(dá)不到焊接溫度,引線(3) 和電極(2)的焊接不充分。相反,如圖8所示,在使用強(qiáng)化了的激 光的輸出來燒結(jié)高熔點(diǎn)金屬(例如鎢)而制成的引線(3)的情況下, 如果使引線(3)的端部(3a)的大致整個(gè)區(qū)域上升到焊接溫度以上, 則激光的徑向的能量分布不均勻,所以引線(3)的中心部超過焊接 溫度而達(dá)到鴒的再結(jié)晶溫度。.其結(jié)果,鴒的再結(jié)晶擴(kuò)展至深部,引線 (3)的機(jī)械強(qiáng)度降低,例如引線(3)以再結(jié)晶部分為起點(diǎn)而斷裂。 即,產(chǎn)生如下的二律背反的問題如果激光的強(qiáng)度強(qiáng),則引線(3) 的機(jī)械強(qiáng)度由于再結(jié)晶化而降低,另一方面如果激光的強(qiáng)度弱,則焊 接變得不充分而無法取得充分的焊接強(qiáng)度。另外,由于激光的能量分 布不僅在深度方向而且還在寬度(橫向?qū)挾?方向上變化,所以如專 利文獻(xiàn)1所示,即使從電極的側(cè)方照射激光,也產(chǎn)生與上述同樣的問 題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種電極以及電極組件及其制造方法,能 夠?qū)⒁€更牢固地熔接在電極上,可以較高地確保引線的機(jī)械強(qiáng)度。本發(fā)明的電極(2)具有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的 內(nèi)表面的一端(4b)的底壁(5),其中,在底壁(5)設(shè)有與將中心 軸(A)通過的底壁(5)的中心部(5c)包圍的周邊部(5d)處的底 壁(5)的厚度(tj相比底壁(5)的中心部(5c)處的厚度(to)形 成得較大的突起(7)。焊接時(shí)的激光的能量被電極(2)吸收而轉(zhuǎn)換 成熱能,但在本發(fā)明的電極中,由于與將中心軸(A)通過的底壁(5) 的中心部(5c)包圍的周邊部(5d)處的厚度(tj相比底壁(5)的 中心部(5c)處的厚度(t。)形成得較大,所以與周邊部(3d)相比, 熱能難以傳達(dá)到引線(3)的端部(3a)的中心部(3c)。因此,在 引線(3)的端部(3a)的中心部(3c),溫度上升被抑制或延遲; 而在引線(3)的周邊部(3d),與中心部(3c)相比溫度上升沒有 被抑制,所以可以使引線(3)的端部(3d)的溫度分布沿著徑向(引 線(3)的寬度方向)均勻化。因此,即使使激光的輸出上升到使引 線(3)的端部(3a)的外周壁(3a)側(cè)的溫度達(dá)到再結(jié)晶化溫度以 上的水平,與以往相比,引線(3)的中心部(3c)的溫度也能夠被 緩和成等于或小于外周壁(3b)的溫度,所以與以往的電極組件(1) 不同,可以抑制從引線(3)的中心部(3c)處的端部(3a)到深部 的再結(jié)晶化而引起的網(wǎng)眼狀組織化的情況,并可以抑制由于晶界斷裂 而引起的引線(3)的機(jī)械強(qiáng)度的降低。本發(fā)明的實(shí)施方式的電極具有環(huán)狀的側(cè)壁(4 )以及封閉側(cè)壁(4 ) 的內(nèi)表面(4a)的一端(4b)的底壁(5)。在底壁(5)的外表面(5b) 上形成有凹部(6),在底壁(5)設(shè)有與和凹部(6)的側(cè)壁(4)側(cè) 相對(duì)的底壁(5)的厚度(tj相比、和凹部(6)的中心相對(duì)的底壁 (5)的厚度(t。)形成得較大的突起(7)。本發(fā)明的電極組件具備具有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的內(nèi)表面Ua)的一端(4b)的底壁(5)上的電極(2)、和固定在 電極(2)的底壁(5)上的引線(3),其中,在底壁(5)上設(shè)有與 將中心軸(A)通過的底壁(5)的中心部(5c)包圍的周邊部(5d) 處的厚度(t,)相比底壁(5)的中心部(5c)處的厚度(to)形成得 較大的突起(7)。本發(fā)明的電極組件的制造方法包括如下的步驟準(zhǔn)備具有環(huán)狀的 側(cè)壁(4)和封閉側(cè)壁(4)的內(nèi)表面(4a)的一端(4b)的底壁(5) 并且形成有與包圍中心軸(A)通過的底壁(5)的中心部(5c)的周 邊部(5d )處的厚度(t,)相比底壁(5 )的中心部(5c )處的厚度(t0) 大的突起(7)的電極(2)、和引線(3)的步驟;將引線(3)的端 部(3a)抵接到底壁(5)的外表面(5b)的步驟;以及從側(cè)壁(4) 的內(nèi)表面(4a)的另一端(4c)側(cè)的開口部(8)朝向底壁(5)的內(nèi) 表面(5a)照射激光,來將引線(3)的端部(3a)焊接到電極(2) 的底壁(5)的外表面(5b)上的步驟。本發(fā)明的實(shí)施方式的電極組件的制造方法具有如下的步驟準(zhǔn)備 具有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的內(nèi)表面(4a)的一端(4b) 的底壁(5)和形成在底壁(5)的外表面(5b)的凹部(6)且在底 壁(5 )設(shè)有與和凹部(6 )的側(cè)壁(4 )側(cè)相對(duì)的底壁(5 )的厚度(^ ) 相比、和凹部(6)的中心相對(duì)的底壁(5)的厚度(t。)形成得較大 的突起(7)的電極(2)、和引線(3)的步驟;將引線(3)的端部 (3a)抵接到底壁(5)的外表面(5b)的步驟;以及從側(cè)壁(4)的 內(nèi)表面(4a)的另一端(4c)側(cè)的開口部(8)朝向底壁(5)的內(nèi)表 面(5a)照射激光,來將引線(3)的端部(3a)焊接到電極(2)的 底壁(5)的外表面(5b)上的步驟。根據(jù)本發(fā)明,能夠?qū)⒁€更牢固地熔接在電極上,可以較強(qiáng)地確 保引線的機(jī)械強(qiáng)度。


      圖l是示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極組件的剖面圖。圖2是示出圖l所示的電極組件的底壁的一部分的部分放大剖面圖。圖3是圖1所示的電極組件的分解剖面圖。 圖4是示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電極組件的分解剖面圖。 圖5是示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式的電極組件的分解剖面圖。 圖6是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的電極組件的分解剖面圖。 圖7是示出利用激光來向電極焊接引線的以往的一個(gè)方法的電極組件的剖面圖。圖8是示出利用激光來向電極焊接引線的以往的另一方法的電阻組件的剖面圖。 (標(biāo)號(hào)說明)(1) 電極組件(2) 電極(3) 引線(4) 側(cè)壁 (4b) —端(5) 底壁 (5a)內(nèi)表面 (5b )夕卜表面 (5c)中心部 (5d)周邊部(6) 凹部(7) 突起(8) 開口部具體實(shí)施方式
      以下,就圖1~圖6,對(duì)本發(fā)明的電極以及電極組件及其制造方 法的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 (第1實(shí)施方式)本發(fā)明的電極具有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的內(nèi)表面 的一端"b)的底壁(5)。設(shè)有與將中心軸(A)通過的底壁(5) 的中心部(5c)包圍的周邊部(5d)處的厚度(tj相比底壁(5)的 中心部(5c)處的厚度(t。)形成得較大的突起(7)。通過在底壁(5) 上設(shè)置突起(7),比與凹部(6)的側(cè)壁(4)側(cè)相對(duì)的底壁(5)處 的厚度(tj大的厚度(t。)形成在與凹部(6)的中心相對(duì)的底壁(5) 處。如圖1~圖5所示那樣使中心部(5c)成為最大高度的緩慢的曲 線狀、或如圖6所示那樣臺(tái)階狀的突起(7)形成在底壁(5)的內(nèi)表 面(5a)或外表面(5b)上。中心與電極(2)的中心軸(A)對(duì)準(zhǔn)的 凹部(6)形成在底壁(5)的外表面(5b)上。在制造電極組件(1)時(shí),首先,如圖1以及圖2所示,準(zhǔn)備具 有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的內(nèi)表面(4a)的一端(4b) 的底壁(5)并且具有由底壁(5)的內(nèi)表面(5a)和側(cè)壁(4)圍起 來的第1空間(10)和由在第1空間(10)的相反側(cè)開口且形成在底 壁(5)的外表面(5b)的凹部(6)所形成的第2空間(11)的電極 (2)、和引線(3)。底壁(5)的大的厚度(to)的突起(7)的中心 部(5c)的直徑與引線(3)的直徑相同或小于引線(3)的直徑。電極(2)例如由從鎳、鈮、鉬、鵠、鉭選擇的金屬或包括這些 金屬中的至少1種的合金構(gòu)成。但是,優(yōu)選例如由從鈮、鉬、鵠、鉭 選擇的耐濺射性的金屬粒子形成電極(2)。另外,也可以是利用鎳 等低熔點(diǎn)金屬來形成基材,作為承載耐濺射性的金屬粒子的載體的粘 接材料,并在基材中使耐濺射性的多個(gè)金屬粒子分散的金屬材料組 織。如圖2所示,電極(2)的凹部(6)形成為直徑比引線(3)的 直徑大的圓形剖面,形成第2空間(11)的電極(2)的凹部(6)的 長度方向(縱向)的中心軸與形成第1空間(10)的電極(2)的環(huán) 狀的側(cè)壁(4)的中心軸(A)重疊地匹配。由此,將引線(3)的端 部(3a)嵌合到電極(2)的凹部(6),使電極(2)的中心軸和引 線(3)的端部(3a)的中心軸在同一直線上匹配,可以將電極(2)的底壁(5)的中心部(5c)和引線(3)的端部(3a)的中心部(3c ) 配置在同一直線上。由于與將中心軸(A)通過的底壁(5)的中心部(5c)包圍的 周邊部(5d)處的厚度(t,)相比底壁(5)的中心部(5e)處的厚度 (to)大,所以在電極(2)的底壁(5)上,通過焊接而與引線(3) 的端部(3a)的中心部(3c)連接(或?qū)χ?的部分的厚度(to)大 于與引線(3)的外周壁(3b)連接(或?qū)χ?的部分的厚度(tj 。 在電極(2)的底壁(5)上,形成第2空間(11)的凹部(6)的底 面是平坦地;在形成第1空間(10)的底壁(5)的內(nèi)表面(5a)上, 形成為從將與引線(3)的端部(3a)對(duì)應(yīng)的中心部(5c)包圍的周 邊部(5d)朝向與引線(3)的端部(3a)的中心部(3c)對(duì)應(yīng)的中 心部(5c)逐漸變厚。因此,如果將電極(2)的底壁(5)的中心部 (5c)和引線(3)的端部(3a)的中心部(3c)配置在同一直線上, 則在電極(2)的底壁(5)的內(nèi)表面(5a)上,形成在中心部(5c) 最厚的突起(7)。另外,優(yōu)選將電極(2)的側(cè)壁(4)的直徑設(shè)為2.7mm,將電 極(2)的側(cè)壁(4)的厚度設(shè)為0.2mm,將電極(2)的凹部(6)的 直徑設(shè)為0.9~1.0mm;為了易于將由激光載電極(2 )的內(nèi)表面(4a ) 處發(fā)生的熱能傳導(dǎo)到引線(3)的端部(3a),優(yōu)選以比凹部(6)小 的、例如0.4~0.6mm的直徑形成電極(2)的突起(7)。另外,也 可以將底壁(5)的比凹部(6)更靠外側(cè)的厚度(t2)設(shè)為2.0mm, 將底壁(5)的具有底壁(5)的凹部(6)以及突起(7)處的厚度設(shè) 為1.5mm 側(cè)壁側(cè))~ 1.8mm (to:中央部),如圖2所示,使厚 度變化呈緩慢的正態(tài)分布曲線。大致圓柱形的引線(3)的直徑小于等于凹部(6)的直徑,例如 為0.9mm。引線(3)由與電極(2)相同或不同的金屬材料形成。但 是,優(yōu)選利用即使在使用電極組件(1)的過程中在電極(2)的底壁 (5)上通過濺射來開孔而使引線(3)的端部(3a)露出,也可以較 高地保持電極組件(1)的濺射性的鈮、鉬、鴒或它們的合金的粉末來形成引線(3)。熔點(diǎn)高的上述粉末金屬是將粉末金屬在加壓下加 熱燒結(jié)而形成的。但是,如果利用焊接等來使燒結(jié)后的引線(3)再 結(jié)晶化,則結(jié)晶結(jié)構(gòu)變成網(wǎng)眼狀組織,存在發(fā)生晶界斷裂而使引線(3 ) 斷裂的危險(xiǎn)。因此,說明對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極(2)和引線(3)進(jìn) 行激光焊接來形成電極組件(1)的制造方法。將引線(3)的端部(3a)嵌合到電極(2)的凹部(6),使引 線(3)的端部(3a)抵接到底壁(5)的外表面(5b),對(duì)電極(2) 按壓引線(3)。接下來,通過開口部(8)從第1空間(10)朝向電 極(2)的底壁(5)的內(nèi)表面(5a)照射激光,來將引線(3)焊接 到電極(2)的底壁(5)上。在該情況下,優(yōu)選在激光焊接中導(dǎo)入通 過了SI光纖的激光。在該情況下,即使使用SI光纖,出射光的能量 分布也成為中心部尖銳的高斯分布,所以在本發(fā)明的第1實(shí)施方式的 電極(2)中,利用激光焊接來形成與引線(3)的端部(3a)的中心 部(3c)對(duì)置的部分的厚度(t。)、即與凹部(6)的中心相對(duì)的底壁 (5)的厚度比與引線(3)的端部(3a)的外周壁(3b)側(cè)對(duì)置的部 分的厚度(ti)、即與凹部(6)的側(cè)壁相對(duì)的厚度厚的突起(7)。 由于形成突起(7),所以越靠近電極(2)的底壁(5)的中心部(5c), 電極(3)的底壁(5)變得越厚;在底壁(5)的中心部(5c)上, 越靠近引線(3)的端部,熱能越難以傳達(dá)到。因此,以朝向電極(2) 的底壁(5)的中心部(5c)增加電極(3)的底壁(5)的厚度的、 與將高斯分布的能量分布反轉(zhuǎn)的形狀相似的形狀來形成突起(7), 可以使引線(3)的端部(3a)側(cè)的溫度上升受到抑制或延遲,使引 線(3)的端部(3a)的溫度上升(加熱)沿著徑向均勻化。因此, 即使使激光的輸出上升到使引線(3)的外周壁(3b)側(cè)的引線(3) 的端部(3a)的溫度達(dá)到再結(jié)晶化溫度以上的水平,引線(3)的端 部(3a)的中心部(3c)也不會(huì)像以往的電極組件(1)那樣從引線 (3)的端部(3a)到引線(3)的更深部再結(jié)晶化。這樣,可以抑制 直到引線(3)的端部(3a)的深部的再結(jié)晶化而造成的組織網(wǎng)眼狀化,可以抑制由于晶界斷裂而引起的引線(3)的部分機(jī)械強(qiáng)度的降 低。因此,在本發(fā)明中,能夠提供將引線更牢固地熔接在杯狀的電極 上、可以較強(qiáng)地確保引線的機(jī)械強(qiáng)度的電極組件(1)。另外,在第2空間(11)中,熔融的、構(gòu)成電極(2)的充分量 的金屬材料被填充到將引線(3)與由于凹部(6)而變薄的底壁(5) 以比以往低的能量來焊接且形成凹部(6)的圓筒壁面和引線(3)的 外周壁(3b)之間,可以使形成有底壁(5)的凹部(6)處的底壁(5) 的厚度與激光焊接前相比在激光焊接后變得更厚,可以提高電極組件 (1)的耐濺射性。另外,也可以使在激光焊接前形成在電極(2)的 突起(7)的高度在激光焊接后減少,平坦地成為零或相反地凹陷而 成為凹狀。(第2實(shí)施方式)圖4示出第2實(shí)施方式的電極組件。另外,在圖4~圖6中,對(duì) 與圖1實(shí)質(zhì)上相同的部分附加相同附圖標(biāo)記并省略其說明。在圖4所示的實(shí)施方式的電極(2)中,代替突起(7)而設(shè)有變 形了的突起(7),其他結(jié)構(gòu)與圖l相同。在圖3的電極(2)中,在 形成第2空間(11)的電極(2)的底壁(5)的外表面(5b)的凹部 (6a)形成突起(7),將形成第1空間(10)的電極(2)的底壁(5) 的內(nèi)表面(5a)設(shè)為平坦面。在圖3的電極(2)中,與圖1所示的 本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極同樣地,與引線(3)的端部(3a)的 中心部(3c)對(duì)置的部分的厚度(tj比與引線(3)的端部(3a)的 外周壁(3b)側(cè)對(duì)置的部分的厚度(tj厚,所以具有與圖1的本發(fā) 明的第1實(shí)施方式的電極(2)同樣的效果。同樣地,圖5的第2實(shí) 施方式所示的組合了電極(2)和引線(3)的電極組件(la)也具有 與圖1的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極組件(1)同樣的效果??梢?從電極(2)的底壁(5)的凹部(6a)的側(cè)方朝向中心部(5c),以 從周邊部(5d)的厚度(tj逐漸增加的厚度形成突起(7),使中心 部(5c)成為最大厚度(tj 。(第3實(shí)施方式)在圖5所示的實(shí)施方式的電極(2)中,從底壁(5)的內(nèi)表面(5a) 和外表面(5b)分別使突起(7)突出,但其他結(jié)構(gòu)與圖1相同。在 圖5的電極(2)中,形成有向形成第1空間(10)的電極(2)的底 壁(5)的內(nèi)表面(5a)突出的突起(7)、和向形成第2空間(11) 的電極(2)的底壁(5)的外表面(5b)的凹部(6a)突出的突起(7)。 與圖1所示的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極(2)同樣地,在圖5的 電極(2)中,與引線(3)的中心部(3c)對(duì)置的中心部(5c)的電 極(2)的底壁(5)的厚度(t。)大于與引線(3)的外周壁(3b)側(cè) 對(duì)置的周邊部(5d)的電極(2)的底壁(5)的厚度(tl),所以產(chǎn) 生與圖1的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極(2)同樣的效果。同樣地, 焊接了圖5的第3實(shí)施方式所示的電極(2)和引線(3)的電極組件 (lb)也具有與圖1的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極組件(1)同樣的 效果。可以以從電極(2)的底壁(5)的側(cè)方的周邊部(5d)的厚度 (tj朝向中心部(5c)逐漸增加的厚度形成突起(7),在中心部(5c) 設(shè)置最大厚度(tj 。(第4實(shí)施方式)在圖6所示的第4實(shí)施方式的電極(2)中,設(shè)有變形的突起(7), 而其他結(jié)構(gòu)與圖l相同。在圖6的電極(2)中,并非如圖1~圖5所 示那樣形成緩慢的曲線狀,而形成為臺(tái)階狀的突起(7)。在圖6的 電極(2)中,與圖1所示的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極(2)同樣 地,與引線(3)的中心部(3c)對(duì)置的部分處的電極(2)的底壁(5) 的厚度(t。)比與引線(3 )的外周壁(3b )側(cè)對(duì)置的部分處的電極(2 ) 的底壁(5)的厚度(tj厚,所以具有與圖1所示的本發(fā)明的第1實(shí) 施方式的電極(2)同樣的效果。同樣地,焊接了圖6所示的第4實(shí) 施方式所示的電極(2)和引線(3)的電極組件(lc)也具有與圖1 的本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電極組件(l)同樣的效果。以從電極(2) 的底壁(5)的側(cè)方的厚度(tj朝向中心部(5c)逐漸增加的厚度形 成突起(7),在中心部(5c)賦予最大厚度(tj 。本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式,可以進(jìn)一步進(jìn)行變更。例如,可以在高度0.01 mm ~ 2.00mm 、直徑0.20 ~ 2.00mm的范圍內(nèi)形成突起(7 )。另外,也可以在制造電極組件(1)時(shí),不與側(cè)壁(4)同軸地在底壁 (5 )的外表面(5b )上形成凹部(6 )地準(zhǔn)備電極(2 ),不將引線(3 ) 嵌合到底壁(5)的凹部(6),而將引線(3)焊接到電極(2)的底 壁(5)。說明了應(yīng)用激光焊接法的例子,但即使代替激光焊接法, 而利用電阻焊接法來焊接電極(2)的引線(3),也可以取得本發(fā)明 的效果。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可以應(yīng)用于將引線牢固地焊接在冷陰極放電管的電極上 電極組件。
      權(quán)利要求
      1.一種電極,具有環(huán)狀的側(cè)壁以及封閉該側(cè)壁的內(nèi)表面的一端的底壁,其特征在于,在上述底壁上設(shè)有與將中心軸通過的上述底壁的中心部包圍的周邊部處的上述底壁的厚度相比、上述底壁的中心部處的厚度形成得較大的突起。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其中,在上述底壁的內(nèi)表面上 形成有使中心部成為最大高度的緩慢的曲線狀或臺(tái)階狀的上述突起。
      3. —種電極,具有環(huán)狀的側(cè)壁以及封閉該側(cè)壁的內(nèi)表面的一端 的底壁,其特征在于,在上述底壁的外表面上形成有凹部,在上述底壁上設(shè)有與和該凹部的側(cè)壁側(cè)相對(duì)的上述底壁的厚度 相比、和上述凹部的中心相對(duì)的上述底壁的厚度形成得較大的突起
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項(xiàng)所述的電極,其中,在上述 底壁的外表面上形成有中心與上述電極的中心軸匹配的上述凹部。
      5. —種電極組件,具備具有環(huán)狀的側(cè)壁以及封閉該側(cè)壁的內(nèi)表 面的一端的底壁的電極、和固定在該電極的底壁上的引線,其特征在 于,在上述底壁設(shè)有與將中心軸通過的上述底壁的中心部包圍的周 邊部處的厚度相比、上述底壁的中心部處的厚度形成得較大的突起。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極組件,其中,上述引線的中心部 的中心匹配于上述電極的中心軸上,上述突起的直徑與上述引線的直 徑相同或小于上述引線的直徑。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電極組件,其中,在上述底壁的 內(nèi)表面上形成有使中心部成為最大高度的緩慢的曲線狀或臺(tái)階狀的 上述突起。
      8. —種電極組件的制造方法,其特征在于,包括如下的步驟 準(zhǔn)備具有環(huán)狀的側(cè)壁以及封閉該側(cè)壁的內(nèi)表面的一端的底壁、并且形成有與將中心軸通過的上述底壁的中心部包圍的周邊部處的厚度相比上述底壁的中心部處的厚度大的突起的電極、和引線的步驟; 將該引線的端部抵接到上述底壁的外表面的步驟;以及 從上述側(cè)壁的內(nèi)表面的另一端一側(cè)的開口部朝向上述底壁的內(nèi)表面照射激光,來將上述引線的端部焊接到上述電極的底壁的外表面上的步驟。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極組件的制造方法,其中,從上述 底壁的中心部朝向側(cè)方使緩慢的曲線狀或臺(tái)階狀的上述突起形成在 上述底壁的內(nèi)表面或外表面的至少一方上,從而與上述周邊部處的厚 度相比使上述底壁的中心部處的厚度形成得較大。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極組件的制造方法,其中, 在上述底壁的外表面上形成中心與上述電極的中心軸匹配的凹部,將上述引線的端部嵌合到上述凹部內(nèi),將上述引線的端部抵接到 上述底壁的外表面。
      11. 一種電極組件的制造方法,其特征在于,包括如下的步驟 準(zhǔn)備具有環(huán)狀的側(cè)壁以及封閉該側(cè)壁的內(nèi)表面的一端的底壁和形成在該底壁的外表面的凹部、且在上述底壁上設(shè)有與和該凹部的側(cè)壁側(cè)相對(duì)的上述底壁的厚度相比、和上述凹部的中心相對(duì)的上述底壁的厚度形成得較大的突起的電極、和引線的步驟;將該引線的端部抵接到上述底壁的外表面的步驟;以及 從上述側(cè)壁的內(nèi).表面的另一端一側(cè)的開口部朝向上述底壁的內(nèi)表面照射激光,來將上述引線的端部焊接到上述電極的底壁的外表面上的步驟。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求8~11中的任意一項(xiàng)所述的電極組件的制造方 法,其中,將焦點(diǎn)置于通過上述引線的端部的中心部的直線上來照射上述激光。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種電極、電極組件及其制造方法,牢固地熔接冷陰極放電管的杯狀的電極和引線。在電極組件中設(shè)有具有環(huán)狀的側(cè)壁(4)以及封閉側(cè)壁(4)的一端的底壁(5)的電極(2)和與側(cè)壁(4)在同軸上且固定在電極(2)的凹部(6)內(nèi)的引線(3),在底壁(5)上設(shè)有使中心部成為最大厚度的突起(7),從而可以以接近于與高斯分布互補(bǔ)的形狀的厚度來形成底壁(5),可以一邊防止引線(3)以及底壁(5)的焊接部的局部過熱,一邊以更均勻的溫度對(duì)引線(3)以及底壁(5)的焊接部整體進(jìn)行加熱來焊接。
      文檔編號(hào)H01J1/30GK101329972SQ20081009711
      公開日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月21日
      發(fā)明者三井一樹, 鯨井正義 申請(qǐng)人:三墾電氣株式會(huì)社
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